CAPTULO 3.

MARCO TERICO

3.1.- Sobretensiones (1)

Se dividen en dos grupos de acuerdo al origen de los mismos:

Sobretensiones externas: Se originan por descargas atmosfricas que inciden sobre los
conductores de fase o guarda o en sitios cercanos a las subestaciones o instalacin
elctrica.
Sobretensiones internas: Se originan por cambios en la topologa de la red o por
condiciones de operacin. Se clasifican a se vez en:

- Sobretensiones por maniobra: Se producen tpicamente por apertura o cierre de

interruptores o en procesos de energizacin.
- Sobretensiones temporarias: Cambios bruscos en las condiciones de operacin
tales como, botes de carga, fallas o fenmenos de resonancia.

Las sobretensiones externas se caracterizan por ser transitorias y de pocos seg. de duracin. La
representacin analtica de este tipo de sobretensiones la constituyen las ondas tipo impulso,
caracterizados por un tiempo de frente y de semiamplitud (Ver Figura 3.1). Mientras que las
internas se caracterizan por tener una amplitud proporcional al valor nominal del sistema y se
caracterizan por tener una duracin de varios mseg.
En la Figura 3.2 se muestra la representacin analtica de las sobretensiones por maniobra.

Figura 3.1. Impulso Atmosfrico

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Figura 3.2. Impulso por Maniobra

3.2.- Caractersticas del Aislamiento (1)

Se dividen en dos grupos:

Aislamiento autorrestaurable : Es aquel que recupera sus caractersticas aislantes luego de

ocurrida una ruptura dielctrica en el material. Por ejemplo tenemos los aislamientos
gaseosos, como el aire.
Aislamiento no autorrestaurable : No recupera sus caractersticas aislantes luego de
ocurrida una ruptura dielctrica en el material. Ejemplo, aislamientos slidos.

Los pararrayos tpicamente se utilizan con fines de proteccin de equipos que contengan
aislamientos no autorrestaurables, ya que una vez se produzca la ruptura del dielctrico, se genera
el deterioro del mismo. En este sentido, los descargadores de sobretensiones se utilizan para
proteger transformadores, interruptores, cables, etc.
Por lo antes mencionado, es necesario definir una serie de conceptos asociados a aislamientos no
autorrestaurables que sern utilizados posteriormente, como por ejemplo, el mximo sobrevoltaje
admisible por un equipo elctrico o withstand level; el cual se refiere a la mxima sobretensin a
la cual puede someterse un equipo sin falla.

En lo que se refiere a los niveles de aislamiento tenemos las siguientes definiciones:

a) BIL: Aislamiento al impulso tipo sobretensin atmosfrica.

b) BSL: Aislamiento al impulso por sobretensiones por maniobra.
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El nivel de proteccin de los pararrayos se relaciona al voltaje resultante en el sistema una vez
que acta, el cual no debe por ningn motivo superar los valores mximos permitidos por el
aislamiento (BIL, BSL).

3.3.- Pararrayos Autovalvulares (1)

El pararrayos autovalvular se constituye principalmente de un grupo de explosores en serie con

una resistencia no lineal (Ver Figura 3.3), adems de un sistema de distribucin de voltajes en
los explosores. Estos explosores o gaps estn formados por placas paralelas separadas una cierta
distancia.

Figura 3.3. Circuito equivalente del pararrayos autovalvular (2)

La operacin del pararrayos depende del voltaje de ruptura de estos explosores, los cuales
dependen de la rigidez dielctrica del medio gaseoso aislante y de la forma de onda de la
sobretensin.

Bsicamente las funciones del explosor son, en primer lugar, actuar como interruptor que cierra a
un determinado valor de voltaje y de esta forma derivar la sobretensin a tierra y posteriormente,
una vez pasada la sobretensin, volver a su posicin original (abierto) restableciendo as, las
condiciones normales de operacin del sistema.

