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INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECNICA Y


ELCTRICA
COMUNICACIONES Y ELECTRONICA

UNIDAD ZACATENCO

PRCTICA 06

POLARIZACION, REGIONES DE
OPERACIN Y CIRCUITOS REGULADORES
CON TRANSISTORES BIPOLARES

DISPOSITIVOS

NUEVA CURRCULA
Practica No. 5

Transistor Bipolar
OBJETIVO:

1. Identificar las terminales del transistor bipolar

2. Medir la corriente de fuga y su variacin con la temperatura

3. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colector-base de un


transistor bipolar de silicio de tecnologa plana

4. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de emisor
comn. Observar su variacin con el voltaje de colector-emisor

5. Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en configuracin de emisor
comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin
corte, saturacin activa y directa

DESARROLLO EXPERIMENTAL:

Conceptos Bsicos:

Transistor Bipolar

Distintos encapsulados de transistores

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador,


oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingles de transfer
resistor (resistencia de transferencia).

Los transistores son componentes esenciales para nuestra civilizacin porque toda la electrnica
moderna los utiliza, ya sea en forma individual (discreta) como tambin formando parte de circuitos
integrados, analgicos o digitados, de todo tipo: microprocesadores, controladores de motores
elctricos, procesadores de seal, reguladores de voltaje, etc.

Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavarropas
automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, etc.

Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o trodo, el transistor bipolar fue inventado
en los Laboratorios Bell de EEUU en Diciembre de 1942 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y
William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956.
Sus inventores lo llamaron as por la propiedad que tiene el transistor de cambiar sus resistencias al
paso de la corriente elctrica que lo atraviesa entrando por uno de los 3 terminales (el emisor) y
saliendo por otro (el colector) en funcin de la mayor o menor corriente elctrica que, para
excitarlo, se inyecte en el tercero (la base).

El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente que forman
dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que esta intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
diferencia de las vlvulas el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,
a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento solo puede explicarse mediante mecnica cuntica, luego en realidad el transistor
es un dispositivo cuntico.

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio
o silicio.

Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada
caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor
(E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si te introducimos una cantidad
de corriente por una de sus patillas (base), el entregara por la otra (emisor), una cantidad mayor a
esta, en un factor que se llama amplificacin.

Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:

- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificacin) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = B * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, solo que la corriente
en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l o viceversa.
Segn la formula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero
en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.

En el segundo grafico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms
corriente la curva es ms alta.

MATERIAL:

-Osciloscopio de doble trazo.

-Generador de seales.

-Multmetro analgico y/o digital.

-Una pinza de punta.

-Una pinza de corte.

-6 cables caimn-caimn de 50 cm.

-6 cables caimn-banana de 50 cm.

-6 cables banana-banana de 50 cm.

-4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin bnc y en el otro caimn.

-Tablilla de conexiones (Protoboard).

- Fuente de voltaje C.D. (variable).

-Fuente de corriente C.D (variable)

- Cuatro transistores de silicio NPN BC547

- Un transistor de germanio NPN AC127

- 4 resistores de 100 k

- 1 resistor de 100 k

-1 encendedor.
EXPERIMENTOS:

1. Es requisito que para antes de realizar la prctica el alumno presente por escrito y en forma
concisa y breve los siguientes puntos sobre el transistor bipolar.

2. Identificar las terminales del transistor bipolar.

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar
y si este es NPN o PNP, sin embargo, se recomienda que siempre se consulten las hojas de
especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cmo est ubicada las
terminales de emisor, colector y base.

En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el


dispositivo est en buen estado.

2.1 Usar el multmetro en su funcin hmetro y aplicar la prueba conocida como prueba
del amplificador e identificar las terminales del transistor.

a) Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el efecto rectificante entre


las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN, cuando se
coloca el positivo de la fuente interna del hmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera
de otras dos terminales deber medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la
resistencia medida deber ser alta (use la misma escala del multmetro para la realizacin
de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se observar alta resistencia sin
importar como se coloque la polaridad en las terminales del hmetro. Con estas mediciones
se comprueba la existencia de las uniones rectificantes del transistor bipolar y el tipo de
transistor NPN o PNP. Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, ser necesario
aplicar la prueba del amplificador.

