Captulo 12 Diodos 1

Captulo 12

Diodos
Captulo 12 Diodos 2

12.1.1 Introduccin

Para el estudio de la teora de funcionamiento de los diodos, transistores, y

circuitos integrados, es necesario comprender las caractersticas bsicas de los
semiconductores. En este captulo se discutirn los conceptos bsicos de la
teora atmica, y luego se presentar paso a paso la operacin de los diodos.
Adems, se presentarn algunos principios bsicos, smbolos y aplicaciones de
semiconductores especficos.

12.1.2 Semiconductor Intrnseco

Todos los materiales estn formados por tomos, que a su vez estn
compuestos de electrones, protones y neutrones. Para comprender mejor un
semiconductor, en esta seccin veremos la constitucin de los tomos y dos de
los principales materiales semiconductores: el silicio y el germanio.
Un tomo es la partcula ms pequea que tiene las caractersticas originales
del elemento al cual pertenece. Para los diferentes elementos debe haber
diferentes tomos, lo que significa que cada elemento posee una constitucin
nica y especfica de sus tomos.

Electrn en rbita

Ncleo

Fig. 12.1 Modelo atmico de Bohr

Captulo 12 Diodos 3

Segn el modelo atmico clsico de Bohr, la estructura de un tomo es como

un sistema planetario. El centro del sistema es el ncleo, y los planetas son los
electrones que giran alrededor del ncleo en rbitas, como se ve en la Fig. 12.1
El ncleo est compuesto de protones, con carga positiva y neutrones, que no
tienen carga. El electrn es la partcula bsica con carga negativa. Los tomos
de cada elemento tienen un cierto nmero de electrones y protones. No
obstante, la cantidad de electrones es siempre igual al nmero de protones
para cada tomo. Esto permite que el nmero de cargas positivas sea igual al
nmero de cargas negativas, y se mantiene en estado neutral. Por ejemplo, el
tomo ms simple que existe es el de Hidrgeno, que posee un protn y un
electrn, como se muestra en la Fig. 12.2(a). En la Fig. 12.2(b) e aprecia el
tomo de helio, que tiene dos protones, dos neutrones y dos electrones que
giran alrededor en rbitas.

Un electrn en rbita
Dos electrones en
rbita

Dos protones y dos

neutrones
en el ncleo
Un protn

(a) tomo de Hidrgeno (b) tomo de Helio

Fig. 12.2 tomos de Hidrgeno y de Helio

Un semiconductor es un elemento con 4 electrones de valencia. Esto significa

que existen 4 electrones en la rbita exterior de los tomos del material
semiconductor, y se llaman electrones de valencia. La cantidad de electrones
de valencia es el punto clave en la conductividad de un elemento. Un conductor
tiene un electrn de valencia, el semiconductor tiene 4 electrones de valencia y
el aislador tiene ocho electrones de valencia.

Tanto el silicio como el germanio tienen cuatro electrones en su rbita exterior,

como se muestra en las Fig. 12.3 y 12.4. Por lo tanto, generalmente se usa
silicio o germanio como materiales semiconductores. El tomo de germanio se
muestra en la Fig. 12.3, y tienen 32 protones en el ncleo. Sus electrones se
distribuyen en rbitas segn el siguiente orden: dos electrones en la primera
rbita, ocho electrones en la segunda rbita, dieciocho electrones en la tercera
rbita, y cuatro electrones en la quinta y ltima rbita.
Captulo 12 Diodos 4

El semiconductor ms comn es el silicio o slice. Tiene 14 protones y 14

electrones. Como se muestra en la Fig. 12.4, dos electrones en la primera
rbita, ocho en la segunda, y los restantes cuatro en la rbita exterior.
No importa si se trata de silicio o de germanio, la cantidad de electrones es
igual a la cantidad de protones; por lo tanto, el tomo es neutro. Esto significa
que no existe carga adicional en el tomo. Si se pierde un electrn de valencia,
entonces la cantidad de electrones ser menor que la cantidad de protones y
se convierte en un in positivo, con una carga positiva.

Fig. 12.3- tomo de germanio Fig. 12.4 tomo de silicio

Electrn de
valencia
compartido

(a) El enlace covalente se forma al

Compartir un electrn de valencia (b) Diagrama de enlaces covalentes

Fig. 12.5 Enlaces covalentes en tomos de Si

Cuando los tomos de silicio se conectan entre s como material slido, se

convierten en una estructura cristalina, y la conexin la forman los enlaces
Captulo 12 Diodos 5

covalentes. Estas fuerzas de unin son establecidas por electrones de valencia

de cada tomo. El silicio o slice se asemeja a un trozo de material cristalino.

En la Fig. 12.5, cada tomo de silicio tiene cuatro tomos similares que lo
rodean. Los tomos adyacentes de silicio comparten los electrones de valencia
de los dems. Por lo tanto, se tienen ocho electrones de valencia para cada
tomo, lo que hace que el tomo de silicio adquiera un estado de estable.

Fuerzas iguales de los tomos adyacentes atraern a estos electrones

compartidos, y por lo tanto, se forman los lazos covalentes entre estos
electrones de valencia y los tomos. Los lazos covalentes que existen en el
cristal intrnseco de silicio se muestran en la Fig. 12.6. El germanio tiene
tambin cuatro electrones de valencia, por lo tanto tenemos la misma situacin
de enlace que con el silicio.

Fig. 12.6 Enlaces covalentes en cristales intrnsecos de silicio

A temperatura ambiente, el silicio obtiene energa del ambiente mismo. El

electrn de valencia que tenga suficiente energa escapar del enlace con el
ncleo y se convierte en un electrn libre, como se muestra en la Fig. 12.7.

Electrn libre

Energa trmica
Agujero
Captulo 12 Diodos 6

Fig. 12.7 Generacin de un electrn libre

Cuando el electrn escapa de su posicin original y se convierte en un electrn

libre, dejar un espacio vaco en la covalencia. Este espacio vaco se llama
agujero, y por lo tanto, cuando el electrn de valencia adquiere fuerza
externa, tal como la que proviene de la luz, calor, o potencia elctrica, se excita
y se escapa de la rbita. Este electrn de valencia se convierte en un electrn
libre. De manera igual, se generar un agujero, y una vez que el electrn libre
pierde la energa, se combina con el agujero y de nuevo se convierte en un
electrn de valencia. Por lo general se forman pares de electrones agujeros,
excepto a temperaturas de cero absoluto.
Sin embargo, se debe tomar notar que la cantidad de electrones y agujeros en
el trozo de silicio es la misma a temperatura ambiente y por lo tanto no posee
ninguna carga.
El germanio es muy parecido al silicio, excepto que tiene una conductividad
ms alta puesto que tiene una mayor cantidad de electrones libres. Tiene una
mayor cantidad de aplicaciones, siendo una de las razones que se puede usar
bajo condiciones de alta temperatura.
En la Fig. 12.8, se le aplica un potencial (polarizado) para liberar los electrones
y que sean atrados hacia el terminal positivo. Este movimiento causado por el
flujo de electrones libres inducir una corriente en el semiconductor, llamada
flujo de electrones.
Se tiene tambin otra corriente inducida por los agujeros en el nivel de
valencia. Los agujeros en esta rbita todava estn atados a los tomos del
cristal, por lo que no se pueden mover libremente. Sin embargo, un electrn
puede dejarse caer a un agujero en su vecindad y dejar un agujero en su sitio
original. Da la apariencia que el agujero se ha movido de su posicin, como se
puede ver en la Fig. 12.9. A esto se le llama flujo de agujeros.

Fig. 12.8 Flujo de corriente inducida por el movimiento de los electrones libres
(excitados por calor), movindose en el material intrnseco.
Captulo 12 Diodos 7

Electrn de valencia Agujero

Agujero

Fig. 12.9 Flujo de agujeros en la masa de silicio

12.1.3 Semiconductores Tipo n y Tipo p

En la banda de conduccin no existen suficientes electrones libres ni

suficientes agujeros en la banda de valencia de un trozo intrnseco de silicio.
Por lo tanto, el material de silicio (o de germanio) es generalmente
contaminado con electrones libres y agujeros para mejorar su conductividad y
que sean tiles para efectos elctricos. Si se puede controlar adecuadamente
la concentracin de impurezas, entonces se puede controlar la conductividad.
El procedimiento de contaminacin (dopaje) le suministrar corriente a los
conductores (electrones y agujeros), de tal forma que se reduce la resistencia
en la sustancia y se mejora su conductividad. Estos materiales se pueden
dividir en materiales tipo n y tipo p, dependiendo de las impurezas en el
semiconductor.

