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actualmente es el silicio, por lo que la discusin en este tema va a estar centrada en dicho
abundante en la corteza terrestre (despus del oxgeno) con un porcentaje en peso del 25,7%.
Est presente en multitud de materiales, tan diversos como la arena, la arcilla, el vidrio o el
hueso. El silicio puro no se encuentra en la naturaleza, pero bajo las condiciones adecuadas
segn una red tipo diamante con simetra cbica, en donde cada tomo forma enlaces
covalentes con otros cuatro adyacentes. As todos los tomos tienen la ltima rbita completa
con ocho electrones (Figura 1).
electrones libres. En los semiconductores tambin son los electrones los responsables de la
corriente. Sin embargo, puesto que en este caso provienen de un enlace covalente y no de una
trmica, existen huecos y electrones en nmeros iguales, porque cada electrn trmicamente
electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en l. A este
fenmeno se le denomina recombinacin, y supone la desaparicin de un electrn y de un
hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su neutralidad elctrica.
2.3 IMPURIFICACION O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES
composicin cristalina. Como veremos a lo largo de este curso, es esta caracterstica de los
semiconductores la que permite la existencia de circuitos electrnicos integrados.
silicio (que pertenece al grupo IV) por otro de fsforo (grupo V), pentavalente. Como slo hay
la posibilidad de establecer cuatro enlaces covalentes con los tomos de silicio adyacentes, un
electrn quedar libre. Teniendo en cuenta esto, es fcil deducir que es lo que ocurrir si se
sustituye un tomo de silicio por otro de un elemento perteneciente al grupo III, el boro por
ejemplo: evidentemente se introducir un hueco, ya que el boro solo aporta tres electrones de
valencia. Las dos situaciones se clarifican en la Figura 2.
propiedades elctricas en zonas determinadas del material. As, se habla de dopado tipo P N
(en su caso, de silicio P N) segn se introduzcan huecos o electrones respectivamente.
Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura mayor que cero este
material estar formado por:
global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que existen electrones. En este
caso, los huecos son los portadores mayoritarios, y los electrones los minoritarios. Si se trata
de un material de tipo N, los portadores mayoritarios sern los electrones, y los minoritarios los
huecos. Con la tabla siguiente se pretende rematar estos conceptos.
Portadores Portadores
Material
mayoritarios minoritarios
Silicio Puro
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos
Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global del
material.
generacin trmica es mucho menor que la causada por los dopados. Pues bien, si se eleva la
Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos tipos de
corrientes:
huecos, y que aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos que sucede con los
portadores de carga:
Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones
provocar el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se
originar una corriente elctrica. La densidad de la corriente elctrica (nmero de cargas que
(qE), del nmero de portadores existentes y de la facilidad con que estos se mueven por la
red, es decir:
Je = en(qE)
en donde:
Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones asociados
a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace
cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el
sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se repite, el hueco continuar desplazndose.
Aunque este movimiento se produce por los saltos de electrones, podemos suponer que es el
hueco el que se est moviendo por los enlaces. Este ltimo prrafo se entiende a la perfeccin
con Figura 3.
Figura 3: Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones
La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco como
una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Obsrvese que los
electrones individuales de enlace que se involucran en el llenado de los espacios vacantes por
la propagacin del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos
electrones se mueve nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un
electrn libre se mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico.
Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos viene dada
por:
Jh = hp(qE)
en donde:
sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los electrones se movern en
el sentido opuesta a la del campo elctrico, mientras que los huecos lo harn en segn el
campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el sentido indicado por el campo, o
bien un flujo neto de cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, se mire por donde se
J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)
difusin. Imaginad (el que no tenga mucha imaginacin que mire la Figura 4) que tenemos una
caja con dos compartimentos separados por una pared comn. En un compartimento
introducimos un gas A, y en el otro un gas B.
