INSTITUTO TECNOLGICO DE LOS MOCHIS

INGENIERIA EN ELECTRONICA

DIODOS Y TRANSITORES

Alumno:

Julio Cesar Beltrn Mendoza

Maestra:

Valencia Rodrguez Lorena Isabel

Los Mochis, Sinaloa

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 AGRADECIMIENTOS

El presente trabajo fue realizado bajo la supervisin de la maestra Valencia

Rodrguez Lorena Isabel aqu en es hoy en da es de gran ayuda para m y para
todo nuestro grupo en general el adquirir conocimientos cada da, adems
agradecer su paciencia , tiempo y dedicacin que ha venido teniendo en todo
el trayecto del curso.

Agradezco a mi mama donde quiera que se encuentre te agradezco por estar

siempre conmigo, en mi mente, mi corazn.

2
 INTRODUCCIN

En el presente trabajo tratare el tema sobre un dispositivo, el cual ha

revolucionado la vida de toda la humanidad el transistor, que es sin duda
uno de los mejores inventos del hombre diseado para operar en circuitos
electrnicos como amplificador, oscilador o conmutador. El trmino
Transistor es un acrnimo de transfer y resistor (Resistencia de transferencia)
Y se compone de tres terminales: colector, base y emisor. En estos temas
estudiaremos las principales caractersticas bsicas del transistor bipolar y
FET, as como sus aspectos fsicos, sus estructuras bsicas Y la simbologa
sutilizadas para cada uno de ellos. Se abarcar igual el tema de la polarizacin,
el encapsulado y la prueba de los transistores con multmetros tanto digital
como anloga que son indispensables en estos dispositivos mencionados
anteriormente.

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 INDICE

INTRODUCCIN

1 Antecedentes4

1.1 Definicin......4

1.2 Comparacin del BJT Y FET....4,5

1.3 Historia..5

1.4 Tipos.6

2. JFET... 7

2.1 Estructurado..7

2.2 Caractersticas Generales..7

2.3 Diferencia entre JFET canal n y JFET canal p..............8

2.4 Valores importantes que debemos considerar al momento de seleccionar un

JFET....

2.5 Cules son las ecs. Mas importantes de operacin del JFET y compralas
con las del BJT.

3. polarizacin del JFET 13

3.1 tipos de polarizacin del JFET.13

4. Anlisis de C.A con JFET..25

4.1 Anlisis A.C.29

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 Antecedentes

1.1 Define FET

Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla
mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida
que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada.

1.2 Comparacin FET vs. BJT

BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
IC es una funcin de IB.
(beta factor de amplificacin)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relacin lineal entre Ib e Ic.
JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p)
electrones (canal n).
ID es una funcin de Vgs.
gm (factor de transconductancia).
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.
Ventajas del FET con respecto al BJT
Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar
ms dispositivos en un CI.

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 Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos de tensin
drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

1.3 Historia
El Sr. George Philbrick, que trabajaba en los Huntington Engeneering Labs, y a quien se le
atribuye su invencin, lo introdujo al mercado en el ao 1948. La idea principal de estos
operacionales originales era la de ser utilizados en computadoras analgicas, para sumar,
restar, multiplicar y realizar operaciones ms complejas. Fue la empresa Fairchild la que en
los aos 1964 y 1967 introdujo al mercado los conocidos Amplificadores operacionales
702, 709 y 741. Y la National Semicoductor hizo lo mismo con el 101/301.
Estos circuitos integrados son muy verstiles, de bajo precio, tamao pequeo, con
excelentes caractersticas y redujeron el diseo de un amplificador a la adicin de unos
resistores. Con el paso de los aos y la mejora en la tecnologa de fabricacin, los
amplificadores operacionales mejoraron notablemente. En su configuracin interna se
reemplazaron unos transistores bipolares por transistores de efecto de campo (JFET).
Estos amplificadores JFET estn a las entradas del amplificador operacional
incrementndose as la impedancia de entrada de este. El operacional puede ahora
amplificar seales que pueden tener la amplitud de la fuente que los alimenta y tomar muy
poca corriente de la seal de entrada. Los transistores MOS (semiconductor de oxido
metlico) se pusieron en los circuitos de salida.
El primer amplificador (BIFET) con transistores de efecto de campo fue en LF356. El
amplificador operacional BIMOS como el CA3130 tiene entradas bipolares y salida MOS
(de all viene el nombre). Estos ltimos amplificadores son mas rpidos y tiene unas
respuesta mejor a las altas frecuencias que el conocido 741. Hay versiones de varios
operacionales en un solo integrado como el LM358 con 2 y el LM324 con 4 amplificadores
operacionales juntos.

