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La rsistivit du silicium pur est denviron 200 000 .cm . Rappelons que celle du
cuivre est de 1.6 . 10-6 .cm et celle du mica 1017 .cm .
w ( nergie )
Bande permise
Bande interdite
Bande permise
Bande interdite
A la temprature T = 0 K , les lectrons se trouvent dans les bandes dnergie les plus
basses .
Dans le cas dun corps conducteur, la bande occupe nest pas pleine, les lectrons se
dplacent en rendant le corps conducteur, lorsquil y a un apport dnergie, mme faible .
Dans le cas dun corps isolant, la bande occupe est pleine : llectron ne peut se
dplacer quen franchissant la bande interdite moyennant un apport dnergie important. Dans
le cas du semi-conducteur, la hauteur de la bande interdite est faible ( de lordre de 1 eV ) .
1
LES DIODES A JONCTION
1/ Semi-conducteur intrinsque
On distingue :
i1
wc - Bande de conduction
E Bande inderdite
wv
+ Bande de valence
i2
2
LES DIODES A JONCTION
Lagitation thermique cre des paires lectron-trou dont le nombre est qualifi par la
W
-
2 3
concentration intrinsque ni : n A.T .e
i
K. T
2/ Semi-conducteur extrinsque ( N ou P )
Limportance de la conduction peut tre accrue par addition dune faible quantit de
corps trangers appels impurets. On obtient :
Les atomes trivalents sont appels accepteurs, tandis que les atomes pentavalents sont
appels donneurs .
V
A tant lanode, K tant la cathode .
Ce composant est constitu par une jonction PN qui est une superposition de deux types
de semi-conducteurs P et N dont la conductivit passe graduellement dun type lautre .
Une jonction est dite polarise quand on applique une d.d.p ( diffrence de potentiel )
ses bornes. La polarisation est directe lorsque le potentiel appliqu en A est suprieur celui
appliqu en K. Elle est inverse dans le cas contraire .
3
LES DIODES A JONCTION
q.V
I Is . e k.T
-1
q.V
Id Is . e k .T
-19
11.6 . 10 . 0.1
- 1 I s . 47.7 - 1 47.7 I s - I s 47.7 I s
- 23
I Is . e .38 . 10 . 300
donc : I - Is soit Ii Is
4
LES DIODES A JONCTION
Remarque :
On entend par courant direct, le courant IAK 0 , et par courant inverse, le courant
IKA 0 . Le courant inverse Ii ( appele aussi courant de fuite ) garde une intensit trs
faible et pratiquement constante Is lorsque la tension V est ngative .
Wi
-
3
On montre que : Is C . T . e k.T
T2 T1
Id max T1
Polarisation directe
Vi max
V
- Is 0 Vo Vd max
Variation de I en fonction de V
5
LES DIODES A JONCTION
Remarques :
b/ Si on polarise une jonction dans le sens inverse, elle ne conduit pas le courant ,
elle est bloque, moins que :
la temprature soit assez leve pour permettre le passage d'un courant inverse
important, tempratures limites : 85 C pour le germanium et 175 C pour le
silicium : c'est le claquage thermique .
le champ lectrique dans la jonction soit trop leve ( jonction trs mince ) :
c'est le claquage par effet zener , aux environs de 4V .
la tension inverse soit trop leve ( entre quelques Volts et quelques centaines de Volts
selon les diodes ) : c'est le claquage par avalanche .
Le claquage inverse est destructif si le courant n'est pas limit par un dispositif
externe .
6
LES DIODES A JONCTION
Comme toute fonction de l'lectronique, les montages diodes peuvent tre tudis
partir des 2 mthodes suivantes : mthode par modlisation ;
mthode graphique .
1ire caractristique :
en direct , un court-circuit , R = 0 ;
en inverse , un circuit ouvert , R = .
7
LES DIODES A JONCTION
2ire caractristique :
La tension de seuil n'est plus ngligeable ou est volontairement utilise . La diode est
quivalente :
en direct , un rcepteur de force contre lectro-motrice (fcem) Vo ;
en inverse , un circuit ouvert , R = .
