AMPLIFICADORES DE POTENCIA

DE BAJA FRECUENCIA

Electrnica II
Introduccin

Tradicionalmente se consideran amplificadores aquellos que manejan seales de tensin

y corriente apreciables no pueden ser analizados mediante la bsqueda de un punto de
trabajo y la aplicacin del modelo de pequea seal correspondiente.

Una clasificacin de los amplificadores segn su campo de aplicacin, agrupando los que
poseen caractersticas similares puede ser:

1) Amplificadores para control (continua a 100Hz, carga: motor)

2) Amplificadores de baja frecuencia (hasta 100 KHz)
2.a) Amplificadores para equipos de sonido (carga: altavoz)
2.b) Amplificadores telefnicos (carga: lnea)
3) Amplificadores de transmisin (hasta MHz, carga: lnea)
4) Amplificadores de vdeo (tensiones altas, corrientes moderadas, carga hi-Z)
5) Amplificadores de emisin (RF, sintonizados, clases B y C)

En este tema se estudian los amplificadores del grupo 2.a y 5, y en particular, los
amplificadores que entregan potencias de salida moderadas (1 W a 50W).
Introduccin
Introduccin

Elementos de dos capas

DIODO
Introduccin

DIODO SEMICONDUCTOR

El diodo semiconductor, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada ms

que eso; slo la unin de un material con un portador mayoritario de electrones a uno
con un portador mayoritario de huecos.

Esta regin de iones positivos y

negativos revelados se llama regin de
empobrecimiento, debido a la
disminucin de portadores libres en la
regin.
Introduccin

DIODO CON POLARIZACION DIRECTA (VD > 0 V)

Introduccin

DIODO CON POLARIZACION DIRECTA (VD > 0 V)

En cuanto se incrementa la
magnitud de la polarizacin
aplicada, el ancho de la
regin de empobrecimiento
continuar reducindose
hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar
la unin, lo que produce un
crecimiento exponencial de
la corriente.
 Introduccin

DIODO CON POLARIZACION DIRECTA (VD > 0 V)

Se puede demostrar por medio de la fsica de estado slido que las caractersticas
generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuacin de
Shockley, para las regiones de polarizacin en directa y en inversa:

VKDTq
I D I S e 1

IS = Corriente Saturacin Inversa

K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo

Corriente de saturacin de 10-15 a 10-13 A.

VT: Voltaje Trmico es aprox. 25,875mV
n: Coeficiente de emisin 1n2
 Introduccin

DIODO CON POLARIZACION DIRECTA (VD > 0 V)

VD > 0, se produce una corriente, por ejemplo Is = 10 pA.

VKDTq
I D I S e 1

Con valores negativos de VD el trmino exponencial se reduce con rapidez por debajo del
nivel de I y la ecuacin resultante para ID es:

Con V = 0 V, la ecuacin se vuelve:

NODO CTODO

La direccin definida de la corriente convencional en la regin de voltaje positivo corresponde a la punta de flecha del smbolo de diodo.
Introduccin

Elemento de Tres capas

BJT (transistor de unin bipolar)

Introduccin

BJT (transistor de unin bipolar) (Bipolar Junction Transistor)

Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones

PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales
Tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante
baja

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas
consta de un terminal por donde extraer las corrientes.
Smbolos

En la figura aparecen los smbolos que se utilizan para la representacin del

transistor de unin bipolar. Para las corrientes se han representado los
sentidos reales de circulacin de las mismas

La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del

terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la
flecha apunta hacia dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el
sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor
Caractersticas Estticas

Todos los transistores BJT, ya sean NPN o PNP pueden polarizarse de manera
que quede un terminal comn en su circuito de polarizacin; es decir, un
elemento que forma parte del lazo de entrada como del lazo de salida. Este
puede ser en cualquiera de los terminales del dispositivo
Introduccin

Recordando
Conexiones del transistor:

Base comn: La seal se aplica en el emisor y se extrae por el colector , la base se

conecta a la tierra tanto de la seal de entrada como a la de la salida.
Colector comn (Seguidor de emisor): La seal se aplica en la base y se extrae por el
emisor , el colector se conecta a la tierra tanto de la seal de entrada como a la de la
salida.
Emisor comn: La seal se aplica en la base y se extrae por el colector , el emisor se
conecta a la tierra tanto de la seal de entrada como a la de la salida.
Curvas

Emisor Comn

Curvas caractersticas de salida en Emisor Comn en un BJT npn Efecto Early en las caractersticas de entrada

, es el factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn.

