ELECTRONICA BASICA

LA LEY DE OHM

La Ley de Ohm, postulada por el fsico y matemtico alemn Georg Simon Ohm, es una de las
leyes fundamentales de la electrodinmica, estrechamente vinculada a los valores de las
unidades bsicas presentes en cualquier circuito elctrico como son:

1. Tensin o voltaje "E", en volt (V).

2. Intensidad de la corriente " I ", en ampere (A).
3. Resistencia "R" en ohm ( ) de la carga o consumidor conectado al circuito.

Circuito elctrico cerrado compuesto por una pila de 1,5 volt, una resistencia o carga
elctrica "R" y la.circulacin de una intensidad o flujo de corriente elctrica " I " suministrado
por la propia pila.

Debido a la existencia de materiales que dificultan ms que otros el paso de la corriente elctrica
a travs de los mismos, cuando el valor de su resistencia vara, el valor de la intensidad de
corriente en ampere tambin vara de forma inversamente proporcional. Es decir, a medida que
la resistencia aumenta la corriente disminuye y, viceversa, cuando la resistencia al paso de la
corriente disminuye la corriente aumenta, siempre que para ambos casos el valor de la tensin
o voltaje se mantenga constante.

Por otro lado y de acuerdo con la propia Ley, el valor de la tensin o voltaje es directamente
proporcional a la intensidad de la corriente; por tanto, si el voltaje aumenta o disminuye, el
amperaje de la corriente que circula por el circuito aumentar o disminuir en la misma
proporcin, siempre y cuando el valor de la resistencia conectada al circuito se mantenga
constante.

Postulado general de la Ley de Ohm

El flujo de corriente en ampere que circula por un circuito elctrico cerrado, es

directamente proporcional a la tensin o voltaje aplicado, e inversamente
proporcional a la resistencia en ohm de la carga que tiene conectada.
FRMULA MATEMTICA GENERAL DE REPRESENTACIN DE LA LEY DE OHM

Desde el punto de vista matemtico el postulado anterior se puede representar por medio
de la siguiente Frmula General de la Ley de Ohm:

VARIANTE PRCTICA:

Aquellas personas menos relacionadas con el despeje de frmulas matemticas pueden

realizar tambin los clculos de tensin, corriente y resistencia correspondientes a la Ley de
Ohm, de una forma ms fcil utilizando el siguiente recurso prctico:

Con esta variante slo ser necesario tapar con un dedo la letra que representa el valor de la
incgnita que queremos conocer y de inmediato quedar indicada con las otras dos letras cul
es la operacin matemtica que ser necesario realizar.
HALLAR EL VALOR EN OHM DE UNA RESISTENCIA

Para calcular, por ejemplo, el valor de la resistencia "R" en ohm de una carga conectada a un
circuito elctrico cerrado que tiene aplicada una tensin o voltaje "V" de 1,5 volt y por el cual
circula el flujo de una corriente elctrica de 500 miliampere (mA) de intensidad, procedemos de
la siguiente forma:

Tapamos la letra R (que representa el valor de la incgnita que queremos despejar, en este
caso la resistencia "R" en ohm) y nos queda representada la operacin matemtica que
debemos realizar:
Como se puede observar, la operacin matemtica que queda indicada ser: dividir el valor de
la tensin o voltaje "V", por el valor de la intensidad de la corriente " I " , en ampere (A) . Una
vez realizada la operacin, el resultado ser el valor en ohm de la resistencia "R" .

En este ejemplo especfico tenemos que el valor de la tensin que proporciona la fuente de
fuerza electromotriz (FEM) (el de una batera en este caso), es de 1,5 volt, mientras que la
intensidad de la corriente que fluye por el circuito elctrico cerrado es de 500 miliampere (mA).

Como ya conocemos, para trabajar con la frmula es necesario que el valor de la intensidad
est dado en ampere, sin embargo, en este caso la intensidad de la corriente que circula por
ese circuito no llega a 1 ampere. Por tanto, para realizar correctamente esta simple operacin
matemtica de divisin, ser necesario convertir primero los 500 miliampere en ampere, pues
de lo contrario el resultado sera errneo. Para efectuar dicha conversin dividimos 500 mA
entre 1000:

Como vemos, el resultado obtenido es que 500 miliampere equivalen a 0,5 ampere, por lo que
procedemos a sustituir, seguidamente, los valores numricos para poder hallar cuntos ohm
tiene la resistencia del circuito elctrico con el que estamos trabajando, tal como se muestra a
continuacin:.

Como se puede observar, el resultado de la operacin matemtica arroja que el valor de la

resistencia "R" conectada al circuito es de 3 ohm.
HALLAR EL VALOR DE INTENSIDAD DE LA CORRIENTE

Veamos ahora qu ocurre con la intensidad de la corriente elctrica en el caso que la

resistencia "R", en lugar de tener 3 ohm, como en el ejemplo anterior, tiene ahora 6 ohm. En
esta oportunidad la incgnita a despejar sera el valor de la corriente " I ", por tanto tapamos
esa letra:

A continuacin sustituimos V por el valor de la tensin de la batera (1,5 V) y la R por el

valor de la resistencia, o sea, 6 . A continuacin efectuamos la operacin matemtica
dividiendo el valor de la tensin o voltaje entre el valor de la resistencia:

En este resultado podemos comprobar que la resistencia es inversamente proporcional al valor

de la corriente, porque cuando el valor de "R" aumenta de 3 a 6 ohm, la intensidad " I " de la
corriente tambin, vara, pero disminuyendo su valor de 0, 5 a 0,25 ampere.
HALLAR EL VALOR DE LA TENSIN O VOLTAJE

Ahora, para hallar el valor de la tensin o voltaje "V" aplicado a un circuito, siempre que se
conozca el valor de la intensidad de la corriente " I " en ampere que lo recorre y el valor en ohm
de la resistencia "R"del consumidor o carga que tiene conectada, podemos seguir el mismo
procedimiento tapando en esta ocasin la "V, que es la incgnita que queremos despejar.

A continuacin sustituyendo los valores de la intensidad de corriente " I " y de la

resistencia "R" del ejemplo anterior y tendremos:
El resultado que obtenemos de esta operacin de multiplicar ser 1,5 V, correspondiente a la
diferencia de potencial o fuerza electromotriz (FEM), que proporciona la batera conectada al
circuito.

Los ms entendidos en matemticas pueden utilizar directamente la Frmula General de la Ley

de Ohm realizando los correspondientes despejes para hallar las incognitas. Para hallar el valor
de la intensidad "I" se emplea la representacin matemtica de la frmula general de esta Ley:

De donde:

I Intensidad de la corriente que recorre el circuito en ampere (A)

E Valor de la tensin, voltaje o fuerza electromotriz en volt (V)

R Valor de la resistencia del consumidor o carga conectado al circuito en ohm ( ).

Si, por el contrario, lo que deseamos es hallar el valor de la resistencia conectada al circuito,
despejamos la R en la frmula de la forma siguiente:

Y por ltimo, para hallar la tensin despejamos la frmula as y como en los casos anteriores,
sustituimos las letras por los correspondientes valores conocidos:
TEORA DEL SEMICONDUCTOR

INTRODUCCIN

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse

situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente

Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que,
como veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable que el germanio
frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, ser el
primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes
electrnicos de estado solido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que
el proceso del germanio es absolutamente similar.

Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como
electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El
inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una
corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un
electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por
tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser
liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos
electrnes pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea
energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo
completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura
2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona

sombreada de la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza
de atraccin del ncleo son cuatro

Componentes Electrnicos

Introduccin

En Electrnica vamos a usar una serie de componentes o elementos que van a formar los
circuitos y conviene saber identificarlos correctamente:

resistencias
condensadores
transistores
diodos
bobinas
interruptores
fusibles
lmparas
...etc.

Vamos a describir los componentes ms usados y adems vamos a incluir algunas

imgenes para conocerlos de vista.

Aprenderemos a determinar algunas caractersticas determinantes que nos ayudarn a

elegir los componentes cuando diseemos nuestros circuitos y/o cuando vamos al comercio
a comprarlos.

Las Resistencias

Las resistencias son unos elementos elctricos cuya misin es difultar el paso de la
corriente elctrica a traves de ellas. Su caracterstica principal es su resistencia
hmica aunque tienen otra no menos importante que es la potencia mxima que pueden
disipar. sta ltima depende principalmente de la construccin fsica del elemento.

La resistencia hmica de una resistencia se mide en ohmios, valgan las redundancias. Se

suele utilizar esa misma unidad, as como dos de sus mltiplos: el Kilo-Ohmio (1K) y el
Mega-Ohmio (1M=106).