A
I Cette caractristique est utilise
dans le domaine de l'lectronique du
Vo signal lorsque le courant direct reste
R= faible devant le courant maximum ,
K ( la chute de tension est donc faible)
et la tension de source faible
V
O Vo
3ire caractristique :
La tension de seuil et la chute de tension rsistive ne sont plus ngligeables . La diode est
quivalente :
I
A
Imax
Cette caractristique est utilise
dans le domaine du redressement ,
Rd
lorsqu'on travaille avec des faibles
R= Vo tensions de source et des forts
courants .
K
V
O Vo Vmax
8
LES DIODES A JONCTION
2/ Mthode graphique
a) rgime statique
Cette mthode fait intervenir l'quation du circuit lectrique en rgime statique que l'on
appelle quation de la droite de charge .
R I
E
R
P
Io 1
pente = -
R
V
O Vo E
1 E
E V R .I soit I - .V :
R R
E
I pour V=0 ( axe des ordonnes ) .
R
9
LES DIODES A JONCTION
Le point de rencontre de ces 2 fonctions fournit la tension aux bornes de la diode ainsi
que la valeur du courant qui la traverse .
b) rgime dynamique
R i(t)
E
e(t) v(t)
eg(t) D
10
LES DIODES A JONCTION
1 et 2 correspondant respectivement e1 et e2 .
eg(t) = 0 v = E R.i 0
eg (t) = + Emax
1
0 P1 eg (t) = 0
2 P
eg (t) = - Emax
P2
e2 E e1 v
O
Les prtojections sur chacun des axes des diffrents positions du point de fonctionnement
11
LES DIODES A JONCTION
i i
P1
Po
P2
o e2 E e1 v o t
o
v
Si Emax est faible , on dit que le systme travaille en rgime de petits signaux .
On constate alors que les sigaux v(t) et i(t) sont sensiblement sinusodaux . On dit encore
que le systme travaille en rgime linaire .
La portin de caractristique P1P2 dcrite peut tre assimile un segment de droite dont
la pente est appele rsistance dynamique ( rd ) de la diode .
v
Soit rd ; " " signifie petit accroissement .
i
12
LES DIODES A JONCTION
Si Emax est important, on dit que le systme travaille en rgime de grands signaux.
L'approximation prcdente qui consiste assimiler la portion de caractristique dcrite un
segment de droite n'est videmment plus possible.
Si les variations de eg (t) sont sinusodales, celles de v(t) et i(t) sont seulement
priodique. On dit qu'il y a distorsion .
i i
P1
Po
P2
v t
e2 o E e1 o
o v
13
LES DIODES A JONCTION
Remarques :
Il est utilis pour de trs faibles puissances, c'est--dire lorsque l'intensit circulant dans
la charge ne dpasse pas quelques dizaines de milliampres .
D i(t)
u(t)
e(t) R
e(t)
T
+ E
t
o
-E
u(t)
T
+E
14
LES DIODES A JONCTION
1 T 1 T/2 E
U moy . u (t) . dt . E . sin t . dt U moy - . cos t T/2
T 0 T 0
0
.T
E E
Umoy - . cos - cos 0 Soit Umoy
2.
2 1 T 2 1 T/2
U eff . u (t) . dt Ueff . E 2 . sin 2 t . dt
T 0 T 0
1 - cos 2 t
or sin 2 t donc :
2
E2 T / 2 1 T/2 cos 2 t E2 T 1
U eff . . dt - . dt . - . sin 2 . t T/2
T 0 0
2 0 2 T 4 4
E
Soit : U eff puisque sin 2 . t T0 / 2 0
2
1 T 1 T/2 E
Pmoy . u (t) . i(t) . dt . ( E . sin t ) . . sin t . dt
T 0 T 0 R
E2 T/2
. sin 2 t . dt
R .T 0
E2 T/2 T
Soit Pmoy puisque sin 2 t . dt
4.R 0 4
E E U eff
On peut alors crire : Pmoy . D' o : Pmoy U eff . U eff . I eff
2 2.R R
Remarque
: La tenue en inverse de la diode doit tre suprieure E .
