ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE INFORMTICA Y ELECTRNICA

ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRIALES

ELECTRNICA I
CONFIGURACIN DE COLECTOR COMN Y LMITES
DE OPERACIN
SEMESTRE: Abril 2017

DATOS INFORMATIVOS:

NOMBRES Y APELLIDOS: Andrs Alexander Sanango Tufio 647

CELULAR: 093905453
MAIL: andrecks_san@hotmail.com
PARALELO: Quinto A control
INTRODUCCIN
Los transistores son elementos muy verstiles. Podemos conectarlos dentro de un circuito de muy
diferentes maneras, obteniendo distintos comportamientos. Por ejemplo se puede conseguir ganancia
en tensin, en intensidad o en ambas, segn la clase configuracin. Hay tres tipos de configuraciones
bsicas del transistor BJT: emisor comn, colector comn y base comn.

Es evidente que los transistores no se utilizan como elemento nico en los circuitos sino que forman
parte de una red ms o menos complicada de elementos unidos entre s. La forma de comportarse
dentro de este circuito va a ser lo que nos ocupe en las siguientes lneas.

Un transistor en el seno de un circuito se ve afectado por las distintas intensidades de corriente que lo
atraviesan y por las tensiones a las que estn sometidos sus terminales.
Como ya sabemos, un transistor, al tener tres terminales, se puede conectar de varias formas. Cada
manera de conectarlo se llama configuracin, y segn como est unido se va a comportar de una forma
u otra. Existen tres tipos de configuraciones bsicas para el transistor, a saber: emisor comn (EC), base
comn (BC) y colector comn (CC). En la ilustracin correspondiente vemos representados estos tres
tipos de circuitos, prescindiendo de cualquier otro elemento, como pueden ser bateras,
condensadores, etc. Hemos dejado solos a los transistores para poder ver mejor como estn
conectados. El nombre de comn se le da al terminal del transistor que es compartido por la entrada y
la salida.
CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN
La tercera y ltima configuracin del transistor es la configuracin en colector comn, mostrada en la figura 3.20
con las direcciones de la corriente y notacin de voltaje correctas. La configuracin en colector comn se utiliza
sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, lo contrario de las configuraciones en base comn y en emisor comn.

LMITES DE OPERACIN
Para cada transistor hay una regin de operacin en las caractersticas que garantizar que no se
excedan las capacidades nominales mximas y que la seal de salida exhiba distorsin mnima. Dicha
regin se defini para las caractersticas del transistor de la figura 3.22. Todos los lmites de operacin
se definen en una hoja de especificaciones del transistor descrita en la seccin 3.9.
Algunos de los lmites de operacin se explican por s solos, como la corriente mxima del colector
(normalmente aparece en la hoja de especificaciones como corriente continua en el co- lector) y el
voltaje mximo del colector al emisor (a menudo abreviado VCEO o V(BR)CEO en la ho- ja de
especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22, ICmx se especific como 50 mA y VCEO como 20
V. La lnea vertical en las caractersticas definida como VCEsat especifica el VCE mnimo que se puede
aplicar sin caer en la regin no lineal llamada regin de saturacin. El nivel de VCEsat est por lo comn
cerca de 0.3 V, especificado para este transistor. El nivel mximo de disipacin lo define la siguiente
ecuacin:
 La regin
de corte
se define como aquella que est debajo de IC, ICEO, y la cual tambin hay que evitar para que la seal
de salida tenga una distorsin mnima. En algunas hojas de especificaciones slo se da ICBO. Entonces
hay que utilizar la ecuacin ICEO bICBO para tener una idea del nivel de corte si las curvas de las
caractersticas no estn disponibles. La operacin en la regin resultante de la figura 3.22 garantizar
una distorsin mnima de los niveles de la seal, corriente y voltaje de salida que no daarn el
dispositivo.

Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones

(como sucede a veces), basta con asegurarse de que IC, VCE y su producto VCEIC queden
comprendidos en el intervalo siguiente:

Para las caractersticas de base comn el siguiente producto de cantidades de salida define la curva de potencia
mxima:
Conclusin:
La utilizacin de las uniones NP en formato doble, es decir, bien PNP o NPN,
nace en el mismo momento que las antiguas vlvulas de vaco se tornan
insuficientes para llevar a cabo con xito ciertas tareas. A pesar de ello no
debemos olvidar tanto el papel desempeado por aquellas como la defensa a
ultranza que, an hoy, mantienen ciertos expertos sobre las mejores
cualidades de las vlvulas para ciertas aplicaciones.

Bibliografa:

Malik, N. R., Ordas, M. A. M., & Viejo, C. B. (1996). Circuitos electrnicos: anlisis,
diseo y simulacin. Prentice Hall.

Rober L. Boylestad. Teora de circuitos y dispositivos electrnicos