12.3.1 Semiconductores Tipo n

Al contaminar el silicio puro con materiales impuros que tengan cinco

electrones de valencia se aumentar la cantidad de electrones en la banda de
conduccin. Estas impurezas pueden ser de arsnico, fsforo y antimonio, que
tienen todos cinco electrones de valencia.
En la Fig. 12.10, cada tomo (en la figura se trata de antimonio Sb) con cinco
electrones de valencia, forma enlaces covalentes con cuatro tomos vecinos de
silicio. Cuatro electrones de valencia del antimonio se utilizan en los enlaces
covalentes, y el electrn que sobra no est atado a ningn tomo. Este se
puede considerar como un electrn libre. La cantidad de estos electrones libres
 Captulo 12 Diodos 8

se puede controlar agregando la cantidad adecuada de impurezas. Los

electrones libres donados por el material impuro no dejan agujeros en los
tomos.

Los principales portadores de corriente son los electrones, por lo que llamamos
a este tipo de semiconductor como tipo n. La letra n implica que se trata de
electrones con carga negativa. En los semiconductores de tipo n, los electrones
entonces son los principales portadores. A pesar de ello, todava se genera una
cantidad de agujeros por ionizacin trmica, y no son producidos por elementos
con cinco electrones de valencia. Estos agujeros en los materiales de tipo n se
llaman portadores minoritarios.

Electrn libre (conductor)

Fig. 12.10 tomo impuro con 5 electrones de valencia en cristal de silicio.

En el centro hay un tomo de antimonio. El electrn sobrante es un electrn
libre.

12.3.2 Semiconductor Tipo p

Agujero

Fig. 12.10 tomo impuro con tres electrones de valencia en cristal de silicio. En
el centro hay un tomo de boro.

Al dopar el silicio puro con materiales impuros con tres electrones de valencia,
se aumentan los agujeros en el silicio. Estas impurezas son tales como el
aluminio, boro, y galio, con tres electrones de valencia.
En la Fig. 12.11, cada tomo con tres electrones de valencia tratar de formar
enlaces covalentes con cuatro tomos vecinos de silicio. Sin embargo,
solamente hay tres electrones de valencia en el tomo de boro que se pueden
usar en los enlaces covalentes, y se requiere un electrn libre adicional. Por lo
Captulo 12 Diodos 9

tanto, se forma un agujero debido a la carencia de electrones libres. La

cantidad de agujeros se puede controlar agregando una cantidad adecuada de
impurezas.

Los principales portadores de corriente son los agujeros, por lo que llamamos a
este tipo de semiconductor como tipo p. La letra p implica que se trata de
agujeros con carga positiva.. A pesar de ello, todava se genera una cantidad
de electrones por ionizacin trmica, y no son producidos por elementos con
tres electrones de valencia. Estos electrones en los materiales de tipo p se
llaman portadores minoritarios.

12.4 Unin p-n Bajo Condicin de no bias

12.4.1 Unin p-n

En la Fig. 12.12 se muestra un cristal de silicio. Una mitad est dopada como
tipo n y la otra como tipo p. Por lo tanto se forma una unin p-n. Esta es la
construccin bsica de un diodo. Existen muchos electrones (portadores
mayoritarios) y pocos agujeros (portadores minoritarios) inducidos por la
ionizacin trmica en la regin de tipo n. Hay muchos agujeros (portadores
mayoritarios) y muy pocos electrones (portadores minoritarios) inducidos por
ionizacin trmica en la regin tipo p, como se muestra en la Fig. 12.12. La
unin p-n no es solamente la estructura bsica de un diodo, sino que tambin
es la estructura principal de los transistores y otros tipos de dispositivos de
estado slido.
Portador principal: Portador principal:
electrn; minoritario: agujero; minoritario:
Unin p-n agujero electrn

Tipo Tipo
p n

Agujero Electrn
Fig. 12.12 Estructura p-n en el momento de contacto.

12.4.2 Regin de Agotamiento

Si no existe polarizacin externa, los electrones en el material tipo n se

desviarn sin control. En el momento de contacto, hay algunos electrones
cerca de la unin que se difundirn dentro del material tipo p y se combinarn
con los agujeros cerca de la unin.
Captulo 12 Diodos 10

Cuando los electrones se mueven a lo largo de la unin y se combinan con los

electrones, los tomos con electrones de valencia cinco cerca de la unin se
transformarn en iones positivos. A la vez, los tomos con electrones de

valencia tres cerca de la unin se convertirn en iones positivos debido a que

han obtenido un electrn adicional. En este tipo de fenmeno, si los electrones
en el material tipo n tienden a difundirse en la regin de material tipo p, debern
vencer la fuerza de atraccin de los iones positivos y la fuerza de repulsin de
los iones negativos. Por lo tanto, una vez que las capas ionizadas se forman,
uno de los lados de la unin se convertir en una regin sin suficientes
electrones, y la otra ms bien con suficientes electrones. Estas regiones
desprovistas de portadores se llaman regiones agotadas. El ancho de las
mismas aumentar hasta que los electrones ya no se mueven a travs de la
unin p-n en equilibrio, como se muestra en la Fig. 12.13.

Regiones
Iones negativos agotadas Iones positivos

Fig. 12.13 En estado de equilibrio, hay muy pocos electrones (puntos negros)
en la regin p, y pocos agujeros (crculos) en la regin n. Estos son portadores
minoritarios. Estas parejas de electrn-agujero se generan por ionizacin
trmica.

Los iones positivos y negativos formarn una barrera de tensin a travs de las
regiones agotadas. A 25C, la barrera de tensin para el silicio es de 0.7 V, y de
0.3 V para el germanio. Cuando aumenta la temperatura en la unin, se
disminuye la tensin de barrera, y viceversa. La tensin de barrera determinar
la tensin aplicada en los dos terminales para iniciar la conduccin de corriente
en el diodo. Para ms detalles, leer la siguiente seccin.

12.5 Unin p-n Bajo Condicin Polarizada

12.5.1 Polarizacin Directa

Captulo 12 Diodos 11

Bias (polarizacin) es la tensin constante aplicada en un semiconductor para

que funcione bajo ciertas condiciones. La polarizacin directa (hacia delante)
permite que la corriente pase a travs de la unin p-n. En la Fig. 12.14, la
tensin directa se conecta en al diodo a manera de polarizacin directa. El
terminal negativo de la batera se conecta a la regin de tipo n (ctodo), y el
positivo a la regin p (nodo).

nodo Ctodo

Fig. 12.14 Conexin con polarizacin directa. En este caso se usa una
resistencia para limitar la corriente y proteger el diodo.

La teora bsica de la polarizacin directa es la siguiente: El terminal negativo

de la batera repele a los electrones en la banda de conduccin de tipo n, y el
terminal positivo repele a los huecos en la regin p de la unin (similar a las
cargas diferentes que se repelen).
Cuando tratan de superar la tensin de barrera, la tensin externa suministrar
la energa suficiente para los electrones en la regin n. Estos electrones
pasarn a travs de la regin agotada y de la unin para combinarse con los
agujeros de la regin p. El terminal negativo de la batera repondr los
electrones que se van de la regin n. Por lo tanto, la corriente en la regin n es
el resultado de que los electrones en la banda de conduccin se muevan hacia
la unin. Una vez que los electrones ingresan a la regin p y se combinan con
los agujeros, se convierten en electrones de valencia. Se mueven en la regin
de agujeros uno por uno, hacia el terminal positivo de la batera. Los
electrones de valencia que se mueven dan la apariencia de que el agujero se
mueve en la direccin opuesta. Por lo tanto, la corriente en la regin p es el
resultado de que los huecos se muevan hacia la unin. La Fig. 12.15 muestra a
un diodo bajo polarizacin directa.

Regin agotada
Captulo 12 Diodos 12

Resistencia
para limitar la
corriente
Flujo de agujeros Flujo de electrones

Fig. 12.15 Flujo de electrones en la unin p-n de un diodo

Nota: La tensin de barrera no es la tensin de la fuente, por lo que no es

posible medirla con un voltmetro. El diodo conducir corriente solamente
cuando la tensin externa supera a la tensin de barrera, como se muestra en
la Fig. 12.16. La tensin de barrera es de 0.7V para un diodo de silicio y de
0.3V para uno de germanio. Una vez que la corriente de polarizacin pasa por
el diodo, la tensin en los dos terminales mantendr la magnitud de la tensin
de barrera. La corriente directa (IF) cambiar ligeramente debido a la influencia
de la resistencia total del semiconductor.
No conduccin Conduccin

Flujo de huecos Flujo de electrones

Fig. 12.16

12.5.2 Polarizacin Inversa

Polarizacin inversa es la resistencia al paso de la corriente por la unin p-n.

