8 Transistores de Efecto Campo

CAPITULO VIII
TRANSISTORES DE EFECTO
CAMPO (JFET, MESFET V MOSFET)
1
Los transistores de efecto de campo o FET se denominan as
porque durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo
elctrico que controla el paso de la comente a travs del dispositivo.
Estos transistores tambin se denominan unipolares para distinguir-
los de los transistores bipolares de unin (cap. 6) y para destacar el
hecho de que slo un tipo de portadores -electrones o huecos- inter-
viene en su funcionamiento.
Los transistores de efecto campo de unin (JFET) fueron pri-

mero propuestos por Schockley en 1952 y su funcionamiento se basa
en el control del paso de la comente por el campo aplicado a la puer-
ta, constituida por una o varias uniones p-n polarizadas en inverso.
Los transistores de efecto de campo de unin metal-semiconductor
(MEST), propuestos en 1966, tienen un funcionamiento muy si-
milar al JFET, pero en ellos el control del flujo de comente se realiza
por una unin metal-semiconductor de tipo Schottky (cap. 4). Final-
mente, existe tambin otro tipo de transistores denominados genri-
camente MOSFET (metal-xido-semiconductor), de desarrollo ms
reciente, en los que el control de la comente a travs del semiconductor
se realiza mediante un contacto separado del semiconductor por una
capa aislante (normalmente, xido de silicio). Este tipo de transisto-
res se utiliza preferentemente en la electrnica digital.
En comparacin con los transistores bipolares, los FET pre-

sentan una impedancia de entrada muy elevada y adems consumen
muy poca potencia, por lo que su uso se ha extendido sobre todo en
I
Nota: El acrnimo FET proviene del nombre en ingls: "Field Effect Transistor". Asimismo JFET procede del
nombre: "Junction Field Effect Transistor":
226 Transistores de efecto campo (JFET,
VIII. Fundamentos
MESFETde yelectrnica
MOSFET)fsica y microelectrnica
227
los circuitos integrados. Tambin encuentran aplicaciones en circui-

tos de alta frecuencia (microondas), especialmente los MESFET de
arseniuro de galio, los cuales tienen un tiempo de respuesta muy r-
pido debido a la alta movilidad de los electrones en este material.
8.1. EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNION (JFET)
8.1.1. Descripcin del transistor
Segn se muestra en la fig. 8.1 a, la estructura bsica de un JFET est formada por un
semiconductor, de tipo n por ejemplo, con dos contactos hmicos en sus extremos, uno de
ellos S denominado fuente o surtidor y el otro D conocido por el nombre de drenador o
sumidero. El tercer electrodo G, denominado puerta, est constituido por dos regiones de tipo
p difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor. Se forma as en el contacto de
puerta dos uniones p-n, las cuales estn conectadas entre s y polarizadas en inverso, de forma
que la corriente que pasa a travs de ellas es prcticamente nula. Generalmente la unin de
puerta es del tipo p +- n, lo cual significa que la regin p de la puerta est mucho ms dopada
que la regin n del semiconductor.
Los JFET utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrican siguiendo la tec-

nologa planar (vase cap. XIII), segn la cual el semiconductor est formado por una capa de
carcter n (capa epitaxial) depositada sobre un substrato de silicio u otro semiconductor, de
tipo p. Un rea pequea de la superficie de esta capa epitaxial est difundida con impurezas
tambin de tipo p, y forma, junto con el substrato de silicio, el contacto de puerta. Los electro-
dos metlicos de fuente y de sumidero se depositan directamente a ambos lados del contacto
superior de puerta. En la fig. 8.1 b se presenta un esquema de la geometra de las diferentes
zonas y contactos de un JFET utilizado en circuitos integrados, mostrando la zona activa, es
decir la regin donde tiene lugar la accin del transistor. El smbolo de circuitos para el JFET
de tipo n se ha representado en la fig. 8. le, con la flecha de la puerta apuntando hacia dentro
para indicar el carcter n del semiconductor. En el caso del JFET de tipo p, la flecha de la
puerta tiene la direccin opuesta a la de la figura.
Si el semiconductor es de tipo n, la polarizacin se hace de forma que la corriente de

electrones (portadores mayoritarios) fluya desde el contacto de surtidor, S, al de drenador, D.
Esto quiere decir que la tensin Vos = V O -V s debe ser positiva. Se dice entonces que el
semiconductor funciona como un canal de baja resistencia para los electrones, estando limita-
do el canal por las paredes que forman las dos regiones de carga espacial adyacentes a las
uniones p-n de la puerta. Segn hemos visto en el captulo tercero, en las regiones de carga
espacial la concentracin de carga libre es muy baja y por tanto su resistividad es muy elevada.
VIII. Fundamentos
227
r. carga
espacial p+
a)
s G D
r. carga
espacial zona activa
del transistor
capa epitaxial (n)
substrato (p)
contacto
b)
c)
Fig. 8.1. a) Esquema de la estructura de un JFET de canal tipo n. b) Esquema

de un transistor JFET de canal n fabricado segn la tecnologa planar. c)
Smbolo de circuitos de un JFET de canal n.
228 Fundamentos de electrnica fsica y microelectrnica
VIII. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 229
a) b) e)
regin de
agotamiento
s o o o
canal
lo esTngulamien saturacin
regin lineal
Vo(sat)
Fig. 8.2 Parte superior: Esquema de la variacin de anchura del canal para
valores crecientes del voltaje de drenador, VD' de un transistor JFET: a) Para
VD<< VD.sal . b) VD= VD.sal . c) VD >> VD.sal . Parte inferior: Representacin
de la curva de variacin de la corriente de drenador, ID"
8.1.2 Comportamiento cualitativo del JFET.
Supongamos inicialmente que el electrodo de puerta est polarizado al potencial de

tierra, esto es V O = O, y que aumentamos lentamente desde cero la tensin aplicada al drenador,
V 0, manteniendo el surtidor a una tensin fija de cero voltios, esto es V s = O (potencial de
tierra). Para pequeos valores de V 0, la corriente que circula entre el surtidor y el drenador,
10, debe ser pequea. Esta corriente es debida al movimiento de electrones desde la fuente al
drenador a travs del canal. En esta situacin se considera que el canal est completamente
abierto, comportndose del mismo modo que una resistencia (fig. 8.2a). As pues, la variacin
de 10 en funcin de V O en el rango de tensiones bajas ser prcticamente de tipo lineal. Obsr-
vese en la fig. 8.2a que el canal semiconductor de tipo n est sometido a un potencial positivo
respecto los contactos de puerta (polarizados a una tensin V O = O) por lo que la unin p +- n de
los contactos de puerta queda polarizada en inverso. Como consecuencia de esta polarizacin
en inverso, la corriente que circula a travs de los contactos de puerta debe ser extremadamen-
te baja. Adems, la regin de carga espacial, tambin llamada de agotamiento, que se extien-
VIII. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 229
de a ambos lados de cada una de las dos uniones tiene una anchura mayor en la regin del
canal, ya que sta es la que est menos dopada (regin sombreada en la fig. 8. la). Es impor-
tante sealar que la anchura de la zona de agotamiento es ms acusada conforme se avan-
za hacia el drenador, ya que el potencial V(x) a lo largo del canal semiconductor (regin
n) es cada vez ms positivo respecto de la puerta (regin p),
A medida que se aumenta V O manteniendo V s = O, la anchura de la regin de carga

espacial a ambos lados de la unin p + - n de la puerta es cada vez mayor. Este efecto da lugar
a una reduccin de la anchura del canal, siendo lgicamente el efecto ms acusado en la zona
del drenador. La reduccin gradual de la anchura del canal puede ser tan elevada que puede
incluso cerrar el canal en el extremo del drenador. Se origina entonces en esta regin un
aumento notable de la resistencia del canal, por lo que la pendiente de la curva 10 en funcin
de V O comienza a decrecer. Cuando el voltaje alcanza un cierto valor crtico, dado por
V O = V o,sat ( este valor normalmente es de unos pocos voltios, aunque lgicamente depende de
las dimensiones del dispositivo), se llega a la situacin indicada en la fig. 8.2b, en la cual se
produce el estrangulamiento del canal ("pinch-off') y la curva caracterstica 10 -V O se hace
entonces prcticamente horizontal (es decir, resistencia dinmica infinita). A partir de este
momento, al aumentar V O ya no aumenta ms la corriente que circula a travs del canal. En
este rango de tensiones elevadas, conocido como regin de saturacin, el aumento de V O da
lugar a un crecimiento de la longitud de la regin del canal que ha sido estrangulada, debido al
desplazamiento del punto P (punto donde se produce inicialmente el estrangulamiento) hacia
la regin de la fuente, fig. 8.2c. Obsrvese que, contrariamente a lo que podra parecer en una
primera impresin, al quedar el canal bloqueado la corriente 10 no se reduce a cero, ya que
entonces no habra cada de potencial a lo largo del canal y no se llegara a la condicin de
estrangulamiento.
Es preciso tener en cuenta adems que a medida que el potencial en el drenador se

