ESPE-DEEE ELCTRONICA I

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

ELECTRNICA I

NRC: 3314-3317(LAB)

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIN EMISOR

COMN

DOCENTE:

ING. MARGARITA MEDINA

NOMBRES:

NAULA EDGAR

SANDOVAL DIANA

UVILLUS DAVID
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ESPE-DEEE ELCTRONICA I

INTRODUCCIN

El tema de esta prctica es amplificador en la configuracin emisor comn, el cual nos

permite amplificar la seal de entrada mediante el uso de un transistor polarizado de la
forma adecuada, a la ampliacin del voltaje de salida se la llama ganancia, adems se
obtiene una ganancia de corriente, tambin se obtiene una ganancia de corriente, pero es
muy pequea a comparacin de la ganancia de voltaje.

Al comenzar la prctica se reconoci los terminales del transistor mediante el uso del
multmetro y como distinguir entre transistores NPN y PNP, se analiz el punto de
operacin para que el amplificador comience a operar y se comprob el funcionamiento y
los datos calculados realizando diferentes medidas y tomando datos de las mismas.

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 ESPE-DEEE ELCTRONICA I

INFORME DE PRCTICA

1. Tema: AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIN EMISOR COMN.

2. Objetivos:
Disear un circuito que tenga la funcionalidad de un amplificador empleando la
configuracin de emisor comn, para observar el real funcionamiento del mismo.
Determinar el punto de operacin del transistor y los terminales del mismo.
Comparar el funcionamiento del amplificador en la configuracin de emisor
comn, tanto en la realidad como en el programa simulador, analizando los errores
que se presenten.

3. Consulta:

3.1. Procedimiento para identificar los terminales de un transistor BJT.

Primero determinamos cul de los terminales del transistor corresponde a la base. Esto se
consigue midiendo la resistencia con el hmetro entre los diferentes terminales. En un
transistor en buen estado, la resistencia entre el colector y el emisor es siempre muy alta,
cualquiera que sea la polaridad aplicada por el hmetro; cuando se haga esta verificacin, el
otro terminal corresponder a la base. (Villalba Madrid & Zamora Izquierdo, 2011)

Una vez localizada la base, conectamos la punta de prueba positiva en la misma y la

negativa en cualquiera de los otros dos terminales del transistor: si la resistencia obtenida es
muy baja (se ha polarizado la unin de uno de los dos diodos por efecto de la tensin positiva
aplicada con el hmetro a la base P) se trata de un transistor tipo NPN: si obtenemos una
resistencia muy alta (no se ha polarizado la unin) se trata de un transistor PNP. (Sancha,
2015)

Si nos fijamos en la tabla siguiente, ya podemos determinar si el transistor es NPN o PNP.

Si la punta que tenemos conectada a la base es la roja (recordemos, negativo de la batera), y
con los otros dos terminales nos da resistencia alta, el transistor es del tipo NPN; si por el
contrario, con esta punta conectada a la base, nos da resistencia baja con los otras patillas del
transistor, el transistor es del tipo PNP. (Lpez, 2010)

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3.2. A que se debe el desface entre la seal de voltaje de entrada y la seal del voltaje
de salida en la configuracin de emisor comn.
El desfase que se produce en los terminales de salida de un amplificador emisor comn, es
debido a que en la entra, cada vez que tenemos un incremento de corriente en la base debida
a la fuente de alimentacin, aumenta el voltaje del Emisor y por ende debe disminuir el voltaje
en el colector, as, si la seal de entrada tiene un pico positivo, el voltaje en el colector debe
ser el inverso de esa seal, y es por eso que aparece un signo negativo.

3.3. Aplicaciones de un amplificador en la configuracin emisor comn.

Este circuito amplificador en la configuracin emisor comn es muy utilizado en especial
en:

Amplificacin del voltaje, especialmente en las frecuencias bajas: El condensador de

entrada C elimina cualquier componente constante de la entrada, y las resistencias R1 y R2
polarizan el transistor para que permanezca en modo activo para toda la gama de la entrada.

La salida es una copia invertida del componente CA de la entrada que ha sido

amplificada por la relacin RC / RE y desplazada en una cantidad determinada por las
cuatro resistencias. Debido a que RC es a menudo grande, la impedancia de salida de este
circuito puede ser prohibitivamente alta. Para aliviar este problema, RC se mantiene lo ms
bajo posible y el amplificador es seguido por un buffer de voltaje como un seguidor de
emisor.

Transceptor de radiofrecuencia: para amplificar las seales dbiles recibidas por una
antena. En este caso es comn reemplazar la resistencia de carga por un circuito
sintonizado. Esto puede hacerse para limitar el ancho de banda a una banda estrecha
centrada alrededor de la frecuencia operativa prevista. Lo que es ms importante, tambin
permite que el circuito funcione a frecuencias ms altas, ya que el circuito sintonizado
puede utilizarse para resonar cualquier capacitancia entre electrodos y dispersas, que

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normalmente limitan la respuesta de frecuencia. (Cirovic, 2012) Los emisores comunes

tambin se utilizan comnmente como amplificadores de bajo ruido.

