Capitulo 2

2
Captulo
Componentes Semicondutores I
Meta deste captulo
Revisar componentes semicondutores e apresentar
caractersticas novas relacionadas eletrnica de
potncia.

objetivos
Revisar diodos semicondutores;

Estudar diodos de potncia;
Testar diodos semicondutores;
Introduzir ao estudo de tiristores;
Identificar diferentes modelos de tiristores;
Testar tiristores;
Realizar ensaios com diodos e tiristores.
Pr-requisitos
No h pr-requisitos para este captulo.
Continuidade
O estudo continuar envolvendo componentes semicondutores aplicados
eletrnica de potncia.
Prof. Clvis Antnio Petry.

Florianpolis, agosto de 2013.
Captulo 2 Semicondutores de potncia: diodos e tiristores 2
1 Introduo
O uso de semicondutores em eletrnica se confunde com a prpria histria desta rea do
conhecimento, to importante so estes componentes para os equipamentos e suas funcionalidades.
Deste modo, diodos semicondutores j foram estudados em outras disciplinas, pois so
componentes empregados com diversas finalidade, sejam como retificadores, conformadores de
sinais, sinalizao (no caso de LEDs e displays), regulao de tenso, proteo, dentre inmeras
outras.
A Figura 1 mostra um quadro comparativo de tecnologias de semicondutores em funo
da frequncia de operao e de sua potncia. Nota-se que os tiristores (SCR e GTO) esto em
frequncias mais baixas, mas operam em altas potncias. J os componentes a base de MOSFETs
operam em potncias menores, mas em altas frequncias. Os diodos semicondutores podem ser
construdos com diversas tecnologias, podendo assim serem utilizados em altas potncias e altas
frequncias, conforme a situao demandar.
Figura 1 Semicondutores para eletrnica de potncia.

Fonte: http://www.iue.tuwien.ac.at. Acesso em: 14/08/2013.
Assim, neste captulo se pretende fazer uma reviso de diodos semicondutores e

introduzir aspectos novos, como os fenmenos de comutao associados aos diodos de potncia.
Alm disso, os componentes conhecidos como tiristores tambm sero estudados, visando
sua aplicaes nos conversores de corrente alternada para contnua, que sero objeto de estudo em
captulo posterior.
Em captulo posterior sero estudados os transistores bipolares de juno (BJTs),
MOSFETs e IGBTs para aplicaes em eletrnica de potncia.
Eletrnica de Potncia
2 Diodos Semicondutores
Este captulo sobre diodos semicondutores est organizado de forma que o aluno
relembre algumas caractersticas destes componentes, a seguir sero apresentados aspectos novos,
seguidos de comentrios sobre informaes importantes de catlogo, alm de uma explanao
sobre as perdas e seu clculo. So apresentadas informaes sobre componentes comerciais, alm
dos testes para verificar se o diodo est em bom estado. Ainda, apresentam-se um roteiro de
laboratrio, exerccios resolvidos e propostos e simulaes de circuitos com semicondutores.
2.1 Diodo Ideal e Diodo Real

O diodo ideal versus o diodo real assunto abordado em todas as disciplinas introdutrias
de cursos de eletrnica. De todo modo alguns aspectos bsicos sero rememorados guisa de
reforo e introduo ao estudo de caractersticas relacionadas com eletrnica de potncia.
O smbolo do diodo ideal mostrado na Figura 2 onde nota-se seus dois terminais, o
anodo e o catodo. Verifique que o autor denomina a tenso direta (VD) de VF e a corrente direta (ID)
de IF. O ndice D significa direta, enquanto F do ingls forward.
Por sua vez, a curva de corrente direta versus tenso direta do diodo ideal mostrada na
Figura 3. O diodo ideal suporta qualquer valor de tenso reversa sem entrar em conduo. A partir
de uma tenso direta igual ou superior a zero o diodo entra em conduo, tendo capacidade de
conduzir qualquer corrente.
A queda de tenso que o diodo provoca devido a sua barreira de potencial VD ou VF,
sendo da ordem de 0,7 V. Em diodos de potncia este valor pode ser superior, chegando a prximo
de 2 V em alguns casos. A queda de tenso e resistncia interna do diodo so mostradas na Figura
4.
Figura 2 Smbolo do diodo.

Fonte: (Barbi, 2005).
Figura 3 Curva I x V do diodo ideal.

O diodo ideal utilizado para fins de estudo e simulao, pois simplifica a anlise do
circuito. Na prtica o diodo tem uma curva como mostrado na Figura 5. Nesta curva se mostra a
queda de tenso direta que o diodo provoca quando est conduzindo (V(TO)). importante notar que
este valor um dos pontos da curva, pois para cada corrente que circula pelo diodo se tem um valor
especfico de queda de tenso. A inclinao da curva depende da resistncia interna do diodo.
Na regio reversa se tem o limite de tenso que o diodo pode bloquear sem entrar em
conduo reversa. Este limite denominado de VRRM, ou seja, tenso reversa repetitiva mxima.
Este valor muito importante e sempre deve-se evitar atingir este valor, do contrrio pode ocorrer a
destruio do diodo.
Como exemplo de parmetros da curva caracterstica e de um diodo ideal, considere o
modelo Diodo SKN20/08:
VRRM = 800 V;
V(TO) = 0,85 V;
rT = 11 m;
IDmed = 20 A;
IR = 0,15 mA.
Figura 4 Representao da queda de tenso do

diodo real e sua resistncia interna.
Figura 5 Curva de corrente versus tenso do

diodo real.
2.2 Comutao dos Diodos

A comutao de um diodo significa as etapas de entrada em conduo e de bloqueio, ou
seja, quando o semicondutor est abrindo ou fechando, pois em eletrnica de potncia usa-se estes
componentes sempre como chave.
Para que o diodo entre em conduo, este deve estar diretamente polarizado. O diodo
ideal entra em conduo com qualquer valor positivo maior que zero aplicado diretamente sobre
ele. J no diodo real, a tenso direta dever ser superior a tenso da barreira de potencial, que sua
tenso direta.
No entanto, um diodo apenas para de conduzir, isto , bloqueia, quando a corrente que
estiver passando por ele zerar. Ento no deve-se considerar que se for aplicada uma tenso reversa
sobre o diodo isso implica em seu bloqueio. Ele somente cessar a conduo quando a corrente do
circuito, e que circula pelo mesmo, atingir o valor zero. Em circuitos resistivos comum a tenso e
corrente estarem em fase e se confundir o bloquei com a passagem por zero da tenso (aplicao de
tenso reversa); mas em circuitos indutivos isso no acontece, e mesmo submetido tenso
negativa (reversa) o diodo permanece conduzindo at a corrente chegar a zero.
Importante:
Um diodo entra em conduo quando estiver diretamente polarizado.
O diodo bloqueia apenas quando a corrente que circula pelo mesmo atingir o
valor zero.
Para estudar a comutao (entrada em conduo e bloqueio) do diodo, ser utilizado um