1.4 Tipos de FET

6


Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de
potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est
entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms
utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin
ultra rpida del transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando
una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de
ADN iguales.
Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino.
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN
del JFET con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la
puerta y el cuerpo del transistor.

2. JFET
2.1 Estructurado
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Es un tipo de dispositivo electrnico de tres terminales que puede ser usado como
interruptor electrnicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje.
Posee tres terminales, comnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y
fuente (S).
2.2 Caractersticas Generales
En si lo que realiza el JFET es controlar la cantidad de corriente que circula entre el drenaje
y la fuente, esa corriente se controla mediante la tensin que exista entre la compuerta y la
fuente.
El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de
tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados, (p. ej.2N4416). Es
un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y
puerta (gate).
La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En
un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente
para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una
tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado
inversamente.
Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los
transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a
diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a source
o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a
source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y
ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para
el caso de un NJFET.

2.3 Cul es la diferencia entre JFET canal n y JFET canal p (explica carac., como se
simbolizan c/u)
JFET.

8
A partir de aqu se va a comentar para el caso del JFET de canal n, pero la idea es similar
para el caso del de canal p; en la figura anterior se puede ver que para el JFET de canal n, al
material semiconductor tipo n se le han conectado en extremos opuestos el drenador(D) y la
fuente(S), mientras el material tipo p se conecta a la compuerta(G), se observa que hay un
paso o un canal entre el drenador y la fuente, formado por el semiconductor tipo n de all el
nombre de canal n, el cual est rodeado por el material semiconductor tipo p, entre la
compuerta y la fuente se forma un diodo, en el transistor JFET lo que se hace es polarizar
en inversa este diodo, para el caso del JFET de canal n la tensin de polarizacin de dicho
diodo tiene que ser negativa y a lo mucho igual a cero, se la representa como VGS (tensin
compuerta fuente), lo que se logra al hacer esto es que la regin de agotamiento del diodo
se puede controlar variando la tensin VGS, cuando la VGS=0 la regin de agotamiento del
diodo ser mnima y el canal n ser lo ms ancho que pueda; si poco a poco la tensin VGS
se hace negativa, esta har que la regin de agotamiento del diodo crezca, ya que el diodo
se polariza en inversa, esto a su vez hace que el canal semiconductor se angoste, llegar un
momento que la VGS sea lo suficientemente negativa que har que la regin de
agotamiento sea tan grande como para que el canal semiconductor desaparezca o se cierre;
a esa tensin se le conoce como tensin compuerta fuente de apagado o de corte del JFET y
se representa como VGSoff.
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 Para polarizar un JFET de canal n, de la batera o fuente de alimentacin VGG que se
use entre la compuerta y la fuente se conectar su polo negativo hacia la compuerta(G) y
hacia la fuente(S) su polo positivo; la batera o fuente de alimentacin VDD que se conecta
entre el drenaje y la fuente, es la encargada de suministrar la corriente que se controla con
la VGS, VDD se conecta con su polo positivo en el drenaje(D) y el negativo a la fuente(S);
si el JFET es de canal p las conexiones de las alimentaciones se inverten, tal como se ve en
la imagen siguiente.

