Energa Solar

Fotovoltaica - ESF
MDULO 2:
PRINCIPIOS FSICOS DE LOS
DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS
Rafael Martn Lamaison Urioste
Dept. dEnginyeria Electrnica-UPC
Principio fsico de la celda solar
Introduccin: conceptos bsicos
tomos
Electrones
Tipos de materiales

Semiconductores
Modelo de bandas de energa
Tipos de semiconductores
Semiconductor intrnseco
Semiconductor Extrnseco
Ley de accin de masas

La unin PN
Unin PN en circuito abierto

Principio fotovoltaico
Principio fsico de funcionamiento de la celda solar
 Introduccin: Conceptos bsicos
tomo y electrones
Fsica Clsica la matria est constituida por tomos
Electrones (presentan una carga negativa muy
pequea)

Ncleo Unidad de carga:

Culombio 1C la carga
protones y neutrones de 6,24.1018 e-

Capa N de electrones

K -------------- 02
L -------------- 08 K LM NO P Q
M --------------18
N ---------------32
O -------------- 32
P ---------------18
Q -------------- 08
Introduccin: Conceptos bsicos

La ltima capa (tambin denominada

capa de valencia), presenta cuando
completa un total de 08 electrones, que
reciben la denominacin de electrones de
valencia
Los electrones de valencia son los
nicos en condiciones de participar en
fenmenos qumicos o mismo elctricos.
 Introduccin: Conceptos bsicos
Los tomos de los elementos simples, cuando estn
completos son neutros (electrones y protones en igual
cantidad); pero dado que los electrones de valencia son los
ms alejados del ncleo y por tanto perciben menos su fuerza
de atraccin, pueden salirse de dicha orbita dejando el tomo
cargado positivamente (iones positivos).
tomos estables e inestables: Se llama tima tomo estable al
que tiene completa de electrones su ltima orbita o al menos
dispone en ella de 8 electrones. Los tomos inestables, que son
los que no tiene llena su orbita de valencia ni tampoco 8
electrones en ella, tienen una gran propensin a convertirse en
estables, bien desprendindose de los electrones de valencia o
bien absorbiendo del exterior electrones libres hasta completar
la ltima orbita, en cada caso realizan lo que menos energa
suponga.
 Introduccin: Conceptos bsicos

Tipos de semiconductores

Segn la fuerza en que los electrones de valencia estn

ligados al ncleo y, por tanto, segn la facilidad con que se
pueden desplazar de un tomo al contiguo, los materiales se
pueden clasificar en 3 clases: conductores, semiconductores
y aislantes

Conductores
Los conductores como los metales (p.e. cobre y aluminio),
estn formados por tomos en los que los electrones no estn
muy ligados al ncleo y fcilmente se desplazan al otro con
tal que exista una pequea diferencia de potencial, por tanto,
apenas necesitan energa para conducir.
 Introduccin: Conceptos bsicos
Semiconductores
A muy bajas temperaturas, los semiconductores tienen la propiedad
de un aislante; sin embargo, a temperaturas ms altas algunos
electrones tienen libertad de movimiento y los materiales adoptan
las propiedades de un conductor, si bien de un conductor pobre. No
obstante, los semiconductores tienen algunas caractersticas tiles
que lo hacen distintos tanto de los aislantes como de los
conductores.

Aislantes
En los materiales aislantes, como el polietileno y el vidrio, los electrones de
valencia estn ligados con firmeza a los ncleos de los tomos y muy pocos
pueden liberarse para conducir electricidad. La aplicacin de un campo elctrico
no causa un flujo de corriente pues no hay portadores mviles de carga. Por
tanto, la energa necesaria para conducir es muy elevada.
 Semiconductores

Modelo de bandas de energa

Se trata de un modelo para explicar como funcionan los materiales.
Los electrones dentro de un material se pueden desplazar nicamente a niveles
de energa permitidos. En la figura siguiente se muestra dicho modelo de
bandas de energa.