En la Fig. 12.17, la tensin directa se conecta al diodo a manera de
Captulo 12 Diodos 13

polarizacin inversa. El terminal negativo de la batera est conectado a la

regin p, y el terminal positivo a la regin n.
Ctodo
nodo

Fig. 12.17 Conexin con polarizacin inversa

El principio bsico de la polarizacin inversa es la siguiente: El terminal

negativo de la batera atrae a los huecos en la regin p de la unin p-n. El
terminal positivo atrae a los electrones de la regin n de la unin p-n. Conforme
los electrones y los agujeros dejan la unin p-n, la regin agotada se har ms
ancha; habr ms iones positivos en la regin n agotada y ms iones negativos
en la regin p.

(a) La corriente de transicin fluye y la (b) Cuando la tensin de barrera es igual a

regin agotada se hace ms ancha la de polarizacin, la corriente no fluye.

Fig. 12.18 Polarizacin Inversa

Cuando el diodo se conecta con polarizacin inversa, la zona agotada se

convierte en una capa aislada de iones positivos y negativos. Como se muestra
en la Fig. 12.19, la unin p-n muestra un efecto capacitivo. La regin agotada
se hace ms ancha debido a una mayor polarizacin inversa, la capacitancia es
menor y viceversa. Esta capacitancia interna se llama capacitancia de
agotamiento.
Regin agotada ancha que
acta como capa de aislamiento
Captulo 12 Diodos 14

Regio-nes
de iones.
Placas
polares

Fig. 12.19 Regin agotada que se aumenta debido al aumento de la

polarizacin inversa.

Se sabe que la mayor parte del flujo de portadores tendr valor cero poco
despus de aplicar la polarizacin inversa en el diodo. Sin embargo todava
quedar una pequea corriente fluyendo. La corriente inversa del germanio es
ms alta que la del silicio. Esta ltima es del orden de los A o nA. En la regin
agotada todava quedan pares electrn hueco generados por ionizacin
trmica. Aunque en pequea cantidad, todava hay algunos electrones bajo la
polarizacin inversa en la unin p-n antes de combinarse con los agujeros. Este
proceso producir los portadores minoritarios en los materiales.
Bsicamente, la corriente inversa de fuga depende nicamente de la
temperatura en la unin, y es independiente de la magnitud de la polarizacin
inversa. A mayor temperatura la fuga ser mayor.
Cuando la polarizacin inversa externa es lo suficientemente alta, sucede un
efecto de avalancha. Supngase que tenemos un electrn en la banda de
conduccin. Se acelerar hacia el terminal positivo del diodo una vez que
reciba suficiente energa del exterior. En la senda de movimiento, si este
electrn colisiona con el tomo y empuja el electrn de valencia fuera de la
banda de conduccin, se tendrn dos electrones libres. Cada uno de ellos
chocar con un tomo y se tendr un electrn libre, y por lo tanto, dos
electrones libres producirn cuatro. Utilizando el mismo mecanismo,
encontramos que habr ms electrones generados mediante colisiones. A este
efecto se le llama efecto acumulado de avalancha, y aumentar sbitamente
la corriente inversa.
La mayora de los diodos no pueden funcionar en la regin de avalancha
inversa, ya que se daaran debido a la alta disipacin de potencia. Sin
embargo, existe un diodo en particular el diodo Zener, que trabaja en la
regin de avalancha inversa. Este diodo en particular lo veremos en la Seccin
12.8.

12.6 Smbolo, Aspecto y Medicin de un Diodo.

Si la corriente en un dispositivo es proporcional a la tensin, y si la curva de i

vs. v es una lnea recta en el plano de coordenadas planas, esto implica que el
dispositivo es lineal. Por ejemplo, el dibujo de la curva de corriente vs. tensin
de una resistencia es una lnea recta. Esto significa que la resistencia es un
dispositivo lineal comn.
Captulo 12 Diodos 15

Debido a la tensin de barrera en el diodo, ste posee una relacin no lineal

entre la corriente y la tensin.

Fig. 12.20 Smbolo del diodo rectificador.

El smbolo del diodo rectificador se muestra en la Fig. 12.20, donde el terminal

p es el nodo y n el ctodo. La flecha va del terminal p hacia el n, o sea, del
nodo al ctodo. Por lo tanto el flujo de corriente en el diodo se puede expresar
como una flecha que va de p hacia n. El flujo de electrones es de n hacia p.
En la Fig. 12.21 se muestran varios diodos comunes. La mayora de ellos traen
impreso la direccin p-n. Algunos tienen barras o anillos en el terminal n.

(a) Diferentes tipos de diodos

(b) Identificacin de los terminales de un diodo

Fig. 12.21 Algunos diodos corrientes

Captulo 12 Diodos 16

La batera en un ohmmetro analgico puede proporcionarle al diodo

polarizacin directa o inversa. Esta funcin puede usarse fcilmente para
probar la polarizacin de la unin p-n. Algunos de los multmetros digitales
tienen tambin la funcin para probar diodos.

Para medir un diodo bajo condicin directa, la punta positiva (negra) del
medidor se debe conectar al nodo del diodo, y la punta negativa (roja) al
ctodo. El mtodo se muestra en la Fig. 12.22(a). Cuando el diodo est bajo
polarizacin directa, su resistencia interna es muy baja, de unos 100 (o an
ms bajo). Si los cables del probador se invierten, como en la Fig. 12.22(b),
entonces la batera interna del medidor pondr al diodo bajo polarizacin
inversa. Por lo tanto, el medidor mostrar una resistencia muy alta (idealmente
es infinita). Si el medidor muestra una resistencia baja en ambas direcciones,
esto implica que el diodo ya ha sido cortocircuitado. Por otro lado, si el medidor
muestra una resistencia muy alta en ambas direcciones, el diodo ya est bajo
circuito abierto. En caso de un medidor digital para la prueba de diodos, si ste
funciona, mostrar siempre la tensin directa del diodo, como se muestra en la
Fig. 12.22(c).

(a) Al usar un multmetro
de tipo analgico para probar
el diodo, mostrar resistencia
baja con polarizacin directa
(b) Bajo polarizacin inversa,
mostrar resistencia muy alta
bajo polarizacin inversa
(c) Usando un multmetro
digital para probar el diodo
mostrar el voltaje directo
del diodo bajo condicin de
polarizacin directa (el volta-
je directo es igual a la suma
del voltaje de barrera y de la
cada de tensin en la
resistencia.
Captulo 12 Diodos 17

12.7 Forma Aproximada de Expresar un Diodo

12.7.1 Diodo Ideal

Existen diversas formas aproximadas de expresar las caractersticas de un

diodo bajo diferentes condiciones.

De lo que hemos discutido con anterioridad, sabemos que el diodo ser

conductor bajo polarizacin directa, pero no lo har bajo polarizacin inversa.
Por lo tanto, el diodo ideal acta como conductor (resistencia cero) bajo
polarizacin directa, y como aislador (resistencia infinita) bajo polarizacin
inversa.

En la Fig. 12.23 se muestra la corriente y la tensin para un diodo ideal. En

este dibujo se puede ver que las caractersticas de un diodo ideal son
resistencia cero bajo polarizacin directa y resistencia infinita bajo polarizacin
inversa. En realidad, no es posible fabricar un diodo ideal.

Diodo ideal

Polarizacin inversa

Polarizacin directa

(a) Curva de un diodo ideal (b) Un diodo ideal acta como interruptor

Qu tipo de dispositivo se puede considerar como diodo ideal? De manera

ideal, cuando el interruptor est cerrado (ON), la resistencia es cero. Cuando el
interruptor est abierto (OFF), la resistencia es infinita. Por lo tanto, el diodo
ideal se puede considerar como un interruptor. Cuando el diodo es conductor
(polaridad directa), funciona como si estuviera cerrado. Cuando no conduce
(polaridad inversa), acta como si estuviera abierto. Los conceptos se
describen tambin en la Fig. 12.23(b).
Captulo 12 Diodos 18

Fig. 12.24 Ejemplo

Ejemplo 12.1

Use el modelo de un diodo aproximadamente ideal para calcular la carga de

corriente, la carga de la tensin, la carga de la potencia, la potencia del diodo y
la potencia total en el circuito de la Fig. 12.24.

