U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

TORRES RAMOS ANGELO 16190103

CURSO TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIN ENTREGA

NUMERO

26/10/2017 10/11/2017
6

GRUPO5 PROFESOR

VIERNES DE 4-6 PM ING. LUIS PARETTO QUISPE

 I. TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP.
II. OBJETIVOS:

Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar
PNP.

III. Introduccin terica.

TRANSISTOR BIPOLAR PNP

Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en
contraposicin. Fsicamente, el transistor est constituido
por tres regiones semiconductoras denominadas emisor,
base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares,
los denominados PNP. A partir de este punto nos
centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN,
siendo el comportamiento de los transistores PNP
totalmente anlogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora

ms fuertemente dopada con donadores de electrones,
siendo su ancho intermedio entre el de la base y el
colector. Su funcin es la de emitir electrones a la base.
La base es la zona ms estrecha y se encuentra
dbilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona ms ancha,
y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia entre
el emisor y la base.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando
el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra
polarizado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil
dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es
transistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a
un interruptor cerrado.
 2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente
de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos
de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de
colector, de forma casi independiente de la tensin entre emisor y colector.
Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa,
mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente
a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la
corriente de colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar
el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.

IV. RESOLUCION TERICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor BD138

POLARIDAD: PNP
MATERIAL: Silicio
GANANCIA DE CORRIENTE () = 60

Datos del circuito:

Re=330
Rc=1k
R1=56K
R2= 22K.
Vcc= -12v

Hacemos el equivalente de Thevenin del circuito:

(R1+P1)R2
Rb = (R1+P1)+R2

R2Vcc
V = (R1+P1)+R2

Con este nuevo

circuito procedemos a
realizar las operaciones de las siguientes tablas.
 OBSERVACIN: El transistor BD138 est hecho de SILICIO y es PNP, entonces su VBE
(activa) y su es respectivamente:

VBE= -0.2v = 40

TABLA 2

(Para P1 = 0 y R1 = 56k )
Hallando el Rb: Hallando Ic:..( Ic = Ib)
R1R2
Rb = R1+R2 Ic = (-88.632A)(60)

56K22K Ic = -5.3179mA
Rb = (56+22)K
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Rb = 15.794k
Vcc= IcRc + VCE + IcRe
Hallando el V:
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
R2Vcc
V= R1+R2 VCE = -12 (-5.3179103 )(1000+330)

22k(12) VCE = -4.927v

V= (56+22)
Hallando VE:
V = - 3.3846 v
VBE = VB - VE. (VB = V)
Hallando Ib:
VV
VE = V - VBE
BE
Ib=Rb+(+1)Re
VE = - 4.927 (-0.2)
3.384(0.2)
Ib= VE = -4.727 v
15.794103 +(60+1)330

Ib = -88.632 A

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K )

Tericos -5.3179 -88.632 60 -4.927 -0.2 4.727

 TABLA 3
(Para P1 = 0 y R1 = 68k )

Hallando el Rb:
R1R2
Rb = R1++R2 Hallando Ic:..( Ic = Ib)
Ic = (-74.388 A) (60)
68K22K
Rb =
(68+22)K Ic = -4.463mA

Rb = 16.623k Hallando VCE: (Ic = Ie)

Vcc= IcRc + VCE + IcRe
Hallando el V:
R2Vcc
V= VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
R1+R2

22k(12) VCE = -12 (-4.463103 )(1000+330)

V= (68+22)
VCE = -6.064v
V = - 2.934 v
Hallando VE:
Hallando Ib: VBE = VB - VE. (VB = V)
VV
BE
Ib=Rb+(+1)Re
VE = V - VBE
2.934(0.2) VE = - 6.064 (-0.2)
Ib=
16.623103 +(60+1)330

VE = -5.864 v
Ib = -74.388 A

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K )

Tericos -4.463 -74.388 60 -6.064 -0.2 5.864

 TABLA 5

(Para P1 = 100K y R1 = 56k )

Hallando el V:
R2Vcc
V = R1+P1+R2

22k(12)
V = (56+100+22)

V = -1.483 v

Hallando Ib:
VVBE
Ib=Rb+(+1)Re

1.483(0.2)
Ib=19.2808103 +(60+1)330

Ib = -32.555 A

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Ic = (-32.555 A) (60)

Ic = -1.953mA
Hallando el Rb:
(R1+P1)R2
Rb =
R1+P1+R2
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Vcc= IcRc + VCE + IcRe
156K22K
Rb = (56+100+22)K
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
Rb = 19.2808k
VCE = -12 (-1.953103 )(1000+330)

VCE = -9.402v
 (Para P1 = 250K y R1 = 56k )

Hallando el V:

R2Vcc
V = R1+P1+R2

22k(12)
V = (56+250+22)

V = -0.8048 v

Hallando Ib:
VV
BE
Ib=Rb+(+1)Re

0.8048(0.2)
Ib=20.524103 +(60+1)330

Ib = -14.877 A

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Ic = (-14.877 A) (60)

Hallando el Rb: Ic = -0.893 mA

(R1+P1)R2
Rb = Hallando VCE: (Ic = Ie)
R1+P1+R2

306K22K
Vcc= IcRc + VCE + IcRe
Rb = (56+250+22)K
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
Rb = 20.524k
VCE = -12 (-0.893 103 )(1000+330)

VCE = -10.813 v
 (Para P1 = 500K y R1 = 56k )

Hallando el V:
R2Vcc
V = R1+P1+R2

22k(12)
V = (56+500+22)

V = -0.4567 v

Hallando Ib:
VV
BE
Ib=Rb+(+1)Re

0.4567(0.2)
Ib=21.162103 +(60+1)330

Ib = -6.217 A

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Hallando el Rb: Ic = (-6.217 A) (60)

(R1+P1)R2
Rb = Ic = -0.373mA
R1+P1+R2

556K22K
Rb = (56+500+22)K Hallando VCE: (Ic = Ie)
Vcc= IcRc + VCE + IcRe
Rb = 21.162k
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

VCE = -12 (-0.373103 )(1000+330)

VCE = -11.504 v
 (Para P1 = 1M y R1 = 56k )

Hallando el V:
R2Vcc
V = R1+P1+R2

22k(12)
V = (56+1000+22)

V = -0.245 v

Hallando Ib:
VV
BE
Ib=Rb+(+1)Re

0.245(0.2)
Ib=21.551103 +(60+1)330

Ib = -1.0796 A

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Ic = (-1.0796 A)(60)
Hallando Rb:
(R1+P1)R2 Ic = -0.0648mA
Rb = R1+P1+R2
Hallando VCE: (Ic = Ie)
1056K22K
Rb = (56+1000+22)K Vcc= IcRc + VCE + IcRe

Rb = 21.551k VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

VCE = -12 (-0.0648103 )(1000+330)

VCE = -11.91325 v
Procedemos a llenar la tabla con los datos tericos obtenidos:

P1 100K 250K 500K 1M

Ic(mA) -1.953 -0.893 -0.373 -0.0648

Ib(uA) -32.555 -14.877 -6.217 -1.0796

VCE (v.) -9.402 -10.813 -11.504 -11.91325