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Clula fotoelctrica
La eficiencia de conversin media obtenida por las clulas disponibles comercialmente
(producidas a partir de silicio monocristalino) est alrededor del 16 %, pero segn la
tecnologa utilizada vara desde el 6% de las clulas de silicio amorfo hasta el 22 % de
las clulas de silicio monocristalino. Tambin existen las clulas multicapa,
normalmente de arseniuro de galio, que alcanzan eficiencias del 30 %. En laboratorio
se ha superado el 46 % con clulas experimentales.12
La vida til media a mximo rendimiento se sita en torno a los 25 aos, perodo a
partir del cual la potencia entregada disminuye por debajo de un valor considerable.
Al grupo de clulas fotoelctricas para energa solar se le conoce como panel
fotovoltaico. Los paneles fotovoltaicos consisten en una red de clulas solares
conectadas como circuito en serie para aumentar la tensin de salida hasta el valor
deseado (usualmente se utilizan 12 V 24 V) a la vez que se conectan varias redes
como circuito paralelo para aumentar la corriente elctrica que es capaz de
proporcionar el dispositivo.
El tipo de corriente elctrica que proporcionan es corriente continua, por lo que si
necesitamos corriente alterna o aumentar su tensin, tendremos que aadir un
inversor y/o un convertidor de potencia
FUNCIONAMIENTO
En un semiconductor expuesto a la luz, un fotn de energa arranca un electrn,
creando a la vez un hueco en el tomo excitado. Normalmente, el electrn
encuentra rpidamente otro hueco para volver a llenarlo, y la energa proporcionada
por el fotn, por tanto, se disipa en forma de calor. El principio de una clula
fotovoltaica es obligar a los electrones y a los huecos a avanzar hacia el lado opuesto
del material en lugar de simplemente recombinarse en l: as, se producir una
diferencia de potencial y por lo tanto tensin entre las dos partes del material, como
ocurre en una pila.
Para ello, se crea un campo elctrico permanente, a travs de una unin pn, entre dos
capas dopadas respectivamente, p y n. En las clulas de silicio, que son
mayoritariamente utilizadas, se encuentran por tanto:
La capa superior de la celda, que se compone de silicio dopado de tipo n. En esta capa,
hay un nmero de electrones libres mayor que en una capa de silicio puro, de ah el
nombre del dopaje n, negativo. El material permanece elctricamente neutro, ya que
tanto los tomos de silicio como los del material dopante son neutros: pero la red
cristalina tiene globalmente una mayor presencia de electrones que en una red de
silicio puro.
La capa inferior de la celda, que se compone de silicio dopado de tipo p. Esta capa
tiene por lo tanto una cantidad media de electrones libres menor que una capa de
silicio puro. Los electrones estn ligados a la red cristalina que, en consecuencia, es
elctricamente neutra pero presenta huecos, positivos (p). La conduccin elctrica
est asegurada por estos portadores de carga, que se desplazan por todo el material.
En el momento de la creacin de la unin pn, los electrones libres de la capa n entran
instantneamente en la capa p y se recombinan con los huecos en la regin p. Existir
as durante toda la vida de la unin, una carga positiva en la regin n a lo largo de la
unin (porque faltan electrones) y una carga negativa en la regin en p a lo largo de la
unin (porque los huecos han desaparecido); el conjunto forma la Zona de Carga de
Espacio (ZCE) o "zona de barrera" y existe un campo elctrico entre las dos, de n hacia
p. Este campo elctrico hace de la ZCE un diodo, que solo permite el flujo de
portadores en una direccin: En ausencia de una fuente de corriente exterior y bajo la
sola influencia del campo generado en la ZCE los electrones solo pueden moverse de la
regin p a la n, pero no en la direccin opuesta y por el contrario los huecos no pasan
ms que de n hacia p.
En funcionamiento, cuando un fotn arranca un electrn a la matriz, creando un
electrn libre y un hueco, bajo el efecto de este campo elctrico cada uno va en
direccin opuesta: los electrones se acumulan en la regin n (para convertirse en polo
negativo), mientras que los huecos se acumulan en la regin dopada p (que se
convierte en el polo positivo). Este fenmeno es ms eficaz en la ZCE, donde casi no
hay portadores de carga (electrones o huecos), ya que son anulados, o en la cercana
inmediata a la ZCE: cuando un fotn crea un par electrn-hueco, se separaron y es
improbable que encuentren a su opuesto, pero si la creacin tiene lugar en un sitio
ms alejado de la unin, el electrn (convertido en hueco) mantiene una gran
oportunidad para recombinarse antes de llegar a la zona n. Pero la ZCE es
necesariamente muy delgada, as que no es til dar un gran espesor a la clula.
Efectivamente, el grosor de la capa n es muy pequeo, ya que esta capa solo se
necesita bsicamente para crear la ZCE que hace funcionar la clula. En cambio, el
grosor de la capa p es mayor: depende de un compromiso entre la necesidad de
minimizar las recombinaciones electrn-hueco, y por el contrario permitir la captacin
del mayor nmero de fotones posible, para lo que se requiere cierto mnimo espesor.