circuito auxiliar, fictcio, mostrado na Figura 6. Este circuito formado por uma fonte (E), uma
indutncia parasita (das trilhas, dos fios, etc.) L1, um diodo D, uma chave S e um indutor de grande
valor L. Este indutor de grande valor representa uma fonte de corrente, ou seja, a corrente IL varia
muito pouco nos instantes da comutao.
A entrada em conduo do diodo ocorre toda vez que a chave S for aberta, ou seja, for
comandada a bloquear. Neste caso, a corrente IL que estava circulando pela chave comear a
circular pelo diodo, pois este ser diretamente polarizado pela tenso do indutor L. Esta entrada em
conduo ocorre de maneira convencional, sem nenhuma diferena em relao ao que foi estudado
em outras disciplinas de eletrnica.
Por sua vez, no bloqueio o diodo apresenta fenmenos importantes, que merecem nossa
ateno. Assim, considere que o diodo est conduzindo, como mostrado na Figura 7. Ao fechar a
chave S, a corrente IL, que estava circulando toda em roda-livre pelo diodo (IF), iniciar sua
passagem pelo interruptor (IS). Idealmente, a corrente IL cessaria de passar por S e passaria por D
instantaneamente, isto , em um tempo igual a zero. Na prtica isso no acontece, pois todo
semicondutor tem um atraso para entrar em conduo ou bloquear. Este atraso depende da
tecnologia dos semicondutores, sendo grande (alguns microssegundos) em alguns casos, e muito
pequeno em outros (alguns nanosegundos).
Assim, para que a corrente que estava circulando pelo diodo seja transferida para o
interruptor, leva-se algum tempo, fazendo com que a corrente caia lentamente no diodo. Esta
variao da corrente mostrada na Figura 9, entre os tempos de to at t1.
Ao atingir o valor zero, a corrente no diodo torna-se negativa, mostrando algo atpico no
estudo de semicondutores. Isso acontece pois a barreira de potencia estava com o valor da queda de
tenso direta do diodo. No entanto, quando este levado ao bloqueio pelo fechamento da chave S,
a barreira de potencia precisar ser reconfigurada, indo de VF at a tenso reversa de operao, que
neste circuito E. Assim, para que a tenso no diodo varie de VF at E, necessria a circulao
de uma corrente reversa (negativa), que aparece na Figura 8 como IRM. Na Figura 9 esta corrente
representada pela parte hachurada, indo de t1 at t3. Note que em t3 a tenso reversa no diodo
atingiu seu valor final E. No instante t2, a tenso no diodo Vpico, maior que E, isso devido a
presena do indutor L1, pois enquanto a corrente estiver variando no mesmo, ocorrer uma tenso
induzida que aparecer nos outros elementos do circuito.
O efeito da recuperao reversa pode ser prejudicial aos outros componentes do circuito,
principalmente para a chave S. O pico de corrente na recuperao reversa depende das
caractersticas construtivas do diodo e das condies do circuito (valor de L1, velocidade de entrada
em conduo da chave, corrente IL, etc.). Para minimizar este efeito, existem diodos especficos,
com recuperao suave ou de carbeto de silcio (silicone carbide), que reduzem muito o pico de
recuperao reversa, como pode ser observado na Figura 10.
Figura 6 Circuito para estudo da comutao. Figura 7 Etapa de bloqueio de um diodo.

Fonte: (Barbi, 2005). Fonte: (Barbi, 2005).
Figura 8 Corrente de recuperao reversa no diodo.

Figura 9 Corrente no diodo durante seu bloqueio.

Figura 10 Corrente de recuperao reversa em um diodo de carbeto de silcio.

Fonte: http://powerelec.ece.utk.edu/pubs/pels_letters_SiC_june_2003.pdf . Acesso em: 20/08/2013.
Em termos prticos, a substituio de diodos convencionais, que teriam altos picos de

corrente na recuperao reversa, por diodos de melhor qualidade (recuperao suave ou carbeto de
silcio), significa que pode-se aumentar a frequncia de operao do conversor e por conseguinte
reduzir seu volume de magnticos. Para diodos convencionais, o aumento da frequncia piora a
recuperao reversa, aumentando as perdas por comutao do componente.
Na Figura 11 mostra-se dois conversores, um deles utilizando diodos de silcio
(convencionais) e outro utilizando diodos de silicon carbide. O primeiro operou com uma
frequncia de 80 kHz, enquanto o segundo pde ser operado com 200 kHz.
Figura 11 Comparativo entre conversores utilizando diodos convencionais e de silicone carbide.

Fonte: http://www.cree.com/Products/pdf/Power_Article_1.pdf. Acesso em: 20/08/2013.
2.3 Perdas nos Diodos

Em um diodo semicondutor se tem dois tipos de perdas:
Perdas por conduo ocorrem quando o diodo est conduzindo;
Perdas por comutao aparecem na entrada em conduo e no bloqueio do diodo.
As perdas por comutao so de difcil determinao, pois dependem de diversas

variveis, como: tecnologia do diodo, indutncias parasitas do circuito, ponto de operao do
circuito, etc. Assim, sugere-se utilizar simuladores de circuitos eletrnicos, que tenham modelos de
diodos reais, e partir da simulao do circuito se obter a potncia perdida na comutao do mesmo.
Exemplos de simuladores para esse fim so: Orcad/Pspice (http://www.cadence.com/orcad/) e
Multisim (http://www.ni.com/multisim/pt/).
J as perdas por conduo podem ser determinadas facilmente pela expresso:
P = V(TO ) I Dmed + rT I Def 2 .
Normalmente, para fins de simplificao, quando no se tem acesso pela folha de dados
do componente (datasheet), ao valor da resistncia interna do diodo, se determina a perda por
conduo por:
P = V(TO ) I Dmed .
Lembre que V(To) a tenso direta VD ou VF, quando o diodo est conduzindo uma
corrente mdida ID ou IF. A tenso direta pode ser obtida na folha de dados, enquanto a corrente
direta aquela do circuito onde o diodo est inserido, isto , a corrente real que o diodo estar
conduzindo.
2.4 Caractersticas Importantes de Diodos

As principais caractersticas de um diodo, para fins de projeto e escolha de modelo, so:
Queda de tenso direta VF ou VD;
Corrente mdia direta ID(AV) ou IF(AV). AV significa mdia (average);
Corrente mxima repetitiva IDRM ou IFRM;
Corrente mxima no-repetitiva IDSM ou IFSM;
Tenso repetitiva reversa mxima VRRM.
Recuperao reversa se o diodo padro, lento, suave, etc.
Como exemplo, estas caractersticas para um diodo da srie 1N400X, sero:

Queda de tenso direta = 1,1 V;
Corrente mdia direta 1 A;
Corrente mxima no-repetitiva 30 A;
Tenso repetitiva reversa mxima 50 at 1000 V.
Recuperao reversa diodo de uso geral, recuperao padro.
Na Figura 12 mostram-se as informaes da folha de dados do componente. Note que

dependendo da aplicao do diodo, nem todas as principais informaes so fornecidas. A Figura
13 mostra a curva I x V do diodo modelo 1N400X, da qual pode-se obter a queda de tenso real em
funo da corrente do circuito. Esta informao importante para o clculo das perdas no
componente.
Considere agora um diodo modelo MUR160. Verifique, como exerccio, na folha de
dados deste diodo (http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/MUR120-D.PDF), que suas
principais caractersticas so:
Queda de tenso direta = 1,05 V;
Corrente mdia direta 1 A;
Tenso repetitiva reversa mxima 160 V.
Recuperao reversa ultra rpido com tempo de recuperao de 25 a 75 ns.
importante ressaltar que alguns fabricantes, como no caso do modelo MUR160 da