-> hFE
Introduccin

Recordando
Montaje Ganancia Ganancia Desfase Ze Zs
voltaje corriente
Base Elevada /( + 1) 0 Baja Elevada/
Comn Mediana
Colector <1 ( + 1) 0 Elevada Baja
comn
Emisor Elevada 180 Mediana Elevada/
comn Mediana

Usos:
Base comn: Para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida
como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
Colector comn: Circuitos separadores y como adaptadores de impedancia
entre las fuentes de seal y las etapas amplificadoras.
Emisor comn: Amplificacin.
Introduccin

El funcionamiento del transistor depende de la cantidad de corriente que pase

por su base.

Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros
terminales; se dice entonces que el transistor est en corte, es como si se tratara de un
interruptor abierto.

El transistor est en saturacin cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso
se permite la circulacin de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se
comporta como si fuera un interruptor cerrado.

El transistor trabaja en conmutacin cuando puede pasar de corte a saturacin segn

la cantidad de corriente que reciba por su base.
Introduccin

Corte: El transistor acta como un

interruptor abierto Ic=0.
Saturacin: El transistor acta
como un interruptor cerrado
VCE=0
Activa: La relacin entre las
corrientes de colector y base es
constante (Amplificacin)
Disrupcin: En este modo, las
regiones de emisor y colector
cambian los papeles. Debido a
que la mayora de los BJT estn
diseados para maximizar la
ganancia de corriente en el modo
Unin de emisor Unin de colector Modo de operacin
activo directo, el en modo
Directa Inversa Activa directa invertido es varias veces ms
Inversa Directa Activa inversa pequeo. Este modo de transistor
Inversa Inversa Corte rara vez se utiliza.
Directa Directa Saturacin
Zonas de Funcionamiento

De manera general la polarizacin de un circuito hace referencia a las fuentes de

corriente directa (fuentes reguladas, bateras, pilas) que se utilicen para alimentar el
circuito.
Para el caso particular del transistor bipolar, la polarizacin busca obtener un punto de
funcionamiento en una regin especfica, es decir busca establecer un valor fijo de
voltaje entre el terminal de colector y emisor y un valor fijo de corriente de colector,
que hagan que el punto de operacin del transistor est en una regin de operacin
especfica.
Zonas de Funcionamiento

Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener

el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es
prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como
un interruptor abierto.

Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.

Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en

corte cuando se cumple la condicin: IB = 0 IB < 0.

Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-
emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.
Zonas de Funcionamiento

Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi
independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el
diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.

La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en

todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector base en inversa.
En general, y a efectos de clculo, se considera que se verifica lo siguiente:
siendo una constante denominada ganancia
de corriente en emisor comn que toma
valores tpicos de 50 a 500

donde V es la tensin de conduccin de la unin base-emisor (en general 0,6 voltios).

Zonas de Funcionamiento

Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y el transistor se

comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicional de la
corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende
exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su
circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.

En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la base-

colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se
verifica slo lo siguiente:

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores

determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Zonas de Funcionamiento
Introduccin

Punto de trabajo:
Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un
transistor para que opere en la regin activa, se denomina punto de operacin y
se suele expresar por la letra Q (punto quiescente).

Recta de carga:
La recta indica todos los puntos de operacin posibles para un circuito, es un
resumen visual en el que se puede observar claramente los puntos crticos, por
ejemplo puntos de saturacin y de corte.
Introduccin

General

VBE = 0,7

Saturacin
Introduccin

MOSFET
Introduccin

MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor)

Los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello se debe al aislamiento
(xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo.

Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo de portador

Los ms usados son de tipo acumulacin o Enriquecimiento

D D

G G
S S
Los ms usados son los MOSFET de canal N Canal N Canal P
La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor movilidad menores resistencias
de canal en conduccin
Zonas de Trabajo

Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de potencia MosFet se encuentran en la

conmutacin a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores,
generadores de altas frecuencias para induccin de calor, generadores de ultrasonido,
amplificadores de audio y transmisores de radiofrecuencia.

La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que
estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren solo una
pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados
por corriente aplicada a la base.

Ventajas de los MOSFET frente a los BJT Inconvenientes de los MOSFET

La velocidad de conmutacin para los MOSFET est en
el orden de los nanosegundos, por esto los MOSFET son
muy utilizados en convertidores de pequea potencia y
alta frecuencia.
Los MOSFET no tienen el problema de segunda
ruptura
Mayor rea de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando ms simple.
Alta impedancia de entrada.
Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles
a las descargas electrostticas y requieren un
embalaje especial.
Es relativamente difcil su proteccin.
Los MOSFET son ms caros que sus equivalentes
bipolares.
La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es
ms grande, lo que provoca mayores perdidas de
potencia cuando trabaja en Conmutacin.
Zonas de Trabajo

Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado del
Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms baja y la
zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en regin
hmica y el dispositivo presentar baja resistencia.

La operacin de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de operacin

diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET
N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: regin de corte, regin hmica
y regin de saturacin.
Zonas de Funcionamiento

Zona de corte: El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas
condiciones el transistor MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre
los terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del transistor,
en esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.

Existen corrientes residuales (muy pequeas), cuando el dispositivo est en corte. Si la tensin
aplicada entre Puerta Surtidor es inferior a Vth (normalmente superior a 2 voltios, para los
MOSFET de potencia), el dispositivo continuar en la regin de corte. En esta regin la corriente
que circula por el drenador es prcticamente nula.

Las ecuaciones para esta regin sern:

Zonas de Funcionamiento

Zona hmica: Cuando un MOSFET est polarizado en la zona hmica, el valor de

RDS(on) viene dado por la expresin:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje
(ID) especfica y el voltaje Puerta-Surtidor.

As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS Vt ).

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor. El

valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin entre la
Puerta y el Surtidor (VGS).
Zonas de Funcionamiento

Zona de saturacin: El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento

cuando la tensin entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo
denominado tensin de saturacin (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene
determinado en las hojas caractersticas proporcionadas por el fabricante.

En esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de Drenador (ID),

independientemente del valor de tensin que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS).
Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.

El MOSFET estar en esta regin, cuando:

Introduccin

AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE
BAJA FRECUENCIA
Introduccin

Un amplificador recibe una seal de algn transductor de captacin u otra

fuente de entrada, y proporciona una versin ms grande de la seal para
algn dispositivo de salida u otra etapa de amplificacin

Por lo general, la seal de un transductor de entrada es pequea (unos

cuantos milivoltios de una entrada de un CD, MP3 o salida de celular, o
algunos microvolts de una antena) y necesita amplificarse lo suficiente para
operar un dispositivo de salida

En los amplificadores de pequea seal los principales factores son: por lo

general la linealidad de la amplificacin y la magnitud de la ganancia.
Introduccin

Las caractersticas principales de un amplificador son:

La Potencia del circuito

La cantidad mxima de potencia capaz de manejar
Acoplamiento de Impedancia con la salida

El mtodo para categorizar a los amplificadores son las clases.

Bsicamente, las clases de amplificador representan el grado con el que vara

la seal de salida a lo largo de un ciclo operacin, para un ciclo completo de
seal de entrada.
Clasificacin

Los amplificadores de potencia se clasifican segn su etapa de potencia en funcin del

punto de trabajo en que se polarizan los dispositivos de potencia, y en la fraccin del
ciclo de seal durante las que conducen, como consecuencia de ello.