Adems de esto, algunos explosores presentan una serie de bobinas en serie que durante la
descarga generan campos magnticos, alargando de esta forma el arco y facilitando su extincin;
adems de generar su movimiento sobre los electrodos, evitando su erosin. Este tipo de
explosores son los llamados explosores activos.
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Dependiendo del voltaje de operacin del pararrayos, existir un nmero determinado de

explosores en serie. De esta manera, el voltaje aplicado ser distribuido uniformemente en los
explosores, que al ser similares y estar bajo las mismas condiciones deben actuar
simultneamente.

Tpicamente debido a la influencia capacitiva de cada explosor respecto a tierra, se utilizan

elementos en serie conectados a su vez en paralelo con los explosores para garantizar la
distribucin del voltaje, ya que si no se garantiza tal igualdad no se podr tener operacin
simultnea. Estos elementos pueden ser resistencias, capacitancias o combinaciones de las
mismas.

Por su parte, la resistencia no lineal tiene como finalidad mantener un valor bajo en condiciones
de sobrevoltajes y un alto valor en condiciones normales de operacin del sistema. El material
utilizado en estas resistencias es carburo de silicio (SiC), es por ello, que a estos tipos de
descargadores se les conoce tambin por pararrayos de Carburo de Silicio. En la figura 3.10 se
muestra la caracterstica no lineal de estas resistencias.

Por medio de la figura 3.4, es posible visualizar lo explicado en los prrafos anteriores, ya que se
muestra la construccin y la operacin de este tipo de descargadores de sobretensin. En la
columna identificada con el nmero 1, se aprecia el descargador en operacin normal del sistema,
por el cual circula unas pequeas corrientes causadas por los elementos (resistencias en serie)
conectadas en paralelo a los explosores para garantizar la distribucin del voltaje como se explic
anteriormente.

La columna con el nmero 2, muestra la operacin del pararrayos debida a la ruptura de los
explosores, durante la cual drena a tierra la energa proveniente de la sobretensin. Durante este
corto perodo de tiempo, las bobinas en serie dentro de los explosores se han encargado de
generar campos magnticos alargando el arco generado y facilitando su extincin, tal y como se
observa en la columna 3.
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Figura 3.4. Construccin y operacin de l pararrayos Autovalvular (2)

3.4.- Pararrayos No Autovalvulares (1)

3.4.1. Descripcin

Este tipo de descargadores consta de un nmero de discos de xido de zinc en serie, a diferencia
de los pararrayos autovalvulares, los cuales constituyen resistencias variables. Los discos asumen
la condicin de conduccin de acuerdo al voltaje aplicado. En la figura 3.10 se muestra la forma
de operacin de este tipo de descargadores y al mismo tiempo seala las diferencias entre los
pararrayos autovalvulares y no autovalvulares.

Bsicamente, este tipo de descargador acta de manera similar al anterior. Ya que a partir de un
voltaje aplicado determinado aparece la descarga (resistencia baja) y a mediada que la
sobretensin cede, igualmente la corriente decae (resistencia alta). La diferencia est en el hecho
de no existir ningn tipo de explosores en el proceso, simplemente la constitucin fsica del
material determina su estado de conduccin en funcin del voltaje aplicado.

La cantidad de pastillas o discos de xido de zinc utilizados es proporcional al voltaje requerido

para la operacin del sistema.
 10

La carencia de explosores en este tipo de descargadores indican que las pastillas se encuentran en
un estado de conduccin en forma continua. Esta condicin establece una condicin trmica
determinada, ya que la corriente que pasa a travs de l, se traduce en energa que fluye a travs
del material y que es disipada en calor.