2.2 Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo, es mediante el
uso de un multmetro digital que nos permita medir la beta del transistor. Esto es;
elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin de la beta, colocamos las
terminales del transistor como creamos que estn correctas y midamos las betas, cuando
el dispositivo est correctamente colocado, la beta medida generalmente es grande (en la
mayora de estos casos mayor a 50), cuando no est bien colocado la beta que se mide es
pequea (en la mayora de estos menos a 20 y en algunos multmetros en esta situacin
marca circuito abierto).

2.3 Despus de identificar las terminales de sus transistores bipolares dibjelos en


isomtrico en la siguiente figura, indicando donde est el colector, el emisor y la base.
3. Medir la corriente de fuga y su variacin con la temperatura

Al igual que en los diodos (uniones rectificantes) se tuvo la presencia de corriente de fuga
(generadas por los portadores minoritarios), en los transistores bipolares tambin se
presentan, de tal forma que si polarizamos inversamente en cualquier par de terminales del
transistor, se podrn medir estas corrientes. Segn el par de terminales que se elija, la
corriente tendr valores diferentes aunque del mismo orden de magnitud, es importante
recordar que estas corrientes son muy pequeas comparadas con las corrientes de
operacin del dispositivo y que adems para el caso de silicio son mucho menores que para
el germanio. En la expresin matemtica que se usa para la corriente u observar como varia
con la temperatura.

En la figura se propone un circuito para medir esta corriente y observar como vara con la
temperatura. Para esta medicin se us el transistor de germanio AC127.

ICBO=ICO= 0.001 A a temperatura ambiente

ICBIO=ICOI= 0.003 A a temperatura mayor que la ambiente


Para lograr que la temperatura fuera mayor a la del ambiente, se acerc un encendedor al
transistor bipolar por cinco segundos.

4. Observar y medir el voltaje de ruptura en la unin base-emisor y de la unin colector-


base de un transistor bipolar de tecnologa plana.

Armar el circuito de la figura y obtener la curva del diodo emisor-base, posteriormente se


desconect el emisor, se conect el colector y se obtuvo la curva del diodo colector-base.
Se us seal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12 V y frecuencia entre 60 y 1KHz.

5. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de


emisor comn. Observar la variacin con el voltaje colector-emisor.

Armar el circuito propuesto en la figura, el cual permite obtener el comportamiento de la


unin emisor-base del transistor bipolar y se observ su variacin con el voltaje de colector-
emisor.
Medida sobre la Vbe(V) medido Vbc(V) medido Vbe(V) medido
curva del diodo sobre la curva del sobre la curva del sobre la curva del
emisor-base diodo emisor-base diodo emisor-base diodo emisor-base
cuando Vce=0V cuando Vce=0.5V cuando Vce=5V
20 uA 4.2V 3.2V 0.7V
100 uA 3.8V 3.6V 0.4V
150 uA 3.5V 4.0V 0.3V

6. Obtener las curvas caractersticas de la salida del transistor bipolar en configuracin de


emisor comn. Observar y reportar su variacin con temperatura.

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector-
emisor solicitados en la tabla 6.2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal
que la IB1 haga que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores de IB2 y
IB3 lo hagan trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente IB4 lo lleve
a la regin de saturacin.

CORRIENTE MEDIR LOS VALORES DE CORRIENTE DE COLECTOR IC PARA CADA UNO DE


EN LA BASE LOS VALORES
VCE=0V VCE=2V VCE=4V VCE=6V VCE=8V VCE=10V VCE=12V
IB1 CORTE 0 uA 170 uA 680 uA 800 uA 800 uA 800 uA 800 uA
IB2 ACTIVA 0 uA 230 uA 695 uA 830 uA 830 uA 830 uA 830 uA
IB3 ACTIVA 0 uA 270 uA 750 uA 860 uA 860 uA 860 uA 860 uA
IB4 SATUA 0 uA 315 uA 785 uA 870 uA 870 uA 870 uA 870 uA
Cuestionario

1. Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unin emisor base


este polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin cero.

2. Determine el valor de para las lecturas que se realizaron en el circuito de la figura 6.2.

Indica la relacin entre las corrientes de colector y emisor, su valor es algo inferior a la
unidad

4610
= = 2.19103
210

3. Escriba la expresin matemtica que se usa para determinar el aumento de la corriente


de fuga en una unin rectificante cuando aumenta la temperatura, hgalo tanto para el
caso del silicio como para el germanio.