Respuesta: La fuente de tensin coloca al diodo bajo condicin de polarizacin

directa, por lo que se le puede considerar como un interruptor cerrado. El
circuito acta como si la fuente de tensin de 10V estuviera conectada
directamente a la resistencia de 1 k. Por lo tanto, la Ley de Ohm determina la
corriente:

I = 10V / 1 k = 100 mA

Como el interruptor est cerrado, toda la tensin caer en la resistencia de

carga, lo que permite que VL = 10V. En segundo lugar, del producto de VI
conocemos la potencia:

Fig. 12.24 Ejemplo

La potencia total es igual a la suma de las potencias individuales:

Captulo 12 Diodos 19

12.7.2. Segunda Aproximacin

En la Fig. 12.25 se muestra una segunda aproximacin del diodo V-I. Esta
figura muestra que la corriente de diodo existe nicamente cuando la tensin
es mayor de 0.7V, lo que significa que el diodo conduce bajo esta condicin.
Por lo tanto, el potencial en el diodo es de 0.7V y es independiente de la
magnitud de la corriente.
La Fig. 12.25(b) muestra el circuito equivalente de la segunda aproximacin.
Aqu, el diodo es considerado como un interruptor con un potencial de barrera
de 0.7 V. Si la fuente de tensin es de ms de 0.7V, el interruptor se cierra y el
potencial en el diodo es de 0.7V. Esto sucede porque la tensin de barrera del
diodo es de 0.7V. No importa cul sea la magnitud de la corriente, la cada de
tensin del diodo se mantiene constante en 0.7V.
Por otro lado, si la fuente de tensin es menor de los 0.7 V o tiene un valor
negativo, el interruptor de polaridad inversa acta como un interruptor abierto, y
el diodo estar bajo un estado de circuito abierto.

(a) Curva del diodo para 2 aproximacin (b) La 2 aproximacin hace que el
diodo funcione como un interruptor ms
una batera

Fig. 12.25

Ejemplo 12.2. Use la segunda aproximacin para calcular la carga de la

corriente, la carga de tensin, la potencia de la carga, la potencial del diodo y la
potencia total en el circuito de la Fig. 12.26.

Respuesta: Reemplace el diodo por un interruptor cerrado y una tensin de

barrera de 0.7 V. Por lo tanto, habr dos fuentes de tensin en serie, con
direcciones opuestas. Hay que restar una de otra y luego usar la Ley de Ohm:

El potencial de la carga es:

Captulo 12 Diodos 20

Otra forma de calcular el potencial de carga: fuente de tensin tens. del diodo

La potencia se obtiene mediante V x I

La potencia total es igual a la suma de las potencias individuales:

Fig. 12.26 Ejemplo 12.2

12.7.3. Tercera Aproximacin

La tercera aproximacin consiste en considerar la resistencia interna r0 del

diodo. En la Fig. 12.27, se muestra el efecto de la r0 en el diodo. Una vez que el
diodo de silicio comienza a conducir, el potencial se aumentar linealmente o
proporcionalmente con la corriente. Entre mayor sea la corriente, ms alta ser
la tensin. El potencial IR de r0 debe ser sumado a la tensin total del diodo.

Tercera aproximacin
Captulo 12 Diodos 21

Polarizacin
inversa

Polarizacin
directa

(a) Curva del diodo basada en la tercera (b) Circuito equivalente basado en la
aproximacin tercera aproximacin

Fig. 12.27

El circuito equivalente basado en la tercera aproximacin se puede considerar

como un interruptor, una tensin de barrera de 0.7V y una resistencia r0
conectada en serie, como se ve en la Fig. 12.27(b). Cuando la tensin
suministrada es mayor que los 0.7V, el diodo comienza a conducir. El potencial
total en el diodo es:

Ejemplo 12.3. Utilice la tercera aproximacin para calcular la carga de

corriente, la carga de tensin, la potencia, la potencia del diodo y la potencia
total en el circuito de la Fig. 12.28. Nota la resistencia bsica 1N4001 es de R b
= 0.23 -

Fig. 12.28 Circuito en serie

Respuesta: El diodo puede considerarse como un interruptor cerrado (ON),

una tensin de barrera de 0.7V y una resistencia de 0.23 conectados en
serie. Se restan las tensiones opuestas y se suman las dos resistencias. Se
usa luego la Ley de Ohm:
Captulo 12 Diodos 22

En vista de que la resistencia interna de 0.23 es mucho ms pequea que la

carga de 1 k, se puede ignorar la resistencia interna. Por lo tanto el resultado
es muy parecido al de la segunda aproximacin.

Existe solamente una pequea diferencia en la potencia del diodo. La razn es

que la cada de tensin en la resistencia interna del diodo har que el potencial
en el mismo sea ligeramente mayor.

12.8. Diodos Especiales

El diodo rectificador es uno de los diodos ms comunes. Puede usarse en un
circuito rectificador para convertir tensin AC en tensin DC. En el siguiente
captulo estudiaremos la teora de operacin de los mismos.

Existen tantos tipos de diodos como se quiera y sus funciones no se limitan

solamente a rectificacin. Los que no son de rectificacin los clasificamos como
de tipo especial, tales como diodos Zener, fotodiodos, diodos Schottky, y diodos
Varactor. Ms tarde nos referiremos a ellos.

12.8.1. Diodos Zener

El smbolo del diodo Zener se muestra en la Fig.12.29. Est hecho con material
de silicio con una unin p-n. La diferencia entre un diodo rectificador y un diodo
Zener es que este ltimo trabaja en la regin de disrupcin inversa. La tensin
de disrupcin de un diodo Zener depende de la concentracin de impurezas,
las cuales deben ser muy bien controladas durante su fabricacin. La
caracterstica de este diodo es que la tensin permanece casi constante an
cuando la corriente cambie sbitamente con la disrupcin. Las caractersticas
de tensin y corriente se muestran en la Fig.12.30.
Captulo 12 Diodos 23

Polarizacin
directa

Polarizacin
inversa

Fig.12.29 Smbolo de diodo Fig.12.30 Curva caracterstica de

Zener un diodo regular

12.8.1.1 Disrupcin del Diodo Zener

Existen dos situaciones de disrupcin en un diodo Zener: La disrupcin por

avalancha y la disrupcin Zener. Esta ltima sucede bajo condiciones de baja
polarizacin inversa. Al diodo se le agregan gran cantidad de impurezas para
bajar la tensin de disrupcin. Esto har que la regin agotada se convierta en
un fuerte campo elctrico y cuando la polarizacin inversa se aproxima a la
tensin de disrupcin (Vz), el campo elctrico ser lo suficientemente fuerte
como para expulsar a los electrones hacia fuera y formar una corriente.
La tensin de disrupcin de un diodo Zener es menos de 5V, y es inducida
principalmente por la ruptura. Si la tensin de ruptura es mayor de 5V, entonces
la ruptura por avalancha se convertir en un asunto serio. La ruptura por
avalancha generalmente sucede a tensiones de disrupcin inversa.

Al principio habr nicamente una pequea cantidad de corriente inversa.

Cuando la tensin inversa aumenta permitir que los conductores minoritarios
tengan energas suficientes y se muevan ms rpido. Estos conductores
minoritarios colisionarn con los tomos y har que los electrones de valencia
se vayan lejos de los tomos. Estos electrones de valencia se convierten en
electrones libres. A continuacin, los conductores minoritarios originales y estos
electrones libres continuarn con su accin y producirn ms electrones libres.
Por ejemplo, un electrn libre colisiona con un tomo y produce otro electrn
libre. Estos dos producirn a su vez otros dos electrones libres al colisionar con
sendos tomos por lo que ahora se tienen cuatro electrones libres. Estas
colisiones suceden en forma continua. Las tensiones de disrupcin de los
diodos Zener comerciales estn entre 1.8V y 200V.

12.8.1.2 Caractersticas de Disrupcin

La Fig. 12.31 muestra la curva de caractersticas inversas del diodo Zener. La
corriente inversa (IR) es un valor pequeo antes de alcanzar el codo de la
curva. En este punto el diodo Zener comienza a mostrar disrupcin, la
Captulo 12 Diodos 24

resistencia Zener (ZR) disminuye y la corriente aumenta muy rpido. A partir del
codo, la tensin de disrupcin permanece casi constante, aumentando
solamente cuando hay un incremento de IZ. Esta es la principal caracterstica
del diodo Zener, de ajustar la tensin. Puede mantener una tensin constante
entre los dos terminales dentro de una regin particular de corriente inversa.
Para mantener funcionando un diodo Zener, debe suministrarse un mnimo de
corriente inversa IZX. De la curva de caractersticas, vemos que la corriente
inversa es ms baja que el punto de inflexin (codo), la tensin ha cambiado en
forma obvia y el diodo perder su funcin de ajuste. Existe tambin una
limitacin en cuanto a la corriente mxima IZM; si la corriente es mayor que este
lmite, el diodo se daa.

codo

Fig. 12.31 Curva de caractersticas inversas de un diodo Zener. VZ (o VZT) es

la tensin en IZT.

Por lo tanto, el potencial de terminal de un diodo Zener permanece constante

para la corriente inversa, desde IZK hasta IZM. En la hoja de datos, VZT es la
tensin inversa cuando la corriente inversa es IZT.