Si en un momento determinado se abre una comunicacin entre las dos estancias parte del gas
A atravesar la pared para ocupar el espacio contiguo, al igual que el B. El resultado final es
que en ambas estancias tendremos la misma mezcla de gases A+B. La difusin de partculas es
un mecanismo de transporte puramente estadstico, que lleva partculas de donde hay ms, a
donde hay menos, siempre que no haya ninguna fuerza externa que sea capaz de frenar dicho
proceso. Matemticamente puede expresarse esta idea mediante la primera ley de Fick, que
establece que el flujo de partculas que atraviesa una superficie (J partculas/s/m2) es proporcional al
gradiente de concentracin (c partculas/m3) de dichas partculas:
si, por las razones que sean, tuviramos un semiconductor tipo P cuya concentracin de huecos
no fuera constante, sino variable segn la direccin x. Los huecos tendern a emigrar de la
trmico aleatorio de los portadores. No est relacionado con la carga de los mismos o con la
presencia de ningn campo elctrico.
mediante el cual se pueda generar un gradiente de densidad. Dado que un metal nicamente
hay portadores negativos de carga, cualquier gradiente de portadores que se pudiera formar
de arrastre, que de manera instantnea anulara el gradiente antes de que pudiera darse la
difusin. Por contra, en un semiconductor hay portadores positivos y negativos de carga, por lo
El segundo trmino de la expresin tiene signo negativo porque la pendiente negativa de los
huecos da lugar a una corriente de los huecos.
La resistencia por cuadrado representa la resistencia entre dos caras opuestas verticales.
Si se considera que t vale 0.8mm, calcular la densidad de dopado tipo P para que la resistencia
por cuadrado valga 1kW.
T= temperatura en Kelvin
Comprese los coeficientes de difusin para silicio tipo N con una densidad de dopado de
1014 at/cm3 para 25C y 100C.
El cmo un material responde a las fuerzas elctricas depende de cmo se hallen dispuestos sus tomos.
Cuando los tomos se hallan unidos juntos para formar slidos, lquidos o gases, la forma en que se
hallan dispuestos los electrones depende de los detalles finos de las fuerzas entre los tomos.
En particular, determinan si los electrones son capaces de moverse en torno al material en respuesta a
fuerzas elctricas externas, o lo que es lo mismo, si la corriente elctrica puede moverse a travs del
material.
Un conductor es un material a travs del cual puede fluir la corriente elctrica. Para ser un conductor,
un material debe contener cargas elctricas libres. Hay muchos tipos de conductores, y difieren en el
tipo de cargas libres disponibles y en cmo son creadas.
En materiales como los metales, algunos electrones no se hallan ligados a sus tomos individuales, sino
que son libres de moverse a travs del material: en efecto son compartidos por todos los tomos.
Esas partculas sueltas reciben el nombre de electrones de conduccin. En un metal como el cobre,
aproximadamente un electrn por tomo es de ese tipo. Los metales son los conductores ms
comunmente usados.
Sin embargo no hace falta que un material sea un metal para que conduzca la electricidad. Cuando
encendemos una luz fluorescente, algunos de los tomos en el gas se ionizan y pierden electrones.
Esos electrones libres pueden moverse cuando es aplicado un voltaje. Del mismo modo, si disolvemos sal
en agua, habr iones cargados flotando en el agua. Esos iones son libres de moverse, y en consecuencia
pueden constituir una corriente elctrica. Tanto el agua salada como los gases ionizados son ejemplos
de conductores no metlicos.
Para que un material que transporte electricidad sea asequible, debe ser barato y buen conductor
elctrico, por lo cual el cobre es ideal ya que rene esas dos caractersticas. Por ello es el conductor
ms usado, como por ejemplo en los cables elctricos de las casas.
El aluminio es tambin usado ocasionalmente con esa finalidad, pero no es tan buen conductor como el
cobre. En situaciones en las que el coste no es una objecin, como en los satlites espaciales, en los
circuitos elctricos se usa el oro y la plata porque son ligeramente mejores conductores que el cobre,
aunque son mucho ms caros.
En un aislante, los electrones se hallan fuertemente ligados a sus tomos. Un aislante es un material
que no transporta la corriente elctrica. Las fuerzas elctricas externas no son lo bastante fuertes como
para apartar los electrones de sus molculas madre en un material as.