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VICERRECTORADO DOCENTE Cdigo: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADMICO Aprobacin: 2016/04/06

Formato: Gua de Prctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulacin

FORMATO DE INFORME DE PRCTICA DE LABORATORIO /


TALLERES / CENTROS DE SIMULACIN PARA ESTUDIANTES

CARRERA: INGENIERIA ELECTRICA ASIGNATURA: ELECTRONICA ANALOGICA I


NRO. 5 TTULO PRCTICA: ANLISIS DE LAS CARACTERSTICAS DE UN DIODO.
PRCTICA:

1.OBJETIVOS:
1.1. Objetivo General:
Disear, simular y comprobar las caractersticas del diodo.

1.2. Objetivos Especficos:


Disear, calcular, simular y comprobar el funcionamiento de los diodos 1N4007 y 1N4148.

2. EQUIPOS Y MATERIALES:
Osciloscopio
Generador de funciones
Cables
Multmetro
Sondas
Protoboard
Diodo
Resistores
Fuente

3.MARCO TEORICO
El diodo:
Puede construirse con la unin de dos materiales el tipo p y tipo n. El diodo tiene tres tipos de
funcionamientos:
Sin polarizacin aplicada (V = 0 [V])
Es decir que no est conectado a ninguna fuente de alimentacin.
En este estado el diodo tiene voltaje y corriente igual a cero.

Fig. 1 Funcionamiento interno del diodo sin polarizacin.


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Polarizacin en inversa (VD < 0 [V])


En este se aplica al diodo una tensin conectando la parte positiva de la fuente con la parte negativa del
diodo y la parte negativa de la fuente con la parte positiva del diodo. La corriente en este estado del diodo
se le conoce como corriente de saturacin (Is).

Fig. 2 Funcionamiento del diodo en polarizacin inversa.

Polarizacin en directa (VD > 0 [V])


En este se aplica al diodo una tensin conectando la parte positiva de la fuente con la parte positiva del
diodo y la parte negativa de la fuente con la parte negativa del diodo.

Fig. 3 Funcionamiento del diodo en polarizacin directa.


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Fig. 4 Curva caracterstica del diodo semiconductor de silicio.

4. PROCEDIMIENTO:
1. Consultar los manuales y transcribir las caractersticas ms importantes de los diodos 1N4007, 1N4148.
Valores Nominales mximos.
Caractersticas elctricas.
Estudiaremos la hoja de caractersticas del diodo 1N4001, un diodo rectificador empleado en fuentes de alimentacin
(circuitos que convierten una tensin alterna en una tensin continua).
La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las mismas caractersticas con polarizacin
directa, pero en polarizacin inversa sus caractersticas son distintas.
Primeramente, analizaremos las "Limitaciones mximas" que son estas:

Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento. Lo importante es saber que la
tensin de ruptura para el diodo es de 50 V, independientemente de cmo se use el diodo. Esta ruptura se produce
por la avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente destructiva.
Corriente mxima con polarizacin directa
Un dato interesante es la corriente media con polarizacin directa, que aparece as en la hoja de caractersticas:
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Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A con polarizacin directa cuando se le emplea como rectificador. Esto
es, 1 A es el nivel de corriente con polarizacin directa para el cual el diodo se quema debido a una disipacin
excesiva de potencia. Un diseo fiable, con factor de seguridad 1, debe garantizar que la corriente con polarizacin
directa sea menor de 0,5 A en cualquier condicin de funcionamiento.
Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la vida de stos es tanto ms corta cuanto ms cerca
trabajen de las limitaciones mximas. Por esta razn, algunos diseadores emplean factores de seguridad hasta de
10:1, para 1N4001 ser de 0,1 A o menos.
Cada de tensin con polarizacin directa
Otro dato importante es la cada de tensin con polarizacin directa:

Estos valores estn medidos en alterna, y por ello aparece la palabra instantneo en la especificacin. El 1N4001
tiene una cada de tensin tpica con polarizacin directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura
de la unin es de 25 C.
Corriente inversa mxima
En esta tabla esta la corriente con polarizacin inversa a la tensin continua indicada (50 V para un 1N4001).

Esta corriente inversa incluye la corriente producida trmicamente y la corriente de fugas superficial. De esto
deducimos que la temperatura puede ser importante a la hora del diseo, ya que un diseo basado en una corriente
inversa de 0,05 mA trabajar muy bien a 25 C con un 1N4001 tpico, pero puede fallar si tiene que funcionar en
medios donde la temperatura de la unin alcance los 100 C

2.- Utilizando el multmetro identifique los terminales de cada tipo de diodo disponible y de paso compruebe
que estn en buen estado, determinando el voltaje umbral.