El valor resistivo puede ser fijo o variable. En el primer caso hablamos de resistencias
comunes o fijas y en el segundo de resistencias variables, ajustables, potencimetros y
restatos. No centraremos en el primer tipo, las fijas.
Las resistencias fijas pueden clasificarse en dos grupos, de acuerdo con el material con el
que estn constituidas: "resistencias de hilo", slamente para disipaciones superiores a 2
W, y "resistencias qumicas" para, en general, potencias inferiores a 2 W.

Resistencias de hilo o bobinadas

Generalmente estn constituidas por un soporte de material aisalante y resistente a la

temperatura (cermica, esteatita, mica, etc.) alrededor del cual hay la resistencia
propiamente dicha, constituida por un hilo cuya seccin y resistividad depende de la
potencia y de la resistencia deseadas.

En los extremos del soporte hay fijados dos anillos metlicos sujetos con un tornillo o
remache cuya misin, adems de fijar en l el hilo de resistencia, consiste en permitir la
conexin de la resistencia mediante soldadura. Por lo general, una vez construidas, se
recubren de un barniz especial que se somete a un proceso de vitrificacin a alta
temperatura con el objeto de proteger el hilo y evitar que las diveras espiras hagan contacto
entre s. Sobre este barniz suelen marcarse con serigrafa los valores en ohmios y en vatios,
tal como se observa en esta figura. En ella vemos una resistencia de 250 &Omega, que
puede disipar una potencia mxima de 10 vatios.

Aqu vemos el aspecto exterior y estructura constructiva de las resistencias

de alta disipacin (gran potencia). Pueden soportar corrientes relativamente
elevadas y estn protegidas con una capa de esmalte.

A. hilo de conexin
B. soporte cermico
C. arrollamiento
D. recubrimiento de esmalte.
 Aqu vemos otros tipos de
resistencias bobinadas, de
diferentes tamaos y
potencias, con su valor
impreso en el cuerpo.

La de la izquierda es de 24 ,
5% (inscripcin: 24R 5%)
La ms pequea es de 10 ,
aunque no se aprecia su
inscripcin en la foto.

Resistencias qumicas

Las resistencias de hilo de valor hmico elevado necesitaran una cantidad de hilo tan
grande que en la prctica resultaran muy voluminosas. Las resistencias de este tipo se
realizan de forma ms sencilla y econmica emplenado, en lugar de hilo, carbn pulverizado
mezclado con sustancias aglomerantes.

La relacin entre la cantidad de

carbn y la sustancia aglomerante
determina la resistividad por
centmetro, por lo que es posible
fabricar resistencias de diversoso
valores. Existen tipos de carbn
aglomerado, de pelcula de carbn y
de pelcula metlica. Normalmente
estn constituidas por un soporte
cilndrico aislante (de porcelana u otro
material anlogo) sobre el cual se
deposita una capa de material
resistivo.

En las resistencias, adems del valor

hmico que se expresa mediante un
cdigo de colores, hay una contrasea que determina la precisin de su valor
(aproximacin), o sea la tolerancia anunciada por el fabricante. Esta contrasea est
constituida por un anillo pintado situado en uno de los extremos del cuerpo.

En la imagen de arriba vemos resistencias de pelcula de carbn de diferentes potencias (y

tamaos) comparadas con una moneda.

De izquierda a derecha, las potencias son de 1/8, , , 1 y 2 W, respectivamente. En ellas

se observan las diferentes bandas de color que representan su valor hmico.
Aqu abajo vemos unos ejemplos de resistencias de pelcula de carbn y de pelcula
metlica, donde se muestra su aspecto constructivo y su aspecto exterior:

Interpretacin del cdigo de colores en las resistencias

Las resistencias llevan grabadas sobre su cuerpo unas bandas de color que nos permiten
identificar el valor hmico que stas poseen. Esto es cierto para resistencias de potencia
pequea (menor de 2 W.), ya que las de potencia mayor generalmente llevan su valor
impreso con nmeros sobre su cuerpo, tal como hemos visto antes.

En la resistencia de la izquierda vemos el mtodo de codificacin ms difundido. En el

cuerpo de la resistencia hay 4 anillos de color que, considerndolos a partir de un extremo
y en direccin al centro, indican el valor hmico de este componente

El nmero que corresponde al primer color indica la primera cifra, el segundo color la
seguna cifra y el tercer color indica el nmero de ceros que siguen a la cifra obtenida, con
lo que se tiene el valor efectivo de la resistencia. El cuarto anillo, o su ausencia, indica la
tolerancia.

Podemos ver que la resistencia de la izquierda tiene los colores amarillo-violeta-naranja-

oro (hemos intentado que los colores queden representados lo mejor posible en el dibujo),
de forma que segn la tabla de abajo podramos decir que tiene un valor de: 4-7-3ceros,
con una tolerancia del 5%, o sea, 47000 47 K. La tolerancia indica que el valor real
estar entre 44650 y 49350 (47 K5%).

La resistencia de la derecha, por su parte, tiene una banda ms de color y es que se trata
de una resistencia de precisin. Esto adems es corroborado por el color de la banda de
tolerancia, que al ser de color rojo indica que es una resistencia del 2%. stas tienen tres
cifras significativas (al contrario que las anteriores, que tenan 2) y los colores son marrn-
verde-amarillo-naranja, de forma que segn la tabla de abajo podramos decir que tiene
un valor de: 1-5-4-4ceros, con una tolerancia del 2%, o sea, 1540000 1540 K 1.54
M. La tolerancia indica que el valor real estar entre 1509.2 K y 1570.8 K (1.54
M2%).

Por ltimo, comentar que una precisin del 2% se considera como muy buena, aunque en
la mayora de los circuitos usaremos resistencias del 5%, que son las ms corrientes.

Cdigo de colores en las resistencias

COLORES Banda 1 Banda 2 Banda 3 Multiplicador Tolerancia

Plata x 0.01 10%
Oro x 0.1 5%
Negro 0 0 0 x1
Marrn 1 1 1 x 10 1%
Rojo 2 2 2 x 100 2%
Naranja 3 3 3 x 1000
Amarillo 4 4 4 x 10000
Verde 5 5 5 x 100000 0.5%
Azul 6 6 6 x 1000000
Violeta 7 7 7
Gris 8 8 8
Blanco 9 9 9
--Ninguno-- - - - 20%

Nota: Estos colores se han establecido internacionalmente, aunque algunos de ellos en

ocasiones pueden llevar a una confusin a personas con dificultad de distinguir la zona de
colores rojo-naranja-marrn-verde. En tales casos, quiz tengan que echar mano en
algn momento a un multmetro para saber con certeza el valor de alguna resistencia cuyos
colores no pueden distinguir claramente. Tambin es cierto que en resistencias que han
tenido un "calentn" o que son antiguas, a veces los colores pueden haber quedado
alterados, en cuyo caso el multmetro nos dar la verdad.
Otro caso de confusin puede presentarse cuando por error leemos las bandas de color al
revs. Estas resistencias de aqu abajo son las mismas que antes, pero dadas la vuelta.
En la primera, si leemos de izquierda a derecha, ahora vemos oro-naranja-violeta-
amarillo. El oro no es un color usado para las cifras significativas, as que algo va mal.
Adems el amarillo no es un color que represente tolerancias. En un caso extremo, la
combinacin naranja-violeta-amarillo (errnea por otro lado porque la banda de tolerancia
no va a la izquierda de las otras) nos dara el valor de 370 K, que no es un valor
normalizado.

En la segunda, ahora vemos rojo-naranja-amarillo-verde-marrn. La combinacin nos

dara el valor 234000000 = 234 M, que es un valor desorbitado (generalmete no suele
haber resistencias de ms de 10 M), adems de no ser un valor normalizado. Eso s, la
resistencia tendra una tolerancia del 1% (marrn), que no tiene sentido para un valor tan
alto de resistencia.

Valores normalizados de resistencias

Vamos a mostrar ahora una tabla con los valores normalizados de resistencias, que
ayudar a encajarlas segn valores establecidos internacionalmente.

