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OBJETIVO ..................................................................................................................................................... 1
CUESTIONARIO .......................................................................................................................................... 12
CONCLUSIONES .......................................................................................................................................... 13
BIBLIOGRAFA ............................................................................................................................................ 16
OBJETIVO
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MARCO TEORICO
El nombre UJT proviene de las siglas inglesas de Unijunction Transistor (transistor monounin),
con las que se designa un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de cuyos extremos se
obtienen los terminales base 2 (B2 ) Y base 1 (B1). Esta barra de silicio consta de un grado de
dopado caracterstico que le proporciona una resistencia llamada resistencia interbases (RBB). En
un punto determinado de la barra, ms prximo a B2 que a B1 se incrusta un material tipo P para
formar una unin P-N respecto a la barra original, dando lugar al terminal d emisor (E).
Considerando el lugar de insercin del material tipo P, se obtiene un divisor de tensin sobre la
resistencia RBB original: el formado por las partes correspondientes de la barra N comprendidas
entre B2 y E y entre E y B1.
A estas resistencias as obtenidas se las denomina Rs, Y Rsz, respectivamente. La relacin existente
entre ellas es de suma importancia, de manera que se define el parmetro como:
el cual depende del proceso de fabricacin, del grado de dopado, de la geometra del elemento,
etc. El fabricante suele proporcionar este dato entre sus hojas de especificaciones.
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Tal como se ve en el circuito de la Figura 2,la forma habitual de polarizar al UJT es mediante dos
bateras. Una (VBB) que polariza a las bases y la otra (VEE) para la unin E-B1 con la que se dota a
dicha unin de una polarizacin directa. Este circuito sirve para obtener las curvas caractersticas
del UJT.
quedando, por tanto, la unin P-N polarizada en inverso y circulando una corriente inversa de
emisor. Conforme se aumenta la tensin VEE, disminuye la polarizacin inversa del diodo y,
consecuentemente, la corriente de emisor, hasta llegar a un punto en el que no circula corriente:
esta tensin VEE ser de valor igual a VK
Si se contina aumentando VEE el diodo queda polarizado en directo, comenzando a circular una
corriente de emisor, y cuando la tensin VEE alcanza el valor VK ms los 0.7 voltios
correspondientes a la tensin de codo del diodo, el emisor inyecta portadores en la regin N de
aqul, modulando la resistencia RB1 con lo que sta disminuye de valor hasta prcticamente
desaparecer. En ese momento, la tensin VEB1 cae bruscamente, aumentando lE con la misma
rapidez: se ha producido el cebado del UJT. A la tensin VEB, correspondiente al cebado se la
conoce como tensin de pico (Vp ) y tiene como valor
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De la expresin anterior se deduce que la tensin de cebado del UJT depende de la tensin de
alimentacin (VBB), con lo que variando sta conseguiremos igualmente variar la tensin de pico.
En la Grfica 1 se observa el punto de pico del UJT para una tensin VBB dada, indicndose con
lnea de trazos el cebado del elemento. A esta zona se la conoce con el nombre de zona de
resistencia negativa.
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Desarrollo de la prctica
Para comenzar el desarrollo de la prctica primero se emple el multmetro en su
funcin de hmetro para determinar la resistencia entre terminales del transistor
monounin UJT intercambiando la polaridad de las puntas como se muestra en la
figura, anotando los valores arrojados por el hmetro.
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Por ltimo, con la ayuda del osciloscipio, se obtuvo la curva caracterstica del
transistor monounin UJT con la ayuda del siguiente circuito, reportando los
parmetros de pico y valle de dicha curva, utilizando una tensin de polarizacin
de 10 V y 15 V.
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Resultados Obtenidos
Prueba de resistencia en terminales:
1. Resistencia de interbases
- Para 10 V:
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Valor de VBB: 10 V
(1000)(10)
= = 1000 = 2.88
2.57
- Para 15 V
Valor de VBB: 15 V
(1000)(15)
= = 1000 = 4.995
2.50
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Manejando una tensin de VEE= 10 V y una tensin de VBB= 15V se registr una
tensin de VEmaxima=Vp= 10 V, utilizando la ecuacin 2.8 del libro Electrnica II:
10
= = 0.666
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Se obtuvo que =0.666 y comparando el valor con el data sheet del 2N2646 dice
que el valor mnimo =0.55 y el mximo =0.75 teniendo como conclusin que el
transistor est en buen estado.
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En la imagen anterior podemos ver la curva caracterstica obtenida del UJT con
valor pico de 7.5V y un valor valle de 2.5V, esto con una tensin pico-pico de 10
volts, al aumentar el valor de la tensin en el generador de funciones podemos ver
como el periodo de la onda aumenta en ambos casos.
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Cuestionario
Porque fijndonos en las caractersticas del UJT se puede notar que cuando
el voltaje sobrepasa el valor de ruptura el UJT presenta un fenmeno
de modulacin de resistencia que al aumentar la corriente que pasa por el
dispositivo, la resistencia de esta baja y es por eso que tambin baja el
voltaje en el dispositivo a esto se le llama regin de resistencia negativa.
R=
=
Dnde:
=Resistencia negativa ()
=Valor del voltaje valle (v)
=valor del voltaje pico (v)
Iv=valor de la corriente valle (A)
Ip=valor de la corriente pico (A)
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CONCLUSIONES
Puedo concluir que fue una buena prctica ya que puede ver cul es el
funcionamiento de un UJT, pude apreciar que en el circuito de la practica 4 cuando
lo pusimos a funcionar con los 10 volts de CD en el osciloscopio de podan a
preciar dos ondas y una de ellas estaba oscilando ya en la segunda medicin le
subimos a 15 volts de CD y no hubo un gran cambio lo nico que pude apreciar
que cambio fue el periodo y la amplitud, adems de eso al momento de ver la
oscilacin que se creaba entend que el UJT puede tener diversos usos, los nicos
problemas que se nos presentaron a la hora de la realizacin de la prctica fue el
hecho de nuestro equipo de trabajo no est en buen estado en especial el
osciloscopio ya que nos demoramos bastante tiempo en averiguar cul era el
problema.
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Con el desarrollo de los circuitos de esta prctica pudimos calcular los parmetros
caracteristicos del UJT y verificar con la datasheet que estos se encontraran
dentro de los lmites marcados por el fabricante como es el caso de la realcin
intrnseca, la cual de acuerdo a la hoja de datos toma valors de 0.55 a 0.75,
podemos notar que el valor obtenido en el desarrollo de la prctica (0.666) se
encuentra dentro de los lmites.
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