acerca o incluso se hace ms elevado que el potencial de estrangulamiento, la cada de poten-
cial a lo largo del semiconductor, V(x), ya no es homognea. De hecho, cuando se aplica en el
drenador un potencial mayor que V o,sat el punto P de estrangulamiento separa dos zonas de
diferente resistencia en el semiconductor: entre la fuente y el punto P tenemos el canal
semiconductor con resistencia baja, mientras que desde el punto P al drenador la resistencia es
muy elevada, ya que corresponde a la regin de agotamiento de la unin p-n polarizada en
inversa. Es ms, el potencial en el punto P de estrangulamiento ha de mantenerse constante e
igual al valor de saturacin, V o,sat Esto quiere decir que la tensin aplicada, V 0, se reparte de
forma no homognea, produciendo una cada igual a V Disat en la zona del canal comprendida
entre la fuente y el punto P, y una cada igual a V O -V o,sat en la parte posterior del canal, entre
P y el drenador. Para tensiones de drenador mucho ms elevadas que V Disat- esta ltima regin
es la que absorbe la mayor parte de la tensin aplicada. Este reparto inhomogneo de la
tensin hace que en la regin de saturacin la corriente de fuente a sumidero sea prcticamente
constante ya que est limitada por la cada de tensin entre la fuente y el punto P de estrangu-
lamiento. Un esquema cualitativo de las dos regiones de diferente resistencia que forman el
canal en la zona de saturacin viene dado en la fig. 8.3.
Fundamentos
VIII. MESFET dey electrnica
231
230
230
voltaje
V(x)
o L X
resistencia baja
canal n regin de agotamiento
s D
Fig. 8.3. Parte superior: Variacin del voltaje, V(x), a lo largo del canal de un
JFET (tipo n) cuando se aplica un voltaje VD superior al de estrangulamiento
(punto de operacin en la regin de saturacin). Las lneas a trazos indican la
situacin correspondiente a diferentes valores de VD (V'D> VD> V"D). Parte
inferior: Esquema de la situacin de estrangulamiento del canal en un punto P,
en el interior del JFET.
Aparte de este efecto, existe otra limitacin de la corriente que se presenta sobre todo
en los transistores con una longitud de canal, L, pequea. La corriente en este caso puede
quedar limitada por la velocidad mxima que alcanzan los portadores en la parte posterior del
canal (detrs del punto P), donde el campo elctrico toma valores muy elevados. Efectiva-
mente, se sabe que para campos relativamente altos, del orden de 104 Vcm-1 para el silicio, la
velocidad de los electrones alcanza un valor de saturacin ( vase fig. 8.10), ya que la movili-
dad de los electrones en este rango decrece al aumentar el campo elctrico aplicado. Este
efecto de saturacin de la velocidad de los electrones en la zona posterior del canal se puede
superponer al ya mencionado de la constancia de la cada de tensin en la parte anterior del
canal, produciendo uno u otro una limitacin de la corriente en la regin de voltajes superiores
al voltaje de estrangulamiento.
Fundamentos
231
231
231
10(mA)
VG=OV
1.0
0.8 VG =-0.5 V
0.6 VG=-1.0V
0.4
VG = -1.5 V
0.2
Vo(V)
o 2 4 6 8 10 12 14
Fig. 8.4. Curvas caractersticas I -V de un JFET tpico de canal n, mostrando

0 O
el aumento abrupto de la corriente en la regin de avalancha.
Si en el JFET de canal n polarizado a una tensin de drenador positiva determinada

aplicamos ahora tensiones, V 0, negativas en el contacto de puerta, la unin p-n de la puerta
queda polarizada en inverso a un potencial ms elevado que en el caso anterior (con V a= 0).
En esta situacin la anchura de la regin de carga espacial en cada unin se hace todava
mayor, y a su vez la regin del canal se hace ms estrecha, por lo que la corriente a travs del
canal disminuye. En la fig. 8.4 se muestra la familia de curvas caractersticas 10 -V O de un
JFET tpico de canal n, cada una de ellas correspondiente a un valor de V a fijo, Ntese que al
aumentar el voltaje en inverso, V a, aplicado a las uniones p-n de la puerta, 10 disminuye como
consecuencia del estrechamiento del canal.
En la figura 8.4 se observa tambin un aumento abrupto de la corriente cuando se

alcanza una tensin crtica por encima del valor de saturacin. Este aumento se debe a un
fenmeno de avalancha de electrones originado en la unin p-n que existe entre la puerta y el
canal. Este fenmeno se produce mayoritariamente en la parte posterior del canal, ya que en
esta regin es donde el diodo tiene una polarizacin inversa ms elevada. Las caractersticas
de este proceso de ruptura por avalancha en una unin p-n ya fueron sealadas en el captulo
tercero (sec. 3.3.4). Evidentemente, este fenmeno ocurrir para un valor de V0 tanto menor
cuanto ms negativo sea V 0.
Fundamentos
231
232
232
8.2. CALCULO DE LAS CURVAS CARACTERISTICAS INTENSI-

DAD-VOLTAJE DEL JFET
Para voltajes de drenador inferiores al de saturacin, V 0<V Disat- se puede obtener una
relacin cuantitativa entre la corriente, 10, y el voltaje aplicado, V 0, utilizando para el
semiconductor el modelo de la fig. 8.1 a en dos dimensiones. Para efectuar el clculo supon-
dremos adems (vase fig. 8.5) que: i) se trata de un dispositivo de longitud de canal L y
semianchura a, simtrico con respecto a un plano horizontal, ii) las cadas de voltaje en el
contacto de fuente (punto de abscisa x=O) y del drenador (punto x=L) son despreciables, y iii)
la variacin de las variables electrostticas en la direccin horizontal (x) es mucho ms lenta
que en la vertical, lo cual ocurrir si Loe-a (aproximacin del canal gradual).
Consideremos el JFET de canal n tal como se representa en fig. 8.5, es decir antes del
estrangulamiento total del canal. Debido al estrechamiento del canal su resistencia es ms
elevada a medida que se avanza hacia el drenador. Sin embargo, la corriente 10 que fluye a
voltaje
o X L X
s o
regin de
G carga espacial
Fig. 8.5. Esquema de la seccin transversal de un JFET operando en la regin

lineal. En la parte superior se muestra la variacin del voltaje V(x) a lo largo
del canal para un JFET de canal n.
VIII.
233 Transistores de efecto campo (JFET, MESFET
Fundamentos y MOSFET)
de electrnica 233
fsica y microelectrnica
233
233
travs de cualquier seccin transversal, perpendicular a la direccin x, debe ser constante a lo

largo del canal. As pues, para cualquier punto entre x=O y x=L se tendr:
dV =lodR [8.1]
siendo dR y dV la resistencia y la cada de potencial correspondientes a una longitud dx del

canal. Lgicamente, el valor de dR depende de la anchura del canal en el punto considerado
y puede calcularse a travs de la relacin:
dR = p (dx / S)
donde S = 2z [a - w(x)] es el rea de la seccin transversal del canal en el punto x, y p la

resistividad del semiconductor. La dimensin z corresponde a la anchura del canal en la
direccin perpendicular al plano de la figura. Si el semiconductor es de tipo n, con una con-
centracin N, de impurezas, podemos calcular su resistividad mediante la relacin:
1/p = q eNd, siendo u, la movilidad de los portadores (electrones). Introduciendo los valores
de p y S en la ecuacin anterior tendremos:
dx
dR [8.2]
2q e Nd z [a - w(x)]
=
con lo que sustituyendo en [8.1], resulta,
Iodx = 2z q eNd [a - w(x)] dV [8.3]
Ahora bien, segn el resultado obtenido en ec. [3.47], en una unin abrupta tipo p + - n la
anchura, w(x), de la zona de carga espacial en la regin n viene dada por una expresin del
tipo:
112
w(x) = [ q2N
E d [V + V(x)- Vd
0
J [8.4]
ya que el potencial inverso aplicado a travs de la unin p-n en el punto de coordenada x es