La estabilidad trmica del xido de zinc es la limitante en la aplicacin de este material. El calor
generado por la conduccin es disipado al ambiente a travs de la superficie de la pastilla y de la
geometra interna (disposicin interna de los elementos) y externa (geometra de la porcelana)
del pararrayos. Si el calor generado durante tal situacin no logra ser disipada por estos
elementos, la energa acumulada junto con el aumento de temperatura pueden ser los causantes de
la destruccin del descargador. Durante sobretensiones existen incrementos de la energa
acumulada y de la temperatura, que dependiendo de la magnitud y duracin del evento pueden
superar el punto crtico en el cual se produce el deterioro del material, caracterizado por un
incremento paulatino en la temperatura hasta su posterior falla. En este sentido, el fabricante
establece para cada descargador, la mxima capacidad de absorcin en kJ/kV para los diferentes
niveles de tensin; el pararrayos no puede bajo ninguna condicin sobrepasar este punto crtico,
porque podra generar perforacin en las pastillas o como una variacin de sus caractersticas
voltaje-corriente.

3.4.2 .- Caractersticas de las Pastillas de xido de Zinc

Microestructura y modelacin elctrica (3)

El material de xido de metal es una cermica hecha con una mezcla de xido de zinc con
pequeas cantidades de materiales aditivos, tales como: BiO3 , CoO, Cr2O3 , MnO y Sb2 O3 , de tal
manera de lograr una elevada caracterstica resistiva no lineal en el disco (4). La elaboracin del
bloque de xido de zinc sigue los siguientes procesos: granular la mezcla, secarla (modelando y
calentando la misma a temperaturas superiores a 1000 C ), comprimirla dentro del disco y
finalmente sintetizarla (proceso de compactacin) (4). Los grnulos de xido de zinc, de
aproximadamente 10 m de dimetro , tienen una baja resistividad y estn cercados por una caja
intergranular compuesta de un xido de alta resistividad, de aproximadamente 0,1 m de espesor
(4). Estas dos capas estn fuertemente adheridas. En base a esto, es posible suponer una
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estructuradle tipo semiconductor-aislante-semiconductor; compuesta por una capa intergranular

dispuesta entre las barreras de energa (barreras Schottky ) que se forman en la superficie de los
grnulos de xido de zinc ante la presencia de un campo elctrico (5). En las figuras 3.5 y 3.6, se
ilustra la estructura bsica del xido metlico (4) y su modelo de banda de energa (5).

Figura 3.5. Microestructura del material de xido de zinc

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Figura 3.6. Modelo de banda de energa en el material de xido de metal

El disco puede ser representado por un circuito equivalente (Figura 3.7) (4), en el cual se
muestra la resistencia no lineal (Ri) de las capas intergranulares, donde la resistividad (?) cambia
de 108 O.m para bajos campos elctricos, hasta por debajo de 0.01 O.m para elevados campos
elctricos. La capa intergranular tiene una constante dielctrica relativa o permitividad (e)
comprendida entre 500 y 1200 que depende del proceso de elaboracin de la misma, y que hace
que esta capa acte como un condensador de cermica (6) que depende del campo elctrico
aplicado. La resistencia de los grnulos de xido de zinc (Rz) tiene una resistividad aproximada a
0,01 O.m y que tambin depende del campo elctrico aplicado. La inductancia del disco de xido
de zinc (L), se determina por la geometra de la trayectoria por donde circula la corriente.
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Figura 3.7. Circuito Equivalente de un disco de xido de zinc

Caracterstica Voltaje -Corriente (3).

La caracterstica voltaje-corriente para la componente resistiva (Ir) y la componente capacitiva

(Ic) de la corriente a travs del disco de ZnO se muestra en la figura 3.8 (4):

Figura 3.8: Caracterstica tpica Voltaje -Corriente de un disco de xido de zinc (4)
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Como se puede observar, la caracterstica de la componente resistiva de la corriente de fuga (Ir)

se divide en 3 regiones:

a) Regin de baja intensidad de campo elctrico (Regin 1): El mecanismo de conduccin en

esta regin se explica por el significado de las barreras de energa en la capa granular
(barrera Schottky), las cuales impiden el movimiento de los electrones de un grnulo a
otro (4). Al aplicar un campo elctrico se tiene el efecto de abatir las barreras de energa,
y as los electrones pasan sobre stas a causa del efecto trmico. La emisin Schottky
explica el incremento de una pequea corriente a travs del material. El mecanismo de
conduccin a travs de esta barrera es una emisin termoinica de electrones desde la
banda de conduccin del semiconductor (grnulo de xido de zinc) hasta la banda de
conduccin del aislante (capa intergranular) (5). La densidad de corriente es dada
aproximadamente por la ecuacin 5.1 (4):

