ELETRNICA

ANALGICA
CEL099

Prof. Pedro S. Almeida

pedro.almeida@ufjf.edu.br
 Materiais
Semicondutores
&
Fsica de Estado
Slido Bsica

2
Contedo
Materiais Semicondutores: histrico, propriedades, diagramas de
nvel de energia
Dopagem: materiais intrnsecos e extrnsecos (tipo N, tipo P),
propriedades
Juno P-N: diodo bsico de juno P-N, polarizao,
propriedades, equao de Shockley

3
Definies:
1. Semicondutores: materiais com uma condutividade entre aquela de um condutor e a de
um isolante
2. Estrutura cristalina (slida): arranjo nico altamente ordenado de tomos ocorrendo
devido natureza do elemento constituinte, em padres simtricos
3. Portador de carga: qualquer partcula subatmica que pode ser considerada de ter uma
carga eltrica (positiva ou negativa). Ex.: eltrons, lacunas
4. Eltron de valncia: aquele que ocupa a ltima camada do tomo (camada de valncia)
5. Mobilidade do portador: a habilidade de portadores de carga livres de se moverem
atravs de um material cristalino
6. Material intrnseco: puro, sem nenhum outro elemento inserido na estrutura cristalina; a
densidade de portadores intrnsecos fixa
7. Material extrnseco: dopado, com algum outro elemento dopante (doador ou receptor)
inserido na estrutura cristalina, de modo a afetar a densidade de portadores e, portanto,
caractersticas de conduo eltrica do material
8. Banda de conduo: nvel de energia superior (ao da banda de valncia) onde se
considera que os eltrons de um material estejam livres para se mover pelo cristal e,
portanto, conduzir corrente eltrica
9. Banda proibida (ou bandgap): diferena energtica que existe (devido a fenmenos
qunticos) entre a banda de conduo e a de valncia; no pode ser ocupado por eltrons

4
Materiais Semicondutores
Semicondutores mais empregados:

Ge 1939 (primeiro diodo), 1947 (primeiro transistor)

muito sensvel a mudanas de temperatura (pequeno bandgap)
Si 1954 em diante
(quando foi possvel produzir silcio extra-puro (> 99.9999999% -
monocristalino)
GaAs alta mobilidade, usado de 1970 em diante (transistores at
5x mais rpidos que os de Si)
GaN, SiC 2005 em diante. Bandgap largo (pode operar em
altssimas temperaturas), no caso de SiC pode bloquear altas tenses
tambm (1200 V ou mais).

5
 Materiais Semicondutores
Semicondutores: materiais com uma condutividade entre aquela de um condutor e a de um isolante

Materiais mais comuns: Ge, Si (cristais simples), GaAs (arsenieto de glio - composto)
Outros materiais com aplicaes mais especficas: GaN, InGaN, CdS, GaAsP, SiC

Eltrons de valncia: potencial de ionizao

maior menor ddp p/ remov-los da camada

NEV = 4 tetravalente 6
 Materiais Semicondutores
Semicondutores: materiais com uma condutividade entre aquela de um condutor e a de um isolante

Materiais mais comuns: Ge, Si (cristais simples), GaAs (arsenieto de glio - composto)
Outros materiais com aplicaes mais especficas: GaN, InGaN, CdS, GaAsP, SiC

Cristal composto GaAs: 8 eltrons

compartilhados (via ligao covalente)

NEV = 3 trivalente NEV = 5 pentavalente

7
Semicondutores - estruturas
cristalinas intrnsecas
Ligaes covalentes formam os cristais dos semicondutores:

Intrnsecas cristal puro (sem dopagem) 8

Semicondutores - estruturas
cristalinas intrnsecas
Ligaes covalentes formam os cristais dos semicondutores:
Nos cristais intrnsecos, a 0 K, no
existem eltrons livres.
Portanto so essencialmente
isolantes

Eltrons livres no cristal: ocorrem

com a incidncia de energia: luz,
calor, radiaes energia
suficiente para os eltrons pularem
da banda de valncia para a banda
de conduo

free carriers in GaAs have more than five times the

mobility of free carriers in Si, a factor that results in
response times using GaAs electronic devices that can
(em temperatura ambiente) be up to five times those of the same devices made 9
from Si
Diagramas de nveis de energia

10
Diagramas de nveis de energia

Eg (bandgap) - energia necessria Si Eg =1,1 eV

para o eltron que se encontra Ge Eg = 0,67 eV Maior Eg menor
na banda de valncia chegar GaAs Eg = 1,43 eV sensitividade
GaN 3,4 eV temperatura
banda de conduo
SiC 2,36 eV a 3,23 eV
11
 Materiais extrnsecos
Dopagem: insero de impurezas no cristal pra alterar suas propriedades cristal
extrnseco

Material tipo N: dopagem c/ impurezas

pentavalentes = tomos doadores de
eltrons
(Grupo V da tabela peridica: Sb, As, P)

Material tipo P: dopagem c/ impurezas

trivalentes = tomos receptores de eltrons
(Grupo III da tabela peridica: B, Ga, In)

12
 Materiais extrnsecos tipo N
Dopagem: insero de impurezas no cristal pra alterar suas propriedades cristal extrnseco

Insero de um eltron livre:

13
 Materiais extrnsecos tipo P
Dopagem: insero de impurezas no cristal pra alterar suas propriedades cristal extrnseco

Insero de uma lacuna:

14
 Portadores fluxo; majoritrios
e minoritrios

In an n-type material the

electron is called the
majority carrier and the hole
the minority carrier.

In a p-type material the hole

is the majority carrier and
the electron is the minority
carrier.

15
Juno P-N estrutura bsica
do diodo semicondutor

16
Juno P-N sem polarizao

Internamente, o que est

ocorrendo:

ons descobertos

17
 Juno P-N sem polarizao
This region of uncovered positive and negative ions is called the
depletion region due to the depletion of free carriers in the region.