- Banda de conduccin
Ec
Nivel prohibido Banda prohibida
Ev
- Banda de Valencia
 Semiconductores
El ancho de la banda prohibida o gap de energa (Eg) es la
diferencia entre la energa de conduccin (Ec) y la energa de
valencia (Ev), como se indica en la siguiente ecuacin:

Eg = Ec Ev

u ccin
d
e C on
Ec
a n da d
B

Eg 1ev Eg

Ban
da de V
alenEv
cia
Conductores -
Semicon Aislantes
ductores
Ec >> Ev
 Semiconductores

Tipos de semiconductores

Los semiconductores se pueden presentar de dos

maneras:

Elementos simples: Elementos de la columna

4 de la tabla peridica de los elementos, como
pueden ser el Silicio (Si) y el Germanio (Ge).

Compuestos qumicos complejos: Arseniuro

de Galio (GaAs), Fsforo de Indio, Teluro de
Cadmio, Sulfuro de Cadmio.
Semiconductores
 Semiconductores
Semiconductor intrnseco: Es un cristal puro que no est dopado
(no contiene impurezas).
A la temperatura de 0 K, los electrones estn en los menores estados de
energa disponibles, con lo cual los enlaces no se rompen. En estas condiciones
el material se comporta como un aislante elctrico.

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si

En un cristal intrnseco (puro), cada tomo se posiciona formando una

especie de retcula, con cuatro tomos cercanos. Cada par de tomos
cercanos forma lo que se denomina enlaces covalente. stos enlaces estn
formados por los 4 electrones de la capa de valencia.
Semiconductores
Semiconductores
 Semiconductores
Material semiconductor intrnseco sometido a una fuente
de energa

Si al semiconductor intrnseco se le aplica una fuente de energa

como luz, calor, campo elctrico, campo magntico, etc., algunos
enlaces covalentes se rompen por ionizacin trmica, con lo cual
se generan electrones libres (generacin de electrones libres) y
huecos en igual nmero.
Para la generacin de electrones libres, el silicio necesita una
energa de 1,1 ev y el germanio 0,8 ev. Cuando el cristal puro se
somete a una fuente de energa, se puede romper un enlace,
creando un hueco y un electrn libre que pueden moverse con
libertad por todo el cristal. Incluso a temperatura ambiente
(aproximadamente 300 K), algunos electrones alcanzan la
suficiente energa trmica como para liberarse de sus enlaces.
 Semiconductores
Hueco Radiacin

Si Si Si Si
e- e-

Si Si Si Si

Si Si Si Si
El hueco pude entenderse como la carga ideal positiva (carga
igual a la del e- pero de signo negativo)
Semiconductores
Semiconductores
 Semiconductores
En los semiconductores la conduccin de electricidad es debida
tanto los electrones como a los huecos que se mueven en sentido
contrario.
Sentido de movimiento de los
- - - - electrones
- - - -
- - - -
Sentido de movimiento de los huecos

En un semiconductor intrnseco, existe un nmero igual de

huecos y electrones libres que pueden moverse con facilidad
por el cristal. As, podemos decir que en un material puro:
n -> concentracin de los electrones
n = p = ni p -> concentracin de los agujeros
ni -> constante de cada material a una
temperatura: concentracin intrnseca de e- o h+.
Semiconductores
 Semiconductores
Semiconductor extrnseco (tipo n y p)
Se trata de un semiconductor al cual se le aaden impurezas para
aumentar el nmero de portadores libres.

Tipos de impurezas utilizadas:

Semiconductor tipo n Para formar un semiconductor tipo n se aaden
impurezas donadoras, ND, con lo cual, se aumenta el nmero de electrones: los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. Las impurezas donadoras son tomos pertenecientes a la columna 5
de la tabla peridica de los elementos (tomos pentavalentes), como pueden ser
el arsenio, antimonio y fsforo.

