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LABORATORIO N 1
1. OBJETIVO
Estudiar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores:
simulacin e implementacin de circuitos con diodos.
2. CARACTERISTICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR
: voltaje en el diodo
es la constante de de Boltzman 1.381023 , que es la carga del electrn
1.61019 y es la temperatura absoluta en grados Kelvin.
1. Clculo de la resistencia dinmica
La resistencia dinmica (rd) del diodo es dada por:
= |
=
si se considera que el diodo est en la regin de polarizacin directa y se hace
i = id (corriente en el diodo) y v = vd (voltaje en el diodo), la Eq. (2) se puede
expresar como
=
resolviendo la Eq. 4 se tiene:
=
Nota:
- Para diodos de silicio: 2 para la regin de crecimiento vertical de la curva
versus y 1 para puntos ms bajos de la curva, pero arriba del punto de
inflexin.
2. Relacin ln()
De la Eq. 2, se tiene:
ln() = ln( ) +
Los valores de y de se pueden conocer graficando la recta versus ln().
Solo se necesita calcular la pendiente y punto de interseccin con el eje ln().
medici
n voltaje v corriente i
1 0.1 0.133 1012
2 0.2 1.79 1012
3 0.3 24.02 1012
4 0.4 0.321 109
5 0.5 4.31 109
6 0.6 57.69 109
7 0.7 7.726 107
(a) Graficar la curva voltaje versus corriente del diodo de forma manual o por
computadora usando Matlab.
(d) Obtener la resistencia dinmica (rd ) en el mismo punto escogido en (c) pero
usando la Eq. (6). A qu se debera la posible diferencia entre este valor de la
resistencia dinmica con el obtenido en (c)?
7. BIBLIOGRAFA
Electrnica: Teora de Circuitos (Robert Boylestad)