JR = Jo * exp [ [sqrt (E*e3 /4* p* e) - F B ] / K*T ] EC. 5.1

Donde:

Jo : constante que depende del material y de la geometra de la capa granular

F B : es la barrera de potencial
K : es la constante Boltzmann`s
T : es la temperatura absoluta
E: Campo elctrico
e: carga del electrn
e: constante dielctrica

Para valores de temperatura ms elevados, la energa de los electrones se incrementa, y por

consiguiente, estos electrones pueden superar la barrera de energa con mayor facilidad (7). As
mismo, en esta regin se observa que a medida que la pastilla de ZnO absorbe una mayor
cantidad de energa del sistema, la temperatura del mismo se incrementa, causando la
disminucin de la resistencia del bloque. Este efecto trmico no tiene influencia en los niveles de
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proteccin de la pastilla, sin embargo, se debe tomar en cuenta en la elaboracin del diseo
trmico de la misma para condiciones normales de tensin del sistema (4).

b) Regin de mediana intensidad de campo elctrico (Regin 2): Cuando el campo elctrico
en la capa granular alcanza alrededor de los 100 kV/mm, los electrones se mueven a
travs de las barreras de energa segn el llamado efecto tnel, representado por la
ecuacin 5.2 (4):

Jr= j1 * exp [- (A' * F B 3/2 / E) ] EC.5.2

Donde j1 y A' son constantes que dependen del material en especfico.

El proceso de conduccin en esta regin se produce a travs de la barrera de energa tipo

tnel presente en la capa intergranular (5), la cual llega a ser muy delgada para elevados
valores de tensin; facilitando as la circulacin de electrones en la banda de conduccin.

c) Regin de alta intensidad de campo elctrico (Regin 3): En esta regin, la cada de
tensin en la barrera de energa debida al efecto tnel es baja, predominando la cada de
tensin a travs de la resistencia de los grnulos de xido de zinc (Rz) (4). La corriente se
aproxima gradualmente a la relacin lineal con el voltaje, descrita por la ecuacin 5.3 (4):

Jr = E / ? EC.5.3

Por otro lado, la ecuacin general que describe la componente resistiva de la corriente en funcin
de la tensin en las tres regiones (4), es la siguiente:

IR = K * V a EC.5.4
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Donde K y a son cons tantes que dependen del material. Adems, el exponente a est en funcin
de la regin de conduccin y su valor puede variar entre 3 y 50 (4). En la regin 1 se tienen
valores bajos del exponente a, luego a medida que se incrementa la tensin este coeficiente de no
linealidad alcanzar valores elevados hasta llegar a la conduccin del bloque de ZnO (3).

Las pastillas de xido de zinc se comportan bsicamente como una impedancia capacitiva a
tensiones por debajo del cuello de conduccin, y como una baja resistencia a tensiones por
encima del cuello (8). Esta caracterstica de la pastilla permite una rpida respuesta a las
sobretensiones.

Adems, estas pastillas le otorgan al pararrayos un comportamiento muy peculiar, pues

comienzan a conducir a un nivel preciso de voltaje y cesan la conduccin cuando el voltaje cae
por debajo de este nivel; es por ello que no es necesario colocar un explosor para aislar al
pararrayos de tierra para interrumpir una corriente determinada (9).