Onsemi, informam alguns valores para determinadas condies de testes. Assim, a queda de tenso
direta poderia ser de 0,710 a 1,05 V para TJ @ 150 oC, ou 0,875 a 1,25 V para TJ @ 25 oC. No
Brasil no se pode considerar temperaturas muito baixas, pois no vero a temperatura ambiente
pode chegar prxima dos 40 oC em algumas localidades. Ento a temperatura na juno ser bem
superior, devendo-se ento consider-la como 150 oC.
1N4001 - 1N4007 General Purpose Rectifiers

May 2009
1N4001 - 1N4007
General Purpose Rectifiers
Features
Low forward voltage drop.
High surge current capability.
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Absolute Maximum Ratings * TA = 25C unless otherwise noted
Value
Symbol Parameter Units
4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007
VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 50 100 200 400 600 800 1000 V
IF(AV) Average Rectified Forward Current
1.0 A
.375 " lead length @ TA = 75C
IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
30 A
8.3ms Single Half-Sine-Wave
I2t Rating for Fusing ( t<8.3ms ) 3.7 A2sec
TSTG Storage Temperature Range -55 to +175 C
TJ Operating Junction Temperature -55 to +175 C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter Value Units
PD Power Dissipation 3.0 W
RJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 50 C/W
Electrical Characteristics TA = 25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units

VF Forward Voltage @ 1.0A 1.1 V
Irr Maximum Full Load Reverse Current, Full
30 A
Cycle TA = 75C
IR Reverse Current @ Rated VR TA = 25C 5.0 A
TA = 100C 50 A
CT Total Capacitance VR = 4.0V, f = 1.0MHz 15 pF
2009 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
1N4001 - 1N4007 Rev. C2 1
Figura 12 Caractersticas eltricas dos diodos da srie 1N4001 at 1N4007.

1N4001 - 1N4007 General Purpose Rectifiers
Typical Performance Characteristics

Fonte: https://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4003.pdf. Acesso em: 20/08/2013.
Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Forward Characteristics
Figura
Figure 3. Non-Repetitive Surge Current 13 Curva I x V4. para
Figure os Characteristics
Reverse diodos 1N4001 at 1N4007.
Fonte: https://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4003.pdf. Acesso em: 20/08/2013.
2.5 Tipos de Diodos Comerciais

Os fabricantes costumam categorizar os componentes, facilitando a escolha pelo usurio e
a comparao entre diferentes modelos. Assim, a Onsemi, por exemplo, classifica os diodos em:
Recuperao padro (standard) ou rpida (fast);
Ultra rpidos (ultrafast);
Ultra suaves (ultrasoft);
Sem recuperao reversa (silicone carbide).
Os primeiros so os diodos de uso geral, usados em diversas aplicaes de eletrnica e

nos retificadores, por exemplo. J os ultra rpidos so utilizados nos circuitos de alta frequncia
onde a recuperao reversa no problemtica. Quando for este o caso, deve-se utilizar diodos
ultra suaves ou sem recuperao reversa. Haver contudo, uma diferena de preo entre as diversas
tecnologias de diodos, o que dever ser levado em conta na hora de sua escolha.
2.6 Testes de Diodos

O diodo deve ser testado com um multmetro apropriado, na escala especfica para teste
de diodos. O multmetro mostrado na Figura 14 tem uma escala especfica para teste de diodos.
Ao medir um diodo com as ponteiras do multmetro conectadas de modo a polariz-lo
diretamente (ponteira vermelha no anodo e preta do catodo), est se obtendo a queda de tenso
direta do componente. Ento se aparecer no display o valor 0.469, isso significa que a tenso direta
deste diodo, para a corrente que o multmetro est aplicando, de 0,469 V.
J na polarizao reversa o multmetro ir indicar circuito aberto (OL em alguns modelos
ou 1 em outros), significando que no se atingiu a tenso reversa do diodo, que normalmente alta,
bem acima da tenso de operao do instrumento.
Basicamente, o teste do diodo com multmetro pode resultar em:
Diodo em bom estado indicao de circuito aberto na regio reversa e de tenso
prxima de 0,7 V na regio direta;
Diodo em curto-circuito indicao de 0 V nos dois sentidos de conduo;
Diodo aberto indicao de circuito aberto nos dois sentidos de conduo.
A Figura 15 mostra imagens do teste de um diodo com o multmetro na escala apropriada,

resumindo o que foi acima exposto. Deve-se lembrar que o teste com o multmetro apenas um
indicativo do estado do componente, pois em condies reais de operao, o componente poder
apresentar comportamento diferente, inclusive provocando o mau funcionamento do circuito onde
estar sendo empregado.
Figura 14 Multmetro digital para teste de diodos.

Fonte: https://www.minipa.com.br. Acesso em: 20/08/2013.
Figura 15 Multmetro digital para teste de diodos.

Fonte: https://burgoseletronica.net. Acesso em: 20/08/2013.
3 Tiristores
Anteriormente, neste captulo, foram revisados e apresentados aspectos novos
relacionados aos diodos semicondutores, ou diodos de juno de silcio. Estes componentes, apesar
de serem semicondutores, no possuem terminal de controle, ou seja, o usurio no poder
determinar o momento da entrada em conduo e do seu bloqueio. A comutao ocorre conforme o
funcionamento do circuito, entrando em conduo quando polarizado diretamente e bloqueando
quando a corrente passar por zero.
A eletrnica de potncia pretende realizar o controle do fluxo de potncia entre dois
circuitos, e para tanto, em muitos casos faz-se necessrio ter componentes que permitam
determinar ativamente o estado de conduo ou bloqueio. Assim, foram desenvolvidos os tiristores,
que so uma famlia de semicondutores, formados por SCRs, TRIACs, DIACs, SIDACs, dentre
outros. Alguns destes componentes possuem um terminal de controle, o que poder permitir seu
controle, seja para ligar, ou para desligar, dependendo do componente especfico a ser utilizado.
Assim, nesta parte deste captulo sero estudados os componentes da famlia dos
tiristores, especificamente os SCRs e TRIACs. Inicialmente apresenta-se seu funcionamento ideal,
seguido do funcionamento real. Posteriormente abordam-se caractersticas de comutao, perdas e
aspectos prticos. Exerccios, simulaes, alm de roteiro de laboratrio tambm so apresentados.
3.1 Tiristor Ideal e Tiristor Real

Assim como o diodo tem seu funcionamento descrito no modo ideal e no modo real, o
tiristor tambm pode ser analisado sob estas duas condies. Inicialmente ser estudado o
retificador controlado de silcio (SCR).
O smbolo do tiristor ideal mostrado na Figura 16 onde nota-se seus trs terminais, o
anodo e o catodo (como no diodo) e o terminal de controle (gatilho ou gate). Verifique que o autor
denomina a tenso direta de VT e a corrente direta de IT. O ndice T significa tiristor. A corrente
no gatilho denominada de IG.
A curva de corrente direta versus tenso direta do tiristor ideal mostrada na Figura 17. O
tiristor ideal suporta qualquer valor de tenso reversa sem entrar em conduo. Do mesmo modo,
sem a presena de corrente no gatilho, suportar qualquer tenso direta e no entrar em conduo.
J na presena de corrente no gatilho, a partir de uma tenso direta igual ou superior a zero o
tiristor entra em conduo, tendo capacidade de conduzir qualquer corrente.
A queda de tenso que o tiristor provoca devido a sua barreira de potencial VT, sendo da
ordem de 0,7 V ou mais. Em tiristores de potncia este valor pode ser superior, chegando a
prximo de 2 V ou mais em alguns casos. A queda de tenso e resistncia interna do tiristor so
mostradas na Figura 18.
Figura 16 Smbolo do tiristor.