Amplificadores de bajo ruido

4. Para un amplificador con Transistor BJT en la configuracin Emisor Comn

realizar las siguientes actividades:

4.1. Imponerse el circuito amplificador para el anlisis.

Simulacin 1 Circuito impuesto con transistor de configuracin Emisor Comn

4.2. Calcule el punto de operacin del transistor.

Simulacin 2 Circuito equivalente de Thevenin

1 2
=
1 + 2

3.3 18
= = 2.79[]
21.3

2
=
1 + 2

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3.3
= 10.5 = 1.55[]
3.3 + 18

+ + + = 0

= (1 + )

+ + + (1 + ) = 0

=
+ (1 + )

1.55 0.7
= = 2.8[]
2.79 103 + 1 103 (1 + 300)

= = 300 2.8[] = 0.84[]

= + = 840 + 2.8 = 0.84[]

= 0.84[] 1[] = 0.84[V]

= +

= 0.7 + 0.84 = 1.54[]

+ + + = 0

= 10 (0.84[] 3.3[]) (0.84[] 1[]) = 6.39[]

= +

= 6.39 + 1.54 = 7.93[V]

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4.3. Con el simulador compruebe el punto de operacin de cada transistor.

Simulacin 3 Corriente Ic

Simulacin 4 Corriente Ic

Calculo de error:

% = 100%

0.28 0.26
% = 100% = 7.14%
0.28

Anlisis: El error en el clculo de la corriente es grande, pero se encuentra dentro de los

parmetros aceptados, este error se da por los elementos o el efecto de carga del instrumento
al medir la corriente.

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Simulacin 5 Voltaje de Emisor Ve

Ilustracin 1 Voltaje de Emisor Ve

Calculo de error:

% = 100%

970 980
% = 100% = 1.03%
970

Anlisis: El error que existe entre el valor real y el simulado no difieren mucho, y estn
entre un rango aceptable de error, esto es porque el valor del voltaje de la fuente continua no
entrega el valor exacto que el simulador da, generando as un rango min de error.

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 ESPE-DEEE ELCTRONICA I

Simulacin 6 Voltaje de la base Vb

Ilustracin 2 Voltaje de la base Vb

Calculo de error:

% = 100%

1.61 1.6
% = 100% = 0.62%
1.61

Anlisis: El error que existe entre el valor real y el simulado es casi nulo, haciendo que el
valor simulado se pueda considerar como si fuera el valor real.

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Simulacin 7 Voltaje en el conector Vc

Ilustracin 3 Voltaje en el conector Vc

Calculo de error:

% = 100%

7.3 7.4
% = 100% = 1.37%
7.3

Anlisis: El error que se da en el voltaje del colector al igual que en el emisor se puede dar
porque el valor de la fuente no es el mismo que el simulador da dando un margen de error
aceptable.

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4.4. Calcule Zin, Zo, Av, Al.

=
+

+
=

( + 1) + ( + 1)
=

= ( + 1)[ + ]

26[]
= (301) [ + 1[]] = 310.32[]
0.84[]

2.79 310.32
= = 2.77[]
2.79 + 310.32

= = 18[]

0
=

0 =
+

0 =
+

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= +

= ( + 1)

= ( + 1) + ( + 1)

= ( + 1) ( + )

( )
=
( + 1) ( + )

+ 1

( )
=
( + )

(3.3 4.7)
= 3.3 + 4.7 = 1.88
26
0.84 + 1[]

I =

1.88 2.77[]
= = 1.11
4.7[]

4.5.Compruebe la ganancia de voltaje.

2
21 =
1

1.73
21 = = 1.73
1

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Simulacin 8 Ganancia del voltaje

Calculo de error:

% = 100%

1.78 1.8
% = 100% = 1.12%
1.78

Anlisis: El error se encuentra dentro del marco aceptable, ya que el valor real no difiere
en relacin con el valor simulado, estos errores se esperan ya que el simulador no toma en
cuenta factores externos al circuito que afectan du funcionamiento.

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4.6. Mxima ganancia de voltaje.

(3.3)(3.3)
= 3.3 + 3.3 = 3.48[]
26
0.28 + 4.7

Simulacin 9 Mxima ganacia de voltaje

4.7. Compruebe la Impedancia de entrada.

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4.8. Realizar el cuadro con los datos obtenidos

Tabla 1 Datos obtenidos

VOLTAJES Ic[] Ib[] Ie[] Ve[] Vb[] Vc[] VCE[]

Valor 0.84 2.8 0.84 0.84 1.54 7.93 6.39
calculado
Valor 0.83 2.6 0.85 0.89 1.54 7.3 6.20
simulado

5. Preguntas

5.1. Qu ocurre con el voltaje de salida del amplificador si el voltaje de entrada es

mayor al mximo calculado? Explique.
El transistor produce mucha saturacin al momento de producir la amplificacin y la
ganancia, puesto que el voltaje de entrada excede al voltaje permitido para que el transistor
utilizado funciones de una manera correcta.

5.2.Con qu valor de est trabajando el transistor?

El transistor trabaja con el dado por el fabricante que en este caso nos da un valor de 300,
el transistor es el 2N2222A, del fabricante Philips Semiconductor.

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5.3.Cules son las caractersticas del amplificador implementado?

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6. Anexos

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7. Bibliografa
Lpez, L. G. (Diciembre de 2010). Determinacin del emisor y colector de un transistor.
Obtenido de UNICROM: http://unicrom.com/determinacion-del-emisor-y-colector-
de-un-transistor/

Sancha, R. (7 de abril de 2015). Identificacion de un transistor. Obtenido de Library.e:

https://es.slideshare.net/RamnSancha/identificacion-de-un-transistor

Villalba Madrid, G., & Zamora Izquierdo, M. (31 de mayo de 2011). TRANSISTORES DE
UNION BIPOLAR (BJT). Obtenido de OCW: http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-
y-sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-
bjt.pdf

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