Tolerancia 10 % Tolerancia 5 % Tolerancia 2 %

1.0 1.0, 1.1 1.00, 1.05, 1.1, 1.15
1.2 1.2, 1.3 1.21, 1.27, 1.33, 1.40, 1.47
1.5 1.5, 1.6 1.54, 1.62, 1.69, 1.78
1.8 1.8, 2.0 1.87, 196, 2.00, 2.05, 2.15
2.2 2.2, 2.4 2.26, 2.37, 2.49, 2.61
2.7 2.7, 3.0 2.74, 2.87, 3.01, 3.16
3.3 3.3, 3.6 3.32, 3.48, 3.65, 3.83
3.9 3.9, 4.3 4.02, 4.22, 4.42, 4.64
4.7 4.7, 5.1 4.87, 5.11, 5.36
5.6 5.6, 6.2 5.62, 5.90, 6.19, 6.49
6.8 6.8, 7.5 6.81, 7.15, 7.50, 7.87
8.2 8.2, 9.1 8.25, 8.66, 9.09, 9.53
Los Condensadores

Bsicamente un condensador es un
dispositivo capaz de almacenar energa en
forma de campo elctrico. Est formado por
dos armaduras metlicas paralelas
(generalmente de aluminio) separadas por
un material dielctrico.
Va a tener una serie de caractersticas tales
como capacidad, tensin de
trabajo, tolerancia y polaridad, que
deberemos aprender a distinguir
Aqu a la izquierda vemos esquematizado
un condensador, con las dos lminas =
placas = armaduras, y el dielctrico entre
ellas. En la versin ms sencilla del condensador, no se pone nada entre las armaduras y
se las deja con una cierta separacin, en cuyo caso se dice que el dielctrico es el aire.

Capacidad: Se mide en Faradios (F), aunque esta unidad resulta tan grande que se
suelen utilizar varios de los submltiplos, tales como microfaradios (F=10-6 F ),
nanofaradios (nF=10-9 F) y picofaradios (pF=10-12 F).
Tensin de trabajo: Es la mxima tensin que puede aguantar un condensador,
que depende del tipo y grososr del dielctrico con que est fabricado. Si se supera
dicha tensin, el condensador puede perforarse (quedar cortocircuitado) y/o
explotar. En este sentido hay que tener cuidado al elegir un condensador, de forma
que nunca trabaje a una tensin superior a la mxima.
Tolerancia: Igual que en las resistencias, se refiere al error mximo que puede
existir entre la capacidad real del condensador y la capacidad indicada sobre su
cuerpo.
Polaridad: Los condensadores electrolticos y en general los de capacidad superior
a 1 F tienen polaridad, eso es, que se les debe aplicar la tensin prestando atencin
a sus terminales positivo y negativo. Al contrario que los inferiores a 1F, a los que
se puede aplicar tensin en cualquier sentido, los que tienen polaridad pueden
explotar en caso de ser sta la incorrecta.

Tipos de condensadores

Vamos a mostrar a continuacin una serie de condensadores de los ms tpicos que se

pueden encontrar. Todos ellos estn comparados en tamao a una moneda.
Electrolticos. Tienen el dielctrico formado por papel impregnado en electrlito. Siempre
tienen polaridad, y una capacidad superior a 1 F. Arriba observamos claramente que el
condensador n 1 es de 2200 F, con una tensin mxima de trabajo de 25v. (Inscripcin:
2200 / 25 V).
Abajo a la izquierda vemos un esquema de este tipo de condensadores y a la derecha
vemos unos ejemplos de condensadores electrolticos de cierto tamao, de los que se
suelen emplear en aplicaciones elctricas (fuentes de alimentacin, etc...).

1.

1. Electrolticos de tntalo o de gota. Emplean como dielctrico una finsima pelcula

de xido de tantalio amorfo , que con un menor espesor tiene un poder aislante
mucho mayor. Tienen polaridad y una capacidad superior a 1 F. Su forma de gota
les da muchas veces ese nombre.
2. De poliester metalizado MKT. Suelen tener
capacidades inferiores a 1 F y tensiones de trabajo a
partir de 63v. Ms abajo vemos su estructura: dos
lminas de policarbonato recubierto por un depsito
metlico que se bobinan juntas. Aqu al lado vemos un detalle de un condensador
plano de este tipo, donde se observa que es de 0.033 F y 250v. (Inscripcin: 0.033
K/ 250 MKT).

3. De polister. Son similares a los anteriores, aunque con un proceso de fabricacin

algo diferente. En ocasiones este tipo de condensadores se presentan en forma
plana y llevan sus datos impresos en forma de bandas de color, recibiendo
comnmente el nombre de condensadores "de bandera". Su capacidad suele ser
 como mximo de 470 nF.

1. De polister tubular. Similares a los anteriores, pero enrollados de forma normal,

sin aplastar.

2. Cermico "de lenteja" o "de disco". Son los cermicos ms corrientes. Sus
valores de capacidad estn comprendidos entre 0.5 pF y 47 nF. En ocasiones llevan
sus datos impresos en forma de bandas de color.
Aqu abajo vemos unos ejemplos de condensadores de este tipo.

3. Cermico "de tubo". Sus valores de capacidad son del orden de los picofaradios y
generalmente ya no se usan, debido a la gran deriva trmica que tienen (variacin
de la capacidad con las variaciones de temperatura).
Identificacin del valor de los condensadores

Codificacin por bandas de color

Hemos visto que algunos tipos de condensadores llevan sus datos impresos codificados
con unas bandas de color. Esta forma de codificacin es muy similar a la empleada en las
resistencias, en este caso sabiendo que el valor queda expresado en picofaradios (pF).
Las bandas de color son como se observa en esta figura:

En el condensador de la izquierda vemos los siguientes datos:

verde-azul-naranja = 56000 pF = 56 nF (recordemos que el "56000" est
expresado en pF). El color negro indica una tolerancia del 20%, tal como veremos
en la tabla de abajo y el color rojo indica una tensin mxima de trabajo de 250v.
En el de la derecha vemos:
amarillo-violeta-rojo = 4700 pF = 4.7 nF. En los de este tipo no suele aparecer
informacin acerca de la tensin ni la tolerancia.

Cdigo de colores en los condesadores

COLORES Banda 1 Banda 2 Multiplicador Tensin

Negro -- 0 x1
 Marrn 1 1 x 10 100 V.
Rojo 2 2 x 100 250 V.
Naranja 3 3 x 1000
Amarillo 4 4 x 104 400 V.
Verde 5 5 x 105
Azul 6 6 x 106 630 V.
Violeta 7 7
Gris 8 8
Blanco 9 9

COLORES Tolerancia (C > 10 pF) Tolerancia (C < 10 pF)

Negro +/- 20% +/- 1 pF
Blanco +/- 10% +/- 1 pF
Verde +/- 5% +/- 0.5 pF
Rojo +/- 2% +/- 0.25 pF
Marrn +/- 1% +/- 0.1 pF

Codificacin mediante letras

Este es otro sistema de inscripcin del valor de los condensadores sobre su cuerpo. En
lugar de pintar unas bandas de color se recurre tambin a la escritura de diferentes cdigos
mediante letras impresas.

A veces aparece impresa en los condensadores la letra "K" a

continuacin de las letras; en este caso no se traduce por "kilo", o sea,
1000 sino que significa cermico si se halla en un condensador de tubo
o disco.

Si el componente es un condensador de dielctrico plstico (en forma

de paraleleppedo), "K" significa tolerancia del 10% sobre el valor de la
capacidad, en tanto que "M" corresponde a tolerancia del 20% y "J", tolerancia del 5%.

LETRA Tolerancia
"M" +/- 20%
"K" +/- 10%
"J" +/- 5%

Detrs de estas letras figura la tensin de trabajo y delante de las mismas el valor de la
capacidad indicado con cifras. Para expresar este valor se puede recurrir a la colocain de
un punto entre las cifras (con valor cero), refirindose en este caso a la unidad microfaradio
(F) o bien al empleo del prefijo "n" (nanofaradio = 1000 pF).
Ejemplo: un condensador marcado con 0,047 J 630 tiene un valor de 47000 pF = 47 nF,
tolerancia del 5% sobre dicho valor y tensin mxima de trabajo de 630 v. Tambin se
podra haber marcado de las siguientes maneras: 4,7n J 630, o 4n7 J 630.

Cdigo "101" de los condensadores

Por ltimo, vamos a mencionar el cdigo 101 utilizado en los condensadores cermicos
como alternativa al cdigo de colores. De acuerdo con este sistema se imprimen 3 cifras,
dos de ellas son las significativas y la ltima de ellas indica el nmero de ceros que se
deben aadir a las precedentes. El resultado debe expresarse siempre en picofaradios pF.
As, 561 significa 560 pF, 564 significa 560000 pF = 560 nF, y en el ejemplo de la figura de
la derecha, 403 significa 40000 pF = 40 nF.

Ejercicios prcticos

...y en esta nueva ocasin vamos a poner a prueba los conceptos explicados anteriormente.
Vamos a presentar una serie de condensadores elegidos al azar del cajn para ver si son
capaces de identificar sus datos correctamente, ok?

0,047 J 630
403
C=47 nF 5%
C=40 nF
V=630 V.