O fluxo lquido de portadores nulo

(portanto ID = 0 A quando VD = 0 V)

formao da juno

ons descobertos

formao da depleo

18
 Juno P-N
ons descobertos

Concentrao de portadores,
carga, campo eltrico e ddp:

19
 Juno P-N polarizao inversa
Efeito da polarizao inversa (com VD < 0)
nos portadores de carga da juno:
1. No h fluxo de portadores majoritrios!
2. S h fluxo de portadores minoritrios
(tal qual quando VD = 0 V)

alargamento da regio
de depleo isolante

IS = corrente de
saturao reversa
(saturada no muda
significativamente com
aplicao de maiores
potenciais)

20
 Juno P-N polarizao direta
Efeito da polarizao direta (com VD > 0) nos
portadores:
1. Devido ao potencial eltrico:
a) H injeo de eltrons no material tipo N
b) H injeo de lacunas no material tipo P
c) Ocorre a recombinao dos portadores c/
os ons na regio de depleo
2. H, portanto, fluxo de portadores majoritrios!
reduo da regio de depleo forte atrao dos portadores aumento exponencial na corrente

VT 26 mV @ 300 K

k constante de Boltzmann (1,38 x 1023 J/K)

TK temperatura absoluta (K)
q carga do eltron (1,6 x 1019 C)

21
Conceitos avanados
de Fsica de
Semicondutores

22
Operao Fsica de Diodos
Introduo Fsica de Semicondutores
Metais, Isolantes e Semicondutores. Nveis de Energia

Semicondutores so a base de fabricao de diodos e muitos outros

componentes eletrnicos

23
O Cristal de Silcio
Representao 3D.

Altura dos tomos

em relao base.

24
O Silcio em Temperatura
Ambiente

Eltrons e lacunas
so os
portadores
independentes de
corrente eltrica

25
Alguns conceitos
A carga da lacuna positiva e igual em valor carga do
eltron.
Ionizao Trmica o processo que permite a quebra de
ligaes covalentes por efeito de temperatura, gerando
eltrons e lacunas (em igual nmero) livres, que podem
ser usados na conduo de corrente eltrica.
Eventualmente, alguns eltrons retornam ligao
covalente, fenmeno conhecido como RECOMBINAO.
A taxa de recombinao proporcional ao nmero de
eltrons livres e de lacunas. Por sua vez, a quantidade
destes portadores proporcional taxa de ionizao, que
muito dependente da temperatura.

26
Mais conceitos
No equilbrio trmico, a concentrao de eltrons livres, n,
igual concentrao de lacunas, p: n = p = ni, sendo ni a
concentrao no silcio intrnseco (semicondutor puro, i. e.,
no dopado).
Sabe-se que ni2 = B T 3 e (EG/kT), sendo B a constante de
Boltzmann, T a temperatura absoluta em kelvins, EG a
largura da banda proibida do material.
Em temperatura ambiente (T 300K), ni 1,5 x 1010
portadores/cm3.
Obs.: um cristal de silcio possui 5 x 1022 tomos/cm3.

27
Difuso e Deriva
iD: corrente de difuso
Os mecanismos mais conhecidos de movimentao
de portadores em materiais semicondutores so a
DIFUSO e a DERIVA.
A difuso est associada ao movimento aleatrio
de eltrons e lacunas livres em decorrncia da
agitao trmica.
Para um cristal com concentrao de portadores
no uniforme (como na Figura 3.42), a corrente de
difuso dada por:
dp
J p( dif ) qDp
dx
dn Se
Jn( dif ) qDn fossem
dx eltrons
Sendo:
Jp e Jn: densidade de corrente [A/cm2].
q: carga do eltron.
Dp e Dn: constantes de difusividade.
(tipicamente, Dp = 12 cm2/s e Dn = 34 cm2/s)

28
O Movimento de Deriva
Ocorre em funo da aplicao de um campo eltrico, E, a uma barra hipottica de
material semicondutor.
Os portadores (eltrons e lacunas) so acelerados e adquirem uma velocidade,
denominada velocidade de deriva.
O movimento de deriva se sobrepe ao movimento trmico (difuso).
Neste caso:
vderiva( p ) m p E.
vderiva( n ) mn E.

Sendo mp e mn as constantes de mobilidade de lacunas e eltrons. Tipicamente, para o

silcio intrnseco, mp = 480 cm2/V.s e mn = 1350 cm2/V.s. Ou seja, mn2,5mp.
Assim, considerando um cristal de silcio com densidade de
lacunas p e eltrons n, tem-se:
J p( deriva ) q p m p E e Jn( deriva ) q n mn E.
J( deriva ) q( p m p n mn )E.
Que da forma: E J . Sendo, =1/[q( p m p n mn )].
Por fim, tem-se a relao de Einstein:

Dn Dp
VT .
mn mp
29
Semicondutores Dopados
Material n: material semicondutor que recebe
impurezas de tomos pentavalentes (e. g., P) tal
que haja uma predominncia de eltrons livres, em
detrimento de lacunas livres. Diz-se que os eltrons
so os portadores majoritrios no material n.

Material p: material semicondutor que recebe

impurezas de tomos trivalentes (e. g., B) tal que
haja uma predominncia de lacunas livres, em
detrimento de eltrons livres. Diz-se que as lacunas
so os portadores majoritrios no material p.

Obs.: A dopagem realizada por processo

industrial sofisticado e caro, sendo realizada a uma
razo muito pequena (em relao aos tomos do
semicondutor).

30
Relaes importantes
Considerando uma concentrao de tomos pentavalentes (doadores),
ND, e uma concentrao tomos trivalentes (aceitadores), NA, em dois
materiais semicondutores distintos, possvel escrever:
nn0 ND e pp0 NA. Sendo o ndice 0 para indicar o equilbrio
trmico.
Da Fsica de Semicondutores, sabe-se que:
No material n: nn0 pn0 ni2. Sendo, pn0 a concentrao de lacunas
(que so os portadores minoritrios) devido ionizao trmica.
Logo: pn0 ni2 /ND (no material n).
E no material p: pp0 np0=ni2. Sendo, np0 a concentrao de eltrons
(que so os portadores minoritrios) devido ionizao trmica.
Logo: np0 ni2 /NA (no material p).
Sabe-se que um cristal de silcio tipo n ou tipo p eletricamente
neutro, pois os portadores majoritrios so neutralizados pelas cargas
fixas associadas aos tomos de impureza.

31
A Juno p-n
formada pela dopagem de um material semicondutor com impurezas
doadoras (pentavalentes) e aceitadoras (trivalentes) em reas distintas e
vizinhas, formando a juno metalrgica.

Esquematizao simplificada:
Construo mais realista:

(A) (K)

Traduzindo:
Junction: juno.
Well: poo.
Substrate: substrato ou base.

32
Tcnica de Fabricao

Fonte: Rezende, S. Materiais e Dispositivos Eletrnicos.

Editora Livraria da Fsica, So Paulo, 2. Edio, 2004.
33
 A Juno pn em Circuito Aberto
ID: Corrente de difuso
IS: Corrente de deriva
(A) (K)
Obs.: O livro-texto no chama ateno, nem
esclarece, o fato de usar a mesma nomenclatura
(IS) para designar a corrente de deriva e corrente
de saturao dos diodos reais.