Semiconductor tipo p Para formar un semiconductor tipo p se aaden

impurezas aceptadoras, NA, con lo cual, se aumenta el nmero de huecos: los
huecos son los portadores mayoritarios y los electrones son los portadores
minoritarios. Las impurezas aceptadoras son tomos pertenecientes a la columna
3 de la tabla peridica de los elementos (tomos trivalentes), como pueden ser el
boro, indio o galio.
Semiconductores
 Semiconductores
Semiconductor tipo n

Si Si Si Si Electrn poco
ligado al ncleo

Si Si F Si Red cristalina del

silicio con un
tomo de fsforo
Si Si Si Si
e-
e- tomo de fsforo
e-
F con los 5 electrones
de su ltima capa.
e-
e-
Semiconductores
 Semiconductores
Semiconductor tipo p

Si Si Si Si Enlace covalente
incompleto

Si Si B Si Red cristalina del

silicio con un
tomo de boro
Si Si Si Si
e- tomo de Boro con
e-
B los 3 electrones de
su ltima capa.
e-
Semiconductores
 Semiconductores
Ley de accin de masas
Al aadir impurezas donadoras a un semiconductor provoca una disminucin de
agujeros.
Por otro lado, al aadir impurezas aceptadoras a un semiconductor provoca una
disminucin de electrones por debajo del nivel del intrnseco.
Se puede demostrar que en un semiconductor extrnseco o dopado, el producto de la
concentracin de agujeros y electrones es una constante independiente de la cantidad
de impurezas aceptadoras o donadoras que se aaden:
2 Como ya se ha mencionado, ni es la concentracin de
n . p = ni electrones o huecos en el semiconductor intrnseco.

Concentracin de portadores
2
2 ni
Tipo n n ND n . p = n i p= N
A
2
2 ni
Tipo p p NA n . p = n i n =
ND
 La unin PN: conceptos bsicos
La unin PN consta de un nico cristal de material semiconductor, que est
dopado para producir material de tipo n en un lado y de tipo p en el otro.
Se pueden aadir impurezas al cristal a medida que va creciendo, o
aadirlas ms tarde, ya sea por difusin de tomos de impurezas en el
cristal, ya sea por implantacin de iones. Antes de unir las dos mitades de
la unin, el lado N tiene una alta concentracin de electrones libres y una
baja concentracin de huecos. En la mitad de tipo p tenemos la condicin
inversa.
Debido al alto gradiente de concentracin de portadores de un mismo tipo a
cada lado de la unin (en un lado son mayoritarios y en el otro
minoritarios), tienden a pasar por difusin desde el lado donde son mayora
al lado donde son minora.

Al ocurrir esto, dejan en las proximidades de la unin una zona de cargas

fijas (negativas en la zona P y positivas en la N) producindose a ambos
lados de la unin un dipolo elctrico que crea un campo elctrico dirigido de
la zona N a la zonas P que tiende a compensar esta difusin de
portadores, llegndose as a una situacin de equilibrio.
 La unin PN: conceptos bsicos
As cuando tenemos un semiconductor tipo p en contacto con un semiconductor
tipo n, como se muestra en la siguiente figura:

P N
Podemos resumir lo que se ha expuesto anteriormente con los pasos que se
describen a seguir:
1. Se produce una difusin de huecos de la regin P a la regin N y una difusin
de electrones de la regin N a la regin P.
2. Al haber difusin algunos huecos que pasan de la regin P a la regin N y
algunos electrones que pasan de la zona N a la zona P, se recombinan hasta
alcanzar el equilibrio.
3. Tal como se muestra en la siguiente figura, despus del proceso de difusin y
recombinacin, se produce en la unin una zona de deplexin (tambin llamada
zona de carga espacial zona de vaciamiento) formada por las cargas estticas
(iones) de la estructura cristalina.
 La unin PN: conceptos bsicos
Zona de vaciamiento Vaciada de portadores libres
o zona de deplexin