12.8.1.3. Circuito Zener Equivalente

La Fig. 12.32(a) muestra el diagrama aproximadamente ideal de un diodo

Zener en la regin de disrupcin inversa, donde el diodo se comporta como una
batera.
La Fig. 12.32(b) es el diagrama equivalente para el diodo Zener real, donde se
incluye la resistencia Zener R Z. La curva de tensin no es como las lneas
verticales ideales. Pequeos cambios en la corriente inversa cambiarn
ligeramente la tensin Zener, como se muestra en la Fig. 12.32(c). La relacin
de VZ a IZ es la resistencia, y la ecuacin es la siguiente:
Captulo 12 Diodos 25

(a) Ideal (b) Real

Fig. 12.32 Circuito equivalente de diodo Zener

En general, RZ se determina mediante la corriente inversa especfica IZT ,

llamada corriente Zener de prueba. Por lo general, R Z es constante en la
regin de corriente inversa.

Ejemplo 12.4 . Se tiene un diodo Zener con 2 mA de corriente, que cambia de

IZK a IZM en la regin lineal, y el correspondiente cambio V Z es de 50 mV.
Determine la resistencia Zener.

Respuesta: RZ = VZ / IZ = 50 mV / 2 mA = 25

Ejemplo: Un diodo Zener tiene 5 de resistencia. De la hoja de datos,

sabemos que IZT = 20 mA, VZT = 6.8 V, IZK = 1 mA, e IZM = 50 mA. Cul es la
tensin del diodo cuando la corriente es igual a 30 mA?. Determine tambin la
tensin del diodo cuando la corriente es de 10 mA.

Respuesta: En la Fig. 12.33 vemos el circuito equivalente de ese diodo.

Cuando IZ = 30 mA, est 10 mA ms alto que cuando IZT = 20 mA.

IZ = +10 mA
VZ = IZ RZ = (10 mA) (5) = + 50 mV

Como la corriente es ms alta que IZT, la tensin Zener se aumentar, por lo

tanto la tensin en IZ = 30 mA ser:
Captulo 12 Diodos 26

VZ = 6.8 V + VZ = 6.8 V + 50 mV = 6.85 V

Cuando IZ = 10 mA, es 10 mA menos que con IZT = 20 mA

IZ = +10 mA
VZ = IZ RZ = (-10 mA) (5) = - 50 mV

Como la corriente es ms baja que IZT, la tensin Zener se disminuir, por lo

tanto la tensin en IZ = 10 mA ser:

VZ = 6.8 V + VZ = 6.8 V - 50 mV = 6.75 V

Fig. 12.23

12.8.1.4. Estabilizacin de Tensin con Diodo Zener

El diodo Zener se usa corrientemente para rectificar la tensin. Cuando la

tensin de entrada se cambia (en el lmite), el potencial en los dos terminales
del diodo Zener permanece constante. Sin embargo, V IN se cambia con IZ, y el
rango de entrada se limitar a las corrientes altas y bajas (I ZK e IZM) del diodo.

Por ejemplo, si el rango ajustable es de 4 ma a 40 mA para el diodo Zener de la

Fig. 12.34, entonces el potencial en la resistencia de 1 k para la corriente
mnima es de:
Captulo 12 Diodos 27

Como

Para la corriente mnima, el potencial en la resistencia de 1 k es:

Este ejemplo demuestra que la tensin de salida del diodo puede sostener 10V
(hay un pequeo cambio debido a la resistencia Zener) cuando la tensin de
entrada est entre 14V y 50V.

Fig. 12.34

Ejemplo 12.6. Determine los lmites superior e inferior de entrada en la Fig.

12.35(a). Suponga los parmetros que se suministran a continuacin:

Fig. 12.35(a)

Respuesta: La Fig. 12.35(b) representa el circuito equivalente de la Fig.

12.35(a). Cuando IZK = 1 mA, la tensin de salida es:
 Captulo 12 Diodos 28

Por lo tanto:

Con la tensin de salida es:

Por lo tanto:

Fig.12.35 (b) Circuito Equivalente de la Fig.12.35 (a)

12.8.1.5 Limitacin con Diodos Zener

En aplicaciones con AC, el diodo Zener se puede usar para limitar la amplitud
de la tensin. En la Fig.12.36 se muestran tres circuitos de limitacin Zener. El
circuito de la Fig.12.36 (a) es para limitar el pico positivo de tensin como
tensin especfica Zener. Para el medio ciclo, el diodo Zener acta como un
diodo normal bajo polarizacin directa, limita la tensin negativa a 0.7V. S el
diodo Zener se invierte como se muestra en la Fig.12.36 (b), entonces el pico
de tensin negativa est limitado en forma de tensin de disrupcin del diodo.
La tensin negativa est limitada a 0.7V. S se conectan dos diodos Zener en
serie y espalda contra espalda, entonces las tensiones pico negativa y positiva
estn limitadas como tensiones Zener ms 0.7V., como se muestra en la
Fig.12.36 (c). Durante el ciclo positivo D2 funciona como diodo Zener, y D1
acta como un diodo normal bajo polarizacin directa. Los papeles se cambian
durante el ciclo negativo.
Captulo 12 Diodos 29

Fig.12.36 Efecto limitador de diodo Zener en tensiones de onda senoidal

Ejemplo 12.7. Determine la tensin de salida de cada diodo Zener en la

Fig.12.37

Fig.12.37

Respuesta: Las salidas son tal como se muestra en la Fig.12.38. Ntese que
cuando uno de los diodos Zener est en disrupcin, el otro debe estar bajo
condicin de polarizacin directa, y la tensin del terminal es de 0.7V.
Captulo 12 Diodos 30

Fig.12.38

12.8.2 Diodo Varactor

Bsicamente, el diodo Varactor es una unin p-n bajo polarizacin inversa. Se

aplica la polarizacin inversa en la unin p-n, y luego ambos lados de la regin
de disrupcin se convierten en las uniones de un capacitor. La regin de
disrupcin inducida por la polarizacin inversa se convierte en el dielctrico del
capacitor debido a sus caractersticas de no conduccin. Las regiones de tipo p
y de tipo n se convierten en las placas del capacitor, como se muestra en la
Fig.12.39.

Regin de disrupcin

placa /diel/plac

Fig.12.39 Un diodo Varactor bajo polarizacin inversa se puede convertir en

un capacitor variable

Cuando la polarizacin inversa aumenta, la zona de disrupcin se hace ms

ancha. Por lo tanto el dielctrico lo har tambin. Esto disminuye la
capacitancia. S la polarizacin inversa disminuye, la regin de disrupcin se
hace ms angosta y la capacitancia aumenta. Por lo tanto, la capacitancia de
un diodo Varactor es inversamente proporcional a la polarizacin inversa, como
se muestra en las Fig. 12.40 (a) y (b). La curva de capacitancia vs. tensn es
tal como se muestra en la Fig.12.40 (c).
Captulo 12 Diodos 31

(a) VR aumenta, (b) VR disminuye, (c) Capacitancia vs.

capacitancia disminuye capacitancia aumenta tensin inversa

Fig.12.40 Capacitancia del Varactor depende de la tensin inversa

La capacitancia la determina el rea de la placa A, la constante dielctrica ,

y el ancho del dielctrico, segn la frmula:

La capacitancia del diodo Varactor se controla mediante la concentracin de

dopaje, y el tamao y forma del diodo mismo. La capacitancia del diodo puede
ir desde pF hasta cientos de pF.
La Fig.12.41(a) a continuacin es el smbolo de un diodo Varactor y la
Fig.12.41(b) es el circuito equivalente donde R s es la resistencia en serie
inversa, y Cv es el capacitor variable.

(a) smbolo (b) circuito equivalente

Fig.12.41 Diodo Varactor

El propsito principal de un diodo Varactor reside en los circuitos de

modulacin. Por ejemplo, todos los moduladores de equipos de televisin y
radio utilizan diodos varactores.
Captulo 12 Diodos 32

En circuitos de modulacin el diodo Varactor se puede usar como capacitor

variable. La frecuencia modulada se puede ajustar por medio de la tensin
variable. En la Fig.12.42, dos diodos Varactor constituyen los capacitores
variables del circuito paralelo resonante.
La tensin variable DC puede controlar la polarizacin inversa del diodo, lo cul
significa que tambin pude controlar su capacitancia. La frecuencia resonante
del circuito es:

Esta aproximacin puede usarse cuando Q 10.

Fig.12.42 Diodos Varactor en circuito resonante

Ejemplo 12.8. El rango de capacitancia de un varactor es desde 5 pF hasta

50pF. Este diodo se puede usar en el circuito resonante de la Fig.12.42.
Cuando L = 10 mH, determine el rango de resonancia.

Respuesta: El circuito equivalente es como se muestra en la Fig.12.43.