Representao original
(em ingls) do Sedra, ed. 5.
(Apenas os portadores
majoritrios
so representados).
34
Alguns conceitos
Na Figura 3.45(a) anterior no foram representados os portadores
majoritrios, para no sobrecarregar a ilustrao.
Lacunas do lado p e eltrons do lado n se difundem em sentidos opostos e
acabam RECOMBINANDO com seus correspondentes em ligaes covalentes
nas proximidades da juno.
Este processo contribui para o desaparecimento de cargas livres na regio
da juno, gerando CARGAS DESCOBERTAS.
Tal regio prxima juno fica, portanto, carente ou depletada de
portadores livres. , ento, conhecida como REGIO DE DEPLEO, s vezes
referenciada como REGIO DE CARGA ESPACIAL.
Note que o lado n fica com carga positiva e o lado p com carga negativa,
conforme representado na Figura 3.45(b).
Esta configurao de cargas opostas na regio de depleo resulta em um
campo eltrico interno, Ei, conforme representado na Figura 3.45(c).
O campo Ei se ope continuidade de difuso de cargas, criando o que
conhecido como BARREIRA DE POTENCIAL. Maior a barreira (tenso interna:
V0), menor ID.

35
A Difuso - Animao
Passo #1: Semicondutores tipo p e tipo n
formam a juno
semicondutor tipo p semicondutor tipo n
juno
preenchido com lacunas preenchido com eltrons

Figura: A juno pn sem tenso externa aplicada

(terminais em circuito aberto).
36
Passo #1A: Cargas de ligao so atradas (do entorno) pelos
eltrons e lacunas dos materiais n e p, respectivamente. Elas
permanecem fracamente ligadas aos portadores majoritrios,
mas no recombinam.

Cargas de ligao Cargas de ligao

negativas positivas

Figura: A juno pn sem tenso externa aplicada

37
(terminais em circuito aberto).
Passo #2: A difuso comea. Os eltrons e lacunas livres, que
esto prximos juno, iro se recombinar e,
essencialmente, eliminar uns aos outros.

Figura: A juno pn sem tenso externa aplicada

38
(terminais em circuito aberto).
Passo #3: A regio de depleo comea a se formar, to logo a
difuso ocorre e eltrons livres se recombinam com lacunas.

A regio de depleo preenchida com cargas descobertas que

perderam os portadores majoritrios aos quais estavam associadas.

Figura: A juno pn sem tenso externa aplicada

39
(terminais em circuito aberto).
Mais conceitos
Devido ao campo eltrico interno, portadores livres MINORITRIOS
(gerados termicamente) tambm se movimentam atravs da juno pelo
fenmeno de DERIVA.
A CORRENTE DE DERIVA, IS, formada pelo fluxo de lacunas minoritrias
do lado n para o lado p e eltrons minoritrios do lado p para o lado n
pela borda da juno, com sentido contrrio corrente de difuso, ID.
A corrente de deriva muito dependente da temperatura e
independente do valor de V0.
Na condio de circuito aberto, no h corrente externa, de modo que:
ID= IS.
A tenso interna obedece lei matemtica: V0 = VT ln(NA ND/ni2).
Para o silcio, V0 est entre 0,6 e 0,8V. Porm, esta tenso anulada
pelas tenses de contato, de modo que em circuito aberto, VAK = 0.
Para junes pn projetadas como clulas fotovoltaicas (com exposio
da juno luz natural ou artificial), possvel obter uma tenso gerada
nos terminais do dispositivo, que funo da radiao incidente. Neste
caso, a energia solar (ou luminosa) suficiente para se vencer a tenso
de contato.

40
Largura da Camada de Depleo
A regio de depleo existe tanto no lado p e quanto no lado n, havendo
quantidade de cargas iguais em ambos os lados.
Contudo, por conta da assimetria natural da dopagem nos dois lados da
juno, as larguras das camadas de depleo no so iguais.
Para compensar a assimetria da dopagem, a camada de depleo se
estender mais profundamente no material mais levemente dopado.
Considerando a largura de depleo no lado p igual a xp e no lado n igual a xn
possvel escrever: q xp A NA = q xn A ND, que pode ser reescrita como:
xn NA A: rea da juno.
.
xp N D
Sabe-se, ainda, da Fsica de Semicondutores, que:

2e s 1 1
Wdep xn xp V .
q NA ND 0
Sendo es a permissividade eltrica do silcio = 11,7 e0 = 1,04 x 10-12 F/cm.
Tipicamente Wdep da ordem de 0,1 a 1mm.

41
Assimetria na Regio de Depleo

Cargas iguais,
larguras diferentes

O que muda
neste caso? =>

42
Exerccio 3.32
Para uma juno pn com NA = 1017/cm3 e ND=1016/cm3 a T=300K, determine a
tenso interna, a largura da regio de depleo e as distncias pelas quais ela se
estende no lado p e no lado n. Utilize ni = 1,5x1010/cm3.

Soluo: Considerando VT = 25mV e aplicando a equao de definio de V0,

tem-se: V0 = 0,025 ln [(1017 1016)/(1,5x1010)2] = 728mV.
Com o valor V0 de possvel encontrar a largura Wdep:

2 1,04 10 12 1 1
Wdep 0,728 0, 32 m m .
1,6 10 19 1 1017 1 1016
xn 1 1017
Logo: xp 0, 32 m xn . Assim: .
0, 32 m xn 1 10 16

Que resulta em:

xn 0, 29 m m e xp 0,03 m m .

43
 O que Ocorre na Juno pn em Outras
Condies?
1) Sem tenso aplicada 1) Tenso negativa aplicada 1) Tenso positiva aplicada
2) Tenso diferencial na regio 2) Tenso diferencial na regio 2) Tenso diferencial na regio
de depleo vale V0 de depleo vale V0 + VR de depleo vale V0 - VF
3) ID = IS 3) ID < IS 3) ID > IS

(a) Circuito aberto b) Polarizao Inversa (c) Polarizao Direta

(equilbrio)

44
Em Polarizao Inversa (ou Reversa)
Ateno: Este ponto est confuso no Sedra ed. 5
(parece haver referncia equivocada a figuras,
alm de terem sido feitas modificaes pelos
tradutores da USP).