0,068 J 250
47p
C=68 nF 5%
C=47 pF
V=250 V.
22J 2200
C=22 pF 5% C=2.2 nF

10K +/-10% 400

3300/10 400 V
V
C=3.3 nF 10%
C=10 nF 10%
V=400 V.
V=400 V

amarillo-
330K 250V
violeta-naranja-
C=0.33 F
negro
V=250 V.
C=47 nF 20%

0,1 J 250
n47 J
C=0.1 F 5%
C=470 pF 5%
V=250 V.

verde-azul-
naranja-negro- 1 250
rojo C=0.1 F
C=56 nF 20% V=250 V.
V=250 V.

22K 250 V
n15 K
C=22 nF
C=150 pF 10%
V=250 V.

azul-gris-rojo y
marron-negro-
amarillo-violeta-rojo
naranja
C=4.7 nF
C1=8.2 nF
C2=10 nF
 amarillo-violeta-rojo, rojo-
negro-marrn y amarillo-
.02F 50V
violeta-marrn
C=20 nF
C1=4.7 nF
V=50 V.
C2=200 pF
C3=470 pF

ASOCIACION DE CAPACITORES

Los capacitores se pueden conectar en serie, en paralelo o en asociacin mixta.

Asociacin de capacitores en serie.

Si, del negativo de la batera, fluyen hacia la armadura de la derecha, por ejemplo, tres
electrones, estos inducen en la placa enfrentada a ella tres cargas positivas, es decir, la
abandonan tres electrones, que irn a parar a la armadura siguiente, que, a su vez, inducir
una carga de +3 en la siguiente, tc.
La conclusin final es que la CARGA que adquieren los capacitores es LA MISMA para
todos.

q1 = q2 = q3 = q

Las DIFERENCIAS DE POTENCIAL, en cambio, al estar en serie se SUMAN, y dicha suma

ser igual al potencial V de la batera.

V = V1 + V2 + V3

Teniendo en cuenta que la relacin entre la carga q y la tensin V de un condensador es

su capacidad C

C=q/V

diremos que el potencial V que adquiere un condensador es:

V=q/C
por lo que diremos que en nuestro circuito tendremos:

V1 = q1 / C1

V2 = q2 / C2

V3 = q3 / C3

pero como ya hemos dicho que:

V = V1 + V2 + V3 = q1 / C1 + q2 / C2 + q3 / C3

como quiera que las cargas de los tres capacitores en serie es la misma q = q1 = q2 = q3

V = q x[ 1/ C1 + 1 / C2 + 1 / C3 ]

por lo que:

V / q = 1/ CT = 1/ C1 + 1 / C2 + 1 / C3

Asociacin de capacitores en paralelo.

En este caso, lo que es igual para todos los capacitores es, obviamente, la DIFERENCIA
DE POTENCIAL, impuesta por el generador.

V = V1 + V2 + V3

En cambio, la CARGA TOTAL entregada por este debe ser igual a la SUMA de las cargas
almacenadas en los capacitores

qT = q1 + q2 + q3

Como quiera que q = C x V y V = V1 + V2 + V3 tendremos para cada uno de los

capacitores:

q1 = C1 x V

q2 = C2 x V

q3 = C3 x V
As pues:

qT = q1 + q2 + q3 = C1 x V + C2 x V + C3 x V = V x ( C1 + C2 + C3 )

qT / V = CT = C1 + C2 + C3

Los Transistores

Los transistores son unos componentes que han facilitado, en gran medida, el diseo de
circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.

Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a
ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente
"transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color...
Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones
bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso
podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de
radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de
alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de
impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base,
Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar
distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3 terminales, que
son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmentedependiendo del
encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Tipos de transistores. Simbologa

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las apliaciones a las
que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su
simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin

(JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de Metal-

xido-Semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Nota: En un esquema electrnico, los transistores se representan mediante su smbolo,

el nmero de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aqu:

Aqu podemos ver una seleccin de los transistores ms tpicos, mostrando su encapsulado
y distribucin de patillas. (Para ver la imgen en grande se puede hacer click sobre ella).
Encapsulado de transistores

Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Estn encapsulados de diferentes formas y
tamaos, dependiendo de la funcin que vayan a desempear. Hay varios encapsulados
estndar y cada encapsulado tiene una asignacin de terminales que puede consultarse en
un catlogo general de transistores.

Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores tienen impreso sobre
su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica el modelo de transistor. Por ejemplo,
en los transistores mostrados a la derecha se observa la referencia "MC 140".

Cpsula TO-3. Se utiliza para

transistores de gran potencia,
que siempre suelen llevar un
radiador de aluminio que
ayuda a disipar la potencia
que se genera en l.
Arriba a la izquierda vemos su
distribucin de terminales,
observando que el colector es
el chasis del transistor. Ntese
que los otros terminales no
estn a la misma distancia de
los dos agujeros.
A la derecha vemos la forma
de colocarlo sobre un
radiador, con sus tornillos y la
mica aislante. La funcin de la
mica es la de aislante elctrico
y a la vez conductor trmico.
De esta forma, el colector del
transistor no est en contacto
elctrico con el radiador.
Cpsula TO-220. Se utiliza
para transistores de menos
potencia, para reguladores de
tensin en fuentes de
alimentacin y para tiristores y
triacs de baja potencia.
Generalmente necesitan un
radiador de aluminio, aunque
a veces no es necesario, si la
potencia que van a disipar es
reducida.
Abajo vemos la forma de
colocarle el radiador y el
tornillo de sujeccin. Se suele
colocar una mica aislante
entre el transistor y el radiador,
as como un separador de
plstico para el tornillo, ya que
la parte metlica est
conectada al terminal central y
a veces no interesa que entre
en contacto elctrico con el
radiador.

Cpsula TO-126. Se utiliza en

transistores de potencia
reducida, a los que no resulta
generalmente necesario
colocarles radiador.
Arriba a la izquierda vemos la
asignacin de terminales de
un transistor BJT y de un
Tiristor.
Abajo vemos dos transistores
que tienen esta cpsula
colocados sobre pequeos
radiadores de aluminio y
fijados con su tornillo
correspondiente.
 Cpsula TO-92. Es muy
utilizada en transistores de
pequea seal.
En el centro vemos la
asignacin de terminales en
algunos modelos de
transistores, vistos desde
abajo.
Abajo vemos dos transistores
de este tipo montados sobre
una placa de circuito impreso.
Ntese la indicacin "TR5" de
la serigrafa, que indica que en
ese lugar va montado el
transistor nmero 5 del
circuito, de acuerdo al
esquema elctrnico.

Cpsula TO-18. Se utiliza en

transistores de pequea
seal. Su cuerpo est formado
por una carcasa metlica que
tiene un saliente que indica el
terminal del Emisor.

Cpsula miniatura. Se utiliza

en transistores de pequea
seal. Al igual que el anterior,
tienen un tamao bastante
pequeo.

Para ms informacin acerca del encapsulado de los transistores, hemos colocado aqu
estas hojas de caractersticas. En ellas se observan la forma y dimensiones de los
diferentes tipos de transistores.
DIODOS:

Definicin:

Diodo (valvular): Es una vlvula electrnica que consta de un nodo fro y un ctodo
caldeado. Se emplea como rectificador. Tambin es conocido como una variante ms
sencilla del tubo termoinico. Su ctodo es un filamento de tungsteno cubierto de xido de
torio; al aumentar la temperatura del filamento, el xido de torio emite electrones que son
atrados por el nodo o placa, que tiene carga positiva por hallarse conectado al terminal
correspondiente de una batera.

El diodo fue ideado por Fleming (1905) para utilizarlo como conductor elctrico
unidireccional en la deteccin de seales de telegrafa inalmbricas. En su primera versin,
el aparato slo conduca corriente cuando la placa se cargaba positivamente durante los
semiciclos positivos de las ondas de radio; la conduccin se interrumpa por completo en
los semiciclos negativos. La vlvula de Fleming apenas difera en diseo de los modernos
rectificadores de tubo de vaco que transforman la corriente alterna en continua. Sin
embargo, hoy pueden emplearse montajes especiales, como el de diodos gemelos, que
hacen fluir corriente continua durante los dos semiciclos de la corriente alterna.

La instalacin, denominada rectificador de onda completa, es muy corriente en equipos

electrnicos. Las principales limitaciones del diodo se deben a la carga espacial, o
acumulacin de electrones sin absorber entre el nodo y el ctodo, y la emisin secundaria
de electrones en el nodo, provocada por la incidencia en l de los procedentes del ctodo.
Ambos fenmenos tienden a repeler el haz electrnico y limitan la corriente de
calentamiento y el voltaje eficaces.