3.4.3.- Mecanismos de Degradacin de las Pastillas de xido de Zinc (3)

Las caractersticas de la capa granular de la pastilla de xido de zinc pueden ser degradadas por
los siguientes efectos:

a) Por reacciones qumicas con materiales alrededor de la pastilla (7):

Cuando estos materiales contienen molculas de gases no apropiados, tales como radicales
qumicos, los xidos en la capa granular reaccionaran qumicamente con estos gases. Dichos
gases pueden ser producto de descargas parciales internas en la envoltura. Sin embargo, estas
reaccio nes qumicas tienen que ser prevenidas con un diseo adecuado a travs de un
revestimiento hermtico de la superficie de la pastilla.

b) Por esfuerzos de tensin producidos por el voltaje de operacin a temperatura

ambiente (7):
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Este tipo de degradacin ocasiona un cambio lento del material granular. Generalmente, est
referido al envejecimiento del material, el cual depende de la naturaleza y calidad de la capa
granular. De esta manera, es posible reducir este efecto a pequeas escalas.

c) Por esfuerzos debidos a corrientes elevadas (7):

Las pastillas de xido de zinc pueden absorber excesivas cantidades de energa,

adiabticamente durante un corto tiempo (microsegundos o milisegundos) (10). Los lmites
de absorcin de energa en corta duracin estn determinados por factores como el
calentamiento adiabtico; donde la energa mxima puede ser absorbida en reas locales
dentro del disco, antes que el gradiente de temperatura cause esfuerzos excesivos o daos por
derretimiento de una regin de la pastilla donde la corriente est concentrada (10).
Tpicamente, se requieren unos pocos segundos antes que la distribucin uniforme de la
temperatura sea alcanzada. Los fabricantes usualmente especifican un tiempo de algunos 60
seg. entre descargas de alta energa dentro de los elementos del pararrayos para evitar tipos de
fallas como las mencionadas anteriormente (10).

Las pastillas de ZnO (tipo estacin) pueden absorber cantidades alrededor de 7 KJ/KV para
un bloque de tamao 50 cm2 , lo que se traducira en unos 180 J/cm3 en un minuto y por
pocas veces (10).

Cada cantidad de descarga de energa se traducira en un incremento repentino de temperatura

dentro del disco de alrededor de 60 C. Si la capacidad del disco es excedida, es posible que
ste falle (10).

Por lo anteriormente mencionado, es preciso realizar una adecuada seleccin del descargador
tomando en cuenta este aspecto para evitar posibles fallas al respecto.

d) Por esfuerzos debidos a bajas corrientes de larga duracin:

Bajas corrientes de larga duracin a travs de las pastillas conllevan a un calentamiento

excesivo interno que puede sobrepasar los lmites trmicos del disco de xido de zinc.
Las pastillas de xido de zinc pueden alcanzar temperaturas elevadas (alrededor de 100 C) y
fallar por un excesivo calentamiento durante cierto tiempo que sobrepase sus lmites trmicos
a tensiones tan bajas como el voltaje de operacin continuo visto por el descargador. Este
fenmeno ocurre como consecuencia de un desbalance entre el calor generado por la pastilla
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y el calo r que ste puede disipar en su carcaza interior a travs de su conductividad trmica.
Por tanto, este efecto trmico es funcin de las caractersticas de la pastilla, del diseo
trmico de la misma y de la temperatura ambiente (10).

La figura 3.9 muestra como la potencia consumida por la pastilla puede ser comparada con la
capacidad de potencia trmica en la envoltura de la misma (9), para una tensin aplicada.

Las curvas a y b representan la caracterstica de prdidas vs. Temperatura del elemento de

ZnO ante una cierta tensin de operacin; pero la curva a se mueve hacia la curva b a medida
que la tensin de operacin es mayor o por causa de la degradacin de las caractersticas de la
pastilla de ZnO. La curva c representa la caracterstica de disipacin de calor de la envoltura
de la pastilla. Los puntos de interseccin A` y B` representan los lmites de estabilidad
trmica, y los puntos A y B representan los puntos de equilibrio trmico (3).

