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Materiais Eltricos e
Medidas
Aula 07 - TEORIA
580031 turmas A, B e C
A juno p-n
Considere um cristal semicondutor de Si com uma regio tipo-n e uma regio tipo p ,
inicialmente afastadas, sejam colocadas em contato. O que ocorre no plano da juno?
p n
p n Na interface entre os dois materiais (n e p), existe
B- As+
h+-
B As+ um gradiente de concentrao de portadores.
(a)
h+ e - (a) Esses portadores tendem a se difundir para o outro
e- lado da interface, de modo a diminuir esse
M
Metallurgical
M Junction
Metallurgical
gradiente.
Neutral p-region Eo Junction
Neutral n-region
Neutral p-region Eo Neutral n-region
p n
p n
B- As+
h+-
B As+
(a)
h+ e - (a)
e-
M
Metallurgical
M Junction
Metallurgical
Neutral p-region Eo Junction
Neutral n-region
Neutral p-region Eo Neutral n-region
(b)
(b)
M
- - M- + + Space charge region
-W-p +W n+
p
log(n), log(p) -W- -
- -p
+ +
+W n+
n
Space charge region
log(n), log(p) --- + +
ppo -- - + +
ppo nno
nno
d0 ni (c)
ni (c)
npo I
difppno
nZona no x
po de
net
x=0
x
x=0 3
net
Depleo M
Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n
pp n
n Mas essa difuso no ocorre indefinidamente, de
B - As
As+
+ forma a eliminar completamente o gradiente de
B-
h
h+
+ (a)
(a)
concentrao em todo o material. Isso ocorrer
-
ee- apenas nas proximidades da juno.
M
M
Metallurgical Junction
Metallurgical Junction
Neutral p-region
Neutral p-region E Neutral n-region
Eoo Neutral n-region
Isso porque, na zona de depleo, existir um
(b) campo eltrico que d origem a uma Corrente de
(b)
Deriva (Ider), contrabalanando a corrente de
difuso e fazendo com que um mesmo nmero de
M
M
-WW-p - +W n+
Space charge region
Space charge region
portadores, que continuamente se desloca por
log(n),
log(n), log(p)
log(p) - -p +W n+ difuso, retorne ao seu local de origem pelo
p - - -
- -
+ +
+ +
n
pppo
po
---
-- -
+ +
+ +
mecanismo de deriva. Teremos uma situao de
n
nno
no
(c)
equilbrio quando Ider = Idif e, portanto, de
d0 n
nii (c)
Zona de condies estacionrias, quando a corrente de
Depleo ppno difuso e de deriva forem iguais.
n
npo
po
Idif no
xx
xx =
= 00
net
net
Ider
M
M
eN
eNdd A corrente lquida no equilbrio nula! 4
-W
-Wpp
h+ (a) Eltricos e Medidas
M Materiais
-
Wp Wn
Space charge region e
log(n), log(p)
M
Metallurgical Junction
A juno p-n
ppo
Neutral p-region Eo Neutral n-region
nno
A Zona de Depleo formada por duas regies
ni de carga espacial, uma positiva e outra negativa.
(c)
(b)
pno CARGA ESPACIAL: De onde ela vem?
npo
x=0
x
Lado n : ons positivos (impurezas doadoras) ficam
net M fixos e eltrons livres migram para regio p,
M Space charge region
log(n), log(p) W p
Wn recombinando-se com buracos livres. Isso introduz
eNd carga lquida positiva do lado n.
ppo -Wpd
0
Wn nno x (d)
Lado p : ons negativos (impurezas aceitadoras)
ficam fixos e buracos livres migram para regio n,
ni (c)
-eNa recombinando-se com eltrons livres. Isso introduz
M
p carga lquida negativa do lado p.
npo E(x) no
-W p
x = 00 Wn x
net x
(e)
M a carga espacial que gera um Campo Eltrico E(x)
Eo atravs da juno p-n em condies estacionrias,
eN d
-Wp com valor mximo E0 na juno. O potencial eltrico
V(x)
Wn V
V(x) pode ser encontrado pela definio E=-dV/dx.
x (d)
Zona de Depleo o
(f) 5
-eN
Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n
A carga espacial d origem a uma diferena de
potencial de contato V0 entre as extremidades da
zona de depleo.
M
E(x)
essa diferena de potencial que impede que os
-W p 0 Wn
x eltrons e os buracos continuem a atravessar o
(e)
plano da juno.
Eo
Cargas positivas (buracos) tendem a se deslocar para
V(x) regies de baixo potencial eltrico.
Vo
Cargas
(f) negativas (eltrons) tendem a se deslocar
para regies de alto potencial eltrico.
x
PE(x) Energeticamente, a energia potencial PE forma uma
eV o barreira para o movimento de:
Hole PE(x) - eltrons, da direita para a esquerda;
- buracos, da esquerda para a direita.
x (g)
A diferena de potencial V0 funciona como uma
Electron PE(x)
barreira para os portadores em maioria, mas facilita
o movimento dos portadores em minoria. 6
-eVo
Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n
No possvel medir diretamente o
valor de V0 aplicando um voltmetro
E(x)
M
conectado aos terminais do diodo,
-W p 0 Wn
x porque essa tenso existe apenas em
(e)
uma pequena regio prxima juno.
Eo No todo, o componente
V(x)
eletricamente neutro, uma vez que no
Vo
foram
(f) acrescentados nem retirados
portadores do cristal.
x
PE(x)
eV o
Hole PE(x)
x (g)
Electron PE(x)
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-eVo
Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n - Equilibrio
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Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n
O que acontece com o nvel de Fermi no equilbrio (quando no h tenso
eltrica externa aplicado juno : Vext = 0)?