DIODO DE AVALANCHA-DIODO DE CRISTAL:

Diodo de avalancha: Tambin llamado como diodo de ruptura. Diodo que tiene una alta
relacin de resistencia inversa/directa hasta que se produce la ruptura por avalancha.
Despus de la ruptura, la cada de tensin en el diodo es especialmente constante, e
independiente de la corriente. Se usa para aplicaciones regulacin y limitacin de tensin.
Se le llam originalmente diodo Zner, hasta que el efecto Zner no era significativo en el
funcionamiento en los diodos de este tipo.

Diodo de barrera intrnseca: diodo PIN en el que una regin delgada de material
intrnseco separa las regiones del tipo n y p.

Diodo de barrera Schottky: Diodo de unin donde la unin est formada entre el
semiconductor y un contacto metlico en lugar de entre materiales semiconductores
diferentes, como en el caso del Diodo de unin pn de unin.

Diodo de capacidad variable: Diodo semiconductor en el que la capacidad de unin

presente en todos los diodos semiconductores, ha sido acentuada. Un cambio apreciable
en el espesor de la capa unin-deplexin y un cambio correspondiente en la capacidad se
presentan cuando se modifica la tensin continua aplicada al Diodo.

Diodo de circulacin libre: conectado a travs de una carga inductiva de tal manera que
conduce la corriente proporcionalmente a la energa almacenada en la inductancia. Esta
corriente circula cuando no se administra tensin en la carga y contina hasta que toda la
energa almacenada en el inductor se consume o hasta que se suministre de nuevo energa
a la inductancia desde la fuente de potencia.

Diodo de contacto de punta: Diodo que consiste en un semiconductor contra el que

presiona un cable muy fino. Este Diodo tiene una inductancia muy pequea y puede ser
utilizado como detector o mezclador de seales de toda la regin de las microondas. Tiene
una respuesta de ley en los niveles bajos de potencia.

DIODO DE CRISTAL DE CONTACTO DE PUNTA-DIODO DE RUPTURA BRUSCA:

Diodo de cristal: dispositivo semiconductor de dos electrodos que utiliza las propiedades
rectificadoras de una unin pn (Diodo de unin) o de un punto metlico crtico en contacto
con un material semiconductor (Diodo de puntas de contacto).

Diodo de contacto de punta: Diodo de cristal cuyo funcionamiento rectificador se

determina presionando el cristal con un conductor muy puntiagudo rodeado por un material
de tipo opuesto.

Diodo de cuatro capas: Diodo semiconductor que tiene tres uniones con conexiones
hechas slo en las dos capas exteriores que forman las uniones.

Diodo de doble base: vase transistor uniunin.

Diodo de gas: vlvula con un ctodo caliente y un nodo en una ampolla que contiene una
pequea cantidad de gas. Cuando est lo suficientemente positivo, los electrones que se
dirigen a l chocan con tomos de gas y lo ionizan. Como resultado, la corriente del nodo
es mucho ms fuerte que la que habra en un Diodo equivalente en el vaco.
Diodo de germanio: Diodo semiconductor en el que se usa una placa de cristal de
germanio como elemento rectificador.

Diodo de microondas: dispositivo con dos terminales que responde en la regin de

microondas del espectro magntico, normalmente considerada extendida entre uno y
trescientos GHz.

Diodo de portadores de alta energa: Diodo en el que una unin metal semiconductor
controlada muy estrictamente produce la eliminacin virtual de la carga almacenada. El
Diodo tiene unos tiempos de conmutacin rpidos, tiene unas caractersticas directas o
inversas excelentes, muy bajo nivel de ruido, y un amplio rango dinmico.

Diodo de recuperacin abrupta: varactor en el que la tensin directa inyecta portadores

a travs de la unin, pero antes que los portadores puedan combinarse, la tensin se
invierte y los portadores vuelven a su origen en grupo. El resultado es el cese brusco de la
corriente inversa y la generacin de onda rica en armnicos.

Diodo de ruido: fuente estndar de ruido elctrico que tiene una impedancia interna infinita
y en el que la corriente presenta fluctuaciones de ruido de granada pleno.

Diodo de ruptura brusca: Diodo de silicio pasivado en epitaxial planar que se procesa de
forma que se almacena una carga prxima a la unin cuando conduce el Diodo. Con la
aplicacin de tensin inversa, la carga almacenada fuerza el Diodo conmutar rpidamente
el estado del bloqueo.

DIODO DE SEAL-DIODO EMISOR DE INFRARROJOS:

Diodo de seal: Diodo semiconductor utilizado con el propsito de extraer o procesar

informacin contenida en una seal elctrica variable con el tiempo, y que puede ser de
naturaleza analgica o digital.

Diodo de silicio: cristal detector utilizado para rectificar o detectar seales de UHF y SHF.
Consiste en un contacto de metal mantenido sujeto contra un trozo de silicio en el estado
cristalino particular.

Diodo de sintonizacin: Diodo varactor empleado para sintonizacin de radiofrecuencia.

Este incluye funciones tales como control automtico de frecuencia, y ajuste de
sintonizacin automtico.

Diodo de tensin de referencia: Diodo que proporciona en sus terminales una tensin de
referencia de precisin determinada cuando es polarizado para operar dentro de un
determinado rango de corriente.

Diodo de tres capas: elemento con dos terminales controlado por tensin que presenta
una caracterstica bilateral con resistencia negativa. El dispositivo tiene tensiones de
conmutacin simtricas, entre 20 y 40 V y est diseado especficamente para uso como
disparador en circuitos de control de potencia de C.A. como los que usan triacs.

Diodo de unin: Diodo de dos terminales que contiene un slo cristal de material
semiconductor que se extiende desde tipo p hasta tipo n. Conduce la corriente ms
fcilmente en una direccin que en la otra y es un elemento bsico del transistor de unin.
Tal Diodo es la parte bsica de un lser de inyeccin; la zona prxima a la unin acta
como una fuente de luz emitida. Cuando se fabrica en una forma geomtricamente
adecuada, el Diodo de unin se puede usar como clula solar.

Diodo detector: Diodo a menudo asociado con circuitos de microondas, que convierte
energa RF en c.c o salida de vdeo.

Diodo disparador: Diodo de avalancha simtrico de tres capas empleado para controlar
triacs y tiristores. Tiene un modo simtrico de conmutacin, por lo que si para siempre que
se excede la tensin de ruptura con cualquier polaridad.

Diodo de emisor de infrarrojos: aparato semiconductor con una unin semiconductora en

el cual el flujo de radiacin infrarroja se produce, no trmicamente, cuando circula una
corriente como resultado de la tensin aplicada.

DIODO EMISOR DE LUZ-DIODO INVERSO:

Diodo de emisor de luz infrarroja: aparato optoelectrnico que contiene una

unin pn semiconductora que emite energa radiante de longitudes de onda de 0,75-100
micrmetros cuando est polarizado en sentido directo.

Diodo equivalente: Diodo imaginario que consiste en un ctodo de trodo o en un tubo

multirejilla y un nodo virtual al que se aplica una tensin de control de un valor tal, como
la corriente de ctodo ser la misma que la corriente del trodo o del tubo multirejilla.

Diodo fijador de nivel: Diodo utilizado para fijar la tensin en un determinado valor en un
circuito.

Diodo fotoparamtrico: dispositivo del tamao de una pldora para deteccin y

amplificacin simultnea de energa ptima modulada en frecuencias de microondas.

Diodo Gunn: oblea muy pequea de tipo n de arseniuro de galio que consiste en una fina
capa activa de arseniuro de galio tipo n crecida en sustrato de baja resistividad del mismo
material. El sustrato est ligado con el terminal de nodo del encapsulado y la otra cara de
la oblea tiene un contacto de ctodo evaporado conectado por medio de un hilo de oro
unido.

Diodo inverso: unin aleada de germanio fuertemente dopada que funciona segn el
principio del tnel mecnico cuntico. El Diodo est a la inversa porque el camino fcil para
la corriente est en la zona de tensin negativa de la caracterstica de tensin -intensidad.

DIODO LAMBDA-DIODO MAGNTICO.

Diodo lambda: Diodo de dos terminales consistentes en un par de JFET (transistores de

efecto de unin campo de unin) en un modo de agotamiento que se puede fabricar ms
fcilmente que los dispositivos convencionales de resistencia negativa. Pueden integrarse
slo en una pastilla o con dispositivos bipolares y MOS en la misma pastilla.
Diodo lser: Diodo de unin consistente en regiones de portadores positivos y negativos
con una regin de transicin (unin) pn, que emite radiacin electromagntica cuando los
electrones inyectados con polarizacin directa se recombinan con huecos en las
proximidades de la unin.