Figura 17 Curva I x V do tiristor ideal.

O tiristor real tem uma curva como mostrado na Figura 19 onde nota-se que este
componente possui trs regies de operao. A inclinao da curva depende da resistncia interna
do tiristor.
As trs regies de operao do tiristor so:
Curva 1 regio de operao reversa sem corrente no gatilho. Assim como no caso
do diodo, o tiristor suporta uma tenso reversa mxima denominada de VRM;
Curva 2 regio de operao direta sem corrente no gatilho. De modo idntico
regio reversa, o tiristor pode ser submetido a uma tenso direta de valor VAKM
sem entrar em conduo. Este valor geralmente igual ao valor VRM;
Curva 3 regio de operao direta com corrente de gatilho. Neste caso o tiristor
se comporta identicamente ao diodo na regio direta, provocando uma queda de
tenso direta VT.
Figura 18 Representao da queda de tenso

do tiristor real e sua resistncia interna.
Figura 19 Curva de corrente versus tenso do

tiristor real.
O tiristor um componente formado por junes PN, assim como tambm o diodo
denominado de diodo de juno PN. Lembre que existem outras tecnologias, como diodo de
contato, etc. Na Figura 20 mostra-se o aspecto interno de um tiristor, onde nota-se a presena dos
trs terminais (A, C e G) e das trs junes (J1, J2 e J3). Est representado ainda na figura a presena
de uma fonte de tenso conectada entre anodo e catodo que provocar a circulao da corrente
direta pelo tiristor, alm de polariz-lo diretamente.
O disparo do tiristor, ou seja, o efeito de faz-lo conduzir, provocado quando se aplica
uma corrente no gatilho, que ir circular entre gatilho e catodo. Esta corrente originada pela fonte
Vg e limitada pelo resistor de gatilho Rg.
A entrada em conduo do tiristor ocorre quando se aplica um sinal no gatilho e o tiristor
estiver diretamente polarizado. Aps entrar em conduo, o sinal no gatilho poder ser retirado,
pois mesmo assim permanecer conduzindo.
Na Figura 21 mostra-se um circuito equivalente (apenas para estudo) para auxiliar na
explicao da permanncia em conduo do tiristor mesmo sem sinal de gatilho. Observe-se que se
for aplicada uma corrente no gatilho (IG), esta corrente ser a corrente de base do transistor T2 (IB2).
Esta corrente far com que o transistor T2 conduza, provocando assim a circulao de corrente
entre seu coletor e emissor (IC2 = IK). Esta corrente de coletor (IC2) ir circular pela base do
transistor T1 (IB1) fazendo com que este entre em conduo. T1 conduzindo far com que circule
corrente entre seu emissor e coletor (IE1) que por sua vez circular pela base de T2, mantendo os
dois transistores conduzindo.
Para que o tiristor cesse a conduo deve-se anular sua corrente, o que pode ser feito de
dois modos:
Desligando a fonte assim a corrente do circuito todo ser zerada;
Curto circuitando anodo e catodo fazendo um curto-circuito entre anodo e catodo
faz-se a corrente do circuito desviar do tiristor, zerando sua corrente e
provocando seu bloqueio.
O bloqueio se d de modo idntico ao diodo, independente do gatilho, quando a corrente

no tiristor atingir o valor zero. comum se aplicar pulsos de disparo, ao invs de um sinal
contnuo, pois assim se garante que na transio de algum dos sinais de gatilho (pulso) ocorr a
entrada em conduo.
Importante:
Um tiristor entra em conduo quando estiver diretamente polarizado e houver

aplicao de corrente no gatilho.
O tiristor bloqueia apenas quando a corrente que circula pelo mesmo atingir o
valor zero, mesmo que a corrente de gatilho seja retirada antes disso.
Figura 20 Representao das junes do tiristor.

Fonte: (Pomilio, 2013).
Figura 21 Circuito equivalente para estudar o funcionamento do tiristor.

Fonte: (Pomilio, 2013).
3.2 Comutao dos Tiristores

A comutao de um tiristor ocorre de modo semelhante ao diodo. Na entrada em
conduo se tem a dependncia da corrente de gatilho, como est mostrado na Figura 22. Nota-se
que se a corrente de gatilho for zero, o tiristor somente entrar em conduo se a tenso direta
atingir o valor VAKM = VBO. Lembrando que geralmente VBO ser igual a VBR. Estas tenses so
denominadas de tenses de ruptura (breakdown). medida que a corrente de gatilho aumenta, cada
vez menor ser a tenso direta necessria para provocar a entrada em conduo do tiristor, at se
chegar ao valor V(TO) que idntico na curva de um diodo.
Figura 22 Curva I x V de um tiristor e sua dependncia da corrente de gatilho.

No bloqueio um tiristor apresenta o mesmo comportamento que um diodo, com

recuperao reversa e tempo de comutao lento.
comum se empregar circuitos de proteo para os tiristores, visando evitar entradas em
conduo intempestivas (indesejadas), como est mostrado na Figura 23. Geralmente o prprio
fabricante do semicondutor, na folha de dados, apresenta valores tpicos para os resistores e
capacitores empregados nos circuitos de proteo. Estes circuitos atuam como filtros evitando que
rudos ou variaes muito rpidas na tenso sobre o tiristor provoquem sua conduo indesejada.
Figura 23 Circuitos de proteo para o tiristor.

Na Figura 24 mostra-se curvas tpicas para entrada em conduo de um tiristor, onde

nota-se o atraso provocado desde aplicao no sinal de gatilho (VG) at sua total conduo. O
tempo para o componente entrar em conduo ton. O atraso para entrar em conduo td (delay
time) e o tempo para a tenso sobre o tiristor cair a zero tr (rise time).
Por sua vez, as curvas para o bloqueio do tiristor so mostradas na Figura 25 onde nota-se
a presena da corrente de recuperao reversa do tiristor. O tempo tq, durante o qual o tiristor fica
se recuperando reversamente, da ordem de 10 a 200 s para tiristores de uso geral.
Figura 24 Curvas de entrada em conduo do Figura 25 Curvas de bloqueio do tiristor.

tiristor. Fonte: (Barbi, 2005).
3.3 Perdas nos Tiristores

Em um tiristor, de modo idntico aos diodos, se tem dois tipos de perdas: Perdas por
conduo ocorrem quando o diodo est conduzindo; e Perdas por comutao aparecem na
entrada em conduo e no bloqueio do diodo.
Considerar-se- apenas as perdas por conduo, que podem ser determinadas facilmente
pela expresso:
P = V(TO ) ITmed + rT ITef 2 .
De forma simplificada:
P = V(TO ) ITmed .
Lembre que V(To) a tenso direta VT, quando o tiristor est conduzindo uma corrente
mdida IT. A tenso direta pode ser obtida na folha de dados, enquanto a corrente direta aquela do
circuito onde o tiristor est inserido, isto , a corrente real que o componente estar conduzindo.
3.4 Caractersticas Importantes de Tiristores

