Antonio de Jesus Nava de los Santos 15320855 17/10/2017

Transistores Equivalentes
Transistor BC107
El transistor BC107 se caracteriza por ser para propsito general y usado en aplicaciones de
amplificacin de pequeas seales. Es un transistor bipolar NPN. El material utilizado es el
silicio por lo que para saturar el transistor necesitaremos 0,7V entre base y emisor.
Las caractersticas ms destacadas de este transistor son:

Tipo de transistor: Bipolar

Polaridad del transistor: NPN
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:45V
Max Current Ic Continuous a:0,1A
Max Voltage Vce Sat:0.25V
Potencia de disipacin:0,6W
Min Hfe:110
Typ Gain Bandwidth ft:150MHZ
Tensin IC hFE:2mA
Max Current Ic:0,1A
Max Power Dissipation Ptot:600mW
Min Gain Bandwidth ft:150MHZ
N. of Pins:3
Tensin Vcbo:50V

Transistor BC108
El transistor BC108 al igual que el BC107 se caracterizan por ser para propsito general y
usado en aplicaciones de amplificacin de pequeas seales. Es un transistor bipolar NPN.
El material utilizado es el silicio por lo que para saturar el transistor necesitaremos 0,7V
entre base y emisor.

Las caractersticas ms destacadas de este transistor son:

Tipo de transistor: Bipolar

Polaridad del transistor: NPN
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:20V
Max Current Ic Continuous a:0,1A
Max Voltage Vce Sat:0.25V
Potencia de disipacin:0,6W
Min Hfe:110
Typ Gain Bandwidth ft:150MHZ
Tensin IC hFE:2mA
Max Current Ic:0,1A
Max Power Dissipation Ptot:600mW
Min Gain Bandwidth ft:150MHZ
N. of Pins:3
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Transistor BC109

Material: Si
La estructura de transistor: NPN
Mxima disipacin de potencia continua colector del transistor (Pc), W: 0.3
Limite el colector DC-base (Ucb), V: 30
Lmite de colector-emisor del transistor de tensin (Uce), V: 20
Lmite de tensin emisor-base (Ueb), V: 5
Mxima corriente continua de colector del transistor (Ic max), A: 0.1
Temperatura lmite de unin pn (Tj), C: 175
Frecuencia de corte de la relacin de transferencia corriente del transistor (Ft), MHz: 150
Capacidad de la unin de colector (Cc), pF: 5
Esttica coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor comn (Hfe),
min: 180
Caso: TO18
Transistor BD136

Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Es un amplificador de audio que soporta una corriente mxima de 1.5 ampere, est
compuesto en su estructura por tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad
elctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo
tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas
emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es
sometido en diversos aparatos electrnicos.

Caractersticas

Polaridad (P-N-P)
Amplificador de audio, driver
Corriente mxima de colector (Ic) 1.5 Ampere
De colector a base (CBO) 180 Voltios
De colector a emisor (CEO) 160 Voltios
De emisor a base (EBO) 5 Voltios
Ganancia tpica de la corriente directa (hfe) 60 Min
Mxima disipacin de potencia en colector (Pd) 20* (Watts)
Frecuencia MHz 140 Min
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Transistor BD138

Material: Si
Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MXIMAS

Disipacin total del dispositivo (Pc): 12 W

Tensin colector-base (Vcb): 60 V
Tensin colector-emisor (Vce): 60 V
Tensin emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC mxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa mxima (Tj): 150 C

Caractersticas

Producto de corriente -- ganancia ancho de banda (ft): 50 MHz

Ganancia de corriente contnua (hfe): 40
Empaquetado / Estuche: TO126

Transistor BD140

Material: Si
Polaridad de transistor: PNP

Especificaciones mximas

Disipacin total del dispositivo (Pc): 12 W

Tensin colector-base (Vcb): 80 V
Tensin colector-emisor (Vce): 80 V
Tensin emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC mxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa mxima (Tj): 150 C

Caractersticas elctricas

Producto de corriente -- ganancia ancho de banda (ft): 50 MHz

Ganancia de corriente contnua (hfe): 40
Empaquetado / Estuche: TO126
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