Polarizacin 1N4007 1N4148


Directa 0,596 0,696
Inversa. 0 0

3.- Aplique calor al diodo (Aplastar fuertemente con dos dedos la parte plstica) y observe el nuevo valor
que muestra el multmetro

Polarizacin 1N4007 1N4148


Directa 0,577 0,675
Inversa. 0 0
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4.- Realizar el circuito y llenar la siguiente tabla de valores mediante lecturas de VR, VD(VA-K) con el
multmetro digital, para el diodo 1N4007.
R
+ VD
1k A
Vdc 1N4007

K
_

Calcular Corriente Resistencia


Diodo esttica
Vdc VR (V) VD(VA-K) ID = VR/R RD = VD/ID
-5,00 -0 -4.98 0
-4,00 -0 -3.38 0
-3,00 -0 -2.98 0
-2,00 -0 -1.99 0
-1,00 -0 -0.99 0
0,00 0 0 0
0.25 0 248.3mv 0
0.5 0.47mv 449mv 0.00047A 955.3191489
0.75 233.9mv 513.5mv 0.2339A 2.19538264
1,00 430mv 543.9mv 0.43A 1.264813721
1.25 0.681v 563.2mv 0,000681A 827.0190896
1.5 0.915v 575.2mv 0,000915A 628.6338798
2,00 1.394v 597.3mv 0.001394A 428.4074605
2.5 1.877v 0.610v 0.001877A 324.9866809
3,00 2.365v 0.621v 0.002365A 262.5792812
3.5 2.853v 0.631v 0.002853A 221.1706975
4,00 3.343v 0.638v 0.003343 190.846545
5,00 4.32v 0.649v 0.00432 150.2314815
6,00 5.31v 0.659v 0.00531 124.1054614
8,00 7,26v 0.673v 0,000726 926.9972452
10,00 9.24v 0.685v 0.00924 74.13419913
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Fig. 5. Simulacin del circuito con una fuente de 5v.

5.- Trace las respectivas curvas de ID = f (VD), ID = f (VR), con los datos obtenidos en la tabla anterior y
saque sus conclusiones.

6.- Volver al circuito, aplicar Vac = 10 Vp-p onda senoidal del generador de funciones. Observar y graficar la
forma de onda de Vi y Vo ( V A-K ) diodo, para las frecuencias de f = 50 Hz y 400Hz, verifique que no existe
problema con la forma de onda cuando se trabaja a bajas frecuencias.

Fig. 6. Ondas generadas por el osciloscopio a 50Hz .


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Fig. 7. Simulacin a 50Hz .

Fig. 8. Ondas generadas por el osciloscopio a 400Hz.

Fig. 9. Simulacin a 400Hz .


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8.- Aplique frecuencias de f = 20KHz, 100KHz y >100KHz, grafique las formas de onda de Vi y Vo(VA-K) para
cada diodo por separado, verifique que al aumentar la frecuencia se hace notorio el tiempo de recuperacin
inversa del diodo. Determine para cada diodo a una frecuencia f=100Khz, cuanto vale el tiempo de
recuperacin inversa.

Frecuencia 1N4007
20kHz 4,8us
100kHz 1,9us
300kHz 720ns

Fig. 10. Ondas generadas por el osciloscopio a 20kHz.


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Fig. 11. Ondas generadas por el osciloscopio a 100kHz.

Fig. 12. Ondas generadas por el osciloscopio a 300kHz.


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Frecuencia 1N4148
20kHz 80ns
100kHz 120ns
300kHz 150ns

Fig. 13. Ondas generadas por el osciloscopio a 20kHz.

Fig. 14. Ondas generadas por el osciloscopio a 100kHz.

Fig. 15. Ondas generadas por el osciloscopio a 100kHz.


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9.-Hacer un resumen brevemente sobre la importancia de las caractersticas en base a temperatura,


corriente, voltaje inverso y frecuencia.

El diodo como acabamos de decir es la unin de dos materiales semiconductores dopados de tipo n y
de tipo p, formando una unin p-n. Antes de la unin, y considerando cada uno de los materiales
semiconductores por separado, el semiconductor de tipo p tiene una concentracin de huecos mucho
mayor que la de electrones y el de tipo n tiene una concentracin de electrones mucho mayor que la de
huecos. Adems, cada uno de estos materiales permanece elctricamente neutro. El hecho de unir
ambos tipos de material provoca un elevado gradiente de concentracin de portadores en las
proximidades de la unin observndose por un lado, una corriente de difusin de huecos de la regin p
a la n y, por otro, una corriente de difusin de electrones de la regin n a la p. Pero adems, la marcha o
difusin de estos portadores de su regin inicial deja al descubierto algunos iones fijos en la red
cristalina, dando lugar a una regin que contiene tomos ionizados positivamente a un lado y tomos
ionizados negativamente al otro lado llamada zona de agotamiento o regin espacial de carga.

CONCLUSIONES:
El diodo se comporta como un semiconductor, esto se define debido a que es conductor solo bajo ciertas
circunstancias. El diodo est compuesto por una zona de electrones (ctodo) y otra de protones (nodo).
Si el diodo se polariza de manera directa empezar a conducir a partir de su zona de ruptura, si se polariza
de manera indirecta el diodo actuara como un interruptor abierto y no conducir, excepto aquello a lo que
denominan corriente de fuga.
Cuando en un mismo circuito hay 2 fuentes y se encuentran polarizando al diodo de manera distinta,
aquella con mayor voltaje ser la que le d la polarizacin.
De manera ideal, un diodo conducir corriente en la direccin que define la flecha en el smbolo, y actuara
como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en direccin opuesta.

RECOMENDACIONES:
Es recomendable utilizar los equipos que estn en el laboratorio de una manera adecuada caso contrario
podemos echarlos a perder, es indispensable tener conocimientos previos en la materia y en el uso de
los equipos que tendremos que utilizar en la prctica.

Nombre de los estudiantes:


Sergio Javier Guncay Portoviejo
ngel Aurelio Uyaguari Guillen

Firma de estudiante: _______________________________

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