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INFORME DE TRANSISTORES
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-INTEGRANTES:
Daniel Osejos, Henry Avendao
-FECHA16/06/2014
TEMA: Transistores
O B J E T I V O G E N E RA L
Report Work
Utilizando el multmetro buscar la base emisor y colector de un transistor
Buscar si un transistores tipo PNP o NPN .
Ver cmo trabajar un transistor polarizado con un divisor de tensin
MATERIALES
Fuente de 5v
Resistencias
Led
Transistores
Fotocelda
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MAR CO TEORICO
FUNCIONAMIENTO
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin base-
colector en inversa.1 Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin
de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
estdopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en
la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que
se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electrones.
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