FOTODETECTORES

En cada terminal de salida de una lnea de transmisin ptica debe

existir un dispositivo receptor (fotodetector) que interpreta la
informacin contenida en la seal ptica.
El fotodetector sensa la potencia luminiscente que cae en l y
convierte la variacin de la potencia ptica en una variacin de
corriente elctrica.
Debido al degradamiento de la seal ptica durante su trayecto, el
Fotodetectores fotodetector debe cumplir altos requerimientos en su
funcionamiento.
Alta respuesta o sensitividad en el rango de emisin de la fuente
ptica y una velocidad de respuesta rpida segn la tasa de
transmisin.
No debe ser sensible a variaciones de temperatura, debe ser
compatible con las dimensiones de la fibra ptica y ser durable.
 Fotomultiplicadores
Detectores piroelctricos
Fotoconductores basados en semiconductores
Fototransistores y fotodiodos

Tipos de No todos cumplen las caractersticas anteriores.

fotodetectores
Los fotomultiplicadores consisten un tubo de vaco que contiene
un fotoctodo y un multiplicador de electrones. Tiene una alta
ganancia y muy bajo ruido.
Sin embargo, requiere de un alto voltaje y su tamao es muy
grande, por lo que no son adecuados para sistemas de fibra ptica
 El fotodiodo es usado en los sistemas de fibra ptica por su
Fotodetectores tamao reducido, materiales adecuado, alta sensitividad y tiempo
basados en de respuesta rpido.
Los ms usados son: Fotodetector pin y fotodiodo avalancha
semiconductores (APD).
 Consiste en regiones p y n separadas por una
regin intrnseca n dopada ligeramente.
Cuando un fotn tiene una energa mayor o igual
que la energa de la banda prohibida del material
semiconductor, el fotn cede su energa y excita
un electrn de la banda de valencia a la banda de
Fotodetector conduccin.
pin Este proceso genera pares libres de electrn-
hueco llamados fotoportadores.
El fotodetector es diseado para que los
portadores sean generados en la regin de
deplexin donde la mayor parte de la luz incidente
es absorbida.
 El alto campo elctrico presente en la regin de
deplexin ocasiona que los portadores se separen y
se colecten a travs de la unin en corriente inversa,
ocasionando el flujo de corriente (fotocorriente).
La radiacin ptica es absorbida en el material
semiconductor de acuerdo con la ley exponencial

= 0 1 ()x

Coeficiente de absorcin a la longitud de onda

, ()
Potencia ptica incidente, 0
Potencia ptica absorbida a una distancia , ()
depende fuertemente de la
Por lo tanto, un semiconductor en particular puede
ser usado slo sobre un rango limitado de longitud
de onda.
 La longitud de onda de corte se determina por la
energa de la banda prohibida del material.

=

La del Si es = 1.06 y para el Ge es = 1.6.
Para longitud de onda mayores la energa del fotn no
es suficiente para excitar un electrn de la banda de
valencia a la banda de conduccin.

Ejercicio: Un fotodiodo de GaAs, con = 1.43 a 300 K.

El fotodiodo GaAs no operar para fotones con longitud

de onda mayor a 869 nm.
 A longitudes de onda menores, la respuesta del
fotodiodo se interrumpe como resultado de valores
de muy grandes.
En este caso los fotones son absorbidos cercanos a la
superficie del fotodetector donde el tiempo de
recombinacin de los pares de electrn-huecos
generados es muy corto.
Los portadores generados se recombinan antes de
ser colectados por el circuito.
 Eficiencia cuntica
/
= =
0 /

: fotocorriente generada
0 : potencia ptica incidente
Caractersticas
Ejercicio: un pulso de 100 ns, 6106 fotones a = 1300 para un fotodetector
de un InGaAs. En promedio 3.9106 pares de electrn-hueco son generados. Calculara
fotodetector la eficiencia cuntica del fotodetector.