Nota: Los diodos varactor se conectan en serie. La capacitancia total mnima
es:

Por lo tanto, la frecuencia mxima de resonancia es:

La capacitancia total mxima es:

Captulo 12 Diodos 33

La frecuencia mnima de resonancia es:

Fig.12.43

12.8.3 Diodo Emisor de Luz (LED)

La operacin bsica de un LED es como sigue: cuando el dispositivo est bajo

polarizacin directa, los electrones de la regin n se mueven a travs de la
unin p-n y se combinan con los agujeros de la regin p. En vista de que el
electrn libre en la banda de conduccin tiene un nivel ms alto de energa que
el agujero en la banda de valencia, cuando se recombinan, el electrn cede su
energa, ya sea en forma de calor o de luz. En superficies expuestas de mayor
tamao en el semiconductor, los fotones se ven como luz visible. En la
Fig12.44, este proceso se conoce como Luminiscencia Electrnica.

Energa Lumnica

Fig.12.44 Teora de emisin de luz de un LED y su smbolo

Captulo 12 Diodos 34

Fig.12.44 Aspecto de diodos LED

La Fig.12.44(a) muestra a un LED bajo corriente directa, donde R es la

corriente lmite. La potencia lumnica es proporcional a la magnitud de la
corriente, como se muestra en la Fig.12.45(b).

(a) Operacin directa (b) Caracterstica de luz vs. corriente directa

Fig.12.45 Operacin de un LED

En general la cada de tensin de un LED en funcionamiento es de unos

cuantos voltios. Por ejemplo, el TIL222 es un LED de color verde donde la
cada mnima de tensin es de 1.8V y la cada mxima de 3V. La magnitud de
la resistencia para limitar la corriente se determina por la luminiscencia (es
decir, la magnitud de la polarizacin directa). Generalmente, es de unos cientos
de ohmios. En la Fig.12.45(a), E=5V la cada de tensin del LED es de 1.7V, iF
debe ser de unos 20 mA. La resistencia R = (5 -1.7)V / 20mA=165 .

Un LED generalmente se usa para mostrar situacin de encendido y en

pantallas digitales. Se usa ampliamente en instrumentos, productos de
consumo y aplicaciones cientficas. Estos LEDs generalmente se usan en
pantallas con puntos decimales. La principal aplicacin de los LEDs infrarrojos
es en los acoplamientos por luz, utilizando generalmente fibras.
Captulo 12 Diodos 35

12.8.4 Fotodiodos

Un fotodiodo es un dispositivo de unin p-n trabajando con polarizacin

inversa, cuyo smbolo se muestra en la Fig.12.46(a). I es la corriente inversa.

En el fotodiodo se dispone de una pequea ventana transparente para dejar

pasa la luz a la unin p-n. El smbolo se muestra en la Fig.12.46(b)

(a) Polarizacin inversa (b) Otro smbolo

Fig.12.46 Fotodiodo

Recurdese que siempre habr una pequea corriente de fuga en el diodo

rectificador bajo polarizacin inversa, y el fotodiodo tiene esa misma
caracterstica. En el diodo rectificador, la corriente inversa se incrementar
cuando la temperatura tambin aumenta. La razn es que existen ms pares
de huecos electrones inducidos a alta temperatura.

Sin embargo, el fotodiodo es un tanto diferente del diodo rectificador. Casi

puede ignorarse la corriente I, que corrientemente se le llama corriente oscura.
Si se incrementa la intensidad de la luz (luminiscencia por unidad de rea
lm/m2), entonces la corriente inversa se aumenta en la forma en que se
muestra en la Fig.12.47(a). La Fig.12.47(b) muestra la curva caracterstica de
un fotodiodo bajo polarizacin inversa.

A partir de la curva caracterstica en la Fig.12.47(b), sabemos que la corriente

oscura para un dispositivo es de 25 A bajo una polarizacin inversa de 3V. Por
lo tanto la resistencia del dispositivo bajo condicin no polarizada es:

Para una condicin de polarizacin inversa con 3V y una luminiscencia de

25000 lm / m2 es de unos 375 A. La resistencia bajo estas condiciones ser
de:
Captulo 12 Diodos 36

A partir de este clculo sabemos que un fotodiodo se puede considerar como

una resistencia variable controlada por la luminiscencia.

(a) Luminiscencia vs. corriente

Corriente
oscura

Corriente inversa

(b) Corriente Inversa

Fig. 12.47 Caractersticas de un fotodiodo tpico

La Fig. 12.48 explica que en un fotodiodo no existe corriente inversa bajo

condiciones nulas de luz. Cuando la luz brilla sobre el fotodiodo, la corriente
inversa es proporcional a la luminiscencia.

Luz apagada Luz encendida

Captulo 12 Diodos 37

(a) No hay luz, no hay corriente (b) cuando hay luz la resistencia disminuye y
hay corriente inversa

Fig. 12.48 Operacin de un fotodiodo

12.8.5 Diodos Schottky

Los diodos Schottky se usan en alta frecuencia y en circuitos de conmutacin

de alta velocidad. Tambin se llaman diodos de difusin en caliente. El smbolo
se muestra en la Fig. 12.49.
Unin silicio - metal

(a) Smbolo (b) Estructura interna de un diodo Schottky

Fig. 12.49

El diodo Schottky se fabrica conectando un semiconductor dopado

( generalmente es del tipo n) con un metal (oro, plata o platino). Por lo tanto, la
unin no es del tipo p-n. La Fig. 12.49(b) muestra la forma de la unin metal
semiconductor.

En el diodo Schottky existen solamente portadores mayoritarios, y no hay

minoritarios. En la bande de conduccin existen muchos electrones pero
solamente unos pocos estn dopados en el semiconductor de tipo n. Una vez
que se aplica la tensin directa al diodo, los electrones en el material tipo n se
movern hacia la regin metlica y dejarn escapar inmediatamente un tanto
de energa. El diodo Schottky es diferente de un diodo tradicional, ya que no
hay portadores minoritarios, y por lo tanto puede dar una respuesta muy rpida
bajo tensin. Es lo que se puede llamar un diodo conmutador de alta velocidad.
Por lo tanto, se puede usar en rectificacin de seales de alta frecuencia, as
como en circuitos digitales para reducir el tiempo de conmutacin.
Captulo 12 Diodos 38

12.8.6 Diodos Tnel

El diodo tnel tiene caractersticas de resistencia negativa, la cual es

importante en la amplificacin de microondas de osciladores. La Fig. 12.50
muestra los smbolos de los diversos diodos tnel.

Regin de resistencia
negativa

Regin de tensin
normal

(a) Smbolos para el diodo tnel (b) caractersticas del diodo tnel

Fig. 12.50 Caractersticas y smbolo del diodo tnel

Los diodos tnel se fabrican de germanio o de arseniuro de galio. En ese diodo

se tienen concentraciones ms altas en las regiones n y p que en los diodos
corrientes. Como una alta concentracin hace ms angosta la regin agotada,
esto har que el diodo sea conductivo bajo polarizacin inversa, sin producir el
efecto de disrupcin, como se muestra en la Fig. 12.50(b).

Siendo la regin de agotamiento ms angosta, los electrones en esta regin

tendrn que pasar a manera de tnel hacia la unin p-n mediante polarizacin
directa baja, actuando como conductor, segn se muestra en la los puntos de A
a B en la curva.

Una vez en el punto B, la tensin directa generar el efecto de barrera y por lo

tanto la corriente disminuir cuando la polarizacin se aumenta. Esta regin es
la regin de resistencia negativa.
Captulo 12 Diodos 39

El efecto es opuesto a lo que indica la Ley de Ohm: la tensin aumenta, y la

corriente tambin. Una vez alcanzado el punto C, acta como un diodo normal.

Un circuito resonante en paralelo se puede expresar mediante un capacitor, un

inductor y una resistencia en paralelo. En la Fig. 12.51(a) , R p es la resistencia
equivalente en paralelo. Una vez que el circuito produce resonancia, generar
una onda senoidal atenuada, como se muestra en la Fig. 12.51(b). Esta
condicin de atenuacin es causada por la resistencia en el circuito resonante
debido a que debe haber disipacin de potencia cuando la corriente fluye a
travs de la resistencia. Esto se opone o se resiste a la oscilacin continua.

Si el diodo tnel se conecta en serie con el circuito resonante, y se mantiene la

polarizacin en la regin de resistencia negativa, como se muestra en la Fig.
12.52, entonces la oscilacin se mantendr en la salida (onda senoidal
constante). La razn es que el efecto de resistencia negativa cancelar la
resistencia positiva del circuito resonante.

Circuito Punto de
resonante bias

Fig. 12.52 Oscilador de diodo tnel

12.8.7 Diodo Lser

La luz de lser es monocromtica. Esto significa que contiene un color nico y

ninguno otro dentro de la luz. La luz de lser tambin se llama luz coherente
Captulo 12 Diodos 40

porque tiene una nica onda, o un rango de longitud de onda muy reducido. Es
diferente de la luz no coherente, con un amplio espectro de longitud de onda.