15
LES DIODES A JONCTION
e(t)
t
o
-E
D1
u1
R
e(t)
D2 R u2
e(t)
+ E
t
o
-E
u1(t)
+E
t
o
u2(t)
t
o
-E
16
LES DIODES A JONCTION
D1
i>0
Secteur e1 v1 u>0
220V
e2 D2
Tr
Ainsi :
17
LES DIODES A JONCTION
e1 e2
+E
t
o
-E
T
+E
D1 D2 D1 D2 D1
t
O
T/2
v1
t
o
- 2E
Remarques :
La frquence de la ension de sortie est 2 fois plus celle du secteur , soit 100 Hz .
18
LES DIODES A JONCTION
220V
e(t) D3 D1
v1 i(t) >0
Tr v2
u(t) > 0
D2 D4 R
e(t)
+E
T
t
o
-E
u
u = e u = -e T/2
+E
D1 D3 D1 D3 D1
D2 D4 D2 D4 D2 t
o
v1 ; v2
t
o
-E
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LES DIODES A JONCTION
Remarques :
On ne peut pas effectuer des mesures simultanes de e(t) et u(t) l'oscilloscope car
la rfrence de tension n'est pas la mme . ( la diode D2 serait court-circuite ) .
E
Soit : U moy 2.
2 1 T/2 2 T/2
U eff T
. u 2 (t) . dt Ueff . E 2 . sin 2 t . dt
2
0 T 0
1 - cos 2 t
or sin 2 t donc :
2
E2 T/2 T/2 E2 T 1
U eff . 1 . dt - cos 2 t . dt . - . sin 2 . t T/2
0
T 0 0 T 2 2
E
Soit : U
eff
puisque sin 2 . t T0 / 2 0
2
20
LES DIODES A JONCTION
T/2
2 T E2
or sin t . dt d' o : Pmoy
0 4 2.R
E E U eff
Soit : Pmoy . d' o Pmoy U eff . U eff . I eff
2 2 .R R
Pour le redressement pont de Gratz, sachant qu'il n'y a pas de point commun entre u
et e , on conserve le schma prcdent en dplaant la rfrence (masse) l'extrmit
suprieure de la rsistance de charge R .
21
LES DIODES A JONCTION
Dans les montages vus jusqu' prsent, les tensions redresses sont des tensions
continues (puisqu'elles ne changent pas de signe) mais non constantes .
Le but du filtrage est de transformer ces tensions redresses en une tension aussi
constatante que possible .
e(t) u(t)
C R
Lorsqu'elle est bloque, le condensateur se dcharge dans la rsistance R selon une loi
exponentielle dcroissante. L a variation de u(t) "suit" alors la tangente l'origine de la
dcharge du condensateur.
u(t)
u(t) sans C
T
u(t) avec C
t
Umax
Umin
t
O
= RC
22
LES DIODES A JONCTION
U max U
R.C t
avec :
U : Ondulation que l'on simpose lorsqu'on tudie des alimentations , U << Umax .
U max
d'o : C t.
R . U
1
Soit , pour un secteur de frquence f = 50 Hz , on a : T 0.02 s ; ce qui nous donne :
f
U max
C 0.02 .
R .U
Pour le montage, on prendra celui point milieu ou pont de Gratz vus prcdemment
et il suffit de placer un condensateur en parallle avec la rsistance de charge .
u(t)
Umax
Umoy
U
Umin
t
O
23
LES DIODES A JONCTION
Ondulation :
La tension filtre u(t) volue entre Umax et Umin en traversant la valeur moyenne Umoy .
U max - U min
U max - U min U min - U moy
2
U
On appelle taux d'ondulation le rapport , il s'value en pourcentage .
U moy
U max
C 0.01 .
R . U
24
LES DIODES A JONCTION
Remarque : La tension e(t) est toujours de la forme : e(t) = E . sin t , et les diodes
utilises toujours supposes idales ( 1ire modlisation ) .
a) Dtecteur de crte
u(t)
e(t) C
e(t) u(t)
+E
t
o
-E
u(t)
e(t) D
25
LES DIODES A JONCTION
u(t)
+E
e(t)
t
o
-E
c) Ecrteur de tension
Circuit analogique
D1s D2 s u(t)
e(t) Re
+V -V
Tant que la tension u(t) est comprise entre ( E + 0.6 ) , tout se passe correctement.
En cas de surtension d'entre, les diodes ( au silicium ) conduisent, limitant la tension u(t)
une valeur voisine de ( E + 0.6 ) .