Admite-se que I inferior a IS (valor muito

pequeno, e. g. [nA]). Do contrrio, se
estabeleceria a RUPTURA reversa.
A fonte externa promove uma movimentao
de eltrons do material n para o material p (e
lacunas no sentido inverso).
Este movimento contribui para o aumento de
cargas fixas descobertas aumentem,
ampliando a extenso da regio de depleo.
Desta forma a barreira de potencial aumenta,
contribuindo para a reduo da corrente de
difuso, ID.
No equilbrio, I = IS ID.
A tenso terminal, neste caso, pode
ser medida, sendo representada por
VR.
O efeito da polarizao inversa
tambm pode ser alcanado de
forma idntica pela aplicao de uma
tenso reversa VR, com mdulo
inferior a VZK (tenso de RUPTURA).
No equilbrio, ID 0 e IS ID.

45
 A Juno pn na Ruptura
Se a corrente inversa externa for maior que
IS haver ainda maior movimentao de
eltrons do material n para o material p
(pelo circuito externo) e lacunas no sentido
oposto.
Este processo contribui para um aumento
da quantidade de cargas fixas (ou de
ligao) descobertas na regio de
depleo.
Isto aumenta significativamente a extenso Para VZ < 5V: Efeito Zener.
da regio de depleo e da barreira de Se VZ > 7V: Efeito Avalanche.
potencial, o que contribui para uma Para 5V < VZ < 7V: Avalanche ou Zener.
reduo da corrente de difuso, ID (se
Efeito Zener: gerao de pares eltron-
lacuna livres em funo da elevao do
reduzindo a aproximadamente zero).
campo eltrico.
Neste ponto (ID = 0), um novo mecanismo Avalanche: Portadores minoritrios
se estabelece para sustentao da corrente acelerados pelo campo eltrico rompem
externa, podendo ser do tipo Avalanche ou ligaes covalentes (colises), gerando
Efeito Zener. mais portadores livres.
Em qq caso, a tenso terminal muda
muito pouco com a elevao da corrente.
46
A Juno pn em Polarizao Direta
Suponha I no sentido direto, como
indicado na figura.
Isso contribui para o fornecimento
de portadores majoritrios do
circuito externo, ao lado p e lado
n.
Tais portadores neutralizao
algumas cargas de ligao (fixas)
na regio de depleo, reduzindo Devido diminuio da barreira,
sua extenso. eltrons so injetados do lado n
Assim, a barreira de potencial para o lado p, e lacunas fazem o
diminui, contribuindo para a caminho inverso.
elevao da corrente de difuso, Tais portadores injetados se
ID. No equilbrio, I = ID IS. tornam MINORITRIOS no outro
lado da juno.

47
Excesso de Portadores Minoritrios
A concentrao de portadores
Em operao estvel, a distribuio
minoritrios (eltrons) em excesso
exponencial da Figura 3.50
na regio p definida por np.
permanece constante e d origem ao
A concentrao de portadores aumento na corrente de difuso, ID,
minoritrios (lacunas) em excesso acima da corrente de deriva, IS.
na regio n definida por pn.

Figura 3.50 Distribuio de excesso de portadores minoritrios em uma

juno pn diretamente polarizada. Supe-se que o material p mais
fortemente dopado que o material n, ou seja, NA >> ND.
48
 A Relao v-i na Juno pn
Diretamente Polarizada
Como mencionado, pela injeo de
portadores majoritrios de um lado a outro 2
da juno (em funo da tenso direta, V), n
pn 0 i
(eq3.45)
estes portadores se tornam minoritrios no ND
lado oposto.
Assim, sua concentrao em excesso (e no pn ( xn ) = concentrao de buracos na regio n em funo de xn
pn 0 = concentrao no equilbrio trmico
uniforme) promove um amento na corrente v = tenso de polarizao direta
VT = tenso trmica
de difuso, ID, bem acima do valor de IS.
Logo, a relao v-i deve ser associada ao pn (xn ) pn 0 ev /VT (eq3.58)
fenmeno da difuso relacionado
concentrao no uniforme de portadores Que conhecida como Lei da Juno.
minoritrios em excesso em cada lado da
juno. Assim:
Para as lacunas minoritrias no lado n, concentrao
pn (xn ) pn 0 pn 0 ev /VT pn 0
possvel escrever (da Fsica de em excesso
Semicondutores) as equaes ao lado.
Relaes similares podem ser escritas para a pn 0 (ev /VT 1)
concentrao de eltrons no lado p.

49
A Relao v-i (cont.)
A concentrao em excesso de lacunas minoritrias em uma dada
distncia x qualquer, em relao ao limite da regio de depleo (xn),
e o comprimento de difuso (Lp), dada por:
( x xn )/Lp
pn (x) pn 0 (concentrao em excesso) e (eq3.59)
pn 0 ( eV /VT 1)

( x xn )/Lp
Ou seja, pn (xn ) pn 0 pn 0 (eV /VT 1)e
Quanto menor o valor de Lp, mais rapidamente as lacunas sero
recombinadas (com eltrons majoritrios), resultando em maior taxa
de decaimento.
Na prtica, Lp est relacionada ao tempo de vida dos portadores
minoritrios, tp, que o tempo mdio que a lacuna injetada na
regio n leva para se recombinar.

50
 A Relao v-i (cont.)
tomando a expresso da densidade de Jp ( dif )

As lacunas em difuso na regio n dpn (x) d

daro origem a uma corrente de Jp(dif ) qDp qDp ( pn 0
lacunas cuja densidade pode ser dx dx
0
determinada usando as equaes
d
3.37 (densidade de corrente de pn 0 (ev /VT 1)e ( x xn )/Lp )
difuso) e 3.59 do livro-texto: dx
pn 0 V /VT ( x xn )/ Lp
(e 1) e
Lp
Que resulta em:
Obs: no estado estvel os
pn 0 v /V ( x x )/L
portadores majoritrios tero que (eq. 3.36) J
p(dif ) qDp
L
(e T 1)e n p
ser repostos pelo circuito externo p
(formando, assim, a base da dpn ( x )
corrente efetiva fornecida pela dx
bateria) para a regio n a uma taxa
que mantenha a corrente constante Cujo valor mximo :
em seu valor no ponto x=xn, que o
ponto de mxima densidade: Dp
max( Jp(dif ) ) Jp(dif ) (xn ) q pn 0 (ev /VT 1)
Lp

51
A Relao v-i e a Corrente de Saturao, IS
A corrente total (i ) atravs da juno igual rea (A) vezes
as mximas densidades de corrente de lacunas (Jpdif ) e eltrons (Jndif )
A corrente externa , ento,
funo da soma envolvendo i A Jpdif ( xn ) Jndif ( x p )
a mxima concentrao de Dp Dn
lacunas (no lado n) e i A q pn 0 q np 0 (ev /VT 1)
concentrao de eltrons (no Lp Ln
aps a substituio dos valores mximos
lado p):
Dp D
i Aqni2 n (ev /VT 1)
Lp ND Ln NA
substituindo
pn 0 ni2 /ND and np 0 ni2 /NA

i IS (ev /VT 1)

A corrente de saturao fica,

D
assim, definida por: Is Aqni2 p Dn
L N LnNA
p D

52
Observaes Conclusivas
A corrente de saturao proporcional rea da
juno pn.
A corrente de saturao proporcional a ni2 que, por
sua vez, muito dependente da temperatura (agitao
trmica).
Observe que a equao deduzida no inclui a constante
de correo n (oops, esse outro parmetro que usa
nomenclatura idntica a outros conceitos usados no
livro-texto; neste caso n tambm usada para definir o
material dopado, rico em eltrons).

