Transistor IGBT

EJERCICIOS PROPUESTOS: TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA (IGBT)

Ejercicio 1. El proceso de manufacturacin de los IGBTs produce dos tipos diferentes que son los siguientes:

Considerando un ciclo de trabajo del 50%=0.5 para un sistema de CC, a qu frecuencia darn la misma prdida de potencia los
dos IGBTs? Compara las prdidas de potencia de los dos IGBTs a 5kHz y 10kHz. Ignorando las prdidas de encendido, y estados
de conduccin y no conduccin, podemos afirmar:

Resolucin:

= () () +

IGBT lento:

1 = 1.2[] 80[] 0.5 + 103 [] 10 103 [] = 48 + 10

IGBT rpido:

1 = 2.1[] 80[] 0.5 + 103 [] 5 103 [] = 84 + 5

La potencia perdida en el IGBT lento y en el rpido ser igual a la frecuencia f(kHz) obtenida en la siguiente igualdad:

48 + 10 = 84 + 5

Resolviendo la ecuacin anterior se obtiene f=7.2 kHz, quiere decir que esta frecuencia es cuando las prdidas obtenidas son las
mismas en los dos tipos. Procedemos a comparar las prdidas obtenidas frente a distintas frecuencias:

Cuando la frecuencia son 5 kHz:

IGBT lento:

1 = 1.2[] 80[] 0.5 + 5 103 [] 10 103 [] = 98

IGBT rpido:

1 = 2.1[] 80[] 0.5 + 5 103 [] 5 103 [] = 109

Cuando la frecuencia son 10 kHz:

IGBT lento:

1 = 1.2[] 80[] 0.5 + 10 103 [] 10 103 [] = 148

IGBT rpido:

1 = 2.1[] 80[] 0.5 + 10 103 [] 5 103 [] = 134

As concluimos que a 5 kHz el IGBT lento es superior, dando unas prdidas ms pequeas (98 W), mientras que el IGBT rpido da
unas prdidas mayores (109W). Segn vamos aumentando la frecuencia, vemos que el IGBT lento comienza a darnos unas
prdidas mayores (148 W) frente a las prdidas del IGBT rpido (134 W). En conclusin, vemos que, para frecuencias de
conmutacin bajas, los IGBTs lentos son ms eficaces, puesto que nos dan unas prdidas menores, mientras que para frecuencias
altas ser ms eficaz el IGBT rpido.
Transistor IGBT

Ejercicio 2. Disear un circuito de excitacin para un IGBT, que mantenga una corriente de puerta de 40A cuando
este activado y tenga un pico de 100A en el paso a conduccin. La tensin Vi soporta una tensin de 1000V
con un ciclo de trabajo del 50% y una frecuencia de conmutacin 1000kHz. Suponemos que V_GE es de 20V
cuando el transistor est en conduccin.

El valor de R1 viene determinado por la necesidad del pico inicial de corriente. Despejando R1 en la siguiente frmula:

1 =
1

1000 20
1 =
100
1 = 9.8

La corriente de puerta en conduccin en rgimen permanente determina el valor de R2:

2 = 1 = 14.7
2

El valor de C se calcula a partir de la constante de tiempo necesaria. Para un ciclo de trabajo del 50% a 1000 kHz, el transistor
conduce durante 0,5s. Haciendo que el tiempo de conduccin del transistor sea cinco veces la constante de tiempo, t=0,1s:
1 2
= =
1 + 2

(5.88) = 0.1

= 0.017