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 De la figura anterior se puede ver que al estar polarizado el diodo entre la compuerta y
la fuente en inversa, la corriente que se aparece a travs de la compuerta IG es muy
pequea, del orden de los nA, por eso se considera que IG=0, tambin es por este motivo
que se dice que el JFET tiene una alta impedancia de entrada, propiedad que se aprovecha
en los amplificadores basados en el JFET; la corriente que circula entre el drenaje y la
fuente se conoce como corriente de drenaje ID, el valor de esta corriente depende del
valor de la tensin VGS; como se ha visto anteriormente al hacer variar la VGS se
logra que la regin de agotamiento aumente o disminuya, lo que hace que el canal por el
que circula la corriente de drenaje ID disminuya o aumente, al disminuir o aumentar el
canal se controla la cantidad de ID que circula por el JFET; esta es la forma que se
controla la corriente por tensin con el transistor JFET.

Cuando VGS=0 la regin de agotamiento ser mnima, en este caso si la tensin entre el
drenaje y la fuente VDS se aumenta la corriente de drenaje ID aumentar tambin, pero
llegar un momento que la corriente ID deje de aumentar por mas que se aumente la VDS,
en ese momento se dice que el JFET se ha saturado (en un JFET la VDS tiene un lmite
que si se sobrepasa el JFET se daar, ese valor mximo para VDS se encuentra en su hoja
de datos), a esa corriente ID que ya no aumenta mas se la conoce como corriente de drenaje
fuente de saturacin la cual se simboliza como IDSS, es un dato muy importante
caracterstico de los JFET que se encontrar en su hoja de datos; cuando la VGS=VGSoff la
corriente ID=0, como se puede ver la ID variar desde un mnimo de 0A hasta un mximo
de IDSS y todo esto controlado por la VGS.

Por ejemplo si se ve la hoja de datos del JFET de canal n 2N3819 se ver que
VDSmx=25V, si se pasa de este valor posiblemente se dae el JFET, tambin se ve que
IDSS esta entre 2mA y 20mA esto vara porque los JFET as sean de la misma familia
presentan este tipo de variaciones, por ejemplo puede que un 2N3819 tenga una
IDSS=5mA y en otro 2N3819 sea IDSS=14mA; para la tensin de corte es decir la
VGSoff la hoja de datos dice que ser como mximo -8V; en la hoja de datos tambin
aparece un dato al que se le llama corriente compuerta fuente inversa IGSS que para este
caso tiene un valor de 2nA, esta vendra a ser la corriente por la compuerta, pero como se
ve es una cantidad muy pequea, por ejemplo esta se a medido para una VGS=-15V segn

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la hoja de datos, como se ve para una tensin de VGS=-15V se tiene IG=2nA, es de
suponer que para una VGS=-5V la corriente IG ser mucho menor por eso se puede
considerar que IG=0, con este dato se puede calcular la impedancia de entrada de este JFET
sera as:

Rent=Zent=|(VGS)/(ID)|

Zent=|(-15V)/(2nA)|

Zent=7500M

Como se ve la impedancia de entrada es un valor muy grande en este caso 7500M, esta
es una caracterstica de los JFET; se deja un vdeo donde se coment sobre la impedancia
de entrada del JFET.

La siguiente es la representacin simblica de los JFET

El circuito de polarizacin visto anteriormente ahora con los smbolos quedara as:

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En qu consiste la caracterstica de transferencia del JFET(explica la ecuacin de
Shockley, grafica la curva de transferencia, explica mtodo rpido para obtener la curva de
transferencia)

3. Polarizacin del transistor JFET

La polarizacin del JFET se realiza mediante tensin continua y consiste en prepararlo

para que en un circuito, en el cual se le quiere utilizar, a travs del JFET circule una
cantidad de corriente ID por el drenaje, y a su vez se obtenga una tensin entre el drenaje y
la fuente VDS para esa cantidad de corriente ID, a esto se le llama obtener el punto de
operacin o punto Q. La corriente ID va depender de la tensin compuerta fuente VGS que
13
 exista en la malla de entrada, la VDS depender de la malla de salida del circuito, para ver
esto ser de utilidad la grfica de entrada y la de salida del JFET.

