UNIVERSIDAD NACIONAL TECNOLGICA DE LIMA SUR

(UNTELS)

LABORATORIO DE ELECTRNICA INDUSTRIAL

TEMA : CARACTERSTICAS DEL DIODO, CIRCUITOS DE

APLICACIN

DOCENTE : HCTOR VELSQUEZ

INTEGRANTES:

VILLA EL SALVADOR, octubre 2017

 INTRODUCCIN
Los diodos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la electrnica y en
los circuitos de ingeniera elctrica. Los diodos tambin son ampliamente
utilizados en los circuitos de electrnica de potencia para la conversin de
energa elctrica.
Se hace una introduccin a las aplicaciones de los diodos para la conversin de
energa AC a DC. Los convertidores de se conocen comnmente como
rectificadores, los rectificadores de diodos entregan a la salida un potencial fijo
de corriente directa. Para simplificar, los diodos sern considerados como
ideales. Por ideales queremos decir que el tiempo de recuperacin inversa
y la cada de voltaje directo son despreciables.
Esto es, = 0 y = 0
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se
pueden clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de
controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los
estados de conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del
circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal
de control externo.
2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la
familia de los Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC
(Triode of Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de
OFF a ON) se debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los
terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su
bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir,
se tiene control externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del
dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los
transistores bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de
efecto de campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),
los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros.
OBJETIVOS
Analizar algunos circuitos de diodos de uso comn en la electrnica de
potencia para el procesamiento de la energa.

Caracterizar el comportamiento del diodo tanto en rgimen esttico como

en rgimen dinmico. Se comprobar que la cada de tensin en
conduccin depende del tipo de diodo y de la corriente que circula por el
mismo. Por otra parte, se obtendrn las formas de onda caractersticas en
tensin y corriente del proceso de conmutacin.

MARCO TERICO
DIODO DE POTENCIA
Componente electrnico ampliamente utilizado en la electrnica de potencia. A
diferencia de los diodos de baja potencia estos se caracterizan por ser capaces
de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin en estado de
conduccin y en sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte
tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.
La figura siguiente muestra el smbolo y la caracterstica esttica corriente-
tensin de un diodo de potencia.

.
B. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE POTENCIA

CARACTERISTICAS ESTATICAS

PARAMETROS EN BLOQUEO

TENSIN INVERSA DE TRABAJO : Mxima tensin inversa que

puede soportar de forma continuada sin peligro de avalancha.

TENSIN INVERSA DE PICO REPETITIVO : Mxima tensin

inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico
es inferior a 1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100Hz.

TENSIN INVERSA DE PICO NICO : Mxima tensin inversa que

puede soportar por una sola vez cada 10 o ms minutos si la duracin del
pico es inferior a 10ms.

TENSIN DE RUPTURA : Valor de la tensin capaz de provocar la

avalancha, aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10ms

PARAMETROS EN BLOQUEO

INTENSIDAD MEDIA NOMINAL (() ): Es el valor medio de la mxima

intensidad de impulsos sinusoidales que el diodo puede soportar en forma
continuada.

INTENSIDAD DE PICO REPETITIVO ( ): Es aquella que puede ser

soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1ms, a una
determinada temperatura de la capsula (normalmente 25).

INTENSIDAD DIRECTA DE PICO NO REPETITIVA ( ): Es el mximo

pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin
de 10ms.
MODELOS ESTTICOS DEL DIODO
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se
representan en la siguiente figura. Estos modelos facilitan los clculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin
que necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos

ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos
suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en
libreras del programa.

CARACTERSTICAS DINMICAS
Estas caractersticas estn referidas al proceso de conmutacin del diodo, tanto
en el proceso de encendido como de apagado
PARMETRO DE ENCENDIDO

TENSIN DIRECTA, . Cada de tensin del diodo en rgimen

permanente para la corriente nominal.
TENSIN DE RECUPERACIN DIRECTA, : Tensin mxima durante
el encendido
TIEMPO DE RECUPERACIN DIRECTA, : Tiempo para alcanzar el
110% de .
TIEMPO DE SUBIDA, . Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al
90% de su valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito
externo
Este ltimo tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no
suele producir perdidas despreciables.

