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6.- Identificacin. E
E igualdad de condiciones.
El emisor (E), capa semiconductora fuertemente dopada, dispuesta para emitir electrones.
El colector (C), ms grande y menos dopado, recibe los electrones que emite el emisor.
La base (B), estrecha banda semiconductora, es el terminal central y permite el paso de los
electrones.
Eca: transistores
2.- Funcionamiento del Transistor NPN 3.- Caractersticas del Transistor NPN
IE = IC + IB
Vbe Vcb Se polariza en directa la unin Las curvas caractersticas del transistor relacionan las I frente a las V VCB = VCE - VBE
BE: los e- del emisor pasan a
la base. +
Caracterstica de entrada
Se polariza en inversa la IB = f(VBE, VCE) IC
unin CB, Vcb>>Vbe BE se comporta como un diodo. IB
+ VCE
La inyeccin de e en la base, Al aumentar Vce la curva se
reduce la barrera de potencial, desplaza a la derecha. VBE
facilitando su paso al colector. IE -
IB -
Unos pocos e- (3-4%) se derivan
VCE Caracterstica de salida
desde la base
IC = f(VCE, IB)
IC
En consecuencia se establece paso de corriente en el emisor (Ie) que se reparte en el
colector (Ic) y una pequea parte en la base (Ib).
Ie = Ic + Ib IB
Ib VBE Al aumentar
Ie Ic Ib la curva se
desplaza
hacia arriba.
El transistor viene caracterizado por la proporcin de intensidad = Ic / Ib
regulada desde la base, mediante el parmetro (hfe). VCE
Eca: transistores Eca: transistores
Zona de Saturacin
VCE
Punto de reposo
Zona de Corte
Pto medio de la recta de carga
Ib = 0 Ic = 0 Interruptor abierto = 1
Eca: transistores
Eca: transistores
Encapsulados:
De disipacin de potencia.
De pequea seal.
Pro-electrn (europea): dos letras y tres cifras (componentes de radio, televisin y audio)
tres letras y dos nmeros para dispositivos industriales.
1 material 2 tipo de componente
A: Diodo de pequea seal. P: Fotodiodo.
A: Germanio. B: Diodo varicap Q: Emisor de radiacin (LED).
B: Silicio. C: Transistor de pequea seal. R: Disp. de conmutacin, baja potencia.
C: Arseniuro de galio. D: Transistor de potencia. S: Transistor, conmutacin de baja potencia.
D: Antimoniuro de indio. E: Diodo tnel. T: Dispositivo de conmutacin, potencia.
R: Materiales compuesto F: Transistor, alta frecuencia, pequea seal. U: Transistor de conmutacin, potencia.
K: Dispositivo de efecto Hall. X: Diodo multiplicador.
L: Transistor, alta frecuencia, potencia. Y: Diodo rectificador de potencia.
N: Optoacoplador. Z: Diodo zner.
Vp
Consta de dos entradas (inversora -, no inversora +) y una salida.
Vn
Modos de funcionamiento
Modo diferencial: Vd = Vp - Vn Modo comn: Vc = (Vp + Vn) / 2
Parmetros
Resistencias Ganancia en tensin
R entrada = . I entrada = 0. Gv (modo comn) = 0.
R salida = 0. Ancho de banda = . Gv (modo diferencial) = .
Tensin de salida: Vo = Gc x Vp + Gd x Vn
Eca: A.O.
4.- Aplicaciones lineales Aplicaciones lineales
Vo = - Vi x Rr / R1
A.O. no inversor
No existe desfase entre seales y su
ganancia es mayor de 1.
A.O. derivador A.O. integrador
Vo = Vi x (1 + Rr / R1)
Eca: A.O.
Hoy en da existen circuitos integrados que realizan las funciones de circuitos que
antes haba que conformar con numerosos componentes discretos, que se utilizan
en numerosos equipos de audio, televisores, etc.