Universidad de Concepcin

Facultad de Ingeniera
Departamento de Ing. Elctrica

Laboratorio N4

Procesamiento de seales con transistores

Objetivos

1. Disear redes de polarizacin para operar transistores BJT en modo activo, y evaluar la estabilidad trmica de puntos
de operacin, desviacin de parmetros de transistores y corrimiento de puntos de operacin tericos.

2. Obtener los parmetros que caracterizan a un amplificador mono-etapa: mxima incursin y excursin simtrica, ganancia de
voltaje, ganancia de corriente, impedancia de entrada y salida, y respuesta en frecuencia.

3. Disear redes de polarizacin para operar transistores en corte y saturacin para la activacin de contactores mediante seales
lgicas.

Actividades
1. Disear una red de polarizacin para un amplificador con un BJT npn BC548 en configuracin Emisor Comn (Fig.2) que
cumpla con la siguiente especificacin: Icq = 20 [mA], considerando una fuente de alimentacin Vcc = 14 [V].
2. Medir y tabular voltajes y corrientes DC en cada componente. Obtener el punto de operacin real y calcular del transistor.
Verifique su tensin de alimentacin.
3. Utilizando acoplamiento capacitivo de entrada y salida, medir la mxima excursin simtrica y la impedancia de entrada del
amplificador. Considere una carga RL = 500[] y una seal de entrada sinusoidal con una frecuencia de operacin de 5 [kHz].
4. Medir la ganancia de voltaje y corriente, y el ancho de banda para una seal de entrada sinusoidal con una amplitud igual a
100 mVmx.
5. Retirar el condensador de bypass CE y medir nuevamente la ganancia de voltaje y corriente, y la impedancia de entrada del
amplificador (Fig.3). Compare y comente resultados.
6. Disear una red de polarizacin que permita operar un BJT como una compuerta lgica NOT (Fig.4). Considere una tensin
de alimentacin Vcc = 12 [V] y un tren de pulsos de 4[V]/5[kHz] como seal de control. Tabule los voltajes y corrientes en
ambos estados. Mida los tiempos de retardo de encendido y apagado. Comente.

Cuestionario

1. Qu cambios debiera realizar en su diseo, si utiliza un transistor PNP?

2. Qu se entiende por mxima excursin de seal de entrada?
3. Qu importancia tiene elegir el punto Q en el diseo de un amplificador?
4. Cmo asegura Ud. mxima amplificacin, sin distorsin de la seal de salida?
5. Explique Ud. Como obtendra las curvas caractersticas de un transistor, que relacionan la corriente de colector, versus
tensin emisor-colector, con la corriente de base como parmetro

Marco Terico

Los transistores son dispositivos semiconductores de tres terminales utilizados para el procesamiento y amplificacin de seales. Estos
se dividen en dos clases que caracterizan la estructura y los principios fsicos que controlan las caractersticas corriente-voltaje del
dispositivo. Las dos clases son el transistor de unin bipolar (BJT) y el transistor de efecto de campo (FET).
El BJT se compone de 3 tipos de materiales semiconductores alternados: dos materiales tipo n y uno tipo p (transistor BJT npn), o dos
materiales tipo p y uno tipo n (transistor BJT pnp). Sus smbolos respectivos se muestran en Fig.1. Los terminales del BJT se
denominan Base (B), Colector (C) y Emisor (E).
El transistor BJT opera como un amplificador de corriente controlado por la corriente de base (Ib) con una ganancia . Las corrientes
de colector (Ic) y de emisor (Ie) en un BJT se relacionan con la corriente de base de acuerdo a la siguiente expresin:

I e = I c + Ib I c = b I b (1)

El BJT presenta tres regiones de operacin: Regin de Corte, Regin de Saturacin y Regin Activa.

Regin de Corte: Un transistor esta en corte cuando Ib = 0 Ic = Ie = 0. En este caso el voltaje entre colector y emisor del
transistor (Vce) es igual al voltaje de alimentacin.

Regin de Saturacin: Un transistor esta saturado cuando la corriente de base es lo suficientemente grande para provocar
Vce 0. En este caso la corriente de colector es mxima.

Los estados de corte y saturacin permiten utilizar el BJT en conmutacin en la implementacin de operaciones lgicas digitales y
circuitos de disparo de semiconductores de potencia (MOSFET, IGBT, IGCT, etc) en aplicaciones de electrnica de potencia, o como
interruptor de potencia en fuentes de poder conmutadas de baja potencia.

Regin Activa: En esta zona el transistor opera como amplificador de seales alternas, verificndose (1).

IC Saturacin

Regin Activa
IB

Corte

VCE

Fig. 1. Regiones de operacin del BJT

Para operar el BJT como amplificador lineal, se utilizan distintas tcnicas de polarizacin basadas en redes de elementos pasivos que
permiten definir un punto de operacin en la zona activa del transistor. La eleccin del punto de operacin permite definir distintos
parmetros y caractersticas operacionales del amplificador tales como ganancia de voltaje y corriente, impedancia de entrada, ancho
de banda o mxima excursin de salida. Por otro lado, dependiendo de la localizacin de las entradas, salidas y tierra, se definen tres
configuraciones bsicas de amplificadores con BJT: Emisor Comn, Colector Comn (o Seguidor de Emisor),
y Base Comn.

(a) (b)

a) Smbolo de un transistor PNP (b) Smbolo de un transistor PNP

C E C E

B B
a) b)
Estructuras fsicas de los transistores BJT PNP (a) y NPN (b).
 R2 Rc
C
C
+
VCC
-
Vin RL
R1 RE
CE

Fig.2. Amplificador BJT en configuracin Emisor Comn con resistencia y capacitor en el emisor.

R2 Rc
C
C
+
VCC
-
Vin RL
R1 RE

Fig.3. Amplificador BJT en configuracin Emisor Comn con resistencia en emisor

y sin capacitor en el emisor.

RC
RLED
RB +
V
- CC
Vin

Fig.4. Puerta lgica NOT con BJT configurado en emisor comn.

Resumen del Diseo

Polarizacin del BJT

R2 Rc Rc

+ RB +
VCC V
- - CC
+
R1 RE VBB RE
-

(a) (b)
Fig.5. Circuito de polarizacin de un transistor BJT con resistencia de emisor y divisor de tensin de base

En el circuito de polarizacin mostrado en la figura 4 (b), para brindar un margen de estabilidad al punto de polarizacin del BJT, se
recomienda asumir en el diseo de la red de polarizacin para amplificadores:

RB = R1 // R2 = 0,1b RE (2)

VBB = R1. VCC/(R1+R2) (3)

Luego, conocida la tensin de alimentacin (VCC), y calculado VBB es posible determinar la corriente en reposo ICQ desde la ecuacin
(4) y las resistencias del divisor de tensin conectadas a la base del transistor desde la ecuacin (5):

VBB = VBE + I C
1,11RE (4)

RB VCC RB
R1 = R2 =
V VBB (5)
1 - BB
VCC

DIE_UdeC/jss
Septiembre-2016.