La luz del diodo lser es luz monocromtica, pero la luz de un LCD (pantalla de
cristal lquido) es no monocromtica. La Fig. 12.52(a) muestra la estructura
bsica del diodo lser. La unin p-n la forman dos capas de arseniuro de galio
dopado (contaminado), y el tamao de la unin p-n afectar la longitud de onda
de la luz emitida. Uno de los lados de la unin es una superficie altamente
reflectiva, y el otro lado es parcialmente reflectiva. En el exterior se encuentran
pines del nodo y el ctodo.

Lado Superficie
Superficie parcialmente altamente Lado
altamente reflectivo reflectiva parcialmente
reflectiva reflectivo

Regin
Unin p-n agotada

Fig. 12.53 Estructura bsica y operacin del diodo lser

La operacin bsica es la siguiente: Se aplica una polarizacin directa a la

unin p-n, lo que hace que pasen electrones a travs de la unin, y que haya
una recombinacin en la regin agotada. Este proceso es igual que en un diodo
normal. Cuando un electrn cae dentro de un agujero, se induce la
recombinacin y se libera un fotn. Este fotn liberado colisiona con un tomo y
produce otro fotn. Toda esta accin aumenta la corriente directa. Habr ms
electrones ingresando a la regin agotada, liberando ms fotones. Estos se
diseminan al azar en la regin agotada, y algunos de ellos colisionan en forma
directa con la superficie reflectiva. Finalmente, cuando hay suficientes fotones,
se forma un fuerte haz de luz lser, inyectados de la superficie parcialmente
reflectiva de la unin p-n.

Los fotones generados mediante este procedimiento tienen la misma energa,

la misma relacin de fasor y frecuencia. Por lo tanto, la luz del diodo lser es de
una nica longitud de onda. Existe un valor crtico de corriente para este diodo.

Cuando la corriente es ms baja que este valor, el diodo lser acta como un
LED normal, siendo la luz que emite no coherente.

Los diodos lser y los fotodiodos generalmente se usan en sistemas de lectura

de seales de equipos CD (disco compacto). La seal de audio se almacena en
Captulo 12 Diodos 41

el CD en forma digital. La luz del diodo lser puede enfocarse mediante una
lente y luego dirigirla hacia la superficie del disco compacto. Cuando el disco
rota, la lente y el haz de lser se activan y la seal almacenada cambia debido
a los baches y partes planas en la superficie. La seal reflejada por la pista
del disco se proyecta a travs de la lente en el diodo infrarrojo, y luego la seal
se recupera en forma de seales digitales de audio por el fotodiodo.

12.9 Hoja de Datos de Diodos

La mayora de los fabricantes de diodos suministran la informacin de sus

productos en una hoja de datos, como referencia para su aplicacin. Una
especificacin tpica debe incluir el valor mximo, caractersticas elctricas,
caractersticas mecnicas y parmetros variables. En esta seccin vamos a
tomar un ejemplo para explicar la Hoja de Datos.

En la Tabla 12.1, se tiene una lista de las capacidades mximas de una serie
de diodos rectificadores (IN4001 IN4007). Estos son valores mximos
seguros. Una vez que la corriente sobrepase estos valores, el diodo se daa.

Con el fin de mejorar la confiabilidad y la vida del diodo, ste siempre opera por
debajo del valor mximo especificado. Este valor mximo por lo general se
base en la operacin a 25 C. Una temperatura ms alta podra disminuir su
valor especificado.

La explicacin de la Tabla 12.1 es la siguiente:

VRRM Tensin inversa de pico mxima constante en el diodo. Bajo esta

situacin, N4001 es 50V e IN4007 es 1000V. Es igual al valor PIV.

VRSM Tensin inversa de pico mxima discontinua en el diodo.

IO Corriente directa mxima promedio para rectificador de 60 Hz de

onda completa.

IFSM Corriente directa mxima no repetible (1 ciclo). La Fig. 12.54

muestra los valores de corriente no repetible que exceden en ms
de 1 ciclo para 25 y 175 grados Centgrados. Las lneas a puntos
implican los valores de falla de los dispositivos. Nota: en la lnea
continua inferior, el valor de la corriente para diez ciclos es de 15
A, pero la misma para 1 ciclo es de 30 A.

Tabla 12.1
Captulo 12 Diodos 42

Valor Smbolo IN4001 IN4002 IN4003 IN4004 IN4005 IN4006 IN4007 Unidad
Valor de pico inverso VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
continuo mximo
Valor de pico inverso VRMS 60 120 240 480 720 1000 1200 V
discontinuo mximo
Valor del efecto de tensin VR(rms 35 70 140 280 420 560 700 V
inversa )
Corriente directa promedio I0 A
(60 Hz, TA = 75 C)
Corriente directa mxima IFSM 30 A
de pico no repetible
Rango de temperatura de Tj - 65 +175 C
operacin en la unin

Corriente de pico directa mxima no repetible para descarga

Corriente de pico no repetible segn diseo
Corriente de pico directa mxima no repetible para carga
especfica
Corriente de pico no repetible segn diseo

Fig. 12.54 Corriente directa de pico mximo no repetible

Captulo 12 Diodos 43

12.10 Resumen

1. Segn el modelo tradicional del tomo de Bohr, los electrones se

asemejan a planetas movindose alrededor de un ncleo en diferentes
rbitas.
2. El ncleo est compuesto de protones y neutrones. Los protones tienen
carga positiva y los neutrones no poseen carga. La cantidad de protones
y neutrones depende del peso atmico.
3. Los electrones tienen carga negativa y se mueven alrededor del ncleo
en diferentes rbitas. La distancia del electrn al ncleo depende de su
nivel de energa. Las rbitas de los electrones en el tomo son bandas
discontinuas de energa. Se llaman capas, y se denominan como K, L ,
M. Cada capa tiene una cantidad mxima permisible de electrones. Bajo
estado neutro, el tomo es neutro tambin debido a que tiene un nmero
igual de protones y de electrones.
4. La capa exterior del tomo se llama banda de valencia. Los electrones
en la banda de valencia la abandonarn si obtiene suficiente energa del
exterior.
5. El silicio y el germanio tienen cuatro electrones en sus bandas de
conduccin. El silicio (slice o silicn) es el material semiconductor ms
corriente.
6. Un cristal es un material slido compuesto de tomos que se unen entre
s mediante uniones llamadas enlaces covalentes. En una estructura
cristalina, los electrones de valencia que abandonan su tomo original
se convierten en electrones de conduccin o electrones libres. Poseen
ms energa que los electrones en los lazos covalentes. Estos
electrones libres se mueven libremente dentro del material. Cuando los
electrones abandonan los lazos covalentes y se convierten en
electrones libres, se formarn al mismo tiempo agujeros (huecos),
llamados parejas electrn agujero. Estas parejas de electrn hueco
se generan por ionizacin trmica debido a que los electrones ganan su
energa del exterior y rompen luego los lazos covalentes.
7. Los electrones libres pierden su energa y ocupan los agujeros. A esto se
le llama recombinacin. Sin embargo, los pares electrn hueco se
generan en cualquier momento debido a la ionizacin trmica. Por lo
tanto, en el material siempre habr electrones libres.
8. Cuando se aplica una tensin a un semiconductor, los electrones libres
se generan por ionizacin trmica. Estos electrones se mueven todos
hacia una misma direccin y se convierten en una corriente. Esta
corriente es intrnseca al conductor.
9. Otra corriente es la de huecos. Los electrones de valencia llenan los
agujeros y generan nuevos huecos, que actan como electrones
movindose en direccin opuesta.
10. Un conductor tiene una gran cantidad de electrones, por lo que es fcil
que la corriente transite. El aislador tiene solamente unos pocos
electrones, por lo tanto no puede conducir la corriente a temperatura
ambiente. La conductividad de un conductor intrnseco est entre la de
un conductor y la de un aislador, por lo tanto, puede conducir pequeas
cantidades de corriente.
Captulo 12 Diodos 44