+ + + -
-
-
-
+ +
- - - --
+ + ++
+ +
- -
+ - -E + + -
- - -- --
+ + + + - - + +

Pierden huecos Pierden electrones

Iones o cargas estticas

No se pueden mover

4. En esa zona de deplexin que se ha formado se crea un campo elctrico E (de la
regin N a la regin P o de los iones + a los iones -) con lo cual se produce una cada
de potencial sobre dicha regin (de signo contrario) denominado potencial de contacto
o potencial de unin (Vo). Su magnitud es del orden de 0,3 a 0,7 voltios, dependiendo
del tipo de semiconductor, germanio o silicio, respectivamente. En la siguiente figura
se puede ver la distribucin de potencial a lo largo del eje perpendicular de la unin.
 La unin PN: conceptos bsicos
Potencial
Vo

x
5. El campo elctrico impide que ms portadores atraviesen la unin.
6. Existen dos tipos de corriente:
Corriente de difusin (ID) debida a los portadores mayoritarios.
Electrones de la regin N a la regin P y huecos de la regin P a la regin N. Cuanto mayor es el
potencial de unin, menor es la corriente de difusin ID.
Corriente de arrastre, deriva o saturacin inversa (IS) debida a los portadores minoritarios.
Algunos huecos (generados trmicamente) en la regin N se mueven por difusin hacia la unin.
All experimentan el campo elctrico que los arrastra hacia la regin P. Por otro lado, algunos
electrones (generados trmicamente) en la regin P se mueven por difusin hacia la unin. All
experimentan el campo elctrico que los arrastra hacia la regin N. Ambos procesos (los huecos de
la regin N a la regin P y los electrones de la regin P a la regin N) forman la corriente de
saturacin inversa IS, la cual depende bsicamente de la temperatura y del potencial de la unin.
 La unin PN: conceptos bsicos

En condiciones de circuito abierto, no existe corriente externa

y por tanto ID = IS (equilibrio).
En circuito abierto, la tensin es nula, con lo cual la tensin o
potencial de unin se compensa con la tensin de las uniones
METAL-SEMICONDUCTOR (ver figura siguiente). Por
tanto, ocurre, como es de esperar, el principio de
conservacin de energa.
metal contactos ohmicos

P N
 Principio fotovoltaico

Principio de funcionamiento de la celda solar

Las clulas solares estn constituidas por materiales

semiconductores, principalmente silicio, y son elementos
que transforman directamente parte de la energa solar que
reciben en energa elctrica. Los electrones de valencia del
material semiconductor de la clula, que estn ligados
dbilmente al ncleo de sus tomos, son arrancados por la
energa de los fotones de la radiacin solar que inciden sobre
ella. Este fenmeno se denomina efecto fotovoltaico.
 Principio fotovoltaico

Principio de funcionamiento de la celda solar

El proceso del principio fsico de la celda solar se puede
resumir en los siguientes pasos:
Los fotones incidentes son absorbidos y se generan pares electrn-
hueco, tanto en la regin P de la unin como en la regin N.
Supondremos que se genera una pareja por fotn.
Los electrones y huecos generados a una distancia inferior a Lp o Ln
(longitud de difusin del hueco y electrn) de la zona de vaciamiento,
llegan a ella por difusin. En la zona de vaciamiento tambin se
generan pares electrn-hueco debido a la radiacin que incide.
En la zona de vaciamiento, cada miembro de la pareja es separado
por el campo elctrico presente: los huecos se dirigen a la regin P y
los electrones a la regin N. ste proceso se puede observar en la
siguiente figura:
 Principio fotovoltaico

Separacin de portadores por el campo de la unin P-N

Zona de vaciamiento
Azul Rojo Infrarrojo

+ - N

E - +

P - +
 Principio fotovoltaico
Celda en circuito abierto
Si la celda est en circuito abierto, la acumulacin de cargas de signos diferentes en
los 2 costados de la unin genera una tensin de circuito abierto Voc, tal como se
muestra en la figura siguiente:

Voc

N
P +
 Principio fotovoltaico
Celda en corto circuito
Si la celda est cortocircuitada se genera una corriente de corto circuito Isc. Observar
que el sentido de la corriente es el mismo que el de la corriente inversa de saturacin de
la unin PN (diodo). La figura siguiente ilustra sta situacin:

N Isc
P
 Principio fotovoltaico
Intensidad de corriente de la celda
Por tanto, si mediante una carga exterior (R) se cierra el circuito, la corriente
fotovoltaica generada (I) sale de la clula hacia el circuito exterior por la regin P,
atraviesa la carga y entra de nuevo a la clula por la regin N. Esto que se acaba de
mencionar se puede observar en la figura siguiente:

-
N
P R
+
I