Anteriormente se ha visto que el JFET tiene una corriente drenaje fuente de saturacin
IDSS, la cual indica cual es la corriente mxima que podr circular entre el drenaje y la
fuente, entonces la corriente ID al cual se polarizar el transistor solo podr tener valores
comprendidos entre 0mA y IDSS.

Como la corriente de la compuerta IG=0, hay que tener siempre presente que la
corriente de drenaje ID y la corriente de fuente IS son iguales esto es ID=IS, tanto para
transistores de canal n como para los de canal p, tampoco hay que olvidarse de la ecuacin
de Shockley, con esto en mente ya se puede ver algunos tipos de polarizacin.

Se vern 3 tipos de polarizacin los cuales son:

Polarizacin de puerta del JFET.

Polarizacin por autopolarizacin del JFET.

Polarizacin por divisor de tensin del JFET.

Para ver los diferentes tipos de polarizacin se utilizar un JFET de canal n, se

proceder a obtener una ecuacin en la malla de entrada y otra en la malla de salida. Para
polarizar un JFET de canal p se proceder de manera similar, teniendo en cuanta que las
tensiones de polarizacin tendrn que invertirse, lo cual dar como resultado que la ID cuyo
sentido se mide del drenaje hacia la fuente, tambin se invierta.

3.1 1.- Polarizacin de puerta del JFET.

Este tipo polarizacin se caracteriza porque se utilizan dos fuentes de alimentacin,

una de ellas se conecta directamente entre la compuerta y la fuente, si esta fuente de
alimentacin es variable se puede controlar la ID, lo cual a su vez provocar que el punto
de operacin del JFET cambie y como consecuencia cambiar VDS, de esta forma se puede
hacer que el JFET trabaje en la regin ohmica o en la regin activa; este es el tipo de

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polarizacin que se utilizar si se quiere hacer trabajar al JFET como resistencia variable
controlada por voltaje.

El arreglo principal para este tipo de polarizacin para un JFET de canal n y uno de
canal p, es el que se muestra a continuacin:

De la malla de entrada, por Kirchoff se puede ver para el JFET de canal n que VGS=-
VGG y para el de canal p VGS=VGG, estas sern sus ecuaciones de entrada, son rectas
paralelas al eje ID, las cuales hay que trazar sobre la grfica de entrada, donde estas rectas
corten a la curva de transferencia ser el punto de operacin para la entrada del JFET, a
partir de este punto de corte se traza una paralela al eje VGS y se conocer el valor de la ID
para el punto de operacin del JFET; si en la malla de salida se aplica nuevamente Kirchoff
se obtendr una ecuacin a partir de la cual se puede despejar VDS y se tendr:

Para el JFET de canal n: VDS=VDD-ID*RD, que es su ecuacin de recta de salida.

Para el JFET de canal p: VDS=-VDD+ID*RD, que es su ecuacin de recta de salida.

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 Si en la ecuacin recta de carga de la salida se reemplaza el valor de ID para el punto
de operacin, obtenida a partir de la curva de transferencia, se puede hallar la VDS para el
punto de operacin del transistor.

En lo que sigue se comentar para el caso del JFET de canal n, lo cual tambin ser
vlido para los JFET de canal p, con la nica diferencia de que hay que invertir las
polaridades; de la ecuacin de recta de carga de salida obtenida para el JFET de canal n,
hay que ubicar 2 puntos para trazarla, uno de los puntos se obtendr haciendo ID=0, si se
despeja se obtiene VDS=VDD, lo cual se conoce como tensin de drenaje fuente de corte
VDScorte; el otro punto se obtendr haciendo en la ecuacin VDS=0, en este caso si se
despeja se obtiene ID=VDD/RD lo cual se conoce como corriente de drenaje de saturacin
IDsat; por lo tanto los dos puntos que necesitamos ubicar sobre el grfico de salida para
trazar la recta de carga sern VDScorte=VDD para ID=0 y IDsat=VDD/RD para VDS=0.

