ndice

OBJETIVO ..................................................................................................................................................... 1

MARCO TEORICO ......................................................................................................................................... 2

INSTRUMENTOS Y ACCESORIOS EMPLEADOS .............................................................................................. 5

DESARROLLO DE LA PRCTICA ..................................................................................................................... 6

RESULTADOS OBTENIDOS ............................................................................................................................ 8

CUESTIONARIO .......................................................................................................................................... 12

CONCLUSIONES .......................................................................................................................................... 13

BIBLIOGRAFA ............................................................................................................................................ 16

ANEXO 1 HOJAS DE CAMPO ....................................................................................................................... 17

ANEXO 2 DIAGRAMAS DE CONEXIN ........................................................................................................ 19

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OBJETIVO

La finalidad de la prctica, es la de comprobar la forma de operar del

transistor monounin y determinar sus parmetros.

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MARCO TEORICO
El nombre UJT proviene de las siglas inglesas de Unijunction Transistor (transistor monounin),
con las que se designa un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de cuyos extremos se
obtienen los terminales base 2 (B2 ) Y base 1 (B1). Esta barra de silicio consta de un grado de
dopado caracterstico que le proporciona una resistencia llamada resistencia interbases (RBB). En
un punto determinado de la barra, ms prximo a B2 que a B1 se incrusta un material tipo P para
formar una unin P-N respecto a la barra original, dando lugar al terminal d emisor (E).
Considerando el lugar de insercin del material tipo P, se obtiene un divisor de tensin sobre la
resistencia RBB original: el formado por las partes correspondientes de la barra N comprendidas
entre B2 y E y entre E y B1.

A estas resistencias as obtenidas se las denomina Rs, Y Rsz, respectivamente. La relacin existente
entre ellas es de suma importancia, de manera que se define el parmetro como:

el cual depende del proceso de fabricacin, del grado de dopado, de la geometra del elemento,
etc. El fabricante suele proporcionar este dato entre sus hojas de especificaciones.

El smbolo del UJT se muestra en la figura 1.

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Figura 1. Transistor UJT.

Tal como se ve en el circuito de la Figura 2,la forma habitual de polarizar al UJT es mediante dos
bateras. Una (VBB) que polariza a las bases y la otra (VEE) para la unin E-B1 con la que se dota a
dicha unin de una polarizacin directa. Este circuito sirve para obtener las curvas caractersticas
del UJT.

Figura 2. Circuito para obtener las curvas caractersticas del UJT

En principio supondremos que el potencimetro P es un cortocircuito. Si inicialmente ;;:- se hace

VBB = 0. Y se aumenta progresivamente la tensin VEE> la unin E- B1 se comporta como un diodo
polarizado en directo. El funcionamiento difiere notablemente cuando VBB es distinta de cero. En
este caso, y para una tensin VEE; = 0, circular una corriente a travs de la barra de silicio de valor
tal, que en el ctodo del diodo se obtendr una tensin.

quedando, por tanto, la unin P-N polarizada en inverso y circulando una corriente inversa de
emisor. Conforme se aumenta la tensin VEE, disminuye la polarizacin inversa del diodo y,
consecuentemente, la corriente de emisor, hasta llegar a un punto en el que no circula corriente:
esta tensin VEE ser de valor igual a VK

Si se contina aumentando VEE el diodo queda polarizado en directo, comenzando a circular una
corriente de emisor, y cuando la tensin VEE alcanza el valor VK ms los 0.7 voltios
correspondientes a la tensin de codo del diodo, el emisor inyecta portadores en la regin N de
aqul, modulando la resistencia RB1 con lo que sta disminuye de valor hasta prcticamente
desaparecer. En ese momento, la tensin VEB1 cae bruscamente, aumentando lE con la misma
rapidez: se ha producido el cebado del UJT. A la tensin VEB, correspondiente al cebado se la
conoce como tensin de pico (Vp ) y tiene como valor

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De la expresin anterior se deduce que la tensin de cebado del UJT depende de la tensin de
alimentacin (VBB), con lo que variando sta conseguiremos igualmente variar la tensin de pico.
En la Grfica 1 se observa el punto de pico del UJT para una tensin VBB dada, indicndose con
lnea de trazos el cebado del elemento. A esta zona se la conoce con el nombre de zona de
resistencia negativa.

Grafica1. Curvas caracterstica del UJT

Una vez cebado el UJT, si se aumenta el valor de P la

corriente lE disminuir gradualmente,
mantenindose prcticamente constante la tensin
VEB, hasta llegar a un punto de P tal, que la corriente
lE pasa por debajo del valor Iv, llamado de valle,
momento en el que se produce un paso del UJT al
estado de bloqueo, aumentandoVEB1 y disminuyendo
lE hasta el valor de la corriente de fuga del diodo.