V G -V(x). En la ecuacin anterior, V O es el denominado potencial barrera o de contacto de la
unin de puerta y V(x) es la parte del potencial que cae entre la fuente (x=O) y el punto
considerado (de coordenada x) como consecuencia del potencial V0 aplicado en el drenador.
A partir de la ec.[8.4] se puede establecer para dV:
qN
dV = d wdw [8.5]
E
VIII.
Fundamentos y MOSFET)
de electrnica 233
234
234
que sustituida en [8.3] nos da:

q Nd
lo dx = 2z q u, Nd [a - w(x)] wdw
E
Integrando sobre la longitud L del canal y despejando 10 queda:
[8.6]
= [ a (w22 - w1 2 ) - 32 (w2 3 - W1 3])
Particularizando para los valores de wr, cuando x=O, V=O, y w2, cuando x=L, V=Vo y hacien-
do uso de [8.4] se tiene finalmente:
donde:
lp = [8.8]
Vp = [8.9]
Tanto lp como V p son parmetros que dependen de las caractersticas del semiconductor
utilizado as como de sus dimensiones geomtricas. As, un aumento de la seccin transversal
del semiconductor (esto es, de la semianchura a la profundidad z), o bien una disminucin de
la longitud L, hace que el valor de lp sea ms elevado. Del mismo modo, el voltaje V p tambin
crece con la semianchura del semiconductor. Este parmetro es conocido como voltaje de
estrangulamiento, ya que su valor coincide aproximadamente (si no se tiene en cuenta el valor
V 0) con el potencial en inverso que es necesario aplicar sobre la puerta para cerrar el canal
cuando la corriente de drenador es cero (es decir 10=0), segn se puede demostrar fcilmente
a partir de la ec. [8.4]. De esta misma ecuacin se deduce adems que si aplicamos a la puerta
un voltaje determinado, V G, la situacin de estrangulamiento en el borde del drenador se pro-
VIII. Fundamentos
MESFET dey electrnica
MOSFET) fsica y microelectrnica
235
235
235
lo/los
r. lineal
...r.. .d.e. saturacin
. VG = O V
1.0 .----------
0.8
VG = -0.5 V
0.6
VG = -1.0 V
0.4
0.2
._/
. ----- VG = -1.5 V ---
VG =-2.0 V
_
o
o 2 3 4 5 Vo(V)
Fig. 8.6. Curvas caractersticas ID-VD normalizadas para un JFET de canal

n, segn la ec. [8.7], con VP = 3 V.
duce cuando la tensin de drenador alcanza un valor, V Disat- tal que cumpla la ecuacin:
2E
a = [ --(V+
q Nct
Vo,sat - Va)
o bien, teniendo en cuenta la expresin [8.9]:
Vp = Vo,sat + Yo - Va [8.10]
la cual sirve para calcular V Disat-
En la fig. 8.6 se ha representado en trazo continuo las curvas tericas 10-V O (normali-
zadas) correspondientes a la ec. [8.7] para un semiconductor tpico. Las curvas representan la
variacin del cociente lo/los en funcin de V O (siendo los el valor de lo,sat correspondiente a
V a = 0) para voltajes inferiores al de saturacin (V O <V o,sa1). Obsrvese que para voltajes V O
VIII. Fundamentos
235
236
pequeos las curvas caractersticas tienen un comportamiento cuasi-lineal, con una pendiente
236
en el origen dada por el factor lp I V p. Es fcil demostrar que este cociente representa la
VIII. Fundamentos
235
237
237
resistencia del canal completamente abierto. A medida que aumenta V O las curvas se separan
del comportamiento lineal debido a la influencia de los trminos segundo y tercero de la ec.
(8. 7]. Para V O> V o,sat la ec. (8. 7] deja de ser vlida y la corriente se considera constante, igual
al valor de saturacin, lo,sat (lneas de trazo discontinuo en la fig. 8.6). El valor de lo,sat se
puede obtener a partir de la ec. (8.7] haciendo V0 = Vo,sat, con lo que resulta:
1 = 1 [ V P - 3 (V - V a) + ( V - V o )3 i z ] (8.11]
O,sat p 3V 3 V
p p
Utilizando los datos de la fig. 8.6 para las curvas caractersticas 10-V O de un transistor
JFET se puede obtener la variacin de 10 en funcin de V G en la regin de saturacin. Resulta
as la denominada curva de transferencia (fig. 8.7), la cual se obtiene a partir de la ordenada
del punto de interseccin de las curvas de la fig. 8.6 con una recta paralela al eje de ordenadas
en un punto de abscisa V 0, contenido en la regin de saturacin. Es fcil demostrar que la
curva de transferencia cumple aproximadamente la ecuacin:
Io.,a1 = los ( 1 - : )' para (VG < Vp) [8.12]
loflos
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
o
o
Fig. 8.7. Curva de transferencia para un JFET de canal n (/ 0 en funcin de
VG), obtenida a partir de las curvas de la figura anterior en la regin de

saturacin.
VIII.
Fundamentos MOSFET)fsica y microelectrnica
deyelectrnica 237
238
238
donde los es, segn hemos visto, la corriente de saturacin mxima, es decir, la corriente lo,sat
para VG = O. Aunque esta ecuacin parece muy distinta de la ec. [8.11], da sin embargo
resultados muy aproximados y es mucho ms sencilla de aplicar. A partir de la curva de
transferencia se define un parmetro caracterstico del transistor denominado transconductancia,
gm , el cual coincide con la pendiente de la curva de transferencia en el punto de operacin, es
decir:
L\10
gm = .V
1
[8.13]
G VD
Al estudiar los amplificadores con transistores (cap. IX) veremos que el factor de am-
plificacin en voltaje de los JFET est directamente relacionado con el factor gm.
8.3. CIRCUITO EQUIVALENTE DEL JFET PARA SEALES

PEQUEAS (*)
Cuando se utiliza el transistor JFET como amplificador de seales alternas normal-

mente se emplea la configuracin de fuente comn, mostrada en la fig. 8.8a, polarizando el
transistor con una tensin entre fuente y drenador, V os, suficientemente elevada para que el
punto de operacin se site en la regin de saturacin (definido por una corriente 10). La seal
alterna que se desea amplificar, v g, se aplica en el electrodo de puerta superpuesta a la tensin
continua de polarizacin de puerta, VGS Esta seal de voltaje se traduce en variaciones de la
corriente de drenador, id, que se superponen al valor continuo, 10, y producen a su vez una
variacin, vd, en la cada de tensin en la resistencia, RL, introducida en el circuito de salida.
En la regin de saturacin del transistor se puede utilizar un anlisis del comportamien-

to del JFET para seales pequeas similar al del transistor bipolar funcionando en la regin
activa con la configuracin de emisor comn (apartado 6.5), haciendo la salvedad de que para
el JFET la corriente en el circuito de entrada, esto es, la corriente de puerta, es prcticamente
cero. As pues, en este anlisis slo es preciso considerar el circuito de salida, en el cual la
dependencia del valor instantneo de la corriente de saturacin, i0, con las variables v0 y vG
=
puede escribirse como io io (v0, vG). Mediante el clculo diferencial resulta para la compo-
nente alterna de i0:
[8.14]
donde gm es la transconductancia definida por ec. [8.13], y
[8.15]
VIII.
deyelectrnica 237
239
239
a)
b)
Fig.8.8. a) Circuito amplificador simple basado en un transistor JFET de