Los trazos de la recta de carga para la entrada y de la recta de carga para la salida en
forma general para este tipo de polarizacin estn representados en la siguiente figura.

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 En la figura se puede ver que si la fuente de alimentacin cambia en valor VGG se
cambiar VGSQ, lo cual a su vez cambiar ID lo que har que la recta de carga de salida
cambie y como consecuencia cambie el punto de operacin, este fenmeno es aprovechado
cuando se quiere utilizar el JFET como resistencia variable, otra forma en que cambiar el
punto de operacin es si se cambia el JFET, ya que la curva de transferencia cambiar, por
lo cual el punto de cruce de la recta de carga de entrada con la curva de transferencia
cambiar lo que dar un nuevo valor para IDQ, entonces la recta de carga de salida se
cruzar con una curva de salida diferente dando como resultado que el punto de operacin
cambie; mayormente el cambio de posicin del punto de operacin es demasiado grande
cuando se cambia el JFET, de all que si se quiere un punto de operacin que no vare si se
cambia el JFET este tipo de polarizacin no sea lo mejor.

Para este tipo de polarizacin se prepararon 5 vdeos donde se hacen circuitos de

prueba con el JFET de canal n 2N3819, en los primeros 3 podrs ver como utilizar la recta

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de carga y en el cuarto vdeo vers como se puede polarizar un circuito en la zona activa y
en el ltimo como polarizarlo en la regin ohmica.

Transistor JFET 11 Polarizacin de puerta parte 1

En este caso se comenta sobre uso de la curva de transferencia cuyos grficos se

obtienen de manera indicada en el siguiente enlace. Se comenta y se muestra como obtener
la recta de carga, las pruebas se realizan con el 2N3819.

2.- Polarizacin por autopolarizacin.

En este tipo de polarizacin solamente se necesita una fuente de alimentacin, en la
figura siguiente se muestra este tipo de arreglo para un JFET de canal n, es muy similar
para el caso del JFET de canal p, con la diferencia de que hay que invertir las polaridades.

Como se puede ver

en la fuente del JFET se coloca una resistencia RS, esta resistencia ser la que polarice la
compuerta, es decir la VGS que existir en el transistor la cual decidir cuanta ser la
corriente de drenaje ID que es igual a la corriente de la fuente IS; la resistencia RG es una
resistencia del orden de los mega ohmios que se utiliza principalmente para los circuitos de

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amplificacin para no perder la impedancia de entrada del JFET, en el vdeo que sigue mas
abajo se comenta como es que actuar, ademas como IG=0 entonces VG=0 por tanto la
compuerta est conectada a tierra.

Los datos IDSS y VGScorte se obtienen de la hoja de datos del JFET, con los cuales se
trazar la curva de transferencia.

La idea para resolver o disear este tipo de circuitos es a partir de la malla de entrada
obtener una ecuacin de una recta que depender de VGS e ID, luego trazar esta recta sobre
la grfica de transferencia que tambin depende de VGS e ID, el punto donde se
intercepten ambos trazos ser el punto de operacin del JFET.

Por lo tanto, lo primero que hay que hacer es trazar la curva de transferencia, luego
dibujar la recta de carga de la entrada sobre la curva de transferencia, para lo cual
necesitamos obtener la ecuacin de la recta de entrada, entonces aplicando KIrchoff en esta
malla:

VGS+VRS+VRG=0 ,luego

VGS+IS*RS+IG*RG=0 , pero IG=0 y IS=ID

VGS+ID*RS=0, de donde

VGS=-ID*RS, esta es la ecuacin de la recta de entrada.

Se ve que la VGS es un valor negativo, que es como tiene que ser para un JFET de
canal n, para trazar la recta de entrada sobre la curva de transferencia se necesita 2 puntos
por lo menos , uno de ellos puede ser por ejemplo para ID=0, lo que dar VGS=0, siendo el
primer punto entonces (0,0); como IDSS es dato ese valor se puede reemplazar en la
ecuacin para obtener el otro punto, que es VGS=-IDSS*RS, con lo cual el otro punto sera
(-IDSS*RS,IDSS), al trazar esta recta sobre la curva de transferencia donde se intercepten
ese ser el punto de operacin de JFET, a partir del cual se puede conocer VGSQ y la IDQ.