53
A Capacitncia de Depleo
(Polarizao Inversa)

Alternativamente

m o coeficiente de graduao da juno,

variando entre e .
54
A Capacitncia de Difuso
O excesso de carga relativo aos portadores
minoritrios (lacunas) no material n
representado na Figura 3.50 (rea hachurada)
e pode ser calculado por:

Substituindo o valor de pn(xn) definido

anteriormente e empregando a expresso da
densidade de corrente, permite encontrar:

(sendo Ip = A Jp, a componente de corrente de

lacunas)

Mas, pela equao que define o tempo de vida

das lacunas, tp, obtm-se:

Uma relao similar para os eltrons

minoritrios no material p resulta em:

55
A Capacitncia de Difuso (cont.)
Assim, a carga total devida aos portadores
minoritrios em ambos os lados da juno
dada por: Qd t p I p t n I n

Que pode ser expressa em funo da

corrente do diodo, i: Qd t T i
(sendo tT a soma dos tempos de trnsito de lacunas
e eltrons)
Obs.: Tipicamente, um lado da juno mais fortemente
dopado que o outro, como representado na Figura 3.50. Se,
por exemplo,
NA >> ND, pode-se mostrar que Ip >> In. Logo i Ip. Alm disso,
Qp >> Qn e Q Qp. Por fim, tT tp.

Por fim, a capacitncia de difuso, Cd, pode dQd t

Cd T I DQ
ser definida para um determinado ponto de dv
trabalho: pontoQ VT

Obs.: A capacitncia de depleo sob Sendo IDQ a corrente no ponto

polarizao direta costuma ser dada pela de operao de interesse
equao: Cj 2 Cj0. (ou seja, IDQ=IS e VDQ /VT ).

56
57
Resumo (cont.)

58
Exemplo (Sedra Ed. 6)

59
Exemplo 2 (Sedra Ed. 6)

60
Exemplo 2 (cont.)

61
Exemplo (cont.)

62
O Diodo de Juno P-N e
outros Dispositivos
de Dois Terminais

63
Contedo
O diodo ideal (simbologia e caracterstica v-i)
O retificador de meia-onda ideal
Operao como Porta Lgica
O Diodo de Juno Real
A Regio de Polarizao Direta
Modelos Matemticos
O Modelo Exponencial
O Modelo Linear por Partes
Modelo e Operao em Pequenos Sinais
O Diodo Zener (e Operao na Ruptura Reversa)
O Diodo Emissor de Luz (LED)
O Diodo Varactor (Varicap)
Fotodiodos

64
O Diodo Ideal
Smbolo: Modelo
simplificado:

Diodo ON
Caracterstica v-i: (conduz, fechado)

Diodo OFF
(bloqueio, aberto)

65
O Diodo Ideal

66
Exemplo Numrico

:Polarizao Reversa

Polarizao Direta:

67
O Retificador de Meia-Onda (ideal)

68
Exemplo 3.1
Q. No circuito retificador de carga de bateria
ao lado, a tenso de pico de vS vale 24 V e a
bateria de 12 V. Determine a frao de
tempo de cada ciclo durante a qual o diodo
conduz. Determine tambm o valor de pico da
corrente e a tenso inversa de pico (PIV)*
sobre o diodo.

S. O diodo pode conduzir quando a tenso vS

supera 12 V. Ou seja: 24 sen wt 12 V. Isto
resulta em wt=a 30o. Assim, por simetria, o
tempo de conduo do diodo em cada ciclo
ser dado por:
180o 2a = 2q = 120o.
Desta forma, o diodo conduz durante 2/3 de
cada ciclo.
O valor de pico da corrente ser dada por:
iD (pk) = (24 12)/0,1k = 120 mA.
A tenso inversa mxima (PIV) ser a soma da
mxima tenso da fonte com a tenso da a
bateria, ou seja 24 + 12 = 36 V.

(*) PIV: Peak Inverse Voltage (tenso inversa de pico)

69
Exemplo 3.2
Q. Determinar quais diodos conduzem e
encontrar as variveis eltricas indicadas.
Tcnica de Soluo:

1. Redesenhar o circuito
empregando o mtodo
convencional de representao.
2. Supor diodos em conduo e
calcular suas correntes.
3. Em caso de conduo indevida
(polarizao reversa), o diodo
respectivo dever ser
considerado bloqueado e os
clculos devem ser refeitos.
4. Encontrar as variveis pedidas,
empregando anlise
convencional de circuitos
lineares.

70
 Exemplo 3.2(b) (cont.)
D2 I2
(B)
1. Redesenhando o
circuito:
D1
10 kW 5 kW V

I1
10 V 10 V

(B) I2
2. Admitindo ambos Neste caso, VB = 0 e I2 = (10 VB)/5k =
diodos em V (10 0)/5k = 2mA e
10 kW 5 kW
conduo: Ix Ix = (10 VB)/10k = 1mA.
Assim, I1 = Ix I2 = 1mA, o que
I1 impossvel.
10 V 10 V Logo, D1 est bloqueado e apenas D2
conduz.

I2 = 1,33 mA
(B) V = 3,3V
3. Circuito
equivalente 4 . Nesta condio:
definitivo: 10 kW 5 kW
I2 = Ix = 20/15k = 1,33mA.
I1 = 0
Ix 10 V 10 V Logo, V = 10 5k (1,33m) = 3,3V.

71
 Operao como Porta Lgica

vA vB vC
+
_ +
_ +
_ vY

vA vB vC
+
_ +
_ +
_ vY

72
O Diodo de Juno Real

IS

Na regio direta e reversa: i = IS (e v/nVT 1).