canal n polarizado en la configuracin defuente comn. b) Circuito equivalente
de alterna para seales pequeas del JFET funcionando en la regin de
saturacin.
es la denominada conductancia del canal. En los transistores JFET esta magnitud suele tener
un valor muy pequeo, ya que las curvas caractersticas en la regin de saturacin son prcti-
camente horizontales.
La ec. [8.14] sugiere el circuito equivalente de pequea seal del JFET representado en
la fig. 8.8b, en el cual la corriente en el circuito de salida, id, se obtiene mediante la suma de la
corriente suministrada por el generador de corriente de valor gmv g y la corriente a travs de la
resistencia r= l/g0 debida a la seal vden el circuito de salida. Normalmente esta resistencia es
muy elevada, varias decenas de kiloohmios, por lo que desde un punto de vista prctico suele
eliminarse en el circuito de salida. Por otra parte, el circuito de entrada se ha dejado abierto,
es decir sin conexin con el terminal de fuente o de drenador, para tener en cuenta el hecho
VIII.
deyelectrnica 237
240
240
fundamental de que la resistencia de entrada en el terminal de puerta de los JFET es
muy elevada. Es sta quizs una de las caractersticas ms distintivas de la familia de transis-
241 Transistores de efecto campo Fundamentos
VIII. de electrnica
(JFET, MESFET y MOSFET) fsica y microelectrnica
239
241
tores de efecto campo. Ntese la similitud del circuito de la fig. 8.8b con el circuito equivalen-
te del transistor bipolar representado en la fig. 6.18.
Cuando los JFET operan a muy alta frecuencia hay que tener en cuenta el tiempo de
trnsito, t., de los portadores a travs del canal. Se puede demostrar que tr es proporcional a
2
L , por lo que la frecuencia de corte a partir de la cual los portadores ya no responden a las
2
variaciones de la seal aplicada es inversamente proporcional a L Por tanto para mejorar el
comportamiento del transistor a frecuencias altas es muy conveniente que la longitud del canal
sea lo ms pequea posible.
8.4. EL TRANSISTOR DE UNION METAL-SEMICONDUCTOR

(MESFET)
El MESFET fu propuesto por Mead en 1966, y aunque su funcionamiento es

conceptualmente similar al JFET discutido ms arriba, desde un punto de vista prctico puede
operar a frecuencias bastante ms altas, en la regin de las microondas. A diferencia del JFET,
el electrodo de puerta est formado por una unin metal-semiconductor (de ah el nombre de
MESFET) de tipo Schottky en lugar de una unin p-n, como se puede apreciar en el esquema
fuente, S
puerta, G
drenador, O
semicond. tipo n
sustrato
semiaislante
Fig. 8.9. Esquema de la estructura de un transistor tipo MESFET. El contacto

de puerta est formado por una unin metal-semiconductor, tipo Schottky.
242 Transistores de efecto campo Fundamentos
VIII. de electrnica
(JFET, MESFET y MOSFET) fsica y microelectrnica
239
242
de la fig. 8.9. La estructura se completa con otros dos electrodos metlicos depositados sobre
la superficie del semiconductor, en sus extremos, formando un contacto hmico con el
semiconductor. Uno de estos electrodos acta de fuente o surtidor (S) y el otro de drenador o
sumidero (D).
Los MESFET son construidos en casi su totalidad a partir de arseniuro de galio en

lugar de silicio. Las ventajas de la utilizacin del arseniuro de galio son varias: i) En el rango
de operacin til, los electrones del arseniuro de galio presentan una movilidad de
2 1
0.8 m V-1s- , es decir unas cinco veces superior a la del silicio. ii) La velocidad de arrastre
mxima de los electrones por un campo elctrico es en el GaAs alrededor del doble de la de
los electrones en el Si (vase la fig. 8.10). iii) Los MESFET se fabrican depositando una capa
epitaxial de GaAs dopada convenientemente sobre un substrato de GaAs con propiedades
semiaislantes (p ; : :, 108 ohm cm). De este modo, las capacidades parsitas entre el substrato y
los contactos metlicos de los electrodos son muy bajas. iv) La posibilidad, en los dispositi-
vos de puertas muy cortas, de que los electrones alcancen velocidades muy elevadas, lo que
resulta en un tiempo de trnsito muy pequeo. Todo ello hace posible construir hoy da
amplificadores que pueden operar hasta frecuencias de 60 GHz, as como circuitos digitales
de muy alta velocidad. Debido a todas estas caractersticas el GaAs est sustituyendo venta-
josamente al Si en algunas aplicaciones especiales, a pesar de que la tecnologa de circuitos
integrados basada en el GaAs est todava mucho menos desarrollada que la del Si.
8.5. CURVAS CARACTERISTICAS INTENSIDAD-VOLTAJE DEL

MESFET
El funcionamiento del MESFET es muy similar al del JFET estudiado en los apartados
anteriores. De hecho la capa epitaxial semiconductora acta como un canal efectivo para los
portadores, ya que est limitado en su parte inferior por el substrato semiaislante. Si el canal
es de tipo n, el electrodo de puerta se polariza negativamente, con lo cual se forma una regin
de carga espacial en el semiconductor vaca de portadores, que controla la anchura efectiva
del canal. Asimismo, en el modo normal de operacin, la fuente se conecta a tierra y el drenador
a un potencial positivo. De esta forma la fuente inyecta electrones hacia el sumidero a travs
del canal formado por el semiconductor.
La fig. 8.11 muestra la variacin de la intensidad 10 en funcin del voltaje V O aplicado

al drenador de un MESFET tpico. Consideremos primero que la tensin de puerta se mantie-
ne a potencial cero (esto es V O = 0). Para pequeos valores de V O el canal semiconductor
acta como una resistencia pura, y por tanto la relacin 10 - V O es de tipo lineal. Sin embargo,
cuando se aplican voltajes V O ms elevados, el canal semiconductor se hace cada vez ms
positivo respecto de la puerta por lo que la regin de carga espacial se hace progresivamente
ms ancha. Esto implica una disminucin de la anchura del canal (sobre todo en la zona prxi-
VIII. Transistores de efecto campo Fundamentos
243 (JFET, MESFET y MOSFET)
de electrnica 241
243
v(cm/s)
3.0 107 GaAs
2.0 107
1.0 107
Fig. 8.1 O. Velocidad de arrastre de los electrones enfuncin del campo elctrico,
para el GaAs y el Si.
10(mA)
0.8
0.6
0.4
0.2
o
Vo(V)
o 2 4 6 8 10
Fig. 8.1 l. Curvas caractersticas ID-VD de un MESFET (con un semiconductor

tipo n), de canal "normalmente abierto".
de electrnica 241
244
ma al drenador) y un aumento de su resistencia, lo cual da lugar a una disminucin de la

pendiente de la curva 10 - V 0. Cuando V O toma valores superiores a una cierta tensin crtica
o umbral, necesaria para el estrangulamiento del canal, la corriente se estabiliza por un efecto
similar al JFET (fig. 8.11 ).
En el caso de los MESFET de GaAs, este efecto de saturacin de la corriente es debido

en gran parte a la limitacin de la velocidad de los electrones en la regin del canal prxima al
drenador. Debido al diseo de los MESFET, con una longitud de canal generalmente muy
pequea, el campo elctrico en la regin del sumidero puede alcanzar valores muy elevados
cuando se aplican tensiones de drenador suficientemente altas. La velocidad de los electrones
se sita entonces a la derecha del mximo en la curva correspondiente al GaAs en la fig. 8.1 O,
10(mA)
VG=O.SV
0.8
VG=0.4V
0.6
0.4 VG = 0.3 V
VG=0.2V
0.2
VG=0.1 V
o
o 2 4 6 8 10 12 Vo(V)
Fig. 8.12. Curvas caractersticas ID-VD de un MESFET similar al anterior, de

canal "normalmente cerrado".
alcanzando un valor de saturacin. En esta regin de campos elctricos elevados, un aumento

del campo elctrico se compensa por una disminucin de la movilidad de los electrones, con
lo que la corriente a travs del canal se mantiene constante.
Evidentemente, si el potencial de puerta, V 0, se hace negativo la regin de carga espa-

cial se ensancha y el canal semiconductor se hace ms estrecho. Por esta razn, la corriente 10
a travs del canal ser menor cuanto ms negativo sea V 0. Se puede obtener una relacin
cuantitativa para la caracterstica 10 - V O siguiendo el mismo clculo que se efectu en el
apartado anterior para el JFET. De hecho el resultado de la ec. [8.7] es tambin vlido para el
de electrnica 241
245
MESFET, siendo V p el voltaje crtico o umbral a partir del cual la corriente se estabiliza por
efecto del estrangulamiento del canal.
246
(JFET, MESFET y MOSFET)
de electrnica 243
246
Cuando se pretende una velocidad de respuesta elevada a menudo se recurre a disposi-

tivos MESFET diseados de tal manera que el canal se encuentra cerrado cuando la tensin
aplicada es cero. Para ello, basta que el espesor de la capa epitaxial depositada sobre el
substrato semiaislante y que constituye el canal sea suficientemente fina. Cuando este espesor
es menor que el de la carga espacial de la unin metal-semiconductor en equilibrio (V O= O) el
canal est bloqueado, y el transistor se dice que es del tipo "normalmente cerrado" (en con-
traste a los anteriormente descritos que son de canal "normalmente abierto"). Sin embargo, si
se aplican voltajes positivos con un valor pequeo a la puerta la regin de carga espacial se
reduce dejando libre un pequeo canal para la corriente que pasa desde la fuente al drenador.
La tensin positiva aplicada a la puerta nunca puede ser superior a unas pocas dcimas de
voltio, ya que en otro caso se perdera el carcter bloqueante del contacto y una cierta fraccin
de la corriente a travs del canal se perdera por el propio contacto de puerta. Las caracters-
ticas 10-V O de estos dispositivos son muy similares a las de canal abierto, con la nica diferen-
cia de que la corriente aumenta al aumentar V 0, segn se observa en la fig. 8.12.
8.6. TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR DE