Clase de Ciclo de Eficiencia en

Amplificador operacin potencia
A 360 0 a 25% o a
50%
B 180 78.5%
AB 180 a 360 25% a 78.5%
C < 180 *
D En pulsos Superior a
90%

*La clase C no se usa para proporcionar potencia

Clasificacin

La forma ms sencilla de distinguir las clases de un amplificador es por el ngulo de

conduccin. Es te ngulo se refiere al periodo de tiempo que el dispositivo est
conduciendo (ciclo de operacin).
Clasificacin

Las clases de los amplificadores bsicamente se los divide en dos grupos.

El primero formado por los clsicamente controlados por el ngulo de conduccin, en

los cuales estn los clases A, B, AB y C definidos por la cantidad de su estado de
conduccin contra la cantidad de la seal de salida, as su operacin est entre
completamente encendido y completamente apagado.

El Segundo grupo son lo llamados switching amplifiers y pertenecen a ellos las clases
D, E, F, G, S, T, etc; ellos usan dircuitos digitales y modulacin por ancho de pulso (PWM)
para constantemente cambiar la seal entre completamente encendido y
completamente apagado obligando a los transistors a trabajar en las zonas de corte y
saturacin.

Los ms communes a construir son los amplificadores usados para audio, principalmente
los clase A, B, AB y C
Introduccin

Definicin

Un amplificador recibe una seal de entrada pequea (milivoltios o microvoltios)

y proporciona una versin mas grande de la seal para un dispositivo de salida.

El amplificador de potencia (o gran seal) debe operar en forma eficiente y debe

ser capaz de manejar grandes cantidades de potencia ya que deben trabajar con
voltajes y corrientes de gran amplitud. (La potencia por lo regular es de unos
cuantos watts a cientos de watts).

Los factores del amplificador de potencia que mayor inters presentan son:

Eficiencia en potencia del circuito =

Mxima cantidad de potencia que el circuito es capaz de manejar.

Acoplamiento de impedancia en relacin con el dispositivo de salida

Linealidad
Amplificador Clase A
 Amplificador Clase A
Es la clase ms comn debido a su simplicidad en el diseo y se podra decir
que desde el punto de vista de baja distorsin es la mejor clase, por ello
probablemente son la mejor opcin para aspectos de amplificar audio.

Este amplificador tiene la mejor linealidad en comparacin con las otras

clases.

Generalmente esta clase usa un solo transistor (Bipolar, FET, etc) conectado
en modo de emisor comn para todo el ciclo de la seal, teniendo corriente
que circula por el transistor siempre. Esto significa que en la etapa de salida
independiente del transistor usado no se encuentra en las zonas de
saturacin o corte, sino en el punto de trabajo denominado Q, en el medio
de la recta de carga.

Por ello el transistor nunca est apagado, siendo una desventaja.

Clase A

Clase A

El dispositivo se polariza en una zona de respuesta lineal, con capacidad de

responder a seales de cualquier polaridad, es decir que la corriente circula por el
terminal de salida durante los 360 del ciclo de la seal de entrada.

Su principal ventaja es que sigue un modelo de amplificador lineal

convencional.
Su desventaja es que an con seal nula disipa una cantidad considerable de
potencia.
Clase A

Amplificador Clase A Alimentado en serie

Operacin de la polarizacin:

Obtener IB de la malla:

VCC - IBRB- VBE =0

Despejando IB :

IB = (VCC - VBE)/RB

VBE = 0,7
Clase A

Amplificador Clase A Alimentado en serie

Operacin de la polarizacin:

Obtener IC de la malla:

VCC - ICRC- VCE =0

VCC - ICRC = VCE

Despejando IC :

IC = (VCC - VCE)/R C
Clase A

Ejercicio 1.- Determine: IB e IC , VCE, VB, VC del Punto Q

Si queremos saber el nivel de

saturacin
Clase A

Amplificador Clase A Alimentado en serie

La recta de carga de cd se obtiene con los valores de VCC y RC

Clase A

Clase A
Operacin con polarizacin de CD

La polarizacin de cd establecida por VCC y RB fija la corriente de polarizacin de la base.