R=Los transistores presentan ciertas corrientes de fuga, debidas al efecto de los portadores
minoritarios. Una de las corrientes de fuga se designa ICBO . (La letra I significa intensidad
de corriente, CB representa la unin colector-base, y O indica que el emisor est abierto.)
Esta corriente es la que atraviesa la unin colector-base en condiciones de polaridad inversa
y con el terminal del emisor abierto. Otra corriente de fuga es ICEO .(I significa intensidad de
corriente, CE representa la unin colector-emisor, y O indica que el emisor est abierto.)
Esta corriente de fuga es la ms intensa; es una forma amplificada de ICBO :

=
Con el terminal de base abierto, toda corriente que se infiltre a travs de la unin colector-
base polarizada inversamente producir sobre la unin base-emisor el mismo efecto que
una corriente base aplicada externamente. Con el terminal de base abierto, la corriente de
fuga no puede seguir otro camino. Esta fuga la amplifica el transistor como cualquier
corriente de base:

En los transistores de silicio, las corrientes de fuga son muy dbiles. Los transistores de
germanio tienen unas corrientes de fuga mucho ms intensas, lo que posiblemente se
manifieste en una resistencia inversa elevada, pero no infinita.

4. Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de un
transistor bipolar e indique con que literales se conocen.

R= La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (UCBO). Suele ser elevada (de 20 a
300 voltios) y provoca una pequea corriente de fugas (ICBO).

La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (VCEO). Tambin provoca una
corriente de fugas (ICEO).

5. Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga en la unin emisor base
con el colector en corto circuito.

6. De qu orden es el voltaje de ruptura de voltaje colector en el transistor de silicio BC547?

R=La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en cortocircuitada al
emisor, antes de que la anchura de la regin de transicin alcance el emisor perforando la
regin de base.
Grficamente, en la figura 1.7 se muestra la definicin de ambas tensiones. El transistor
BC547 tiene VCES=50 V, y es una de las tensiones mximas de alimentacin.

7. A partir de la tabla 6.2 obtenga las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar
en emisor comn.

8. Proponga el circuito equivalente de parmetros h para el transistor bipolar en emisor


comn y defina cada uno de los parmetros.

R= El modelo hbrido o equivalente hbrido del transistor es un modelo circuital que


combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de all el nombre de
hbrido.

La obtencin de los parmetros hbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a
la teora de cuadripolos o redes de dos puertos.
La sustitucin del smbolo BJT por su modelo hbrido durante el anlisis en c.a. permite la
obtencin de ciertos valores de inters como son: La ganancia de voltaje, ganancia de
corriente, impedancia de entrada y la impedancia de salida.
Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por s solo no considera este
aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido quien si lo considera
NOTA: Los parmetros h, se denominan parmetros hbridos y son componentes de un
circuito equivalente de un circuito equivalente de pequea seal que se describir en breve.
Los parmetros que relacionan las cuatro variables de denominan parmetros h debido a
la palabra hbrido. El parmetro hbrido se seleccion debido a la mezcla de variables V e
I en cada ecuacin, ocasiona un conjunto hbrido de unidades de medicin para los
parmetros h
Una red de dos puertos en general, se describe por el siguiente juego de ecuaciones:
La variables involucradas dentro de la red son vi, ii, v0 e i0 y los parmetros que relacionan
estas variables son los parmetros hbridos, h.

9. A partir de las curvas caractersticas que se obtienen en el punto 6.7.7 obtenga los
parmetros hoe, hfe para la grfica que obtuvo con la corriente de Ib3 y un Vce=4V.
iC
hfe = |VCE =0
iB

iC
hoe = |
VCE iB =0

10. Para la familia de curvas que obtuvo con el trazador de curvas determine el valor de la
hfe en los puntos en que Vce=4v y Vce=6v.

iC
hfe = |
iB VCE =0

11. Cuando la corriente en la base es cero, cunto debe valer la corriente de colector?

R= Cero, debido a que la corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

12. Usando los datos de la tabla 6.1, obtenga las curvas caractersticas de entrada del
transistor bipolar en emisor comn.
13. Determine los parmetros hbridos hie y hre usando las grficas del punto 6.7.12, para
una corriente de base de 40A.

R=

VBE VBE
hie = |VCE =0 =
iB 40 106

VBE
hre = | como ib 0 no se puede determinar hre
Vce iB =0