Le rle de la rsistance R est de limiter les courants dans les diodes. Sa valeur est
dfinie partir de la surtension prvue .
26
LES DIODES A JONCTION
e(t) u(t)
+E
V + 0. 6
t
o
V 0. 6
-E
Remarque :
Une limitation U = 0.6 Volt n'aurait pas ncssit la prsence de ces 2 sources
de tension V . Les 2 diodes seraient alors connectes en "tte-bche" parallle .
D1
C1 u1 = E u(t) = 2.E
220 V e(t)
Tr
D2 C2
u2 = E
u(t) = E
u1(t) = u2(t) =E
e(t)
+E
t
o
-E
27
LES DIODES A JONCTION
V Diodes particulires :
1/ Diode stabilisatrice de tension ou diode Zener
Ces diodes sont prvues pour travailler en polarisation inverse , dans leur zone
d'avalanche non destructive, condition de respecter la limite en puissance, sinon, il y a
claquage de la jonction .
I I
A K ou A K
V V
V
Rd
I
- VZ - VZ o
V
0
V
RZ - IZ
I
- IZ max
28
LES DIODES A JONCTION
Remarques :
La caractristique directe d'une diode zener est voisine de celle d'une diode classique .
On trouve dans le commerce des diodes zenez dont les valeurs VZ sont comprises
entre 2 V et 300 V , dans certains cas 500 V .
A
Id
R= Vo
- VZ o K
V
O Vo
I VKA = VZ o
VZ o
29
LES DIODES A JONCTION
2ime caractristique :
Id
Rd
R= Vo
- VZ o K
V
O Vo
K
I
RZ
VZ o
b/ Mthode graphique
30
LES DIODES A JONCTION
Pour la diode zener, on se mettra dans le cas de la 1ire modlisation dans laquelle on ne
tient compte que des f.c..m .
R Soient : 0 E 30V
VZ R = 1 K
E DZ
IZ DZ , VZ o = 9 V
&
IZ max = 20 mA
* 10V E 30V : la diode zener conduit dans le sens cathode-anode et est remplace par
VZ = VZ o = 9 V
VZ (V) IZ (mA)
Zone de stabilisation Zone de stabilisation
9 21
E (V) E (V)
O 9 30 O 9 30
31
LES DIODES A JONCTION
VZ R = 1 K
E DZ RC
IZ DZ , VZ o = 9 V
&
IZ max = 20 mA
Le passage de l'tat bloqu de la diode zener l'tat passant se fait pour VZ = 10 V, soit
RC 428 , valeur obtenue partir de l'expression du diviseur de tension :
RC R . VZ 1000 . 9
VZ .E RC 428
R RC E - VZ 30 - 9
Donc :
E RC
IZ 0 ; I IC et VZ . E
R RC R RC
E - VZ o 30 - 9 9
I 21 mA Cte ; IC et IZ I - IC
R 1000 RC
32
LES DIODES A JONCTION
VZ (V)
RC ( )
O 428
I (mA)
21
RC ( )
O 428
IC (mA)
30
21
RC ( )
O 428
IZ (mA)
21
RC ( )
O 428
33
LES DIODES A JONCTION
2/ Diode unitunnel
Le symbole d'une diode unitunnel est le mme que celui d'une diode zener .
I
A K
- 0.1
V (V)
O 0.7
La conduction directe dbute encore + 0.7 V peu prs , mais la conduction inverse
(claquage) dbute maintenant 0.1 V environ .
La diode unitunnel conduit donc mieux en sens inverse qu'en sens direct .
34
LES DIODES A JONCTION
I
Le symbole d'une diode lectroluminescente est le suivant : A K
V
Elles sont utilises dans le sens direct et ont la proprit d'mettre une lueur dont la
couleur dpend de sa composition chimique et dont l'intensit varie avec le courant qui la
traverse .
I (mA)
40
30
20
10
V (Volt)
o 0.5 1.5 2.5
La chute de tension type entre les bornes d'une LED varie de 1.5 V 2.5 V pour des
courants qui varient de 10 mA 50 mA . La chute de tension exacte dpend du courant, de
la couleur, de la tolrance...de ces diodes .
_________________________________________________________________________
35