Para encontrar el valor VDSQ ser recurre a la malla de salida a la cual se aplica
Kirchoff

VDD-VRD-VDS-VRS=0, luego
19
 VDD-ID*RD-VDS-IS*RS=0, pero IS=ID

VDD-VDS-ID*(RS+RD), de donde al despejar

VDS=VDD-ID*(RS+RD), que ser la ecuacin de la recta de salida.

Si en esta ecuacin se reemplaza IDQ obtenida anteriormente se encontrar el valor de

VDSQ, por lo tanto el punto de operacin del JFET ser (VDSQ,IDQ), si se quiere trazar la
recta de carga de salida, son necesarios dos puntos uno de ellos ser cuando ID=0, de donde
VDScorte=VDD, el otro punto ser para VDS=0, de donde IDsat=VDD/(RS+RD), en el
punto donde se intercepte la recta de carga de salida con la curva que le corresponda a la
corriente IDQ para VGSQ en la salida, ese ser el punto de operacin el JFET; los grficos
deben ser algo as:

3.- Polarizacin por divisor de tensin del JFET.

Para este tipo de polarizacin, el punto de operacin del JFET se ve menos afectado
cuando se cambia un transistor por otro, siendo ambos de la misma familia, por ejemplo el
20
2N3819. en este caso tambin se polariza el JFET con una sola fuente de alimentacin, en
la siguiente figura se muestra el arreglo para la polarizacin por divisor de tensin.

Como se puede ver en la en la malla de la entrada del circuito, ahora hay dos
resistencia, las cuales sern de gran ohmiaje del orden de los mega ohmios, esto es para no
perder la alta impedancia de entrada de los JFET en los circuitos de amplificacin, entre las
dos forman un divisor de tensin, por lo cual la tensin de la compuerta VG tendr un valor
positivo.

Los datos IDSS y VGScorte se obtienen de la hoja de datos del JFET, con los cuales se
trazar la curva de transferencia.

La idea para resolver o disear este tipo de circuitos es a partir de la malla de entrada
obtener una ecuacin de una recta que depender de VGS e ID, luego trazar esta recta sobre
la grfica de transferencia que tambin depende de VGS e ID, el punto donde se
intercepten ambos trazos ser el punto de operacin del JFET.

21
 Por lo tanto, lo primero que hay que hacer es trazar la curva de transferencia, luego
dibujar la recta de carga de la entrada sobre la curva de transferencia, para lo cual
necesitamos obtener la ecuacin de la recta de entrada, la que obtendr a partir de:

VGS=VG-VS, adems

VS=RS*IS, pero IS=ID, entonces

VGS=VG-RS*ID, esta es la ecuacin de la recta de entrada.

donde por divisin de tensin VG=VDD*R2/(R1+R2);

VGS ser un valor negativo, ya que es un JFET de canal n, para trazar la recta de
entrada sobre la curva de transferencia se necesita 2 puntos por lo menos , uno de ellos
puede ser por ejemplo para ID=0, lo que dar VGS=VG, siendo el primer punto entonces
(VG,0); para el otro punto se tomar VGS=0 de donde ID=VG/RS por lo cual el otro punto
sera (0,VG/RS), al trazar esta recta sobre la curva de transferencia donde se intercepten ese
ser el punto de operacin de JFET, a partir del cual se puede conocer VGSQ y la IDQ.

Para encontrar el valor VDSQ ser recurre a la malla de salida a la cual se aplica
Kirchoff

VDD-VRD-VDS-VRS=0, luego

VDD-ID*RD-VDS-IS*RS=0, pero IS=ID

VDD-VDS-ID*(RS+RD), de donde al despejar

VDS=VDD-ID*(RS+RD), que ser la ecuacin de la recta de salida.