Para tener una alta eficiencia cuntica, la regin de deplexin debe ser lo
suficientemente gruesa para permitir una fraccin mayor de luz incidente
absorbida.
 Responsividad
El desempeo de un fotodiodo se
caracteriza por su responsividad R,
que est relacionada con la
eficiencia cuntica

= =
Caractersticas 0

Especifica la fotocorriente
de un generada por unidad de potencia
ptica.
fotodetector Los valores de R para un fotodiodo
pin como funcin de la longitud de
onda.
Si: 0.65 A/ W @ 900 nm
Ge: 0.45 A/ W @ 1.3 m
InGaAs: 0.6 A/ W @ 1.3 m
 Ejercicio: Fotones de energa 1.53 1019 inciden en un
fotodiodo cuya responsividad es de 0.65 A/W. Si el nivel de
potencia ptica es de 10 . cul es la fotocorriente generada?

La responsividad es una funcin de la longitud de onda y del

material del fotodiodo (Eg).
Para un material, conforme la longitud de onda de los fotones
incidentes es ms grande, la energa del fotn es menor que la
requerida para excitar un electrn de la banda de valencia hacia la
de conduccin.
Por lo que la responsividad decae rpidamente ms all de la
longitud de onda de corte.
 Tiempo de respuesta
Cuando se usan fuentes cuyas banda de paso es superior a 1 GHz,
el fotodetector debe tener un tiempo de respuesta muy corto
Caractersticas El tiempo de respuesta en un fotodiodo depende de la capacidad
de un del fotodiodo y del Tiempo de trnsito.
fotodetector
Capacidad del fotodiodo

=
permitividad dielctrica (= 0 ; = 8,85x1012 F/m)
ancho de la zona de transicin (zona intrnseca)
superficie del detector
 Tiempo de trnsito
Una vez q un par e-h se forma por la absorcin de un fotn el y
el h+ deben alcanzar los contactos para producir corriente
elctrica, este tiempo es diferente dependiendo el lugar donde
son generados.

En la zona de transicin: = es el tiempo empleado en
1
atravesar toda la zona de transicin de longitud w, a la velocidad
v1 .
2
Fuera de la zona de transicin: = , tiempo necesario para

alcanzar la zona de transicin depende de la distancia x entre la
zona de absorcin y la zona de transicin, y de la difusividad
D=[m2 /s] del semiconductor.
 Corriente de obscuridad o
Fotodiodo=diodo polarizado inversamente
En la obscuridad, circula en el diodo la corriente inversa del diodo
o corriente de saturacin, es una corriente de origen trmico que
se reduce al limitar la superficie del diodo.
Caractersticas
de un
fotodetector
 Los APDs aumentan internamente la fotocorriente antes de
entrar al circuito del amplificador, incrementando la sensitividad
del receptor.
Los portadores fotogenerados atraviesan una regin donde hay un
campo elctric0 muy alto.

Fotodiodos En esta regin un electrn o hueco fotogenerado ganan suficiente

energa de manera que ioniza electrones ligados en la banda de
avalancha valencia al chocar con ellos (ionizacin por impacto).

(APDs)
 Los nuevos portadores son tambin
acelerados por el y ganan suficiente energa
para causar suficiente ionizacin por impacto.
Este fenmeno es el efecto avalancha.
El factor de multiplicacin M para todos los
APDs portadores generados en el fotodiodo es

=

es el valor promedio de la corriente de

salida multiplicada
es la fotocorriente sin multiplicar
 Ejercicio: un APD de Si tiene una = 65% @ 900 nm. Suponga
que 0.50 de potencia ptica produce una fotocorriente
multiplicada de 10 . Cul es el factor de M?

= 0 = 0 = 0

0.65 1.61019 9107
= 5 107
6.6251034 (3108 /)
APDs = 0.235A

= = 10A/0.235A= 43

Responsividad

=

 Principales requisitos del detector para un sistema de
comunicaciones por fibra ptica son:
1. Alta sensitividad en la regin de longitud de onda donde la
fuente de luz opera. Originalmente =0.8 0.9 m, regin de
emisin de LEDs AlGaAs y LDs. Actualmente es de inters la
regin =1.3 1.6 m.
2. Suficiente ancho de banda o velocidad de respuesta, para
En resumen procesar la informacin de la seal portadora.
3. Bajo ruido. La corriente de oscuridad, la corriente de fuga y la
capacitancia e inductancia parsitas deben mantenerse lo ms
pequeas posible.
4. Baja sensibilidad a cambios de temperatura.
5. Tamaos pequeos y compactos, baratos y que puedan ser
acoplados fcilmente con fibra ptica.