EFECTO CAMPO (MOSFET)
En el captulo anterior se ha considerado la estructura MOS como un dispositivo de

dos terminales, lo cual permite estudiar la estructura de bandas y la distribucin de carga en el
interior del semiconductor cuando se aplica una tensin en los extremos de la estructura.
Estos estudios son necesarios para el entendimiento, e incluso la previsin, del funcionamien-
to de los transistores MOSFET, o abreviadamente MOS. Los transistores MOS encuentran en
la actualidad amplia aplicacin en las puertas lgicas utilizadas en electrnica digital y en las
memorias semiconductoras.
8.6.1. Estructura bsica del MOSFET
En la fig. 8.13a se muestra la estructura bsica de un transistor MOS de silicio de tipo

p, desarrollado tambin segn la tecnologa planar. Bsicamente consiste en una estructura
MOS en la cual el electrodo metlico superior, G, depositado sobre la capa aislante acta
como terminal de puerta del transistor. Existen adems dos regiones pequeas de la superficie
dopadas fuertemente con impurezas donadoras, es decir de tipo n +, situadas a cada lado de la
puerta. Sobre cada una de estas regiones o islas de tipo n + se deposita asimismo un electrodo
metlico, formando el contacto de fuente o surtidor, S, y el de sumidero o drenador, D, del
transistor. Finalmente, al igual que en una estructura MOS simple, sobre la superficie inferior
del dispositivo se deposita un capa metlica que se mantiene conectada a tierra. En la fig.
8.13b se muestra el smbolo del transistor MOS de canal n (como el de fig. 8.13a) en el cual la
flecha indica el sentido convencional de la corriente (de drenador a fuente) en el modo normal
247
(JFET, MESFET y MOSFET)
de electrnica 243
247
de operacin del transistor. En el MOSFET de canal p, la corriente tiene sentido opuesto y la

flecha del dibujo lleva la direccin invertida.
8.6.2. Descripcin cualitativa del funcionamiento del MOSFET
Consideremos primero el caso de que el voltaje aplicado a la puerta es cero, es decir,

V O = O. Las dos regiones o islas de tipo n + de fuente y drenador forman con el resto del
semiconductor de tipo p sendas uniones p-n + conectadas en oposicin, por lo que prctica-
mente no existe paso de corriente entre los electrodos de fuente y sumidero, cualquiera que sea
el signo de la tensin aplicada entre ellos.
Supongamos ahora que aplicamos un voltaje positivo suficientemente alto a la puerta

para tener la condicin de inversin fuerte en la interfase del semiconductor con el xido
( vase apartado 7. l ). Esto quiere decir que Va V T, siento VT el voltaje umbral de la estruc-
tura MOS. Los portadores minoritarios, electrones en este caso, dan lugar a la formacin de
un canal conductor de tipo n en la superficie del semiconductor entre la fuente y el drenador
con una conductancia mayor cuanto ms alto sea el voltaje aplicado en la puerta. Como ya
fuente puerta sumidero
s G D
xido contacto
metlico
n+
n+
Si tipo p
contacto
metlico
a)
s o
o
Ll
1b)
Fig. 8.13. a) Estructura tpica de un MOSFET de canal n. b) Smbolo del

MOSFET de canal n utilizado en circuitos.
de electrnica 245
245
vimos en el captulo anterior, este canal est limitado en su parte superior por la capa aislante
de Si02 y en la parte inferior por la regin de carga espacial que se forma en el semiconductor
bordeando la puerta y tambin alrededor de las islas n + de los contactos de fuente y sumidero.
En estas circunstancias si se aplica un voltaje positivo de valor pequeo al drenador (vase la
fig. 8.14a), los electrones fluyen desde la fuente al drenador a lo largo del canal que acta
ahora como si fuera una resistencia de valor bajo (ntese que en el canal, al estar invertido, la
conduccin tiene el mismo carcter que en la fuente y el sumidero). Se obtiene as, en esta
regin de voltajes de drenador bajos, una variacin lineal entre la corriente 10 y el voltaje
aplicado, VD
Vo < Vo,sat Vo = Vo,sat Vo > Vo,sat

VG'?_VT VG VT VGVT
s G D
...
e)
- L
a) b)
regin lineal estrangulamiento saturacin
//
Vo(sat)
de electrnica 246
246
Fig. 8.14. Esquema de la variacin de la anchura del canal al aplicar voltajes
de drenador crecientes en un MOSFET de canal n. En la parte inferior se
muestra la correspondiente curva caracterstica I 0-V 0.
de electrnica 247
247
Al aumentar V 0, manteniendo V O< Va, tanto la regin de carga espacial que rodea al
drenador como aquella que existe a lo largo del canal se ensancha, ya que el contacto inferior
del dispositivo est a tierra. Debido a la progresiva cada de tensin desde la fuente al drenador,
el ensanchamiento es tanto mayor cuanto mas prximos nos hallemos del drenador. Por otra
parte, esta cada de tensin a lo largo del canal semiconductor hace que la diferencia de poten-
cial efectiva entre la puerta y el semiconductor sea cada vez ms pequea a medida que se
avanza hacia el drenador. Todo ello da lugar a una disminucin del nmero de electrones
que estn presentes en la capa de inversin prxima al drenador, lo que equivale a su vez
a una reduccin, tambin progresiva, de la anchura del canal. Evidentemente, esta reduc-
cin es ms acusada en la zona del drenador. El efecto global es una disminucin de la pen-
diente en la curva de variacin de 10 en funcin de V 0.
Cuando se alcanza un voltaje, tal que la anchura del canal se reduce a cero en el drenador
(fig. 8.14b), se dice que ha ocurrido el estrangulamiento del canal (punto P en fig. 8.14b).
Esto ocurrir para un voltaje denominado voltaje de saturacin, V o,sat, el cual ha de cumplir la
relacin V Disat = V 0-V T Para voltajes ms elevados, la regin del canal estrangulada, &,
aumentar de longitud en la direccin de la fuente (fig. 8.14c) y la corriente se mantendr
esencialmente constante, ya que el voltaje en el nuevo punto P de estrangulamiento se mantie-
ne prcticamente igual a V Disat- De hecho, el mecanismo de limitacin de la corriente entre el
punto P y la regin de agotamiento del drenador es muy similar a la de un transistor JFET
(vase sec. 8.1.2), de ah que las caractersticas 10-V O sean tambin similares.
10(mA)
10 VG=5V
8
VG=4 V
6
VG =3V
4
VG=2V
2
VG = 1 V
o
o 5 10 15 20 25 Vo(V)
Fig.8.15. Curvas ID-VD tpicas de un MOSFET de canal n.

de electrnica 248
248
En la fig. 8.15 se presentan las curvas experimentales 10-V O obtenidas al variar la

tensin de puerta, V 0, en un transistor MOS de canal n. Obsrvese en esta figura que, para un
voltaje V O dado, al hacer ms positiva la tensin V a aplicada a la puerta la corriente 10 se hace
ms elevada, ya que el canal es cada vez ms ancho y por tanto el nmero de portadores ms
elevado. Hay que notar tambin que para conseguir que el canal sea conductor es preciso que
V a tenga un valor por lo menos igual al voltaje umbral ( alrededor de un voltio) para la forma-
cin en la superficie de una capa con fuerte inversin. Evidentemente, en los transistores
MOS de silicio de tipo n el canal conductor es de tipo p y el potencial de puerta ha de ser
negativo. Asimismo, la tensin V O debe ser negativa en este caso. Por lo dems el comporta-
miento es exactamente igual al transistor MOS de canal n discutido ms arriba.
8.7. CALCULO DE LAS CARACTERISTICAS INTENSIDAD-VOL-