La corriente de polarizacin de base de cd es:

La corriente del colector es:

Y el voltaje de colector a emisor es:

Clase A
Clase A

Ejercicio 2.- Con la recta de carga de la figura y el punto Q definido, determine los valores
requeridos de VCC, RC y RB para una configuracin de polarizacin fija.
 Clase A

Consideraciones de Potencia

La potencia de un amplificador es
proporcionada por la alimentacin.

Cuando no hay seal de entrada, el

consumo de corriente es la corriente de
polarizacin de colector, IcQ.

VCC / 2Rc Se concluye entonces, que la potencia

que entrega la fuente de alimentacin
VCC / 2 Vcc es la misma con o sin seal.

Si se considera que el Q esta en el punto central de la recta de carga.

IC = (VCC - VCE)/R C IC = VCC /2R C

Pi(cd) = VCC2/2R C
Clase A

Clase A
Operacin de A.C

Una seal de entrada pequea ocasionar que la corriente de base vari arriba y abajo del punto
de polarizacin, lo que provocara que la corriente de colector (salida) vari desde el punto de
polarizacin establecido, as mismo el voltaje de colector-emisor varia alrededor de su valor de
polarizacin.
Clase A

Clase A
Operacin de A.C

A medida que la seal de entrada se hace ms grande, la salida variar en forma adicional
alrededor del punto de polarizacin establecido hasta que la corriente o el voltaje alcancen una
condicin lmite.

Para la corriente esta condicin lmite es la corriente cero del extremo inferior, o bien
VCC/RC en el extremo superior de su oscilacin. Para el voltaje de colector-emisor el
lmite es ya sea 0 V o el voltaje de la fuente, VCC.
Clasificacin

Operacin de A.C VCE = vce VCE iC = ic - ICQ

IC

VCE VCC /Rc

ICq

De la malla de salida del circuito

obtenemos: VCE
VCC
VCEq
a) RCA = RCD = RC
VCEpp = 2 (VCEmax VCEmin)
b) VCC - iCRC- VCE =0 VCEpp = 2 (VCC VCEq)

- iCRC = VCE iCpp = 2 x ICq

Clase A

Clase A
Cuando se habla de corriente alterna y los voltajes (cuando son alternos) se
expresan de forma comn por su valor efectivo o RMS.

El valor efectivo de una onda alterna se obtiene multiplicando su valor mximo

por 0.707

Entonces VRMS = VPICO x 0.707

Potencia de Salida

El Voltaje y la Potencia de salida varan alrededor del punto de polarizacin,

proporcionando potencia a la carga. Esta potencia se entrega a Rc.
Clase A

Clase A
La Potencia entregada a la carga puede expresarse como:

Uso de seales Pico

Uso de seales Pico a Pico

Clase A

Clase A

Eficiencia

De un amplificador representa la cantidad de potencia de AC entregada

(transferida) por la fuente de DC, y se calcula con:

Eficiencia Mxima

Para obtener una eficiencia mxima en el amplificador clase A, tienen que

cumplirse las siguientes condiciones:
Clase A

Clase A
Eficiencia Mxima

2
Clase A

Clase A
Ejemplo

Calcule la potencia de entrada, la potencia de salida y la eficiencia del circuito de

amplificador de la siguiente figura para un voltaje de entrada que produce una
corriente de base de 10 mA pico.
Clase A

Clase A
Ejemplo

Calcule la potencia de entrada, la potencia de salida y la eficiencia del circuito de

amplificador de la siguiente figura para un voltaje de entrada que produce una
corriente de base de 10 mA pico.

potencia de entrada

potencia de salida

Eficiencia
Clasificacin

Clase A
Ejemplo

Qu potencia de salida mxima puede ser entregada por el amplificador de la

figura? Cul es la eficiencia?
Clasificacin

Clase A
Ejemplo

Qu potencia de salida mxima puede ser entregada por el amplificador de la

figura? Cul es la eficiencia?
IC

VCC /Rc = 1.125

0,709

Icq =0.416 A

VCE
9 VCEq = 10.6 VCC = 18
Clasificacin

Clase A
Ejemplo

En base al ejercicio anterior, cul sera la potencia entregada a la carga y cual sera
el valor de la eficiencia si al amplificador se le aplica una sea de entrada Vi =
0.02senwt y la ganancia de voltaje es VA= -294 ?