As principais caractersticas de um tiristor, para fins de projeto e escolha de modelo, so:
Queda de tenso direta VT;
Corrente mdia direta IT(AV). AV significa mdia (average);
Corrente eficaz direta IT(RMS);
Corrente mxima repetitiva ITRM;
Corrente mxima no-repetitiva ITSM;
Tenso repetitiva reversa mxima VDRM.
Tenso de gatilho mxima reversa - VRGM;
Corrente de gatilho para disparo IGT;
Corrente mxima de gatilho IGM;
Como exemplo, estas caractersticas para um tiristor da srie BT151, sero:

Queda de tenso direta = V;
Corrente mdia direta 7,5 A;
Corrente eficaz direta 12 A;
Tenso repetitiva reversa mxima 800 V;
Tenso de gatilho mxima reversa 5 V;
Corrente de gatilho para disparo 15 mA;
Corrente mxima de gatilho 2 A.
Na Figura 26 mostra-se o encapsulamento tpico de um tiristor, neste caso do modelo

BT141 da NXP. importante ressaltar que o terminal do anodo (A) est conectado ao dissipador,
ou seja, considerado um terminal vivo. Assim, como normalmente os tiristores so utilizados em
circuitos de alta tenso (220 V ou mais), preciso cuidado para o isolamento adequado do
NXP Semiconductors BT151-800R
SCR, 12 A, 15mA, 800 V, SOT78
componente com o restante dos componentes do circuito, alm de se cuidar com o isolamento do
gabinete do
2. equipamento.
Pinning information
Table 2. Pinning information
Pin Symbol Description Simplified outline Graphic symbol
1 K cathode
mb A K
2 A anode
G
3 G gate sym037
mb mb anode
1 2 3
SOT78
(TO-220AB; SC-46)
3. OrderingFigura 26 Caractersticas de encapsulamento do BT151.

information
Fonte: Table
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BT151-800R.pdf.
3. Ordering information
Acesso em: 20/08/2013.
Type number Package
Name Description Version
BT151-800R TO-220AB; plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead SOT78
SC-46 TO-220AB
3.5 Tipos de Tiristores Comerciais
Os fabricantes costumam categorizar os componentes, facilitando a escolha pelo usurio e
a comparao entre diferentes modelos. Assim, a Onsemi, por exemplo, classifica os tiristores em:
SCR;
TRIAC;
SIDAC;
Outros componentes para proteo, etc.
Os primeiros so os tiristores estudados at aqui, isto , os retificadores controlados de

silcio, semelhantes ao diodo com o terminal de controle (gatilho).
O TRIAC (trodo para corrente alternada, do ingls Triode for Alternating Current) um
tiristor para corrente alternada, capaz de conduzir nos dois sentidos (semiciclo positivo e negativo)
e com apenas um terminal de controle.
BT151-800R_5
Product data sheet Rev. 05 2 March 2009

NXP B.V. 2009. All rights reserved.
2 of 11
Pode-se obter um componente com funcionamento similar associando dois tiristores do

tipo SCR, um para o semiciclo positivo e outro para o semiciclo negativo, como est mostrado na
Figura 27. J o TRIAC mostrado na Figura 28.
O DIAC (diodo para corrente alternada, do ingls Diode for Alternate Current) um
tiristor sem gatilho, ou seja, um SCR sem o gate. Assim, este componente tem a curva I x V
mostrada na Figura 31. utilizado em circuitos de disparo de tiristores. Se smbolo mostrado na
Figura 29.
Por sua vez, o SIDAC (diodo de silcio para corrente alternada, do ingls Silicon Diode
for Alternating Current) um tiristor utilizado para proteo em circuitos de entrada de
equipamentos eletrnicos, pois entra em conduo assim que a tenso (direta ou reversa) atingir
determinado valor. Tem comportamento semelhante ao varistor.

Existem ainda outros modelos de tiristores que no sero abordados aqui, como por
exemplo o QUADRAC, que possui um TRIAC e um DIAC no mesmo encapsulamento.
Figura 27 TRIAC com dois SCRs.

Figura 28 Tiristor do tipo TRIAC.
Fonte: http:/wikipedia.org. Acessado em
20/08/2013.
Figura 29 Tiristor do tipo DIAC.

Figura 30 Tiristor do tipo SIDAC.
Fonte: http:/wikipedia.org. Acessado em Fonte: http:/wikipedia.org. Acessado em
20/08/2013. 20/08/2013.
Figura 31 Curva I x V do DIAC.

Fonte: http:/wikipedia.org. Acessado em 20/08/2013.
3.6 Testes de Tiristores

Para realizar o teste de tiristores procede-se de modo semelhante ao realizado com
diodos. No entanto, agora se tem o terminal de gatilho, o que implica que para o tiristor conduzir
necessrio aplicar uma corrente de gatilho.
O teste pode indicar:
Tiristor em bom estado indicao de circuito aberto na regio reversa e de tenso
prxima de 0,7 V na regio direta, quando aplicado sinal de disparo no gatilho;
Tiristor em curto-circuito indicao de 0 V nos dois sentidos de conduo;
Tiristor aberto indicao de circuito aberto nos dois sentidos de conduo.
A Figura 32 mostra imagens do teste de um tiristor do tipo SCR com o multmetro na

escala apropriada, resumindo o que foi acima exposto. Veja que na figura foi utilizada a escala de
resistncia de um multmetro analgico. Na falta deste, utilize um multmetro digital na escala de
teste de diodos.
Deve-se lembrar que o teste com o multmetro apenas um indicativo do estado do
componente, pois em condies reais de operao, o componente poder apresentar
comportamento diferente, inclusive provocando o mau funcionamento do circuito onde estar
sendo empregado.
Figura 32 Multmetro digital para teste de tiristores.

Fonte: https://burgoseletronica.net. Acesso em: 20/08/2013.
3.7 Acionamento de Tiristores

Os tiristores que apresentam terminal de disparo (gatilho) necessitam de um circuito para
seu correto acionamento. Em outras palavras, um circuito de baixa tenso e corrente dever
proporcionar o sinal com valor e durao adequada para que o tiristor entre em conduo quando
for desejado.
Ao utilizar tiristores em circuitos de corrente contnua e/ou de baixa tenso, o sinal de
comando (VG) poder ser gerado no prprio circuito. J em outros casos, por exemplo quando se
utilizam altas tenses (220 V ou mais), corrente alternada, ou se deseja isolamento entre o circuito
de potncia e o circuito de controle, pode ser necessrio implementar uma etapa especfica para o
acionamento dos tiristores.
Na Figura 33 mostra-se um circuito tpico para acionamento de TRIACs e controle por
ngulo de fase da tenso na carga. Estes conversores (ca-ca) sero estudados em captulos
posteriores desta apostila. Nestes circuitos necessrio fazer o sincronismo com a tenso da rede,
para que se dispare o tiristor no ngulo desejado, a partir de zero graus (passagem por zero da
senide da rede). Assim, o resistor de 1,5 M realiza esta funo no circuito da Figura 33. Note
que o circuito integrado (TCA785 - http://www.infineon.com/) necessita de uma tenso contnua de
15 V para funcionar.
Figura 33 Circuito tpico para acionamento de tiristores.