Si en esta ecuacin se reemplaza IDQ obtenida anteriormente se encontrar el valor de

VDSQ, por lo tanto el punto de operacin del JFET ser (VDSQ,IDQ), si se quiere trazar la
recta de carga de salida, son necesarios dos puntos uno de ellos ser cuando ID=0, de donde
VDScorte=VDD, el otro punto ser para VDS=0, de donde IDsat=VDD/(RS+RD), en el
punto donde se intercepte la recta de carga de salida con la curva que le corresponda a la
corriente IDQ para VGSQ en la salida, ese ser el punto de operacin el JFET; los grficos
deben ser algo as:

22
2.4 Cules son los valores importantes que debemos considerar al momento de
seleccionar un JFET (hoja de especificaciones).

23
Tabla de JFET

La Tabla 13-2 muestra una lista de diferentes JFET. Los datos estn ordenados de forma
ascendente segun gmo. Las hojas de caractersticas para estos JFET muestran que algunos
estn optimizados para trabajar a frecuencias de audio y otros para radiofrecuencia. Los tres
ltimos estn optimizados para aplicaciones de conmutacin.
Los JFET son dispositivos de pequea seal porque su disipacin de potencia es
normalmente menor que un vatio. En aplicaciones de audio los JFET se usan a menudo
como seguidores de fuente. En aplicaciones de radiofrecuencia se usan como
amplificadores VHF/UHF, mezcladores y osciladores.
En aplicaciones de conmutaci6n se usan tpicamente como conmutadores analgicos.

24
2.5 Cules son las ecs. Mas importantes de operacin del JFET y compralas con las
del BJT

4. ANALISIS DE C.A. CON JFET

Como se modela el JFET para anlisis de C.A

El anlisis se concentrara en el JFET por tanto el circuito a analizar seria:

Anlisis en DC:
a) En la salida:

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DE LA FORMULA:

VDS - ID

26
VGS - ID
Obs: si RG cambiara drsticamente hacindola cero o infinito afectara directamente al
voltaje VGS pues esta con la configuracin actual depende directamente de ID y RS.
Anlisis en AC :

27
Obs: hay una ganancia sustancial pero es negative, esto quiere desirnos que la seal en la
salida esta desfasada 180 con respect a la seal de entrada.

Obs: vemos que tambin hay ganancia sustancial pero es negativa que quiere decir que est
desfasada 180 respecto a la seal de entrada.
Adems si eliminamos del circuito el condensador CS esto afectara directamente a la
ganancia del siguiente modo:

28
4.1 Anlisis AC:

29
30
CONCLUSINES
1.-
El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente controlada por
voltaje. Bsicamente el voltaje en la compuerta vGS, controla la corriente iD entre el
drenador y la fuente. Para el JFET, la ecuacin que da cuenta del comportamiento es la ley
de Schockley, en la cual al corriente IDSS, llamada corriente de saturacin ser la mxima
permitida (para el JFET canal n), el voltaje Vp (tambin llamado VGSOF F ) permite
establecer el rango del voltaje vGS y delimita el corte del transistor. Para el MOSFET de
enriquecimiento se utiliza la relacin en la regin de saturacin como ecuacin para la
zona activa, donde la el voltaje umbral VT , establece el valor mnimo del voltaje en la
compuerta, la constante K de fabricacin ser considerada como dato del fabricante.
2.-
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de los
circuitos electrnicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han dado
un giro enorme a nuestras vidas, Y a que en casi todos los aparatos electrnicos se
encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos de transistores, as como su aspecto
fsico, su estructura bsica

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BIBLIOGRAFIA.

Boylestad, Robert L., Electrnica: Teora de circuitos, Mxico, Prentice Hall, 1997. Boylestad

Robert L., Introduccin al anlisis de circuitos, Mxico, Prentice Hall, 2003.

http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-jfet/

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo#Tipo_de_transistores_de_efecto
_campo

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