1/12/2017 Corriente de Arrastre | PVEducation

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Christiana Honsberg
and Stuart Bowden Diffusion Corriente de Arrastre Formacin de la unin-
PN
Instructions
1. Introduccin Overview
2. Properties of Sunlight
1. Lo portadores transportan cuando se impone un campo elctrico en el semiconductor.
3. PN Junction
4. Solar Cell Operation 2. Los electrones se mueven en la direccin opuesta neta del campo elctrico. Los huecos se mueven en la
5. Design of Silicon Cells direccin neta del campo elctrico.
6. Manufacturing Si Cells
7. Modules and Arrays Como se ha sealado en la pgina del movimiento de portadores en ausencia de un campo elctrico, los
8. Characterization portadores se mueven una cierta distancia a una velocidad constante en una direccin aleatoria. Sin embargo, en
9. Material Properties presencia de un campo elctrico, superpuesto a esta direccin al azar, y en presencia de la velocidad
11. Appendices trmica, los portadores se mueven en una direccin neta. Hay una aceleracin en la direccin del campo
Korean Version elctrico si el portador es un hueco y es opuesta si el portador es un electrn. La aceleracin en una direccin
Energi Solary dada provoca un movimiento neto de portadores sobre una cierta distancia neta, como se muestra en la
Energa del fotn
animacin a continuacin. La direccin de los portadores se obtiene como una suma de los vectores de su
List of:
direccin y el campo elctrico. El movimiento neto de portadores en presencia de un campo elctrico est
Verde
caracterizado por la movilidad
, que vara para diferentes materiales semiconductores. Los valores para el silicio, el
material semiconductor ms utilizado para aplicaciones fotovoltaicas, se dan en elapndice.
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La animacin muestra cmo la presencia de un campo elctrico introducir una distancia neta en el movimiento
de un portador. En esta animacin, el portador es un hueco de modo que se mueve en la misma direccin que
el campo elctrico.

El transporte debido al movimiento de los portadores causado por la presencia de un campo elctrico se
denomina "transporte por arrastre". Transporte por arrastre es el tipo de transporte que se produce no slo en
material semiconductor, sino tambin en los metales. La siguiente animacin muestra el movimiento de los
portadores en direccin aleatoria con y sin un campo elctrico. El portador en este caso es un electrn. Dado que
el electrn tiene una carga negativa, tender a moverse en la direccin opuesta a la del campo elctrico. Observe
que, en la mayora de los casos, el electrn se mueve en la direccin opuesta a la del campo elctrico. En algunos
casos, por ejemplo, si el electrn sigue una secuencia de movimientos en la direccin del campo elctrico, el
movimiento neto puede ser en realidad en la direccin del campo elctrico durante una corta distancia.

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La animacin de arriba muestra un electrn que se mueve aleatoriamente con y sin un campo elctrico. La
aplicacin de un campo elctrico provoca un movimiento neto del electrn hacia la derecha. Un hueco de carga
positiva se movera hacia la izquierda.

En la siguiente animacin, se representa un semiconductor intrnseco con un nmero igual de electrones y

huecos. Sin el campo elctrico, los electrones y los huecos se mueven en el semiconductor por azar. Cuando el
campo se enciende, los electrones y los huecos se mueven en direcciones opuestas.

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Para mayor claridad, el efecto del campo elctrico est exagerado. En un semiconductor tpico el campo
elctrico tiene slo un efecto muy pequeo en el movimiento aleatorio de los portadores.

Ecuacin de la Corriente de Arrastre. Conductividad y Movilidad.

La ecuacin de arrastre unidimensional est dada por la siguiente frmula.

dnde Jx es la densidad de corriente en la direccin x, Ex - campo elctrico aplicado en la direccin, q - carga del
electrn, n y p - concentraciones de electrones y huecos, n y p - movilidades de electrones y huecos.
Para derivar la ecuacin de deriva vamos a considerar el volumen del semiconductor.
Si el campo elctrico Ex se aplica en la direccin x cada electrn experimenta una fuerza neta que conduce a una
aceleracin adicional en la direccin opuesta a la direccin del campo.

La aceleracin neta, en el caso del estado estacionario del flujo de corriente, es equilibrada por las deceleraciones
de los procesos de colisin. Si N(t)
es el nmero de electrones que no han sufrido una colisin en un tiempo , t
entonces la tasa de disminucin de N(t)
es proporcional a la serie izquierda no dispersada en . t

dnde representa la media del tiempo entre cada evento de dispersin.

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La probabilidad de que un electrn tenga una colisin en dt es , entonces el cambio en px debido a las
colisiones en dt is

dnde n es la concentracin de electrones.

Y el momento medio por electrn es

La velocidad neta de arrastre es igual a

La densidad de corriente es el nmero de electrones que cruzan la unidad de rea por unidad de tiempo

dnde is es la conductividad de un semiconductor y es la

movilidad de los portadores.

Reorganizando,

Finalmente considerando tanto la conduccin de los huecos y electrones

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