Atualmente muito comum o uso de optoacopladores para se ter isolamento entre o

estgio de potncia (TRIAC e rede de energia eltrica) e o estgio de controle, muitas vezes um
microcontrolador ou microprocessador. Assim, na Figura 34, mostra-se um circuito exemplo, com
um optoacoplador sendo acionado por um transistor. Na sada do optoacoplador se tem a conexo
de uma fonte de tenso alternada e um resistor srie. Quando for aplicada uma tenso na entrada
(input) que leve o transistor conduo, este far circular corrente pelo LED do optoacoplador,
fazendo com que o DIAC em sua sada conduza, fazendo assim com que circule corrente entre os
terminais 4 e 6 do circuito integrado. O optoacoplador o modelo MOC3011 da Texas
Instruments.
Na Figura 35 mostra-se o circuito completo, sugerido pelo fabricante na folha de dados
do optoacoplador, para o caso de acionamento de cargas resistivas. Note que neste caso no
necessrio empregar circuito de proteo para o tiristor.
J quando se aciona cargas com caracterstica indutiva, necessrio inserir um circuito de
proteo, alterando o circuito no gatilho do tiristor, conforme sugerido pela Figura 36.
Alm disso, muito importante cuidar com a conexo do tiristor, para que a corrente de
gatilho entre neste terminal e saia no catodo (para o SCR) ou para o terminal A1 (para TRIAC)
mostrado na Figura 28. Isso pode ser observado na Figura 37 onde se mostra a identificao dos
terminais, a pinagem e o aspecto real do TRIAC da srie BT137 da NXP.
Figura 34 Optoacoplador para acionamento de tiristores.

Fonte: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/moc3011.pdf. Acesso em: 20/08/2013.
Figura 35 Circuito com optoacoplador MOC3011 Cargas resistivas.

Figura 36 Circuito com optoacoplador MOC3011 Cargas indutivas.

Figura 37 Identificao dos terminais do TRIAC.

Fonte: http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BT137_SERIES.pdf. Acesso em: 20/08/2013.
4 Encapsulamento de Diodos e Tiristores

Assim como com os demais semicondutores, para os diodos se tem os mais diversos
encapsulamentos, desde modelos em SMD (tecnologia de montagem em superfcie, do ingls
surface-mount technology) at mdulos e modelos na forma de disco.
Na Figura 38 mostram-se alguns tiristores, onde nota-se a variedade de modelos
disponveis, dependendo da corrente e tenso para a qual foram projetados. Os encapsulamentos
mais comuns para diodos e tiristores so aqueles apresentados na Figura 47.
Figura 38 Encapsulamentos de diodos e tiristores.

Fonte: http://www.chtechnology.com. Acesso em: 20/08/2013.
DO-41 DPAK TO-220 TO-247

Figura 39 Encapsulamentos mais comuns de diodos e tiristores.
5 Exerccios
Exerccios Resolvidos
ER 01) Seja o circuito da Figura 40, considerando que a tenso da fonte seja de 5 V, o resistor de
100 e os diodos (D1 e D2) sejam 1N4003, determine:
A corrente do circuito;
As perdas de conduo em cada diodo;
A perda no resistor R1;
A potncia fornecida pela fonte.
Neste caso precisa-se consultar a folha de dados do diodo 1N4003 para estimar sua queda
de tenso direta, que ser:
VD1 = VD 2 = 1,1V .
A tenso sobre o resistor srie ser:

VR1 = Vi VD1 VD 2 ;
VR1 = 5 1,1 1,1 = 2,8V .
Portanto, a corrente do circuito ser:

VR1 2,8
I R1 = = = 28mA .
R1 100
Assim, a potncia nos diversos elementos ser:

PD1 = PD 2 = VD1 I D1 = VD1 I R1 = 1,1 28m = 30,8mW ;
PR1 = VR1 R1 = 2,8 28m = 78,4 mW ;
Pi = PR1 + PD1 + PD 2 = 78,4m + 30,8m + 30,8m = 140 mW .
ER 02) Seja o circuito da Figura 44, considerando que a tenso da fonte seja de 12 V. O resistores
so: R1 = 10 k, R2 = 4,7 k e R3 = 15 . O LED de potncia, com tenso direta de 2 V e
corrente direta de 600 mA. As informaes do tiristor TIC106 so fornecidas na folha de dados, a
ser consultada pela internet.
A potncia dissipada pelo tiristor;
A potncia fornecida pela fonte;

O rendimento do circuito.
R1
D1
+
Vi
- D2
Figura 40 Circuito para exerccio resolvido 01.
R3
+ D1
R1
Vi
A
- R2
T1
G
C
Figura 41 Circuito para exerccio resolvido 02.
Inicialmente deve-se verificar se o tiristor est em conduo. Assim, determina-se a

corrente de gatilho fazendo o equivalente de Thvenin:
Vi R2 12 4,7k
VTH = = 3,8V ;
R1 + R2 10k + 4,7k
R1 R2 10k 4,7k
RTH = R1 / / R2 = = 3,2 k .
R1 + R2 10k + 4,7k
Portanto, a corrente no gatilho ser:

VTH VG 3,8 0,6
IG = = = 1mA .
RTH 3,2k
Pela folha de dados do componente verifica-se que sua corrente de disparo no gatilho de
200 A. Portanto o tiristor estar conduzindo.
Pode-se ento determinar a tenso sobre o resistor R3:
VR3 = Vi VD1 VT 1 ;
VR3 = 12 2 1,7 = 8,3V .
Portanto, a corrente do circuito ser:

VR3 8,3
I R3 = = 553mA .
R1 15
Assim, a potncia nos diversos elementos ser:

PT 1 = VT 1 IT 1 = VT 1 I R3 = 1,7 553m = 940,1mW ;
PD1 = VD1 I D1 = VD1 I R3 = 2 553m = 1.106 mW ;
PR3 = VR3 I R3 = 8,3553m = 4.589,9 mW ;
Pi = PR3 + PD1 + PT 1 = 4.589,9m + 1.106m + 940,1m = 6.636 mW .
Finalmente, o rendimento do circuito ser:

PD1 1.106m
= = = 0,17 ou 17%.
Pi 6.636m
Note que o rendimento encontrado muito baixo, indicando que seria um circuito
invivel de ser implementado na prtica. Claro, este circuito apenas didtico, para fins de estudo
de tiristores, por isso no pode ser considerado um projeto para resultar em um produto eletrnico.
ER 03) Determine a queda de tenso direta para o diodo 1N5401, quando estiver conduzindo uma
corrente de 1 A.
Precisa-se da curva do diodo 1N5401, conforme mostrado na Figura 42. A seguir, de
forma aproximada, se determina que a tenso direta para a corrente de 1 A 0,75 V.
Figura 42 Curva I x V do diodo 1N5401.
Exerccios Propostos
EP 01) Seja o circuito da Figura 43, considerando que a tenso da fonte seja de 12 V. O resistor R1
tem resistncia de 10 . O diodo o 1N5400. Com base nas informaes da folha de dados do
fabricante, determine:
A potncia dissipada pelo diodo;
A potncia fornecida pela fonte.
R1
I
+
D1
Vi
Figura 43 Circuito para exerccio proposto 01.
EP 02) Considerando as condies de operao do diodo do EP 01, responda:

O diodo suporta a corrente do circuito;
A tenso reversa do diodo est adequada aos nveis do circuito.
EP 03) Determine as perdas por conduo para um diodo de silcio, operando nas seguintes
condies:
Corrente mdia: 5 A;
Queda de tenso direta: 1,2 V.
EP 04) Determine as perdas por conduo para um diodo de silcio, operando nas seguintes
condies:
Corrente mdia: 1 A;
Queda de tenso direta: 0,8 V.
EP 05) Explique como ocorre a entrada em conduo de um diodo. Ocorre algum fenmeno
atpico?
EP 06) Explique como ocorre o bloqueio de um diodo. Ocorre algum fenmeno atpico?
EP 07) Em termos de comutao, qual a diferena de um tiristor para um diodo?
EP 08) O que recuperao reversa?
EP 09) Comente sobre as principais caractersticas de um diodo que devem ser observadas para sua
escolha.
EP 10) Os diodos de potncia podem ser utilizados em altas frequncias (acima de 100 kHz)?
EP 11) Os tiristores operam em altas ou baixas frequncias?
EP 12) Comente sobre as diferenas entre um diodo real de um diodo ideal?
EP 13) Comente sobre as diferenas entre um tiristor real de um tiristor ideal?
EP 14) correto afirmar que um diodo bloqueia quando estiver reversamente polarizado?
EP 15) O que VRRM?
EP 16) Qual a principal caractersticas dos diodos de carbeto de silcio (silicon carbide)?
EP 17) O que a corrente mxima no-repetitiva de um diodo?
EP 18) Explique como fazer o teste de um diodo com multmetro?
EP 19) Tiristores podem ser testados com o multmetro? Explique.
EP 20) Comente sobre 3 diferentes tipos de tiristores?
EP 21) Considere o circuito da Figura 41, e que a tenso da fonte seja de 24 V. O resistores so: R1
= 10 k, R2 = 2,2 k e R3 = 15 . O LED de potncia, com tenso direta de 2 V e corrente direta
de 600 mA. As informaes do tiristor TIC106 so fornecidas na folha de dados, a ser consultada
pela internet.
A potncia dissipada pelo tiristor;
A potncia fornecida pela fonte;
O rendimento do circuito.
EP 22) Repita o exerccio EP 21 considerando que R2 seja de 1 k.
EP 23) Repita o exerccio EP 21 considerando que R3 seja de 10 .
EP 24) Qual a queda de tenso direta do diodo 1N5404 quando submetido a uma corrente de 3 A?
EP 25) Qual a tenso entre anodo e catodo do tiristor BT151?
EP 26) Quais as formas de bloquear um tiristor?
EP 27) O que um DIAC?
EP 28) Qual a diferena entre o SCR e o TRIAC?
6 Pr-Laboratrio
6.1 Introduo
Esta atividade tem por objetivo preparar o estudante para a aula de laboratrio, mais
especificamente realizando simulaes referentes aos circuitos que sero implementados.
Assim, objetiva-se:
Simular circuitos de eletrnica de potncia;
Antecipar o estudo referentes aos assuntos abordados na aula de laboratrio;
Entender o funcionamento de circuitos com eletrnica de potncia;
Analisar os resultados obtidos e concluir a respeito.
As simulaes sero realizadas com os simuladores Psim (http://powersimtech.com/) e

Multisim (http://www.ni.com/multisim/pt/).
6.2 Simulao de Circuito com Diodos

As simulaes realizadas nesta atividade referem-se aos circuitos apresentados na Figura
47. Inicialmente simule o diodo operando na regio direta e com o Psim, conforme mostrado na
Figura 48, considerando-o como sendo ideal e com queda de tenso de 1,05 V. No esquea de
especificar no simular esta queda de tenso.
Anote os valores obtidos na Tabela 1. A seguir altere o circuito, deixando o diodo
reversamente polarizado e anote os valores na Tabela 2. Note que os valores para a fonte ajustada
em 3 V j so fornecidos, visando a conferncia com o resultado obtido pelo aluno.
a) Polarizao direta b) Polarizao reversa.

Figura 44 Circuito de simulao com diodos no Psim.
Os valores obtidos podem ser arredondados, pois em alguns casos representariam

nmeros extensos para serem representados.
Tabela 1 Valores de tenso e corrente na regio direta.

Tenso na Tenso no diodo [V] Tenso no resistor [V] Corrente no diodo [mA]
fonte [V] Psim Multisim Psim Multisim Psim Multisim
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0 1,05 669,795m 1,95 2,33 19,5 23,303
3,5
4,0
4,5
5,0
Tabela 2 Valores de tenso e corrente na regio reversa.

Tenso na Tenso no diodo [V] Tenso no resistor [V] Corrente no diodo [mA]
fonte [V] Psim Multisim Psim Multisim Psim Multisim
0,0
50,0
100,0 100,0 100,0 0,0 0,0 0,0 0,0
500,0
1000,0
A seguir, realize a mesma simulao com o software Multisim. Os multmetros so para

medir a corrente do circuito e tenso nos elementos.
a) Polarizao direta b) Polarizao reversa.

Figura 45 Circuito de simulao com diodos no Multisim.
Explique por que os valores encontrados com Multisim diferente daqueles obtidos com
Psim.
6.3 Simulao de Circuito com Tiristores

A simulao do circuito com tiristor (SCR), conforme mostrado na Figura 49, ser
simulado apenas com o Multisim, visto que este software permite visualizar o LED ligado ou
desligado. Assim, implemente no Multisim o circuito mostrado na Figura 46. Note que para medir
a tenso sobre o tiristor (D1) foi utilizado um recurso muito interessante, que por meio de uma
ponteira (Probe 1) inserida ao circuito, permite obter tenses e correntes naquele ponto.
Alm disso, note que na verso do Multisim utilizada (Multisim Student Edition 11.0.2)
no h modelo para o tiristor BT151, substituindo-se ento o mesmo pelo tiristor 2N1599. Note que
chave S1 serve para disparar (acionar) o tiristor, enquanto a chave S2 far seu bloqueio, desviando
sua corrente e forando a parar de conduzir.
Observe tambm que ao pressionar o interruptor S1, o tiristor entra em conduo,
permanecendo assim mesmo que o boto seja solto.
Os tiristores possuem uma corrente mnima para permanecerem conduzindo, chamada de
corrente de manuteno (IH Holding current). No caso do modelo 2N1599, est corrente de
aproximadamente 5 mA. Verifique que alterando o resistor R1 para 1 k a corrente no LED ser
reduzida para menos do que 5 mA. Neste caso, ao pressionar o interruptor S1 o tiristor entra em
conduo, mas quando o mesmo for solto, deixar de conduzir.
Verifique para qual corrente no tiristor este deixa de conduzir aps a retirada do sinal de
comando. Anote este valor:
IH = __________.
Anote tambm a tenso sobre o tiristor, ou seja, sua queda de tenso direta:
VT = __________.
Calcule a potncia dissipada sobre o tiristor.

PT = __________.
Figura 46 Circuito de simulao com tiristor no Multisim.
7 Laboratrio
7.1 Introduo
Esta atividade de laboratrio tem por objetivo exercitar o contedo estudado nesta aula
(captulo), especificamente sobre semicondutores de potncia (diodos e tiristores).
Em sntese, objetiva-se:
Testar semicondutores de potncia;
Implementar circuitos de disparo de tiristores e transistores;
Levantar a curva de corrente versus tenso de diodos;
Entender o funcionamento de semicondutores de potncia;
Analisar os resultados obtidos e concluir a respeito.
7.2 Diodos Semicondutores

Obtenha na internet a folha de dados do diodo MUR160.
A seguir, verifique se o diodo est em boas condies, utilizando o multmetro. Mea a
tenso direta do mesmo:
VD = __________.
Levante a curva de corrente versus tenso, tanto na regio direta como na regio reversa
do diodo, anotando os valores nas Tabela 3 e Tabela 4. Utilize como referncia o circuito da Figura
47. O diodo utilizado no circuito o MUR160 e o resistor de 100 .
Tabela 3 Valores de tenso e corrente na regio direta.