(Equao de Shockley, William B. Shockley, 1910 1989).

73
O Diodo de Juno Real

74
Caracterstica esttica

75
Para um diodo real ...
IS constante para operao em determinada temperatura.
IS conhecida como corrente de saturao ou corrente de escala.
O nome escala se deve relao direta entre IS e a rea de fabricao (rea
da juno) do diodo (chip de Si, Silcio, ou elemento equivalente) .
Diodos reais possuem uma juno de dois materiais similares, fabricados
base de elementos semicondutores.
Assim, se a rea da juno dobra, IS tambm dobra, e igualmente a corrente
do diodo, i, dobra.
IS da ordem de 1015 A para diodos de sinal (de pequena potncia).
Na prtica IS tambm depende muito da temperatura e dobra de valor para
cada 5o C de elevao na temperatura.

76
Para um diodo real ...
VT conhecida como tenso trmica.
VT = k T/q, sendo k a constante de Boltzmann e q a carga do eltron.
Sabe-se que k = 1,38 x 1023 joules/kelvin.
T = temperatura absoluta em kelvin = 273 + temp. em o C.
Sabe-se que q = 1,60 x 1019 coulomb.
Na temperatura ambiente (300 K), VT vale 25,85 mV.
VT 25 mV ou 26 mV so boas aproximaes.
n conhecida como fator de idealidade ou de qualidade, ou ainda,
coeficiente de emisso.
O fator n geralmente varia de 1 a 2, sendo normalmente adotado o
valor unitrio.
Para diodos discretos, n vale aproximadamente 2 e para diodos
integrados(1) em um chip prximo da unidade.
(1)
Um circuito integrado um componente eletrnico que inclui (integra), por sua
vez, vrios componentes eletrnicos em uma nica pastilha (chip) de material
semicondutor, ocupando uma rea e volume muito reduzidos (usualmente, menor
que 0,25 cm2).
77
A Regio de Polarizao Direta
Supondo o diodo fortemente polarizado i IS, pode-se admitir
que i IS ev/nVT (equao simplificada de Shockley).
Alternativamente v nVT ln (i/IS).
Assim, possvel demonstrar algumas relaes teis
considerando dois pontos quaisquer de operao na regio
direta (I1, V1) e (I2, V2):

I2
e( V2 V1 )/ nVT
I1
I2
V2 V1 nVT ln
I1
I2
V2 V1 2, 3nVT log
I1

Obs.: Qn um ponto de operao, ou ponto quiescente.

78
Exemplo 3.3
Q. Um diodo de silcio, feito para operar com 1 mA, apresenta uma
queda de tenso direta de 0,7 V para uma corrente de 1 mA. Avalie o
valor da constante de IS nos casos em que n seja 1 ou 2. Que constantes
de escalamento se aplicam para um diodo de 1 A do mesmo fabricante
que conduz uma corrente de 1 A para uma queda de 0,7 V?

S. Usando a expresso simplificada de Shockley, IS = i e v/nVT .

Para o diodo de 1 mA e considerando n=1:
IS = 10 3 e 700/25 = 6,9 x 10 16 A ou cerca de 10 15 A.
Considerando n=2:
IS = 10 3 e 700/50 = 8,3 x 10 10 A ou cerca de 10 9 A.

J um diodo de 1 A conduz uma corrente 1.000 vezes maior que o

diodo de 1mA e exige uma seo transversal 1.000 vezes maior, o que
resulta em IS da ordem de 1 pA e 1 mA, respectivamente, com n = 1 e
n = 2.

79
Dependncia com a temperatura

A queda de tenso direta reduz 2mV para uma

elevao de 1oC na temperatura.

80
 Dependncia com a temperatura

In the forward-bias region

the characteristics of a
silicon diode shift to the left
at a rate of ~2.5 mV per
centigrade degree increase
in temperature.

81
A Regio de Polarizao Reversa
Tambm conhecida como regio inversa.
Nessa regio a corrente do diodo negativa, saturada, de valor
aproximadamente igual a IS.
Na realidade, a corrente reversa , apesar de pequena, muito
maior que IS, devido a determinados fenmenos fsicos.
Para diodos de sinal, que idealmente teriam IS da ordem de 1014
ou 1015 A podem apresentar corrente reversa de cerca de 1 nA.
Um dos fenmenos que contribuem para uma maior corrente
reversa a fuga, que proporcional rea da seo transversal.
Sabe-se ainda que a corrente reversa muito dependente da
temperatura. Como regra prtica, ela dobra para um aumento de
10oC, enquanto IS dobra a cada 5oC.

82
A Regio de Ruptura Reversa
Ocorre quando, inserido em circuito, o diodo precisa suportar um
tenso reversa superior a VBV, que definido pelo fabricante.
VBV conhecida com tenso de ruptura (breakdown voltage - BV), na
regio de polarizao reversa.
Em alguns casos tenso zener utiliza-se a letra Z (fsico norte-
americano que estudou o fenmeno da ruptura em isolantes eltricos,
Clarence Melvin Zener (1905 -1993)).
Na regio de ruptura, a corrente inversa cresce muito para pequenas
elevaes na tenso reversa.
A regio de ruptura reversa no resulta em destruio do diodo, desde
que seja respeitada a mxima potncia de operao definida pelo
fabricante (P Vzk x i).
Pelo fato de a tenso variar muito pouco nesta regio, o diodo pode ser
usado como regulador de tenso, o que ser estudado mais frente
neste captulo diodos zener.

83
A Regio de Ruptura Reversa

84
Encapsulamentos PTH*
*pin through hole

SOD-64

TO-220AC

85
 Folhas de dados - datasheet

Dados tabelados:

86
 Encapsulamentos SMT*
*surface mount technology

MELF / Mini-MELF

SOT-23

87
 Folhas de dados - datasheet
Curvas caractersticas estticas
(de um diodo rpido de potncia MUR860)

88
Modelos Matemticos
So normalmente usados para se determinar a corrente e tenso
sobre o diodo real (na regio direta).

Duas equaes, duas

incgnitas:
ID = IS e VD/nVT
ID = (VDD-VD)/R (LKT)*

Modelos mais comuns:

Modelo exponencial (Equao de Shockley).