TAJE DEL MOSFET(*)
Con objeto de obtener una relacin sencilla entre la corriente 10 y el voltaje V O para un
transistor MOSFET de canal n consideraremos el caso ideal, es decir, cuando no hay diferen-
cia entre la funcin de trabajo del metal de puerta y la del semiconductor, las cargas elctricas
en el xido son nulas y no existen estados superficiales. Supondremos adems que inicial-
mente aplicamos en la puerta una tensin Va superior a la umbral, esto es, Va > V T Esto
quiere decir que, incluso sin tensin aplicada en el drenador, el canal se encuentra en condicio-
nes de inversin fuerte.
Anlogamente al caso del JFET estudiado anteriormente, consideraremos el caso en el

que el transistor se polariza en la regin cuasi-lineal de las curvas 10-V 0. Esto implica que la
tensin aplicada al drenador, V 0, ( con la fuente a potencial cero) es menor que la tensin de
saturacin, V o,sat, es decir V 0< V o,sat Siguiendo el modelo desarrollado para el JFET pode-
mos suponer tambin que la anchura del canal es variable, disminuyendo en la direccin del
drenador (en realidad lo que vara es la concentracin de carga presente en cada punto del
canal). Consecuentemente, la resistividad del canal debe aumentar al pasar de la fuente al
drenador. Sabiendo que la corriente en cualquier punto del canal, 10, debe ser independiente
de la posicin, podemos poner:
dV = 10dR [8.16]
siendo dR la resistencia de un elemento dx en una posicin x a lo largo del canal, con una
resistividad p variable. El valor de dR vendr dado por:
dx dx
dR = p (x) - = [8.17]
S q e n(x) z y(x)
Fundamentos
249
donde S = zy(x) representa el rea de la seccin transversal del canal de profundidad z y altura
y(x) variable (fig. 8.16). El producto qn(x)y(x) del denominador corresponde a la densidad de
carga de inversin contenida en el canal en la posicin x, Q'nv(x). As pues, a partir de las ecs.
[8.16] y [8.17] podremos escribir:
lo dx = Z u, Q'nv (x) dV [8.18]
La carga por unidad de rea en la zona de inversin del semiconductor, Q'nv(x), se

puede expresar como (vase sec. 7.3.1):
Q'nv (x) = Q's (x) - Q'agot (x) [8.19]
donde Q' s(x) es la carga total en el punto de coordenada x de la interfase del semiconductor
con el aislante y Q' agolx) es la carga comprendida en la zona de agotamiento (ambas por
unidad de superficie). Ahora bien, en la situacin de inversin Q' s est directamente relacio-
nada con la capacidad especfica de la estructura MOS, C' ox- a travs de la ecuacin:
Q' s= -C' ox Y ox- En esta ecuacin V ox es la parte del potencial de puerta que cae en el xido.
Teniendo en cuenta adems la ec. [7.20], la ecuacin anterior queda:
Q'nv (x) = - C'ox [V G - 'lis (x)] - Q'agot [8.20]
siendo V a el voltaje aplicado a la puerta y 'lfs{x) el potencial de superficie correspondiente al

punto de coordenada x. Por otra parte, en una estructura MOS con semiconductor tipo p,
dopado con una concentracin de impurezas Na, la carga de agotamiento est relacionada con
'lis a travs de la ec. [7 .16], por lo que la expresin anterior resulta:
Q'nv (x) = - C'ox [V G - 'lfs{x)] + [2qEN '1fs{X)] 112
3 [8.21]
Si denominamos V(x) a la cada de voltaje entre la fuente del MOSFET y un punto de

abscisa x a lo largo del canal, podemos escribir para el potencial de superficie del semiconductor
cuando est en inversin fuerte: 'lf s{X) == 2'1f + V (x), con 'lf definido a travs de la ec. [7. 7].
Esta expresin de 'lfs{x) sustituida en [8.21] nos da para Q'nv(x):
112
Q'nv (x) = - C'ox [V G - 2'1f - V(x)] + { 2qENa [2'1f + V(x)]} [8.22]
En la fig. 8.16 se da un esquema cualitativo de la variacin de la carga de inversin y del

potencial a lo largo del canal en un transistor MOSFET de canal n polarizado en la regin
lineal.
Fundamentos
249
Vo
Oinv (x) dx
Vo
y
V(x)
. . .
: : :
X L X
Fig.8.16. Esquema de la variacin de la carga de inversin, Q';nJx), y de la

tensin, V(x), a lo largo del canal en un MOSFET, tipo n, polarizado en la
regin lineal (V0<V0.sJ
Sustituyendo ahora en la ec. [8.18] el valor de Q' inv(x) dado por ec. [8.22] e integrando
ambos miembros de la ecuacin anterior entre los lmites x=O y x=L, para V=O y V=Vo,
respectivamente, resulta finalmente:
e { C'ox (Va - 2'\V - ) Yo - 2(2qENa)

112 2
lo = [(2'\V + Vof ' - (2'VJ112 ]} [8.23]
L 2 3
En el anterior anlisis se ha considerado la movilidad constante con un valor igual al

valor medio de la movilidad de los electrones dentro del canal. Debido a que la anchura del
canal es muy pequea, los electrones de la capa de inversin interaccionan fuertemente con la
superficie del xido, disminuyendo su velocidad. Por esta razn la movilidad, . en el canal
es ms baja que en el interior del semiconductor, y adems puede incluso depender de la
anchura del canal.
VIII.
de yelectrnica 250
250 250
250 250
Vo = Vo,sat
50 - -- - - --
VG VT = 7 V
40 VG-VT = 6 V
:J'
-.... 30 VG-VT= 5 V
-o-
(.)
e
:i
.!::!. 20 VG-VT =4V
VG-VT = 3 V
10
o 1
Vo(V)
o 2 4 6 8 10 12
Fig. 8.17. Curvas caractersticas ID-VD (normalizadas) para un MOSFET de

canal n, segn la ec. [8.23].
En la fig. 8.17 se ha representado en trazo continuo las curvas caractersticas normali-

zadas intensidad-voltaje de un MOSFET segn la ec. [8.23]. Segn se observa, para pequeos
valores de V O la dependencia es de tipo lineal, mientras que para voltajes ms elevados la
pendiente disminuye hasta el valor cero, correspondiente al punto de abscisa V O = V o,sat A
pesar de las aproximaciones empleadas en el modelo, tambin en este caso se obtiene un buen
acuerdo entre las curvas tericas y las obtenidas experimentalmente (fig. 8.15)
En la regin lineal, para voltajes V0 mucho menores que (Va-VT) la ec.[8.23] puede
aproximarse por:
[8.24]
En esta regin la conductancia del canal, g0, vendr dada de forma aproximada por:
[8.25]
VIII.
de yelectrnica 251
251 251
251 251
y la transconductancia, gm:
gm = avI 1
V - -
,
z e ox Vo [8.26]
G D L
Al igual que en el caso del JFET, para V O = V Disat ocurre el estrangulamiento del canal
en el drenador. Por encima de este voltaje, la corriente toma un valor constante, lo.sal (lneas
de trazo discontinuo en la fig. 8.17). El valor de la corriente de saturacin, Io,sat, puede hallar-
se obteniendo primero el valor de V Disat a partir de la ec. [8.22] imponiendo la condicin que
para x=L se cumple que Q' inv = O y sustituyendo el valor as obtenido en la ec. [8.23] (vase
problema 8.9). Se obtiene de este modo para Io,sa1:
lo,sat ::::::::: [8.27]
donde d y Eox son, respectivamente, el espesor y la constante dielctrica del xido y VT es el

voltaje umbral dado por la ec. [7 .24] del captulo anterior. Evidentemente, en la regin de
saturacin la conductancia del canal es prcticamente nula, mientras que la transconductancia
gm viene dada, a partir de ec. [8.26], por:
[8.28]
siendo una funcin que depende nicamente de la tensin aplicada en la puerta, V G
8.8. CIRCUITO EQUIVALENTE DEL MOSFET PARA SEALES