Diodo lser de inyeccin: fuente LED radiante encerrada en un rea de unin

extremadamente plana y con semiconductores huecos de banda directa, y que tiene una
cavidad ptima de fabri-perot.

Diodo limitador: Diodo conectado para actuar como cortocircuito cuando su nodo se
haga ms positivo que su ctodo; el Diodo tiende entonces a evitar que la tensin en los
terminales de un circuito suba por encima de la tensin del ctodo.

Diodo LSA: Diodo de acumulacin de carga espacial limitada. Es un Diodo para

microondas, similar al Diodo Gunn, excepto que impide la formacin de dominio o
agrupamientos de cargas; por lo que se consigue una potencia de salida ms alta a una
frecuencia determinada con una cavidad de microondas que es varias veces ms grandes
que las frecuencias del tiempo de propagacin.

Diodo magntico: dispositivo semiconductor sensible al magnetismo que tiene una

resistencia interna que vara en funcin del campo externo. Se puede obtener una seal
elctrica alternando el campo magntico; as una magnitud no elctrica puede ser
convertida en otra elctrica.

DIODO MEZCLADOR-DIODO PNPN (4 CAPAS).

Diodo mezclador: Diodo a menudo asociado a los circuitos de microondas, que combinan
seales de RF de dos frecuencias para generar una seal de RF a una tercera frecuencia.

Diodo NR: dispositivo semiconductor de unin en el que se pone de manifiesto una

resistencia negativa por la combinacin de una ruptura por avalancha y una modulacin de
la conduccin debida a la corriente que atraviesa la unin.

Diodo pelcula de xido de nquel: Diodo de estado slido elaborado con una pelcula de
xido de nquel. Puede pasar de inactivo a activo por aplicacin de un impulso de 30 V y
baja corriente durante 10 ms, y pasar de activo a inactivo por una aplicacin de un impulso
de 20 V y alta corriente durante 10 ms.

Diodo PIN: formado por un semiconductor en el que se ha difundido un dopante p en una

lado, y dopante n en el lado opuesto, controlando el proceso de tal manera que una
pequea regin pelcula separa los regiones pn. El tiempo de almacenamiento del Diodo
PIN es lo suficientemente grande para que no pueda rectificar ondas de frecuencia mayor
o igual que en las microondas.

Diodo plasmtico: mquina termodinmica que utiliza los electrones como fluido de
trabajo, cuya energa potencial se convierte en una forma de energa til (normalmente
elctrica).

Diodo PNP (4 capas): dispositivo semiconductor que se puede considerar como una
estructura de dos transistores con dos emisores separados que alimentan a un colector
comn. Esta combinacin constituye un lazo de realimentacin que es inestable cuando la
ganancia de bucle es mayor que la unidad. La inestabilidad da lugar a una corriente que
aumenta hasta alcanzar un valor mximo limitado por las resistencias hmicas.

DIODO RECTIFICADOR -DIODO TNEL:

Diodo rectificador: Diodo que presenta una caracterstica tensin-corriente asimtrica y

que se utiliza para rectificacin de corriente y de tensin.

Diodo semiconductor rectificador: diseado para la rectificacin y que en su forma

integral incluye sus montajes asociados y accesorios de refrigeracin.

Diodo separador: pasa seales en una direccin a travs de un circuito, pero que bloquea
seales y tensiones en la direccin opuesta.

Diodo Schockley: controlado de cuatro capas sin conexin de base utilizado como Diodo
conmutador o disparador.

Diodo tnel: Diodo pn al que se le ha aadido una gran cantidad de impurezas. El Diodo
tnel tiene gran capacidad de movimiento de carga y una regin de resistencia negativa por
encima de un nivel mnimo de tensin aplicada.

Diodo Zner: elemento de dos capas que, cuando se aplica una tensin superior a
determinado valor , experimenta un brusco incremento de intensidad. Si se polariza
directamente, el elemento se comporta como un simple rectificador. Pero cuando se le
polariza inversamente, el Diodo presenta un codo en su caracterstica tensin-intensidad.

Diodos LED

Los LEDs son diodos que emiten luz cuando son conectados a un circuito.

Su uso es frecuente como luces piloto en aparatos electrnicos para indicar si el circuito
est cerrado.

Los elementos componentes son transparentes o coloreados, de un material resina-epoxi,

con la forma adecuada e incluye el corazn de un LED: el chip semiconductor.

Los terminales se extienden por debajo de la cpsula del LED o foco e indican cmo deben
ser conectados al circuito. El lado negativo est indicado de dos formas: 1) por la cara
plana del foco o, 2) por el de menor longitud. El terminal negativo debe ser conectado al
terminal negativo de un circuito.
Los LEDs operan con un voltaje relativamente bajo, entre 1 y 4 volts, y la corriente est en
un rango entre 10 y 40 miliamperes. Voltajes y corrientes superiores a los indicados pueden
derretir el chip del LED. La parte ms importante del light emitting diode (LED) es el chip
semiconductor localizado en el centro del foco, como se ve en la figura.

El chip tiene dos regiones separadas por una juntura. La regin p est dominada por las
cargas positivas, y la n por las negativas. La juntura acta como una barrera al paso de los
electrones entre la regin p y la n; slo cuando se aplica el voltaje suficiente al chip puede
pasar la corriente y entonces los electrones pueden cruzar la juntura hacia la regin p.

Si la diferencia de potencial entre los terminales del LED no es suficiente, la juntura presenta
una barrera elctrica al flujo de electrones.

Qu causa la emisin de luz de un LED y qu determina el color de la luz?

Cuando se aplica una tensin al chip del LED los electrones pueden moverse fcilmente
slo en una direccin a travs la juntura entre p y n. En la regin p hay muchas cargas
positivas y pocas negativas. En cambio en la regin n hay ms cargas negativas que
positivas. Cuando se aplica tensin y la corriente empieza a fluir, los electrones en la regin
n tienen suficiente energa para cruzar la juntura hacia la regin p. Una vez en sta, los
electrones son inmediatamente atrados hacia las cargas positivas, de acuerdo a la ley de
Coulomb, que dice que fuerzas opuestas se atraen. Cuando un electrn se mueve lo
suficientemente cerca de una carga positiva en la regin p, las dos cargas se recombinan.

Cada vez que un electrn se recombina con una carga elctrica positiva, energa elctrica
potencial es convertida en energa electromagntica. Por cada una de
estas recombinaciones un quantum de energa electromagntica es emitido en forma de
fotn de luz con una frecuencia que depende del material semiconductor. Los fotones son
emitidos en un rango de frecuencia muy estrecho que depende del material del chip; el color
de la luz difiere segn los materiales semiconductores y requieren diferentes tensin para
encenderlos.

Cunta energa libera un LED?

 La energa elctrica es proporcional a la tensin que se necesita para hacer que los
electrones fluyan a travs de la juntura p-n. Son predominantemente de un solo color de
luz. La energa (E) de la luz emitida por un LED est relacionada con la carga elctrica (q)
de un electrn, y el voltaje (v) requerido para encenderlo se obtiene mediante la
expresin E= q x V . Esta expresin dice simplemente que el voltaje es proporcional al la
energa elctrica y es una regla general que se aplica a cualquier circuito, como el LED. La
constante q es la carga elctrica de un solo electrn: - 1,6 x 10 exp 19 Coulomb.

ENCONTRANDO LA ENERGA DESDE LA TENSIN

Supongamos que se ha medido el voltaje a travs de los terminales del LED, y Ud. desea
averiguar la energa necesaria para prender al LED. Supongamos que tiene un LED rojo y
que la tensin entre los terminales es de 1,71 volts; la energa requerida para prender el
LED es E= q x V

E= -1,6 x 10 exp 19. 1,71 Joule, dado que Coulomb / Volt es un Joule. La multiplicacin
de estos nmeros nos dan E= 2,74 x 10 exp 19 Joule.

ENCONTRANDO LA FRECUENCIA DESDE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ

La frecuencia de la luz est relacionada con la longitud de onda de luz de una manera muy
simple. El espectrmetro puede ser usado para examinar la luz de un LED, y para estimar
el pico de la longitud de onda emitido por el LED. Pero preferimos tener la frecuencia de la
intensidad pico de la luz emitida por el LED. La longitud de la onda est relacionada con la
frecuencia de la luz por la frmula

F = c / v , donde c el la velocidad de la luz y v es la longitud de onda de la luz leda desde

el espectrmetro (en unidades de nanmetros, es decir, la millonsima parte de un
milmetro).