Modelo linear por partes.
Modelo tenso constante.
Modelo de diodo ideal.
(*) Lei de Kirchhoff das tenses

89
Modelo Exponencial Anlise Grfica

90
Mod. Exponencial Anlise Iterativa

Interpretao Grfica:

Ponto Q exato

91
Modelo Linear por Partes
VDQ VD 0
rD
I DQ

iD 0, vD VD 0
iD ( vD VD 0 ) / rD , vD VD 0

92
Exemplo 3.5
VDD 5V R 1 kW

Obs.: O Sedra omite aqui uma anlise inicial, que visa

definir se o diodo pode conduzir ou no. Neste caso, a
tenso VDD muito superior a VD0, o que resulta em
condies satisfatrias para ID > 0. Logo, o diodo
conduz e o modelo pode ser usado. Note que se o
modelo fosse usado indiscriminadamente, poderia ser
obtido um valor de ID < 0, o que indica bloqueio.
93
Modelo de Queda de Tenso Constante

Obs.: Em geral se escolhe VD=0,7V.

Obs.: Usando esse modelo no Exemplo 3.5, resultaria numa corrente de

diodo igual a 4,3 mA. Isso implica em um erro igual a 0,9%, o que
muito pequeno plenamente aceitvel.

94
O Modelo do Diodo Ideal
usado quando a tenso independente externa do circuito em
que o diodo est inserido muito superior tenso de operao
tpica dos diodos (0,6V a 0,8V).
Neste caso, o diodo substitudo por um curto circuito quando
polarizado diretamente.
Para o Exemplo 3.5, a corrente no diodo seria de 5mA, caso ele
fosse considerado ideal. Isso implica em um erro de cerca de
16%, que pode ser usado como primeira anlise,
procedimento muito comum em Engenharia Eltrica e
Eletrnica.

95
O Modelo para Pequenos Sinais
A anlise at ento focou-se somente em sinais puramente contnuos (CC, ou
DC modelling, ou modelagem de grandes sinais). Devemos considerar
tambm a anlise com sinais variantes no tempo, que complicada pela
natureza no-linear do componente.
O conceito de operao em pequenos sinais que existe um sinal de
pequena amplitude sobreposto a um valor contnuo (de polarizao). A
anlise ento pode ser dividida em duas partes:

Tenso variante no tempo:

componente CA de
pequenos sinais
Valor mdio da tenso:
componente CC de grandes sinais 1 Polarizao CC (DC bias)
2 Sinal CA de pequena amplitude
(small-signal)

A soluo completa encontrada por superposio linearizao de

um circuito no-linear em torno de um ponto de operao para
solucionar-se o problema com tcnicas de anlise de circuitos lineares! 96
 O Modelo para Pequenos Sinais
Derivao do modelo de
pequenos sinais:

como:

vD ( t ) VD vd ( t )

e (Shockley):
vD ( t )
VD nVT vd ( t ) nVT
iD ( t ) I S e nVT
IS e e

ID
vd ( t )
iD ( t ) I D e nVT

Expanso da exponencial em srie de Taylor:

x2 xn
e 1 x ...
x

2 n 0 n! n=1
n=0
truncar nos 2 primeiros termos
97
 O Modelo para Pequenos Sinais
Derivao do modelo de pequenos sinais:

vd ( t )
ID
iD ( t ) I D e nVT
ID vd ( t )
nVT
Se vd(t) suficientemente pequeno: a soluo a
superposio da soluo CC e CA: 1
i nVT
I
iD ( t ) I D D vd ( t ) I D id ( t ) rd D W
nVT vD i I ( ponto Q ) ID
D D
(resistncia dinmica ou de pequenos sinais)

equivalente p/
Condio de pequenos sinais pequenos sinais
(i.e., para a aprox. ser boa): anlise CA:
ID v
ID vd ( t ) d 1
nVT nVT

98
O que o modelo de pequenos
sinais prope?
Submetido s condies de pequenos sinais, o
diodo pode ser linearizado.
Uma vez linearizado, se pode aplicar o
Teorema da Superposio.
O diodo, ento, representado na anlise CC
por uma queda de tenso constante
(usualmente 0,7V, para diodos de silcio).
Pela anlise CC possvel encontrar o valor da
corrente que circula pelo diodo, IDQ.
+
Na anlise CA, o diodo substitudo por uma
resistncia, conhecida como resistncia Anlise CC Anlise CA
dinmica (rd), que tem um valor dependente
do ponto de trabalho, pois seu clculo Sendo:
realizado com base em IDQ. rd = n VT/IDQ

99
Exemplo 3.6

Circuitos
equivalentes
CC e CA usados
nesta soluo:
100
Aplicao do modelo: O Diodo
como simples regulador de tenso
Uma das aplicaes mais populares dos diodos.
Reguladores de tenso so circuitos alimentados por uma
tenso CC no regulada (tenso varivel de baixa amplitude
superposta a um nvel CC) que fornecem carga uma tenso
CC com boa preciso e variao (ondulao ou ripple)
desprezvel.
Um bom regulador de tenso projetado para oferecer
carga uma tenso bem definida, praticamente independente
de trs perturbaes bsicas possveis: a) Variaes no nvel
CC de entrada; b) variaes na amplitude da ondulao na
entrada e c) variaes na carga (potncia de sada).
Diodos podem ser associados em srie para se alcanar o nvel
de tenso desejado. Mas, diodos zener fazem isso melhor!

101
Exemplo 3.7

102
 RESUMO

103
Outros dispositivos
correlatos de dois
terminais

104
O Diodo Zener
Exploram a caracterstica de
tenso na regio de ruptura
inversa.
So projetados e fabricados
exclusivamente para operarem
na regio de ruptura.
Deve-se respeitar a mxima vZ
corrente reversa (ou a potncia
nominal mxima do dispositivo,
que esto inter-relacionadas).

iZ
Note que rz = DV/DI:

105
O Modelo do Diodo Zener
Similar ao modelo linear por partes do diodo comum.
Neste caso, VD0 = VZ0 e rD = rZ.
Pela LKT: VZ = VZ0 + rZ IZ. (eq. 3.20, do Sedra)
A resistncia rZ da ordem de poucos ohms a poucas dezenas de ohms.
A tenso VZ tipicamente na faixa de alguns volts a algumas centenas de
volts.
Alm de VZ (para um dado IZT), rz e Izk, os fabricantes tambm definem a
potncia mxima que um diodo zener pode suportar.

106
Folha de Dados
(Datasheet)
para um Diodo
Zener Tpico

107
O Regulador Paralelo (Shunt)

108
Exemplo 3.8
(cont.)

109
O Diodo Schottky
Tambm conhecido como diodo de barreira
Schottky (SBD).
formato pela juno de um material metlico
com um semicondutor, processo que tambm
funciona como um retificador.
Apresenta queda de tenso direta bem inferior
dos diodos de silcio comuns, ou seja VF da
ordem de 0,3V.
Permitem comutaes (on-off) muito mais
rpidas que os diodos comuns.
Existem diodos Schottky base de arseneto de
glio (GaAs), que um composto muito
importante na indstria eletrnica atual.