PARMETRO DE APAGADO
El paso del estado de conduccin al de bloqueo (y viceversa) en el
diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra
conduciendo una intensidad , la zona central de la unin P-N est saturada de
portadores mayoritarios con una mayor densidad de estos, cuanto mayor sea .
Si mediante la aplicacin de una tensin inversa , forzamos la anulacin de la

corriente con cierta cantidad de velocidad , resultara que despus del paso

por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su
sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario
durante un instante. La tensin inversa entre el nodo y ctodo no se establece
hasta despus del tiempo , llamado tiempo de almacenamiento, en el que los
portadores empiezan a escasear y aparece en la unin de la zona de carga
especial. La intensidad todava tarda un tiempo (llamado tiempo de cada) en
pasar de un valor de pico negativo ( ) a un valor despreciable mientras va
desapareciendo el exceso de portadores.
Tendiendo estas caractersticas en cuenta se definen los siguientes parmetros:

(tiempo de almacenamiento): Es el tiempo que transcurre desde el paso

por ceo de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
(tiempo de cada): Es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que esta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unin polarizada en inverso.
En la prctica de suele medir desde el valor de pico negativo de a
intensidad hasta el 25% de ste.

(tiempo de recuperacin inversa): Es la suma de y .

Por lo tanto, representa el tiempo que durante el apagado del diodo,

tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo 8negatico) y retornar
hasta un 25% de dicho valor (tpicamente 10useg para los diodos
normales y 1useg para los diodos de recuperacin rpida)

: Se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea

negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.

: Es el pico negativo de la intensidad y tambin se puede encontrar

representada como

C. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

DIODO RECTIFICADOR NORMAL
Presenta altos tiempos de recupercion inversos y es normalmente utilizado en
aplicaciones d e baja frecuencia
DIODO SCHOTTKY
Se utilizan cuando se necesita una caida de tension directa muy pequea (0.3V
tipicos) para circuitos con tensiones de salidas pequeas. Tienen limitada su
capacidad de bloquear tension a 50-100V

DIODOS DE RECUPERACION RAPIDA

Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinacuon de
conmutadores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacion
pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y vrios
cientos de amperios, estos diodos poseen un de pocos microsegundos. Un
diodo con esta variacion de corriente tan rapida necesitara circuitos de
proteccion, sobre todo cuando en el circuito exterior encontramos elementos
inductivos.
MATERIALES Y EQUIPOS REQUERIDOS

Diodo 1N4004
 Resistor 2.2kohmios, 100ohmios

Bobina 10mHr, 4.7 mHr

Capacitor 470 nF
 Generador de seales

PROCEDIMIENTO
1. Caractersticas dinmicas
Monte el circuito de la figura 1. Antes mida con el multmetro el valor exacto de
la resistencia. En el generador de seales fije una seal cuadrada de 10 y
10kHz.

Visualice la tensin en la carga y determine los siguientes parmetros:

= 6us
= = 0.7
= 1.6 mA
 Hasta qu valor de frecuencia mxima estima que se puede usar
este diodo para rectificar? Por qu?
De acuerdo a las caractersticas del diodo de fbrica y comprobadas en el
laboratorio podemos decir que est apto para 50/60 hz y posee una capacidad
de 30pf ya que la frecuencia indicada provocara que el diodo alcance una
conduccin total
 2. Aplicaciones
2.1 Rectificador con carga R
Vamos a comparar un rectificador de media onda con un
rectificador de onda completa.

D1

1N4004 D2 D3
V1 1N4004 1N4004
VSINE R1 V2
2k VSINE R2
2k

D4 D5
1N4004 1N4004

(a) (b)
Figura 2.Rectificadores

Se arma el circuito indicado (figura 2-a) usando el diodo 1N4004, una

resistencia de 2K y la fuente de alimentacin alterna sinusoidal de 10Vp y
1K hz.

IMAGEN DE LA SEAL DE ENTRADA

Justificacin:
Se utiliz un osciloscopio digital en el cual se visualizaron las seales de entrada
mediante un canal (CH1), de la informacin analgica almacenada se obtuvo la
seal sinusoidal en intervalos de tiempo.

Interpretacin:
La imagen presente se trata de una seal sinusoidal en corriente alterna de 10
Vp, de frecuencia 1 KHz la cual se someter a una rectificacin de media onda.
 IMAGEN DE LA SEAL DE SALIDA

Justificacin:
Se utiliz un osciloscopio digital en el cual se visualizaron las seales de salida
mediante un canal (CH2), de la informacin analgica almacenada se obtuvo la
seal sinusoidal en intervalos de tiempo.