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Instrumentos y accesorios empleados

1 Pza. Fuente de tensin variable de C.C.

1 Pza. Osciloscopio de doble trazo.
1 Pza. Generador de funciones.
1 Pza. Multmetro.
1 Pza. Resistencia de 1 K- 0.5 W.
1 Pza. Transistor 2N2646 o equivalente.

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Desarrollo de la prctica
Para comenzar el desarrollo de la prctica primero se emple el multmetro en su
funcin de hmetro para determinar la resistencia entre terminales del transistor
monounin UJT intercambiando la polaridad de las puntas como se muestra en la
figura, anotando los valores arrojados por el hmetro.

Posteriormente con la ayuda de los circuitos de las figuras , se procedi a calcular

la resistencia de interbases y la razn intrnseca de bloqueo utilizando una tensin
de polarizacin (VBB) de 10 V y 15 V y as mismo los datos obtenidos compralos
con la datasheet del UJT

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Por ltimo, con la ayuda del osciloscipio, se obtuvo la curva caracterstica del
transistor monounin UJT con la ayuda del siguiente circuito, reportando los
parmetros de pico y valle de dicha curva, utilizando una tensin de polarizacin
de 10 V y 15 V.

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Resultados Obtenidos
Prueba de resistencia en terminales:

Terminales Polaridad de las puntas Valor Medido

Emisor- Base 1 (E-B1) +- 708
Emisor- Base 1 (E-B1) -+ No mostrado
Emisor- Base 2 (E-B2) +- 1968
Emisor- Base 2 (E-B2) -+ No mostrado
Base 1-Base 2 (B1-B2) +- 5.90k
Base 1-Base 2 (B1-B2) -+ No mostrado

Obtencin de la resistencia de interbases y razn intrnseca de bloqueo.

1. Resistencia de interbases

- Para 10 V:

Valor medido de Er: 2.57 V

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Valor de VBB: 10 V

Valor de la resistencia R=1k

Mediante la ecuacin 2.6 del libro de Electrnica II:

(1000)(10)
= = 1000 = 2.88
2.57

Siendo para una VBB de 10 V, se tiene una resistencia de interbases de 2.88k.

- Para 15 V

Valor medido de Er: 2.5 V

Valor de VBB: 15 V

Valor de la resistencia R=1k

Mediante la ecuacin 2.6 del libro de Electrnica II:

(1000)(15)
= = 1000 = 4.995
2.50

Siendo para una VBB de 15 V, se tiene una resistencia de interbases de 4.995k.

2. Relacin intrnseca de bloqueo

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Manejando una tensin de VEE= 10 V y una tensin de VBB= 15V se registr una
tensin de VEmaxima=Vp= 10 V, utilizando la ecuacin 2.8 del libro Electrnica II:

10
= = 0.666
15

Se obtuvo que =0.666 y comparando el valor con el data sheet del 2N2646 dice
que el valor mnimo =0.55 y el mximo =0.75 teniendo como conclusin que el
transistor est en buen estado.

Curva caracterstica del UJT

Conexin fsica para la determinacin de la curva caracterstica del UJT

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En la imagen anterior podemos ver la curva caracterstica obtenida del UJT con
valor pico de 7.5V y un valor valle de 2.5V, esto con una tensin pico-pico de 10
volts, al aumentar el valor de la tensin en el generador de funciones podemos ver
como el periodo de la onda aumenta en ambos casos.

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Cuestionario

a) Diga porqu se forma la resistencia negativa del transistor?

Porque fijndonos en las caractersticas del UJT se puede notar que cuando
el voltaje sobrepasa el valor de ruptura el UJT presenta un fenmeno
de modulacin de resistencia que al aumentar la corriente que pasa por el
dispositivo, la resistencia de esta baja y es por eso que tambin baja el
voltaje en el dispositivo a esto se le llama regin de resistencia negativa.

b) Defina contacto hmico?

El contacto hmico es su baja y constante resistencia al paso de la corriente,

lo que significa que se puede adaptar a muchos usos y dispositivos

C) Defina el valor de la resistencia negativa?

R=

La resistencia negativa del UJT ser directamente proporcional al voltaje de valle

menos el voltaje de pico e inversamente proporcional a la corriente de valle menos
la corriente de pico.

=

Dnde:
=Resistencia negativa ()
=Valor del voltaje valle (v)
=valor del voltaje pico (v)
Iv=valor de la corriente valle (A)
Ip=valor de la corriente pico (A)

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CONCLUSIONES

Puedo concluir que fue una buena prctica ya que puede ver cul es el
funcionamiento de un UJT, pude apreciar que en el circuito de la practica 4 cuando
lo pusimos a funcionar con los 10 volts de CD en el osciloscopio de podan a
preciar dos ondas y una de ellas estaba oscilando ya en la segunda medicin le
subimos a 15 volts de CD y no hubo un gran cambio lo nico que pude apreciar
que cambio fue el periodo y la amplitud, adems de eso al momento de ver la
oscilacin que se creaba entend que el UJT puede tener diversos usos, los nicos
problemas que se nos presentaron a la hora de la realizacin de la prctica fue el
hecho de nuestro equipo de trabajo no est en buen estado en especial el
osciloscopio ya que nos demoramos bastante tiempo en averiguar cul era el
problema.