110
O Diodo Emissor de Luz (LED)
O acrnimo LED vem do ingls: Light Emitting (A)
Diode.
So diodos otimizados para emitir luz quando
da passagem de corrente direta (de anodo para
catodo), fenmeno fundamentado no princpio
(K)
da recombinao de eltrons no material
semicondutor (ver cap. 4).
Fonte: IEEE Spectrum, ago/2009
O processo de emisso de luz em LEDs
conhecido como ELETROLUMINESCNCIA.
A cor da luz de um LED depende do material
semicondutor usado na sua fabricao.
Existem LEDs incolores, ou seja, emitem
radiao no visvel com infravermelho (IR, do
ingls infrared) e ultravioleta (UV).
LEDs possuem reduzida capacidade de bloqueio
de tenso reversa (ou seja, no so apropriados
para operarem como retificadores).

111
 LEDs (Histrico)
O incio das pesquisas sobre diodos emissores de luz aconteceu na primeira
metade do sculo XX, envolvendo cientistas britnicos (H. J. Round), russos
(Oleg Vladimirovich Losev) e americanos.
Nicholas (Nick) Holonyak , Jr. (1928 ~), considerado o pai dos LEDs modernos,
reportou a primeira emisso visvel de LEDs, em 1962.
Shuji Nakamura (1954 ~), engenheiro
eletrnico japons (Nichia Corp.,
atualmente na UCSB), demonstrou o 1907 Carborundum luminoso
primeiro LED azul em 1994, o que 1955 LED IR (Infravermelho)
rapidamente viabilizou a produo de 1962 LED vermelho
1971 LED azul / 1993 comercial
LEDs brancos de alta intensidade.
(Shuji Nakamura)
1972 LED amarelo/ 90's comercial
1972 LED mbar / 90's comercial
1995 LED branco/ 90's comercial
Final dos anos 90 UV LED / 90's
comercial

112
LEDs (Comparao Simples)
Faixa de Eficincia Energia do
VF tpica @
Cor Comprimento (W/W) bandgap
20mA
de Onda (nm)
Infravermelho > 720 1,6 V - < 1,72 eV

Vermelho 625 < < 720 1,8 V 39% 1,72-1,98 eV

Laranja 600 < < 625 2,0 V 29% 1,98-2,06 eV

Amarelo 570 < < 600 2,1 V - 2,06-2,18 eV

Verde 515 < < 570 3,5 V 15% 2,18-2,41 eV

Ciano 490 < < 515 3,2 V 26% 2,41-2,53 eV

Azul 455 < < 490 3,6 V 35% 2,53-2,72 eV

Violeta 390 < < 455 4V - 2,72-3,78 eV

Ultravioleta < 390 4,4 V - > 3,8 eV

Obs.: O espectro eletromagntico visvel ao olho humano engloba a faixa de

390nm a 700nm, aproximadamente. Porm, alguns consideram uma faixa mais
abrangente, que vai de 380nm a 780nm.

113
LEDs (Comparao Simples)

114
Diodo Varactor (ou Varicap)
Exploram um efeito parasita dos diodos reais, denominado
capacitncia de depleo, Cj (ver Cap. 4).
A capacitncia equivalente (entre anodo e catodo) uma funo da
tenso inversa, VR, sobre o dispositivo.
Assim, o varactor pode apresentar uma capacitncia varivel
(Variable Capacitor diode).
Possui uma aplicao importante na sintonia automtica de
emissoras em radioreceptores.
Cjo a capacitncia observada com tenso A-K nula.
Apesar de em diodos reais 1/3 < m < 1/2, nos varactores m est
entre 3 e 4.
C jo
Cj m
VR
1
V0

Simbologia.
115
Fotodiodos
Quando a juno do diodo est reversamente (A)
polarizada e iluminada com uma determinada
intensidade luminosa ocorre a gerao de uma
fotocorrente, proporcional luz incidente.
(K)
O fotodiodo pode ser usado para converter
sinais luminosos em sinais eltricos.
Tal como os LEDs, os fotodiodos pertencem famlia dos dispositivos
optoeletrnicos, que compem o campo de conhecimento conhecido
como fotnica.
Em geral: a eletrnica ideal para processamento de sinais e a ptica
para a transmisso e armazenamento de dados.
Aplicaes importantes: CD-ROM (compact disc read only memory),
DVD (digital versatile disc), discos blu-ray, controles remotos,
optoacopladores e clulas solares (fotovoltaicas).

116
 Fotodiodos - construo
(A)

(K)

Diodo PIN
Insero de uma camada intrnseca
aumenta a camada de depleo (regio
fotossensvel) reduz capacitncia,
aumenta velocidade, possui mais
possibilidade de criar pares de
portadores com a incidncia de luz

117
Fotodiodos Resposta luminosa:

Modelo e Caracterstica v-i

~ 950 nm (IR)

Chave ptica:

Modo fotocorrente (PC) iD cte.

118
Fotodiodos
Circuito de aplicao (amplificador de fotocorrente)

Circuito com amp. operacional Caracterstica de transferncia

Obs.: ISC a corrente de curto-circuito do fotodiodo (ver prximo slide), visto que a entrada do operacional
apresenta um curto virtual. EV a luminosidade incidente (intensidade luminosa, ver prximo slide), de
modo que a tenso de sada proporcional variao da luminosidade.

119
 Clula fotovoltaica Modelo eltrico
Construo tpica malha
metlica

Comparativo
construtivo c/
ITO fotodiodo:
indium-tin
Com catodo transparente: oxide

120
 Clula fotovoltaica Modelo eltrico

i PV ( v PV , Psun ,T ) I ph
v PV i PV RS

IS e T

nV

v PV i PV RS

RP

I ph (T, Psun ) Psun , T fotocorrente

corrente
3 qEG 1 1
1 VOC T nk B Tr T saturao
Modo fotovoltaico (PV): IS (T) VOC ISC R T e reversa
nVT P r

v PV cte. se i PV 0 (aberto) e
i PV cte. se v PV 0 (curto) I ph
OC
V nV T ln 1 tenso de circuito aberto
IS
I I corrente de curto circuito 121
SC ph
Clula fotovoltaica Pmx
T = cte.

Psun = cte.

Pmx

122