Supongamos que observ un LED rojo con el espectrmetro y vio que el LED emite un
rango en colores con un mximo de intensidad de acuerdo con la longitud de onda leda en
el espectrmetro de = 660 nm.
La frecuencia correspondiente a la emisin del LED rojo es de 4,55 x 10 exp 14 Hertz. La
unidad de un ciclo de una onda en un segundo (ciclos por segundo) es un Hertz.

Informacin bsica sobre los LED

La mayora de las caractersticas de los LED s estn especificada para una corriente de 20
mA, si uno no est seguro de obtener 20 mA en la funcin de la conductividad del calor en
la plaqueta ms el calor del LED, variaciones de calor y corriente, conviene disear todo
para 15 mA.

- Cmo lograr 15 mA a travs del LED:

Primero se necesita saber la cada de tensin en el LED. Se puede asumir con suficiente
seguridad 1,7 V para rojo no muy brillante, 1,9 V para alto brillo, alta eficiencia y rojo de
baja corriente, y 2V para naranja y amarillo; 2,1 V para verde, 3,4 V para blanco brillante,
verde brillante sin amarillo y la mayora de los azules, 4,6 V para azul brillante de 430
nm. En general se disea para 12 mA para los tipos de 3,4 V y 10 mA para el azul de 430
nm.

Se puede disear una fuente que entregue mayor corriente si se est seguro de una
excelente disipacin de calor en el conjunto. En este caso asigne 25 mA a los LED de cerca
de 2V, 18 mA para los de 3,4 V y 15 mA para el azul de 430 nm.

En condiciones ptimas de disipacin de calor se puede hacer circular una corriente mayor
pero la vida til del LED se reducir al 50% del normal: 20.000 a 100.000 horas. En cuanto
al voltaje debe estar algo por arriba de lo asignado para los LED s. Use por lo menos 3 V
para los de bajo voltaje, 4,5 V para los de 3,4 V y 6 V para el azul de 430 nm.
El prximo paso es restar el voltaje de los LED s de la fuente; esto le da la cada de voltaje
que se logra mediante una resistencia. Ej.: 3, 4 V del LED con una fuente de 6 V. haciendo
la resta da 2,6 V de cada que debe ser producida por la resistencia.

El prximo paso consiste en dividir la cada de voltaje por la corriente del LED, obtenindose
as el valor de la resistencia; al dividir V / A se obtiene un valor de resistencia en ohms. Si
se divide V / mA la resistencia se obtiene en K ohms.

Otro paso a seguir es determinar la potencia de la resistencia. Multiplique la cada de voltaje

por la corriente del LED para obtener la potencia de la resistencia.

No ponga los LED s en paralelo entre s; si bien sto funciona no es confiable porque los
LED s se vuelven ms conductores a medida que aumenta su temperatura, con lo que se
vuelve inestable la distribucin de la corriente. Cada LED debe tener su propia resistencia.

RESUMIENDO: la tensin de arranque de un LED depende del color que deban emitir,
teniendo en cuenta los materiales de los que estn hechos, que se eligen de acuerdo al
color

Fotodiodos

Los fotodiodos se hacen trabajar con una tensin inicial en sentido de bloqueo. Sin dicha
tensin inicial trabajan, el sentido de paso, como fotoelementos (son bipolos que al ser
iluminados engendran tensin). La corriente en la oscuridad es reducida. Con resistencias
de trabajo de elevado valor ohmico pueden engendrarse variaciones de tensin que
alcanzan casi la plena tensin de servicio.

Como probar componentes electrnicos

Prueba de capacitores

Capacitores de bajo valor

La prueba de capacitores de bajo valor se limita a saber si los mismos estn o no en

cortocircuito.
Valores por debajo de 100nf en general no son detectados por el multmetro y con el mismo
en posicin R1k se puede saber si el capacitor esta en cortocircuito o no segn muestra
la figura.
Si el capacitor posee resistencia infinita significa que el componente no posee prdidas
excesivas ni est en cortocircuito. Generalmente esta indicacin es suficiente para
considerar que el capacitor est, en buen estado pero en algn caso podra ocurrir que el
elemento estuviera "abierto", o que un terminal en el interior del capacitor no hiciera
contacto con la placa.

Para confirmar con seguridad el estado del capacitor e incluso conocer su valor, se puede
emplear el circuito de la figura.

Para conocer el valor de la capacidad se deben seguir los pasos que se describen a
continuacin:

1. Armado el circuito se mide la tensin V1 y se anota.

2. Se calcula la corriente por el resistor que ser la misma que atraviesa el capacitor
por estar ambos elementos en serie I = V1 / R
3. Se mide la tensin V2 y se anota.
4. Se calcula la reactancia capacitiva del componente en medicin XC = V2 / I
5. Se calcula el valor de la capacidad del capacitor con los valores obtenidos
C = 1 / [ XC . 6 , 28 . f ]

Observaciones

Se debe emplear un solo voltmetro.

La frecuencia ser 50 60Hz segn el pas donde ests ya que es la correspondiente a la
red elctrica.
Elegir el valor de R segn el valor del capacitor a medir:

Capacidad a medir Resistencia serie

0 , 01uf < Cx < 0 , 5uf 10K
Cx orden de los nanofarad 100K
Cx mayores hasta 10uf 1K

Con este mtodo pueden medirse capacitores cuyos valores estn comprendidos entre 0 ,
01uf y 0 , 5uf.
Si se desean medir capacidades menores debe tenerse en cuenta la resistencia que posee
el multmetro usado como voltmetro cuando se efecte la medicin.
Para medir capacidades mayores debe tenerse en cuenta que los capacitores sean no
polarizados, debido a que la prueba se realiza con corriente alterna.

Capacitores electrolticos

Los capacitores electrolticos pueden medirse directamente con el multmetro utilizado

como ohmetro. Cuando se conecta un capacitor entre los terminales del multmetro, este
har que el componente se cargue con una constante de tiempo que depende de su
capacidad y de la resistencia del multmetro. Por lo tanto la aguja deflexionar por completo
y luego descender hasta cero indicando que el capacitor est cargado totalmente, ver
figura.

El tiempo que tarda la aguja en descender hasta 0 depender del rango en que se encuentra
el multmetro y de la capacidad del capacitor. En la prueba es conveniente respetar la tabla
I.

TABLA I

Valor del capacitor Rango

Hasta 5uf R1k
Hasta 22uf R100
Hasta 220uf R10
 Mas de 220uf R1

Si la aguja no se mueve indica que el capacitor est abierto, si va hasta cero sin retornar
indica que est en cortocircuito y si retorna pero no a fondo de escala entonces el
condensador tendr fugas.
En la medida que la capacidad del componente es mayor, es normal que sea menor la
resistencia que debe indicar el instrumento.
La tabla II indica la resistencia de prdida que deberan tener los capacitores de buena
calidad.

TABLA II

Capacitor Resistencia de prdida

10uf Mayor que 5M
47uf Mayor que 1M
100uf Mayor que 700K
470uf Mayor que 400K
1000uf Mayor que 200K
4700uf Mayor que 50K

Se realizar la prueba dos veces, invirtiendo la conexin de las puntas de prueba del
multmetro. Para la medicin de la resistencia de prdida interesa la que resulta menor
segn muestra la figura.

Prueba de diodos

Los diodos son componentes que conducen la corriente en un solo sentido, teniendo en
cuenta esto se pueden probar con un multmetro en la posicin ohmetro. El funcionamiento
de tal aparato de medida se basa en la medicin de la corriente que circula por el elemento
bajo prueba. Es muy importante conocer la polaridad de la batera interna del los
multmetros analgicos en los cuales la punta negra del multmetro corresponde al terminal
positivo de la batera interna y la punta roja corresponde al terminal negativo de la batera.
Se emplear un multmetro y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las
escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin ohm
x 100. As cuando se intenta medir la resistencia de un diodo, se encontrarn dos valores
totalmente distintos, segn el sentido de las puntas. Si la punta roja (negativo) se conecta
a la zona N (ctodo del diodo) y la punta negra a la P (nodo), la unin se polariza en directo
y se hace conductora. El valor concreto indicado por el instrumento no tiene significado
alguno, salvo el de mostrar que por la unin circula corriente.

Por el contrario, cuando la punta roja se conecta a la zona P (nodo), y la negra a la zona
N (ctodo), se esta aplicando una tensin inversa. La unin no conducir, y esto ser
interpretado por el instrumento como una resistencia muy elevada.