PEQUEAS (*)
En los circuitos amplificadores de seales alternas basados en un MOSFET, el transis-

tor se polariza en la regin de saturacin utilizando la configuracin de fuente comn. La
seal alterna, v g, que se pretende amplificar se introduce, al igual que en los otros tipos de
transistores estudiados en este captulo, superpuesta a la tensin de polarizacin de puerta,
V 0. En estos circuitos, las variaciones producidas en la tensin de puerta originan a su vez una
variacin en la corriente de drenador, id, que se superpone a la corriente continua del drenador,
10. Estas variaciones de corriente provocan tambin una seal variable, vd, en la resistencia RL
introducida en el circuito de salida.
En la regin de saturacin se puede realizar un anlisis del comportamiento del MOSFET

similar al del transistor bipolar funcionando para la regin activa. Las caractersticas del
VIII.
de yelectrnica 252
252 252
252 252
circuito equivalente resultante son muy similares a las obtenidas para el transistor JFET. La
fig. 8.18a muestra el circuito equivalente de un MOSFET operando a baja frecuencia. Igual
que en el JFET, la puerta G se encuentra separada de los electrodos de la fuente y el sumidero
debido a la resistencia prcticamente infinita de la capa de xido. En este sentido, el MOSFET
es el transistor que presenta mejores caractersticas en lo que se refiere a la resistencia de
entrada, ya que al ser casi infinita, el dispositivo no consume corriente de la fuente de alimen-
tacin que proporciona la seal v g Ntese en el circuito equivalente que la seal de salida se
obtiene a travs de un generador de corriente de valor gmv g Hay que sealar que, en lo que se
refiere al circuito de salida, el MOSFET, al igual que otros transistores, se comporta como una
fuente de corriente constante. Este hecho es debido a la horizontalidad de las curvas 10-V O en
la regin de saturacin.
Vg
Go
9mVg T 1/g0 : D Vd
so s
a)
CGo
Go o
Vg CGs
I 9mVg 1/go Vd
s s
b)
Fig.8.18. a) Circuito amplificador simple de seales pequeas para un

MOSFET, de canal n, polarizado en la regin de saturacin. b) Circuito
equivalente del transistor para baja frecuencia.
Cuando se trabaja con seales de alta frecuencia es preciso tener en cuenta las capaci-
dades parsitas entre el electrodo de puerta y los de fuente y sumidero (Cas y C00 en la
fig. 8.18b). Estas capacidades parsitas pueden tener bastante importancia en el transistor
MOSFET, ya que alteran profundamente el tiempo de respuesta del transistor. Se puede de-
mostrar que el tiempo de respuesta es proporcional al cuadrado de la longitud L del canal, por
VIII.
de yelectrnica 253
253 253
253 253
lo que cuando se desea trabajar a frecuencias altas es preciso reducir la longitud del canal al
mximo posible.
VIII.
de yelectrnica 254
254 254
254 254
8.9. OTROS TIPOS DE MOSFET (*)
En las secciones anteriores hemos visto que la conductividad del canal en un MOSFET
aumenta sustancialmente al formarse una capa de inversin mediante la aplicacin de un vol-
taje superior al umbral. A este tipo de transistores, bien sean de canal n p se les denomina
MOSFET de enriquecimiento y tambin se les conoce como transistores de canal "normal-
mente cerrado".
s G o
n+
a)
10(mA) Vo=2V
20
16 V0 = 1V
12
Vo=OV
8
Vo=1V
4
Vo = -2V
o 4 8 12 16 20 24 Vo(V)
b)
Fig. 8.19. a) Estructura de un MOSFET de canal n de agotamiento. b) Curvas

caractersticas I -V para un MOSFET tpico de canal n de agotamiento.
0 0
VIII. Fundamentos
255
Se puede conseguir que el transistor funcione con el canal normalmente abierto, si la

regin del canal se dopa con impurezas de tipo opuesto al resto del semiconductor, formando
as una capa conductora entre las islas que forman las regiones de fuente y sumidero. A este
tipo de transistores se les denomina MOSFET de agotamiento, ya que como veremos despus
el transistor puede funcionar en la regin de agotamiento del canal. En la fig. 8.19a se ha
representado un MOSFET de agotamiento con canal n. Obsrvese que el canal conductor, al
igual que las regiones de puerta y drenador es de tipo n. La aplicacin de voltajes negativos a
la puerta da lugar en este caso a una disminucin del nmero de portadores en el canal (regin
de agotamiento) por lo que la corriente 10 disminuye para un voltaje V O fijo, pudiendo incluso
hacerse cero si V a es suficientemente negativo. Al contrario, si el voltaje de puerta es positi-
vo, con un valor superior al umbral, el canal se enriquece con los portadores minoritarios de
inversin y la corriente aumenta. Lgicamente las caractersticas 10-V O de un MOSFET de
agotamiento son similares a las del MOSFET de enriquecimiento con la diferencia de que la
tensin de puerta admite a la vez valores positivos y negativos (fig. 8.19b).
8.10. ASPECTOS TECNOLOGICOS DEL MOSFET
Igual que ocurre en el JFET, el lmite de la frecuencia superior de utilizacin del tran-
sistor est relacionado con el tiempo de trnsito de los electrones de la fuente al sumidero, por
lo que es conveniente que la longitud L del canal sea la menor posible, siendo el lmite actual
de L alrededor de media micra. De los dos tipos de MOSFET de silicio, de canal n o de canal
p, los primeros son preferidos por la mayor movilidad de los electrones en relacin a los
huecos.
El voltaje umbral para la estructura MOS ideal, dado por la ecuacin (7.24], es alrede-
dor de 1 V para los MOSFET de silicio de canal n y -1 V para los de canal p. Ahora bien, si
tenemos en cuenta que la diferencia entre las funciones de trabajo del metal y el semiconductor
es qcl>ms : : : -1 V y que el cociente QtlCox (Qr es la carga fija en el xido) resulta tambin del
orden de -1 V, se tendr que el voltaje umbral real es alrededor de -1 V y -3V para los MOSFET
de canal n y p, respectivamente. Quizs uno de los mayores avances en la disminucin de VT
se consigui al utilizar el propio silicio en forma policristalina (polisilicio) como contacto de
puerta, en lugar del aluminio, ya que de esta forma la diferencia de funciones de trabajo es
cero. Para hacer ms conductor el silicio policristalino se dopa fuertemente con fsforo du-
rante la deposicin, quedando el material como un semiconductor degenarado, es decir con
una conductividad elevada.
Para disminuir an ms el valor de V T se siguen diversos procedimentos. El primero

consiste en utilizar para el substrato de silicio obleas cortadas segn la cara [100] de la super-
ficie en lugar de la cara (111]. De este modo, se consigue as que el valor de Qr disminuya
notablemente (vase apartado 7.4). Otro procedimiento consiste en aumentar la capacidad
VIII. Fundamentos
255
C0x utilizando una primera capa de Si02 para conservar las buenas propiedades de la interfase
Si-Si02 seguido de una capa de nitruro de silicio (SiJN4) que tiene una constante dielctrica
aproximadamente el doble de la del Si02 Otro mtodo muy utilizado para reducir el voltaje
umbral consiste en dopar ligeramente la regin del canal con impurezas de signo opuesto
mediante implantacin inica. Para ello iones de tipo donador, fsforo, p.e., son acelerados
hasta unos 300 KeV y con ellos se bombardea el substrato de tipo p, siendo ms fcil entonces
formar el canal n. Mediante una dosificacin adecuada de los iones donadores, con esta
tcnica se puede formar en un mismo proceso las regiones o islas de la fuente y el sumidero (de
carcter n "). Incluso, en el mismo substrato de tipo p se pueden fabricar tambin otros dispo-
sitivos MOSFET de agotamiento simplemente aumentando la dosis de fsforo en la regin
correspondiente al canal de estos dispositivos. Por ltimo mencionaremos que tambin se
puede disminuir V T haciendo el aislante de la puerta lo ms fino que sea posible. En este
sentido, actualmente se han preparado transistores MOS con espesor del xido aislante de tan
slo unos 100 . Para conseguir que un xido de estas caractersticas mantenga sus propieda-
des aislantes es preciso preparar la capa de xido con un grado de perfeccin elevado. Los
problemas asociados con la tcnica de obtencin del Si02 vienen descritos en el captulo XIII.
CUESTIONES Y PROBLEMAS
8.1 Sealar las caractersticas ms destacadas de los transistores de efecto campo, compa-
rndolas con las de los trasistores bipolares.
8.2 Si un transistor de efecto campo se encuentra en condiciones de estrangulamiento del

canal, es decir, con V O= V Disat- cmo es posible que haya paso de corriente a travs de
canal?.
8.3 Hacer un esquema de las bandas de energa a lo largo de una lnea vertical en la seccin
transversal del JFET especificada en la fig. 8.5.
8.4 Sea un transistor JFET de silicio de canal n, con una semianchura a = 2,5 m y un
15 3
dopaje N, = 10 cm- Se pide calcular: a) El voltaje de estrangulamiento y b) la
semianchura del canal cuando 10 = O y V O = 2V. Comparar el resultado con la
semianchura original.
8.5 Hallar la resistencia dinmica rd correspondiente a las curvas 10 -V O de un JFET en el

origen, y demostrar que viene dada por:
L
Asimismo, para el transistor de curvas caractersticas como las de la fig. 8.4, hallar de
forma aproximada el valor de rd para V O = O.
8.6 Sea un transistor de silicio de efecto campo de unin de dimensiones: a=0.85 m,