11. Al agregar impurezas con electrones de valencia en un semiconductor,

se forma material de tipo n. Estas impurezas son tomos con cinco
electrones de valencia. Este proceso se llama dopaje o contaminacin.
Al agregar impurezas con tres electrones de valencia a un
semiconductor se forma material de tipo p. Estas impurezas son tomos
con tres electrones de valencia.
12. Los portadores mayoritarios en un semiconductor de tipo n son
electrones. Se generan por dopaje. Los portadores minoritarios son
huecos causados por los pares electrn hueco generados por
ionizacin trmica. Los portadores mayoritarios en un semiconductor de
tipo p son huecos. Se generan por dopaje. Los portadores minoritarios
son electrones causados por los pares electrn hueco generados por
ionizacin trmica.
13. Un material tipo n con otro material tipo p puede formar una unin p-n.
La regin cercana a la unin p-n se convierte en la regin agotada. En
ella no hay portadores mayoritarios. La zona de agotamiento se forma
por ionizacin.
14. La corriente solamente conduce a travs de la unin p-n bajo
polarizacin directa. Sin polarizacin o bajo polarizacin inversa, no hay
corriente. Bajo polarizacin inversa, existen solamente pequeas
corrientes debido a los portadores minoritarios generados por ionizacin
trmica. Esta pequea corriente por lo general se puede ignorar. Una
unin p-n simple puede formar un diodo semiconductor.
15. Un diodo puede conducir corriente bajo polarizacin directa y ser
resistivo a la corriente bajo polarizacin inversa.
16. La tensin de barrera para un diodo de silicio bajo polarizacin directa es
de 0.7V, y para el germanio es de 0.3V. Estos valores varan ligeramente
con la magnitud de la corriente directa.
17. Un diodo Zener funciona en la regin de disrupcin inversa.
18. Cuando VZ < 5V, la disrupcin Zener es dominante. Cuando V Z > 5V,
domina la disrupcin de avalancha.
19. En el rango de corriente Zener, la tensin en el diodo permanece
constante.
20. El diodo Zener se puede usar como rectificador de tensin y como
limitador del circuito.
21. La tensin de operacin de un diodo Zener es de 1.8 v a 200V.
22. Bajo polarizacin inversa, el diodo varactor funciona como un capacitor
variable.
23. La capacitancia de un diodo varactor es inversamente proporcional a la
polarizacin inversa.
24. En un diodo Schottky se tiene una unin metal semiconductor. Su
principal aplicacin es en circuitos ON / OFF de mucha rapidez.
25. El diodo tnel se puede usar en circuitos resonantes.
26. Un LED emite luz bajo polarizacin directa.
27. Entre mayor sea la luminiscencia, el fotodiodo tendr mayor corriente
inversa.
28. Cuando la corriente inversa excede el valor crtico, el diodo lser emite
luz monocromtica (onda nica).
Captulo 12 Diodos 45

12.11 Problemas

1. El tomo est compuesto de:

(1) Un ncleo y un electrn
(2) Un ncleo y ms de un electrn
(3) Protones, electrones y neutrones
(4) (1) y (2)

2. El nmero de electrones del tomo de silicio es:

(1) 8
(2) 2
(3) 4
(4) 14

3. El nmero de electrones del tomo de germanio es:

(1) 8
(2) 2
(3) 4
(4) 32

4. Electrn de valencia es:

(1) El que orbita ms cerca del ncleo
(2) El que orbita ms lejos del ncleo
(3) El que se mueve alrededor del tomo y tiene una rbita variable
(4) No pertenece a un tomo en particular.

5. Forma en que se produce un in positivo:

(1) El electrn de valencia se escapa del tomo
(2) La cantidad de huecos es mayor que la cantidad de electrones
(3) Se combinan mediante enlaces dos tomos
(4) El tomo adquiere electrones de valencia adicionales.

6. El material semiconductor ms comn usado en electrnica es:

(1) Germanio
(2) Carbn
(3) Cobre
(4) Silicio

7. Cmo se combinan los tomos en un semiconductor?

(1) Comparten el electrn de valencia
(2) Por la fuerza
(3) Mediante enlace covalente
(4) Todos los anteriores.

8. Cada tomo de cristal de silicio tiene:

Captulo 12 Diodos 46

(1) Cuatro electrones de valencia

(2) Cuatro electrones de conduccin
(3) Ocho electrones de valencia, cuatro individuales y cuatro compartidos.
(4) Ningn electrn de valencia; todos los electrones de valencia son
compartidos con otros tomos.

9. De qu forma se induce la corriente en un semiconductor?

(1) Por un electrn solamente
(2) por un agujero solamente
(3) Por un in negativo
(4) Por un electrn y un hueco.

10. En un semiconductor intrnseco:

(1) No hay electrn libre
(2) El electrn libre se genera por ionizacin trmica
(3) Hay slo agujeros
(4) Existe la misma cantidad de electrones y agujeros.

11. Agregar impurezas a un semiconductor intrnseco se conoce como:

(1) Dopaje
(2) Recombinacin
(3) Modificacin de los tomos
(4) Ionizacin.

12. Al agregar tres electrones de impureza al silicio, ste se convierte en:

(1) Germanio
(2) Semiconductor tipo p
(3) Semiconductor tipo n
(4) Regin de disrupcin

13. Cul es el propsito de dopar con impurezas de cinco electrones de

valencia?
(1) Reducir la conductividad del silicio
(2) Aumentar la cantidad de huecos
(3) Aumentar la cantidad de electrones
(4) Producir portadores minoritarios.

14.Cul es el portador mayoritario en un semiconductor de tipo n?

(1) Un agujero (hueco)
(2) Un electrn de valencia
(3) Un electrn de conduccin
(4) Un protn

15. Los agujeros en el semiconductor de tipo n son:

(1) Portadores minoritarios generados por ionizacin trmica
(2) Portadores minoritarios producidos por dopaje
(3) Portadores mayoritarios generados por ionizacin trmica
(4) Portadores mayoritarios producidos por dopaje
16. La regin de disrupcin contiene:
(1) Portadores minoritarios
Captulo 12 Diodos 47

(2) Iones
(3) Ningn portador mayoritario
(4) (1) y (2)

17. Bias (traducido como polarizacin) es:

(1) La relacin entre portadores mayoritarios y minoritarios
(2) La magnitud de la corriente a travs de la unin p-n
(3) Tensin directa externa para controlar el dispositivo.
(4) Todos los anteriores.

18. Cmo se forma la un diodo de unin p-n bajo polarizacin directa?

(1) Se conecta el nodo con el terminal positivo de la fuente externa de tensin,
y el ctodo con el terminal negativo.
(2) Se conecta el nodo con el terminal positivo de la fuente externa de tensin,
y el ctodo con el terminal negativo.
(3) Se conecta el nodo p con el terminal positivo de la fuente externa de
tensin, y el nodo n con el terminal negativo.
(4) (1) y (2)

19. Qu sucede cuando se tiene una unin p-n bajo polarizacin directa?
(1) Un flujo de huecos nicamente.
(2) Un flujo de electrones nicamente
(3) Una corriente de portadores mayoritarios nicamente
(4) Se genera una corriente por los huecos y los electrones

20. Aunque la polarizacin (bias) se resiste a la corriente:

(1) Siempre se tiene una corriente de portadores mayoritarios
(2) Se induce solamente una pequea corriente por los portadores minoritarios
(3) Se tiene una corriente de avalancha.

21. En un diodo de silicio, la polarizacin:

(1) Debe ser mayor de 0.3 V
(2) Debe ser mayor de 0.7 V
(3) Depende la del ancho de la zona agotada
(4) Depende de la concentracin de portadores mayoritarios

22. Un diodo Zener tiene una tensin Zener de 3.6 V y opera en

(1) Disrupcin ajustable
(2) Disrupcin Zener
(3) Polarizacin directa
(4) Disrupcin por acumulacin.

23. En un diodo Zener de 12V, cuando hay un cambio de corriente Zener de 10

mA produce un cambio de 0.1V en la tensin Zener. Cul es la resistencia
Zener de esta corriente?
(1) 1
(2) 100

(3) 10
(4) 0.1
Captulo 12 Diodos 48

24. De acuerdo con las Hojas de Datos, un diodo Zener tiene IZT = 500 mA
cuando Vz = 10V. Cul es el valor de RZ?
(1) 50
(2) 20
(3) 10
(4) Desconocido

25. En un diodo varactor:

(1) La capacitancia cambia con la polarizacin inversa
(2) La resistencia cambia con la polarizacin inversa
(3) La capacitancia cambia con la polarizacin directa
(4) Se tiene capacitancia constante dentro del rango de polarizacin inversa

26. Un LED:
(1) Emite luz bajo polarizacin inversa.
(2) Es sensible a la luz bajo polarizacin inversa
(3) Emite luz bajo polarizacin directa
(4) Funciona como una resistencia variable.

27. La resistencia interna de un fotodiodo:

(1) Aumenta con la luminiscencia bajo polarizacin inversa
(2) Disminuye con la luminiscencia bajo polarizacin inversa
(3) Aumenta con la luminiscencia bajo polarizacin directa
(4) Disminuye con la luminiscencia bajo polarizacin inversa

28. El diodo con caractersticas de resistencia negativa es:

(1) Un diodo Schottky
(2) Un diodo tnel
(3) Un diodo lser
(4) Un diodo portador de calor.
Captulo 12 Diodos 49
Captulo 12 Diodos 50