Prueba de transistores

Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposicin (tiene dos uniones), por lo tanto las
medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado, pensando que el electrodo
base es comn a ambas direcciones.
Se emplear un multmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento
en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin
ohm x 100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de
ste, ya que si es NPN se proceder de forma contraria que si se trata de un PNP. Para el
primer caso (NPN) se situar la punta negra (negativo) del multmetro sobre el terminal de
la base y se aplicar la punta roja sobre las patitas correspondientes al emisor y colector.
Con esto se habr aplicado entre la base y el emisor o colector, una polarizacin directa, lo
que traer como consecuencia la entrada en conduccin de ambas uniones, movindose
la aguja del multmetro hasta indicar un cierto valor de resistencia, generalmente baja
(algunos ohm) y que depende de muchos factores.

A continuacin se invertir la posicin de las puntas del instrumento, colocando la punta

roja (positivo) sobre la base y la punta negra sobre el emisor y despus sobre el colector.
De esta manera el transistor recibir una tensin inversa sobre sus uniones con lo que
circular por l una corriente muy dbil, traducindose en un pequeo o incluso nulo
movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el mtodo a seguir es justamente
el opuesto al descripto, ya que las polaridades directas e inversas de las uniones son las
contrarias a las del tipo NPN.
Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multmetro entre
los terminales de emisor y colector en las dos posibles combinaciones que puede existir; la
indicacin del instrumento ser muy similar a la que se obtuvo en el caso de aplicar
polarizacin inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la base sin conexin el transistor
estar bloqueado. Esta comprobacin no debe olvidarse, ya que se puede detectar un
cortocircuito entre emisor y colector y en muchas ocasiones no se descubre con las medidas
anteriores.

COMO IDENTIFICAR Y MEDIR ALGUNOS COMPONENTES

FIG. 1

Como se ve en la imgen superior FIG. 1 , el Tester Digital est seleccionado para

realizar mediciones de semiconductores ( simbolo del diodo ). Al colocar las Puntas
de Prueba, POSITIVO en uno de los pines del TRANSISTOR y NEGATIVO en el otro
extremo.....ste nos da un valor que es de . 5 4 6 , a continuacin veremos la siguiente
imgen :
FIG. 2

Vemos que al mantener la Punta de Prueba Positiva en el mismo pin y colocamos la

Punta de Prueba Negativa en el pin central FIG. 2, el instrumento nos da un valor
distinto y menor que la medicin anterior que es de . 4 7 4.

Si nosotros invertimos las Puntas de Prueba y realizamos las mismas acciones

anteriores, como se ve en las figuras siguientes :
FIG. 3

Vemos que al colocar las Puntas de Prueba, NEGATIVO en uno de los pines del
TRANSISTOR y POSITIVO en el otro extremo el instrumento nos da un valor infinito
FIG. 3, a continuacin veremos la siguiente imgen :
FIG. 4

Vemos que al mantener la Punta de Prueba Negativa en el mismo pin y colocamos la

Punta de Prueba Positiva en el pin central, el instrumento nos sigue dando un valor
infinito FIG. 4.

Los resultados de stas pruebas nos estn demostrando algo que es primordial,
especialmente en la medicin de un TRANSISTOR de Silicio Bipolar y es la
identificacin individual de cada uno de los pines. La imgen que muestra la FIG. 1 y
FIG. 2 tienen en comn la Punta de Prueba POSITIVA, y recordando que las junturas
de un TRANSISTOR tienen en comn la BASE, ya tenemos identificado el primer pin.

La FIG. 1 y FIG. 2 muestran que el instrumento da DOS valores diferentes al usar la

Punta de Prueba NEGATIVA . En la FIG. 1 el valor es superior al de la FIG. 2 y
por norma natural de las junturas la BASE EMISOR es mayor FIG. 1 que la BASE
COLECTOR FIG. 2, es decir que el TRANSISTOR es del tipo ( N-P-N ), la P es la base
ROJO POSITIVO comn y est polarizado directamente por el tester digital y para
ambas junturas, una juntura N-P es la EMISOR-BASE y la otra juntura P-N es la BASE-
COLECTOR.

La FIG. 3 y la FIG. 4 nos muestran que al medir con polarizacin inversa las junturas
del TRANSISTOR, ste se comporta como un aislante.
NOTA 1: El Tester Digital entrega en las Puntas de Prueba un voltaje suficiente para
hacer trabajar y polarizar directamente las junturas del transistor; el voltaje es
entregado por la batera interna y es un voltaje contnuo y no alterno.

FIG. 1 BASE - EMISOR MAYOR que FIG. 2 BASE - COLECTOR

Para un TRANSISTOR P-N-P el proceso es inverso.

MEDIDA DE UN DIODO DE SILICIO

FIG. 5

La FIG. 5 muestra las Puntas de Prueba midiendo la polarizacin directa de un Diodo

de Silicio, en donde vemos que la Punta de Prueba POSITIVA est en el nodo y la
Punta de Prueba NEGATIVA en el Ctodo, la juntura tine un valor similar a la juntura
de un TRANSISTOR.
FIG. 6

La FIG. 6 muestra las Puntas de Prueba midiendo la polarizacin inversa de un Diodo

de Silicio, en donde vemos que la Punta de Prueba POSITIVA est en el Ctodo y la
Punta de Prueba NEGATIVA en el nodo, la juntura tine un valor infinito.

NOTA 2 : Cada Diodo sea de Germanio o de Silicio, presenta un valor diferente o

similar pero la idea primordial es la de identificar las polaridades de ste ( nodo y
Ctodo )

IDENTIFICAR Y MEDIR COMPONENTES DAADOS O QUEMADOS

Sabemos ya como se mide un Diodo y un Transistor que estn buenos, pero que pasa
cuando estn malos ?.?..?...... ntes que nada debemos tener las siguientes
herramientas aparte del TESTER DIGITAL :

FIG. 7a FIG. 7b
La FIG. 7a corresponde a un extractor o removedor de Soldadura el cual trabaja
succionando el aire y llevndose consigo al interior la Soldadura ya derretida por el calor
aplicado por la punta del Cautn o Calentador FIG. 7b.

Para reconocer bsicamente un Semiconductor daado, debemos realizar los siguientes

pasos :

1.- Exploracin Visual .

2.- Reconocer e Identificar los componentes ( RESISTENCIAS - CONDENSADORES -

SEMICONDUCTORES - BOBINAS - ETC.. )

3.- Extraer los componentes dudososo o defectuosos reconocidos visualmente .

4.- Medir componentes con el TESTER DIGITAL .

5.- Reemplazar el componente daado .

IMGENES DE ALGUNOS COMPONENTES DAADOS

FIG. 8

FIG. 9

FIG. 10

La FIG. 8 muestra una RESISTENCIA que visualmente est irreconocible y al medir con el
TESTER DIGITAL nos de un valor no real, pero ayudados por una LUPA o LENTE de
AUMENTO podemos observar ms detalladamente los posibles colores (MARRON -
NEGRO - MARRON o ROJO ), la ltima banda de color es insegura adems es la banda
de multiplicacin, si fuera de color MARRON sera una RESISTENCIA de 100 OHM, y si
fuera de color ROJO sera una RESISTENCIA de 1000 OHM o 1K OHM ( K= Kilo ). La FIG.
9 muestra una RESISTENCIA en condiciones similares al de la FIG. 8, pero la FIG. 10
revela lo que sucede con una RESISTENCIA que se quema y es ilegible su identificacin,
sto es causado por una POTENCIA que la resistencia no es capaz de soportar,
generalmente estn quemados otros componentes que van conectados electricamente al
circuito.

Para asegurarnos de colocar o reemplazar la RESISTENCIA adecuada FIG. 8 y FIG. 9, es

mejor colocar la de 1K OHM y desde ste valor resistivo comenzar a usar resistencias ms
pequeas, bajando en la escala resistiva( 910 OHM - 820 OHM - ....100 OHM ... 2 OHM. )
y haciendo las pruebas de funcionamiento correspondientes para cada valor hasta que el
circuito funcione correctamente. Pero en el caso de la FIG. 10 se debe analizar el circuito.
En resmen la idea es comenzar con un valor alto.

NOTA 3 : Tener presente la POTENCIA de la RESISTENCIA al reemplazarla.

FIG. 11

La FIG. 11 muestra un DIODO de SILICIO que est quebrado, producto de una Sobre
Tensin o Sobre Corriente mayor de la que es capaz de soportar el SEMICONDUCTOR.
ste tipo de casos es identificable a simple vista, pero si al medir un DIODO con el TESTER
DIGITAL el resultado no es similar como el de la FIG. 5 entonces es que est daado.

NOTA 4 : Al medir con un TESTER DIGITAL un DIODO que este daado, ste medir en
ambos sentidos (se dice tcnicamente que est en corto circuito), o simplemente no medir
ningn valor ( se dice tcnicamente que est abierto ) .