Arguijo Vargas Leonardo

Durante la prctica se desarroll el circuito necesario para poder obtener la curva

caracterstica de un transistor monounin conocido como UJT. Con el empleo de
un osciloscopio se puedo observar de onda de entrada (tipo diente de sierra) as
como la seal de salida, en este caso no fue posible percibir perfectamente la
onda en el osciloscopio debido a que el generador de funciones no genera un
onda tipo diente de sierra, por lo cual se acudi a la herramienta de simular la
prctica para de esta forma poder obtener los resultados necesario.

Al variar la tensin entre 10 y 15 volts de corriente continua no se observ un

cabio muy drstico puesto que la amplitud y el periodo solo variaron muy poco. Al
trabajar con este dispositivo nos dimos cuenta de que forma puede llegar a ser
utilizado como temporizador, como un oscilador. En este caso solo falto observar
cmo se comporta el UJT a momento de conectar un capacitor para ayudarlo
durante su carga.

Ortiz Granados Alfredo

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En esta prctica pude conocer el comportamiento del UJT como un oscilador a

travs de distintas pruebas hechas en el laboratorio.

La primera prueba consisti en obtener las resistencias hmicas entre terminales,

esta prueba determina la continuidad del transistor adems de que el dispositivo
est en buen estado.

As mismo se determin la resistencia de interbases de forma experimental

midiendo la tensin en la resistencia R y aplicando la ecuacin 2.6 del libro de
Electrnica II se obtuvo una resistencia calculada a 10 V y a 15 de V BB siendo el
clculo a una tensin de 15 V el valor ms cercano a la resistencia de interbases
medidas por el hmetro en la prueba de resistencias. De igual manera la relacin
intrnseca me permiti comparar el valor que obtuvimos mediante la aplicacin de
la frmula 2.8 del mismo libro con la data sheet del componente y el valor estaba
en el rango de 0.55 a 0.75 (0.666 obtenido).

Finalmente, en la ltima prueba pude observar la curva caracterstica del UJT en

donde mediante la ayuda del osciloscopio se determin las 3 caractersticas del
UJT, resistencia negativa, regin de saturacin y regin de corte.

Snchez Fermn Jos Andrs

Con el desarrollo de los circuitos de esta prctica pudimos calcular los parmetros
caracteristicos del UJT y verificar con la datasheet que estos se encontraran
dentro de los lmites marcados por el fabricante como es el caso de la realcin
intrnseca, la cual de acuerdo a la hoja de datos toma valors de 0.55 a 0.75,
podemos notar que el valor obtenido en el desarrollo de la prctica (0.666) se
encuentra dentro de los lmites.

Al observar la curva caracterstica de este tipo de transistor podemos observar

como al alimentar con una onda triangular obtenemos una diente de sierra, en la
cual, al aumentar los valores de tensin varia muy poco el periodo de la onda
obtenida.

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Gracias al desarrollo de la prctica queda ms claro por qu este dispositivo es

utilizado en la industria con la ayuda de capacitores en circuitos temporizadores
que ayudan en el control de motores elctricos.

Solano Granados Oscar Hiram

En esta prctica pude comprender de mejor manera como operar el transistor

monounin funciona el (UJT). Gracias al osciloscopio y al generador de funciones
logr observar y comprobar la curva caracterstica de este dispositivo con
respecto al que se tiene obtuvo por medio del fundamento terico. Al variar la
tensin de 10 V y 15 V durante la prctica, la seal mostrada en el osciloscopio
diferenciaba mucho, solo variaba un poco el periodo y su amplitud. Este
dispositivo se utiliza principalmente como un generador de pulsos de disparo para
SCR y TRIASCs. Adems sus caractersticas lo hacen muy til para muchos
circuitos en la industria como por ejemplo son utilizados como temporizadores,
osciladores, generadores de onda. Este dispositivo por lo general va acompaado
de capacitores que le ayudan al comento de cargarse. Se me hizo una buen
prctica para poder entender mejor su comportamiento, los problemas que se nos
presentaron fueron que las fuentes de nuestra mesa no estaban funcionando
correctamente, el generador de funciones tampoco estaba funcionando
correctamente y por ltimo el osciloscopio tena una falla en el canal 2 que nos
impeda mostrar la seal buscada, al solucionar estos problemas se logr cubrir
con el objetivo propuesto en el prctica.

Villa Flores Yair

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Bibliografa

Curso de electrnica II, Domingo Almendares Amador, ESIME, IPN,

segunda edicin, Mxico, 2016.

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Anexo 1 Hojas de Campo

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Anexo 2 Diagramas de conexin

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