Entonces la Potencia de Salida en CA :

Clase A

Clase A

Ahora si la red de polarizacin de CD contiene un resistor emisor para mejorar la

estabilidad del nivel en relacin con la de la configuracin de polarizacin fija, se
debe tener en cuenta el efecto de esta resistencia.

El anlisis en CD:

Sabiendo de la teora que en

estos casos
Clase A

Clase A

La adicin de un resistor emisor a la polarizacin de cd del BJT mejora la

estabilidad. El nivel de saturacin del colector o su corriente mxima en un diseo
de polarizacin de emisor se determina con el mismo procedimiento aplicado a la
configuracin de polarizacin fija.

Tiene:
independencia a los
cambios de temperatura,
tolerancias de resistor,
variacin de B y
tolerancia de la fuente de
alimentacin.
Clase A

Clase A
En la configuracin de polarizacin anterior, la corriente de polarizacin y el voltaje eran
funciones de la ganancia de corriente del transistor. Sin embargo, como es sensible a la
temperatura, sobre todo si se trata de transistores de silicio, y como el valor real de beta en
general no est muy bien definido, conviene desarrollar un circuito de polarizacin que
dependa menos de, o que en realidad sea independiente, de la beta del transistor.

Criterio de diseo:
Clase A

Clase A

Amplificador clase A acoplado por transformador

Una forma de amplificador clase A con eficiencia mxima de 50% utiliza un

transformador para acoplar la seal de salida a la carga.
Clasificacin

Clase A

Amplificador clase A acoplado por transformador

Una forma de amplificador clase A con eficiencia mxima de 50% utiliza un

transformador para acoplar la seal de salida a la carga.

Un transformador puede aumentar o disminuir los niveles de voltaje o corriente de acuerdo

con su relacin de vueltas.

Adems, la impedancia conectada a un lado del transformador puede hacerse mayor o

menor en el otro lado del transformador dependiendo del cuadrado de la relacin de las
vueltas del bobinado.
Clasificacin

Clase A

Transformaciones de voltaje, corriente e impedancia

Transformacin Transformacin
De Voltaje De Corriente

Transformacin
De Impedancias
Clasificacin

Clase A
Suponemos que el transformador es ideal,
entonces de la malla de salida obtenemos:

VCC -VCE , o sea que:

VCE = VCC

Para el amplificador en cuestin RCA = RL

Debido al transformador, al Ic se reduce muy por

debajo del punto Q encontrado, debido a las
variaciones de corriente, el flujo magntico en el
ncleo del transformador colapsan causando una
FEM en el devanado del primario. Esto causa un
aumento instantneo del voltaje de collector al
doble de la fuente de voltaje es decir 2 Vcc.
Clasificacin

Clase A
VCE = VCC

Entonces para la recta de carga de ca se traza

utilizando una pendiente de -1/RL

Como ayuda para calcular Icmax e Icmin

Icmax se podra considerar como:

Para conocer la potencia mxima que puede ser

entregada a la carga es necesario conocer los valores
mximos de la corriente de colector y el voltaje
colector-emisor, para ello se hace uso de la recta de
carga de corriente alterna.
Clasificacin

Clase A
Para conocer la potencia mxima que puede ser
entregada a la carga es necesario conocer los valores
mximos de la corriente de colector y el voltaje
colector-emisor, para ello se hace uso de la recta de
carga de corriente alterna.

m=

El valor mximo de iC se tiene cuando vCE es cero:

Boylestad, Icmax :

El valor mximo de vCE se tiene cuando iC = 0

Clasificacin

Clase A
Como es necesario conocer los valores mximos de
la corriente de colector y el voltaje colector-
emisor, para ello se hace uso de la recta de carga
de corriente alterna, una forma fcil de verlo es
usar la ecuacin de la recta punto pendiente:
Y=m(X-X1)+Y1

m=

El valor mximo de iC se tiene cuando vCE es cero:

Boylestad, Icmax :

El valor mximo de vCE se tiene cuando iC = 0

Clasificacin

Clase A

La potencia de ca calculada es la que se desarrolla a travs del primario del

transformador. Si suponemos un transformador ideal (un transformador altamente
eficiente tiene una eficiencia de ms de 90%), vemos que la potencia entregada por el
secundario a la carga es casi la que se calcul a con la ecuacin. La potencia de ca de
salida tambin se determina con el voltaje suministrado a la carga.
Clasificacin

Clase A

Amplificador clase A acoplado por bobina (choque)

Alcanza una eficiencia mxima de 50%

Para el anlisis de este amplificador se supondr que la bobina no tiene

resistencia interna, es decir que no disipa potencia.
Clasificacin

El anlisis en CC, se inicia haciendo uso de la

ecuacin que proporciona la malla de salida:

El resistor RE debe mantenerse lo ms

pequeo posible para minimizar la disipacin
de potencia.

El anlisis en CA, muestra que: RL >> Re, y para encontrar la recta de carga, la malla
de salida proporciona la ecuacin:

m=
Clasificacin

La ecuacin de la recta de carga en trminos

del punto de operacin es:

Ahora bien, para situar el punto de operacin,

se halla ICQ y VCEQ de las siguientes
ecuaciones:

Rca = RL y Rcd = RE, pero tambin se sabe que, RL >> Re , lo que reduce las ecuaciones a:
Clasificacin

IC

2VCC /RL
Recta de carga para de CA para el amplificador clase A acoplado por
bobina
Vcc/RL
Consideraciones de Potencia

VCE
2VCC
Vcc =VCEq

Para encontrar la potencia de ca que se entrega a la carga, podemos utilizar los valores de
corriente y voltaje RMS, pico pico a pico, de igual forma como se hizo para el
amplificador clase A alimentado en serie
Clasificacin

Ahora bien, la mxima potencia entregada a la carga se dar cuando iLP = ICQ

El rendimiento mximo del circuito amplificador clase A acoplado por bobina ser:

Disipacin de potencia en el Colector

La potencia que es entregada por la fuente y que no es disipada en la carga, es

disipada en forma de calor en las junturas del transistor y debe tenerse especial
cuidado en que esta potencia no sea mayor a la especificada para el transistor

La potencia en el colector ser mxima cuando el segundo trmino del lado derecho de
la ecuacin anterior sea cero, es decir, en ausencia de seal de entrada.
Clasificacin

Clase A
Ejemplo

Para un amplificador como el de la figura, donde Pcmax = 4W y RL = 10 ohm,

determinar el punto Q para entregar la mxima potencia posible a la carga,
encontrar tambin el valor del voltaje de polarizacin, VCC y el valor del
rendimiento.
Clasificacin

Clase A
Ejemplo

Para un amplificador como el de la figura, donde Pcmax = 4W y RL = 10 ohm,

determinar el punto Q para entregar la mxima potencia posible a la carga,
encontrar tambin el valor del voltaje de polarizacin, VCC y el valor del
rendimiento.
Ahora se debe encontrar los valores de RB y VBB que
nos dan el punto de operacin.
Criterio de diseo, RL >> RE = 1 ohm

Utilizando la malla de entrada del circuito

Bibliografa

[1] Cuttler, P. (1972). Linear Electronics Circuits, McGraw-Hill.

[2] Savant, Roden, Carpenter (1993). Diseo Electrnico. Addison-Wesley.

[3] Rashid, M. (2000). Circuitos Microelectrnicos, Anlisis y Diseo. Thomson.

[4] Cirovic, M, Harter, J.(1987) Electronics Devices, Circuits and Systemas,

Englewood Clis, N.J. : Prentice-Hall

[5] Dede, E, Espi, J (1983) Diseo de Circuitos y Sistemas Electrnicos, Marcombo

[6] Shilling y Belove. Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados

[7] Boylestad y Nashelsky. (2009) Electrnica, Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10ma
Edicin, Editorial Pearson