Si se tiene una sobretensin de gran magnitud pero de corta duracin, tal que la potencia
consumida por la pastilla sea menor que la capacidad de disipacin de la envoltura de la
misma, entonces, no habrn problemas por causas trmicas en la pastilla; sin embargo, la
condicin de operacin estable se lograr cuando la sobretensin sea eliminada del sistema.
Si por otro lado, la sobretensin es lo suficientemente prolongada para permitir que la
potencia consumida por la pastilla exceda la capacidad de disipacin de la envoltura,
entonces, la pastilla de ZnO exceder sus lmites trmicos y por tanto fallar (9).

Por lo antes mencionado, es preciso realizar una adecuada seleccin del pararrayos de ZnO,
tomando en cuenta la duracin de cada sobretensin y determinar si las pastillas del
descargador pueden disipar tales sobretensiones.
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Figura 3.9. Lmites de estabilidad trmica para pararrayos de ZnO con envoltura de
porcelana

3.5.- Comparacin entre Pararrayos Autovalvulares y No Autovalvulares

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Figura 3.10. Comparacin entre operacin del SiC y ZnO (8)

La figura 3.10 muestra una comparacin entre el xido de zinc y carburo de silicio, adems de
poner en evidencia la caracterstica no lineal de ambos elementos. Para un voltaje nominal, por el
carburo de silicio se establecer una conduccin de hasta 500 Amperios, comparado con los
miliamperios de xido de zinc. Esto obliga a la existencia de explosores en los pararrayos
convencionales (SiC). (1)

En condiciones de sobrevoltaje, a travs del xido de zinc se establecer la corriente de descarga,

propio del mecanismo de proteccin deseado y una vez finalizada esta condicin, la conduccin
existente corresponder a la corriente de fuga en el orden de mA, de acuerdo a su caracterstica
de operacin mostrada anteriormente. (1)

Por otra parte, para los pararrayos de Carburo de Silicio la descarga se iniciar una vez que se
produzca la ruptura de los explosores, lo cual est sujeto a las condiciones ambientales del medio
dielctrico en los explosores y a la magnitud y forma de onda de la sobretensin incidente, lo cual
representa un retraso en la operacin del pararrayos. El voltaje de operacin est sujeto al proceso
de cebado de los explosores, por lo cual el voltaje de descarga vara en un rango probable.
Investigaciones en el rea revelan un retraso significativo en la operacin de este tipo de
pararrayos cuando se someten a frentes escarpados de voltaje. Igualmente, una vez finalizada la
condicin de sobretensin, la rigidez dielctrica del medio aislante en los explosores est
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vinculado con su temperatura y al paso natural de corriente por cero, transcurriendo un tiempo
significativo en el proceso de interrupcin del arco. (1)

3.6. Vlvula de Alivio de Presin

La vlvula de alivio de presin es un dispositivo de proteccin que acta una vez que se supera el
valor de corriente mximo especificado (Capacidad de Alivio de Presin) y evita el riego de
ruptura brusca de la cubierta externa (porcelana) del pararrayos (1).
Tanto los pararrayos de xido de zinc, como los ms modernos de carburo de silicio; poseen en
su interior esta vlvula como medida de seguridad para los equipos que se encuentran instalados
en reas vecinas al descargador.

Los primeros descargadores de carburo de silicio no contienen esta vlvula, muchos de ellos solo
poseen salidas o escapes para los gases que se generan internamente en el pararrayos durante una
descarga. Estos equipos presentan riesgo de explosin cuando durante una descarga se supera el
valor de corriente mxima especificado por el fabricante, ya que ocurre un calentamiento
excesivo en el interior del mismo, generando as, una alta presin desde la parte interna del
descargador por el calentamiento de estos gases, lo cual pone en riego la seguridad de personas y
equipos cercanos a la instalacin.

La figura 3.11 muestra un pararrayos de carburo de silicio moderno que contiene esta vlvula de
alivio de presin.

Figura 3.11. Representacin de la vlvula de Alivio de Presin (2)