Interpretacin:
El nivel de DC obtenido a partir de una entrada senoidal se puede mejorar 100%
mediante un proceso llamado rectificacin de onda completa.
Durante el periodo t =0 para T/2 la polaridad de la entrada es positiva, por lo
tanto el diodo esta en polarizacin directa, conduce corriente.
Durante el periodo T 2 a T la polaridad de la entrada es negativa, por lo tanto el
diodo se encuentra en polarizacin inversa (circuito abierto), no conduce
corriente.

IMAGEN DE LAS SEALES

Seal de entrada: la seal amarilla.

Seal de salida: la seal azul es la rectificada de media onda.
Seal del diodo: la seal rosa
 Se arma el circuito indicado (figura 2-b) usando cuatro diodos 1N4004, una
resistencia de 2K y la fuente de alimentacin alterna sinusoidal de 10Vp y
1K hz.

IMAGEN DE LA SEAL DE ENTRADA

Interpretacin:
La imagen presente se trata de una seal sinusoidal en corriente alterna de 10
Vp, de frecuencia 1 KHz la cual se someter a una rectificacin de onda
completa.
 IMAGEN DE LA SEAL DE SALIDA

Justificacin:
Se utiliz un osciloscopio digital en el cual se visualizaron las seales de salida
mediante un canal (CH2), de la informacin analgica almacenada se obtuvo la
seal sinusoidal en intervalos de tiempo.

Interpretacin:
Durante el periodo t =0 para T/2 la polaridad de la entrada es positiva, por lo
tanto los diodos D2 y D5 estn en polarizacin directa y los otros dos diodos se
encuentran en polarizacin inversa (circuito abierto).

Durante el periodo T 2 a T la polaridad de la entrada es negativa, por lo tanto los

diodos D3 y D4 estn en polarizacin directa y los otros dos diodos se
encuentran en polarizacin inversa (circuito abierto), por lo que se establece un
segundo pulso positivo.

El resultado neto es la configuracin de la imagen con su corriente y polaridad

indicada a travs de R (2K).
 IMAGEN DE LAS SEALES

Seal de entrada: la seal amarilla.

Seal de salida: la seal azul es la rectificada de onda completa.

DETERMINAR LOS SIGUIENTES VALORES:

V(media onda)DC = Vm/ = 9.3/ = 2.9603 V

V(media onda)RMS = Vm/2 = 9.3 /2 = 6.576 V

Rendimiento= PDC/PAC = VDC *IDC/ VAC*IAC = 2.9603*(VDC / R)/6.576 *(VAC / R)

= 0.203

V(onda completa)DC = 2Vm/ = 2*8.6/ = 5.475 V

V(onda completa)RMS = Vm/2 = 8.6/2 = 6.081 V

 Rendimiento= PDC/PAC = VDC *IDC/ VAC*IAC = 5.475*(VDC / R)/6.081*(VAC / R) =
0.8106

A LA VISTA DE LOS RESULTADOS:

Cul es la frecuencia fundamental de la tensin para el rectificador de

onda completa?

La frecuencia fundamental es el doble de la frecuencia de entrada.

Qu rectificador ofrece ms cantidad de continua?

El que ofrece ms cantidad de continua es el rectificador de onda completa.

Qu rectificador tiene mejor rendimiento de rectificacin?

El rectificador de onda completa tiene un mejor rendimiento a comparacin con

el de un rectificador de media onda.

A qu cree que se debe la diferencia de tensin de pico en la carga?

En el rectificador de media onda solo se permite que circule corriente a travs de

la carga durante los semiciclos positivos.

El rectificador de onda completa proporciona corriente a la carga durante los

semiciclos positivos de la tensin de entrada y el inferior durante los semiciclos
negativos, y esto hace que la tensin de la carga sea la diferencia de tensin de
la fuente y dos diodos conductores.
2.2. Rectificador de media onda con carga RL
Vamos a analizar el efecto de una carga altamente inductiva. Monte el
circuito de Figura 3(a). El generador de seales debe tener una sinusoidal
de 10Vp y 2kHz. Ponga en el canal uno del osciloscopio la tensin en la
resistencia, y en el canal dos la tensin total en la carga (R+L). Asegrese
de que las tierras de ambos canales estn en la tierra comn del circuito

A partir de las seales en el osciloscopio y mediciones con el multmetro,

determine los siguientes parmetros:
Angulo de desfase entre la tensin y la corriente:
Tiempo de conduccin del diodo: TON
Angulo de conduccin del diodo: ON
Tensin de pico negativa en la carga: Vmn
Componente de continua en la tensin de la carga: VDC
Tensin eficaz en la carga: Vrms
Valor medio de la corriente: IDC
Valor eficaz de la corriente: Irms
CONDICIONES:
Si el Diodo no Conduce por lo tanto la la corriente que circulara cera I=0 A
Vc=0
El Diodo Conduce:

= 1 = ()
= 1 + 2

() = ( ) +

Clculos:

= 2 + 2 2

= 1002 + (14.7 103 )2 (2 2 103 )2 = 210.056

Angulo de desfase entre la tensin y corriente

= ( )

= 2 = 2 2 103

14.7 103 2 2 103

= ( ) = 61.571
100
Tiempo de conduccin del diodo Ton:

=

14.7 103
= = 0.147
100
Angulo de conduccin del diodo:

+ = =

= 2 2 103 0.147 103 = 1.847
=
= 180 1.847 = 178.153

Componente de continua en la tensin de la carga: VDC

1
=
0
1
= 10 2
2 0

=

10
= = 3.183

Tensin eficaz en la carga: Vrms

1
= 2 2
0

1
= 10 2 2 =
2 0 2

10
= =5
2
Valor medio de la corriente: IDC

3.183
= =
210.056
= 15

Valor eficaz de la corriente: Irms

5
= =
210.056
= 23.80

Tensin de pico negativo en la carga: Vmin= 40.7mV

Tabla de Parmetros Fundamentales de Media Onda

SIMULACIN:

Rectificador de media onda con carga RL sin Filtro

Rectificador de media onda con carga RL sin Filtro

2.3. Diodo de libre circulacin
Se puede corregir el pico de tensin negativa que introduce la bobina
mediante un diodo puesto en antiparalelo con la carga. Aada un diodo
de libre circulacin como se indica en la figura 3(b). Visualice la tensin
en la carga en el canal uno del osciloscopio, y la corriente (mida el valor
exacto de la resistencia y aplique la ley de Ohm). A partir de las seales
determine:
La operacin del circuito se puede dividir en dos modos:
Semiciclo positivo:D1 conduce y D2 no conduce. Teniendo un circuito
rectificador de media onda cerrado RL, donde la ecuacin de la corriente
en este tiempo es:
Donde: =
= 1 + 2
=

+ =

Semiciclo negativo:
D1 no conduce y D2 conduce. La corriente de carga empieza a fluir a
travs del diodo de libre circulacin. Si redefinimos el origen del tiempo
al principio de este modo, la corriente a travs del diodo de libre
circulacin se encuentra a partir de:
= 0
i=0
SIMULACIN:

carga
Resist
.

carga
RL
Clculos:

= 2 + 2 2

= 1002 + (14.7 103 )2 (2 2000)2 = 210.0561

= ( ) = 61.57


= = 1.847

Voltaje medio:
1
=
0
1
= 10
2 0

= = 3.1831

Voltaje rms:

1
= 2 2
0

1
= 10 2 2 = = 5
2 0 2

Intensidad media:
= 210.0561
= 3.1831
3.1831
=
210.0561
15 =
Intensidad RMS:
= 210.0561
= 5
5
=
210.0561
23.8 =

Tensin de pico negativo en la carga: Vmin= 40.7mV

Valor medio de tensin: VDC =3.2v
Valor eficaz de tensin: VRMS =5v
Valor medio de corriente: IDC =15mA
 Valor eficaz de corriente: IRMS =23.8mA
Compare los resultados con los obtenidos sin diodo de libre
circulacin. En qu caso se tiene mejor rectificacin (compare los
rendimientos)? En el segundo caso. Con el diodo de libre circulacin,
disminuye el pico de tensin negativa.
3.1831 15
= = 0.40
5 23.8

Por qu cree que la tensin de pico inversa en la carga tiene ahora

ese valor?
Al haber un diodo D2, hace que la corriente circule por este diodo
eliminando los circuitos en paralelo.

CONCLUSIONES
se concluye que el rectificador de onda completa tiene mayor rendimiento
que el de media onda, por lo que nos permite convertir la corriente alterna
en continua con mejor aproximacin.
El paso del estado de conduccin al bloqueo en el diodo no se efecta
instantneamente.
Se concluy que un rectificador no modifica la amplitud de la seal de
entrada, solo elimina los ciclos negativos y su nica limitacin de un
circuito es el diodo con que se est usando.

El diodo de potencia es uno de los dispositivos mas importantes de los

circuitos de potencia.

Su fin de control es invertir el voltaje entre el anodo y catodo.

En la actualidad la conversin de potencia de corriente alterna en corriente

continua principalmente se realiza por medio de diodos.