Corrente calculada
Tenso na fonte [V] Tenso no diodo [V] Tenso no resistor [V]
no diodo [mA]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
Tabela 4 Valores de tenso e corrente na regio reversa.

Corrente calculada
Tenso na fonte [V] Tenso no diodo [V] Tenso no resistor [V]
no diodo [mA]
0,0
15,0
30,0
Desenhe a curva caracterstica do diodo na Figura 48. Utilize os dados das Tabela 3 e
Tabela 4 e extrapole os pontos para obter uma melhor visualizao da curva.
Determine a mxima perda em conduo do diodo.

A tenso direta do diodo de potncia maior ou menor do que de um diodo de sinal?
Polarizao Direta Polarizao Reversa
+ R1 + R1
Vi Vi
- D1 - D1
Figura 47 Circuito de polarizao do diodo semicondutor.
iD
vD
Figura 48 Curva caracterstica do diodo de potncia.
7.3 Tiristores
Obtenha na internet a folha de dados do SCR BT151.
A seguir, verifique se o diodo est em boas condies, utilizando o multmetro.
Implemente o circuito mostrado na Figura 49 e provoque o disparo e bloqueio do SCR

conforme orientaes do professor. Para disparar o tiristor, conecte atravs de um condutor
(fiozinho) o resistor R2 ao terminal de gatilho do SCR. J para bloquear o tiristor, inicialmente
desligue a fonte de alimentao, em seguida religue o circuito e verifique que o mesmo deixou de
conduzir. A outra possibilidade curto-circuito atravs de um condutor, conforme indicado na
figura, o terminal de anodo com o terminal de catado do SCR.
Os elementos do circuito da Figura 49 so:
Vi = 5 V;
R1 = 100 ;
R2 = 220 ;
D1 = LED comum;
T1 = BT151.
Comprove que o tiristor permanece em conduo mesmo aps se retirar o pulso de

disparo.
Mea a tenso entre anodo e catodo do tiristor quando o mesmo estiver conduzindo:
VT = __________.
Quais as duas formas de bloquear um tiristor que foram testadas?

Determine a mxima perda em conduo do tiristor.
R1
+ D1
R2
Vi
A
- T1
G
C
Figura 49 Circuito para teste de tiristores (SCR).
8 Referncias
[1] BARBI, I. Eletrnica de potncia. Florianpolis: Edio do Autor, 2005.
[2] AHMED, A. Eletrnica de potncia. So Paulo: Prentice Hall, 2000.
[3] MELLO, J. L. A. Projetos de fontes chaveadas. So Paulo: rica, 1987.
[4] MOHAN, N. Power Electronic Converters, Application and Design. New York: IE-Wilwy,
2003.
[5] PRESSMAN, A. I. Switching Power Supply Design. New York: McGraw Hill, 1998.
[6] BARBI, Ivo. Projeto de Fontes Chaveadas. 2 Edio Revisada, Florianpolis, 2006.
[7] ERICKSON, Robert W. Fundamentals of Power Electronics. New York, EUA Chapman &
Hall, 1997.
[8] POMILIO, J. A. Notas de aula de Eletrnica de Potncia Graduao. So Paulo, SP

UNICAMP, 2013.

Capitulo 2

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2

Revisar diodos semicondutores;

Prof. Clvis Antnio Petry.

Figura 1 Semicondutores para eletrnica de potncia.

Assim, neste captulo se pretende fazer uma reviso de diodos semicondutores e

2.1 Diodo Ideal e Diodo Real

Figura 2 Smbolo do diodo.

Figura 3 Curva I x V do diodo ideal.

Figura 4 Representao da queda de tenso do

Figura 5 Curva de corrente versus tenso do

2.2 Comutao dos Diodos

Um diodo entra em conduo quando estiver diretamente polarizado.

Para estudar a comutao (entrada em conduo e bloqueio) do diodo, ser utilizado um

Figura 6 Circuito para estudo da comutao. Figura 7 Etapa de bloqueio de um diodo.

Figura 8 Corrente de recuperao reversa no diodo.

Figura 9 Corrente no diodo durante seu bloqueio.

Figura 10 Corrente de recuperao reversa em um diodo de carbeto de silcio.

Em termos prticos, a substituio de diodos convencionais, que teriam altos picos de

Figura 11 Comparativo entre conversores utilizando diodos convencionais e de silicone carbide.

2.3 Perdas nos Diodos

As perdas por comutao so de difcil determinao, pois dependem de diversas

P = V(TO ) I Dmed + rT I Def 2 .

2.4 Caractersticas Importantes de Diodos

Como exemplo, estas caractersticas para um diodo da srie 1N400X, sero:

Na Figura 12 mostram-se as informaes da folha de dados do componente. Note que

importante ressaltar que alguns fabricantes, como no caso do modelo MUR160 da

1N4001 - 1N4007 General Purpose Rectifiers

Absolute Maximum Ratings * TA = 25C unless otherwise noted

Electrical Characteristics TA = 25C unless otherwise noted

Symbol Parameter Value Units

Figura 12 Caractersticas eltricas dos diodos da srie 1N4001 at 1N4007.

Typical Performance Characteristics

2.5 Tipos de Diodos Comerciais

Os primeiros so os diodos de uso geral, usados em diversas aplicaes de eletrnica e

2.6 Testes de Diodos

A Figura 15 mostra imagens do teste de um diodo com o multmetro na escala apropriada,

Figura 14 Multmetro digital para teste de diodos.

Figura 15 Multmetro digital para teste de diodos.

3.1 Tiristor Ideal e Tiristor Real

Figura 16 Smbolo do tiristor.

Figura 17 Curva I x V do tiristor ideal.

Figura 18 Representao da queda de tenso

Figura 19 Curva de corrente versus tenso do

O bloqueio se d de modo idntico ao diodo, independente do gatilho, quando a corrente

Um tiristor entra em conduo quando estiver diretamente polarizado e houver

Figura 20 Representao das junes do tiristor.

Figura 21 Circuito equivalente para estudar o funcionamento do tiristor.

3.2 Comutao dos Tiristores

Figura 22 Curva I x V de um tiristor e sua dependncia da corrente de gatilho.

No bloqueio um tiristor apresenta o mesmo comportamento que um diodo, com

Figura 23 Circuitos de proteo para o tiristor.

Na Figura 24 mostra-se curvas tpicas para entrada em conduo de um tiristor, onde

Figura 24 Curvas de entrada em conduo do Figura 25 Curvas de bloqueio do tiristor.

3.3 Perdas nos Tiristores

P = V(TO ) ITmed + rT ITef 2 .

3.4 Caractersticas Importantes de Tiristores

Como exemplo, estas caractersticas para um tiristor da srie BT151, sero:

Na Figura 26 mostra-se o encapsulamento tpico de um tiristor, neste caso do modelo

3. OrderingFigura 26 Caractersticas de encapsulamento do BT151.

Os primeiros so os tiristores estudados at aqui, isto , os retificadores controlados de

Product data sheet Rev. 05 2 March 2009

Pode-se obter um componente com funcionamento similar associando dois tiristores do

determinado valor. Tem comportamento semelhante ao varistor.