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Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n
Eo (
O que acontece com o nvel
p n
de Fermi no equilbrio M
E
(quando no h campo c
Um dispositivo semicondutor
que faz uso dessa propriedade
o diodo retificador, cujo
smbolo circuital est
mostrado ao lado
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Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n: O diodo retificador
O que ocorre quando aplicamos uma tenso eltrica no diodo? Resp. :
Depende da polarizao da juno: Direta ou Reversa
)
Eo -E
(b) Polarizao Direta:
E Terminal positivo da fonte ligado
c e(V o -V) no lado p do diodo.
E
c
E - H uma diminuio da barreira de
E eV Fn
Fp potencial efetiva para (V0-V) e do
E campo eltrico da juno.
v
E
v
Um nmero maior de portadores
majoritrios consegue atravessar a
p n barreira, ou seja,
Idif > Ider
- A Zona de depleo se torna mais
I estreita, pois h reduo da carga
espacial 12
V
Materiais Eltricos e Medidas
A juno p-n: O diodo retificador
Polarizao Reversa: Terminal negativo da fonte ligado no lado p do diodo.
Polarizao Reversa ou Negativa
O Diodo Retificador
Curva caracterstica corrente-tenso:
O Diodo Retificador
Curva caracterstica corrente-tenso:
Polarizao Direta
Current
Ge Si GaAs
~0.1 mA
Voltage
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
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Schematic sketch of the I-V characteristics of Ge, Si and GaAs pn Junctions
Materiais Eltricos e Medidas
O Diodo Retificador
Curva caracterstica corrente-tenso:
I Reverse diode current (A) at V = 5 V
mA 10-4
323 K Ge Photodiode
10-6 Slope = 0.63 eV
10-8
10-10
V 238 K
Ideal diode 10-12
10-14
nA
Space charge layer 10-16
generation, surface leakage 0.002 0.004 0.006 0.008
current, etc. (b) 1/Temperature (1/K)
(a)
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Materiais Eltricos e Medidas
O Diodo Retificador
De onde vem essa curva IxV?
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Materiais Eltricos e Medidas
O Diodo Retificador
De onde vem essa curva IxV?
19
Materiais Eltricos e Medidas
O Diodo Retificador
De onde vem essa curva IxV?
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Materiais Eltricos e Medidas
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Materiais Eltricos e Medidas
O Diodo Retificador
Tenso reversa de ruptura:
Eo + E
Efeito de Avalanche:
p h+ n
Causado pela ionizao
e- de impacto de eltrons
acelerados pelo campo
I = M Io eltrico que colidem com
tomos da rede e ganham
energia suficiente para
W
Depletion region (SCL) atravessar a barreira.
V
r
Ao atingir uma determinada tenso inversa, a corrente inversa aumenta
bruscamente , causando o efeito Joule, e consequentemente a dissipao da energia
trmica acaba por destruir o dispositivo, no sendo possvel reverter o processo
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Materiais Eltricos e Medidas
O Diodo Retificador
Tenso reversa de ruptura:
SCL
p n Efeito de Tunelamento:
E
c
200
E br (V / m )
100
Avalanche Tunneling
0 Nd (cm -3)
14 15 16 17 18
10 10 10 10 10
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Materiais Eltricos e Medidas
O Diodo
Retificador
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Materiais Eltricos e Medidas
O diodo Retificador: Porque retificador?
Retificao: til na transformao
de um sinal alternado em contnuo.
Diodo ideal: Chave aberta na pol.
Reversa e chave fechada na
polarizao Direta
A rede eltrica possui tenso alternada enquanto a grande maioria dos aparelhos
eletrnicos funciona com tenso contnua.
26
(Source: From Electronic Devices, Sixth Edition, by T.L. Floyd, Fig. 1-30. Copyright 2002 Prentice Hall. Reprinted by permission Pearson Education, Inc., Upper Saddle River, NJ.)
Materiais Eltricos e Medidas
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Materiais Eltricos e Medidas
O Diodo Zener
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Materiais Eltricos e Medidas
Os dois principais
transitores so o
Transistor Bipolar
de Juno (BJT)
eo
Transitor de Efeito
de Campo Metal
xido
Semicondutor
(MOSFET)
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Materiais Eltricos e Medidas
Transistor de Juno
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Materiais Eltricos e Medidas
TRANSISTOR
Uma regio de base (B) muito fina tipo n est Input E pnp C Output
circuit (c)
localizada entre uma regio emissora (E) e circuit
B I
coletora (C), ambas do tipo p. B
V V
O circuito que inclui a juno 1 (emissor-base, EB CB
E B C
EB) possui polarizao direta, enquanto uma
E
tenso reversa aplicada atravs da juno 2
Electron
(base-coletor, BC). I
E Diffusion I
C
Hole
Hole diffusion
drift
O grande aumento na
corrente atravs do
coletor tambm ser
refletido por um aumento
na tenso no resistor de
carga.
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Materiais Eltricos e Medidas
Transistor bipolar de juno
Transistor n-p-n
2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.
IC (mA)
3 IE = 3 mA
2 IE = 2 mA
1 IE = 1 mA
IE = 0
-VCB
0 5 10 ICBO
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Transistor de Efeito de Campo (FET)
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Materiais Eltricos e Medidas
Transistor de Efeito de Campo (FET)
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Materiais Eltricos e Medidas
Transistor de Efeito de Campo (FET)
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