16 3
L=25 m y z=120 m para el cual el dopaje del canal y de la puerta es N, =10 cm- y
19
Na =10 cm', respectivamente. Calcular el voltaje de estrangulamiento y la corriente
correspondiente para el caso V 0=0. (Tmese u, =1350 cm V s- y E=l 1.9).
2 1 1
8.7 Dibujar la curva de transferencia de un JFET con los =12 mA y Vp =-5V. Demostrar
que la tangente a esta curva en el punto de corte con el eje de ordenadas corta al eje de
abscisas en el punto V p/2.
17 3
8.8 En un transistor de GaAs tipo MESFET de canal n con N, = 10 cm- la altura de la
barrera metal-semiconductor en el electrodo de puerta es de 0.9 eV, y las dimensiones
del canal son: a=0.2 m, Le l m y z=lO m. a)Averiguar si se trata de un dispositivo
con canal normalmente abierto o cerrado, b) calcular el voltaje umbral y la corriente de
saturacin para V 0=0.
8.9 A partir de la expresin [8.23] demostrar que para un MOSFET de canal n el voltaje de
saturacin viene dado por la expresin:
Yosat = Va - 2' 1' +

qEN [
1 - 2V c 2 ) '
1 2
J
c -2
- 1+
, y (
ox qEN
8.10 Calcular el campo elctrico en el xido de puerta de un MOSFET de silicio de canal n,

con espesor t0x = 0.1 m y longitud L = 1 O m, cuando se aplica un voltaje de puerta
V O = 5 .O V y un voltaje de drenador V O = 4.0 V, en los siguientes casos: a) en un punto
prximo a la fuente (x=O) y b) prximo al drenador (x=L). Comparar el resultado con
el campo elctrico necesario para la avalancha en una unin p-n.
8.11 Sea un transistor MOSFET de silicio de canal n, de longitud Le l m, anchura z=20

2
m, capacidad del xido por unidad de superficie C' ox =1.2xlff3 Fm- y voltaje umbral
V T = 1.1 V. Se pide calcular la corriente de saturacin, Io,sai, y la transconductancia, gm,
cuando el voltaje aplicado a la puerta es V O =6 V. (Tmese para la movilidad de los
2 1 1
electrones, u, =1000 cm V s- ).
2 1 1
8.12 En un MOSFET de silicio de canal n, con z = 30 m, L= 1 m, e= 750 cm V s- , y
3 2
C' ox = l .5x10- Fm- , calcular la corriente de saturacin y la transconductancia para un
voltaje aplicado V O = 5 V.

8 Transistores de Efecto Campo

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8 Transistores de Efecto Campo

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CAPITULO VIII

Los transistores de efecto campo de unin (JFET) fueron pri-

En comparacin con los transistores bipolares, los FET pre-

los circuitos integrados. Tambin encuentran aplicaciones en circui-

8.1. EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNION (JFET)

8.1.1. Descripcin del transistor

Los JFET utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrican siguiendo la tec-

Si el semiconductor es de tipo n, la polarizacin se hace de forma que la corriente de

Fig. 8.1. a) Esquema de la estructura de un JFET de canal tipo n. b) Esquema

8.1.2 Comportamiento cualitativo del JFET.

Supongamos inicialmente que el electrodo de puerta est polarizado al potencial de

A medida que se aumenta V O manteniendo V s = O, la anchura de la regin de carga

Es preciso tener en cuenta adems que a medida que el potencial en el drenador se

canal n regin de agotamiento

Fig. 8.4. Curvas caractersticas I -V de un JFET tpico de canal n, mostrando

Si en el JFET de canal n polarizado a una tensin de drenador positiva determinada

En la figura 8.4 se observa tambin un aumento abrupto de la corriente cuando se

8.2. CALCULO DE LAS CURVAS CARACTERISTICAS INTENSI-

Fig. 8.5. Esquema de la seccin transversal de un JFET operando en la regin

travs de cualquier seccin transversal, perpendicular a la direccin x, debe ser constante a lo

siendo dR y dV la resistencia y la cada de potencial correspondientes a una longitud dx del

donde S = 2z [a - w(x)] es el rea de la seccin transversal del canal en el punto x, y p la

Iodx = 2z q eNd [a - w(x)] dV [8.3]

ya que el potencial inverso aplicado a travs de la unin p-n en el punto de coordenada x es

que sustituida en [8.3] nos da:

Integrando sobre la longitud L del canal y despejando 10 queda:

= [ a (w22 - w1 2 ) - 32 (w2 3 - W1 3])

Fig. 8.6. Curvas caractersticas ID-VD normalizadas para un JFET de canal

o bien, teniendo en cuenta la expresin [8.9]:

la cual sirve para calcular V Disat-

Io.,a1 = los ( 1 - : )' para (VG < Vp) [8.12]

Fig. 8.7. Curva de transferencia para un JFET de canal n (/ 0 en funcin de

VG), obtenida a partir de las curvas de la figura anterior en la regin de

8.3. CIRCUITO EQUIVALENTE DEL JFET PARA SEALES

Cuando se utiliza el transistor JFET como amplificador de seales alternas normal-

En la regin de saturacin del transistor se puede utilizar un anlisis del comportamien-

donde gm es la transconductancia definida por ec. [8.13], y

Fig.8.8. a) Circuito amplificador simple basado en un transistor JFET de

8.4. EL TRANSISTOR DE UNION METAL-SEMICONDUCTOR

El MESFET fu propuesto por Mead en 1966, y aunque su funcionamiento es

Fig. 8.9. Esquema de la estructura de un transistor tipo MESFET. El contacto

Los MESFET son construidos en casi su totalidad a partir de arseniuro de galio en

8.5. CURVAS CARACTERISTICAS INTENSIDAD-VOLTAJE DEL

La fig. 8.11 muestra la variacin de la intensidad 10 en funcin del voltaje V O aplicado

Fig. 8.1 l. Curvas caractersticas ID-VD de un MESFET (con un semiconductor

ma al drenador) y un aumento de su resistencia, lo cual da lugar a una disminucin de la

En el caso de los MESFET de GaAs, este efecto de saturacin de la corriente es debido

Fig. 8.12. Curvas caractersticas ID-VD de un MESFET similar al anterior, de

alcanzando un valor de saturacin. En esta regin de campos elctricos elevados, un aumento

Evidentemente, si el potencial de puerta, V 0, se hace negativo la regin de carga espa-

Cuando se pretende una velocidad de respuesta elevada a menudo se recurre a disposi-

8.6. TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR DE

En el captulo anterior se ha considerado la estructura MOS como un dispositivo de

8.6.1. Estructura bsica del MOSFET

En la fig. 8.13a se muestra la estructura bsica de un transistor MOS de silicio de tipo

de operacin del transistor. En el MOSFET de canal p, la corriente tiene sentido opuesto y la

8.6.2. Descripcin cualitativa del funcionamiento del MOSFET

Consideremos primero el caso de que el voltaje aplicado a la puerta es cero, es decir,

Supongamos ahora que aplicamos un voltaje positivo suficientemente alto a la puerta

Fig. 8.13. a) Estructura tpica de un MOSFET de canal n. b) Smbolo del

Vo < Vo,sat Vo = Vo,sat Vo > Vo,sat

regin lineal estrangulamiento saturacin

Fig.8.15. Curvas ID-VD tpicas de un MOSFET de canal n.

En la fig. 8.15 se presentan las curvas experimentales 10-V O obtenidas al variar la