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Escuela Politcnica Nacional del Ecuador

Facultad de ingeniera elctrica y electrnica


Dispositivos Electrnicos
Nombre: Leslie Chulde
GR: GR2
Tipos de diodos
1. Diodo Varactor

Construccin
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa
su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre
sus extremos.
La capacidad del diodo de la unin PN puede aumentarse por medio de procesos
de dopado especiales. Cuando un voltaje inverso es aplicado a la unin PN, los
huecos en la regin P se atraen a la terminal del nodo y los electrones en la regin
N se atraen a la terminal del ctodo, creando una regin de poca corriente
denominada regin de barrera, aqu son esencialmente desprovistos de portadores
y se empiezan a comportar como el dielctrico de un condensador. Al aumentar
dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad
del diodo.
Caracteriticas electricas
Se obtiene un condensado variable controlado por tensin. Esta capacidad
aumentada, del orden de 10 a 60 picofaradios, permite que el varactor puede
trabajar con polarizacin inversa y una corriente muy dbil.

Simbologia

Aplicaciones
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de
TV,modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores
controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensin).
En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la
tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta
y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.
2. Diodo Shockley

Construccin
Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: uno de bloqueo
o de alta impedancia y de conduccin o baja impedancia. El diodo Shockley est
formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas
alternadamente. Podemos categorizarlo como un tipo de tiristor
Est constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura
pnpn. Acta como un interruptor: est abierto hasta que la tensin directa aplicada
alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conduccin. La conduccin
contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especfico.
Caractersticas elctricas
CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD Para valores negativos del
voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente muy pequea hasta
que se alcance la tensin de ruptura (VRB). En polarizacin positiva, se impide el
paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensin VB0. Una vez alcanzado
este punto, el diodo entra en conduccin, su tensin disminuye hasta menos de un
voltio y la corriente que pasa es limitada, en la prctica, por los componentes
externos. La conduccin continuar hasta que de algn modo la corriente se
reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento IH. La corriente que puede
atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite impuesto por el
propio componente (IMAX), que si se supera llevar a la destruccin del mismo.
Por esta razn, ser necesario disear el circuito en el que se instale este
componente de tal modo que no se supere este valor de corriente. Otro parmetro
que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es VRB, ya que
provocara un fenmeno de avalancha similar al de un diodo convencional.
Simbologa

Aplicaciones
Detector de sobretensin, oscilador de relajacin, tiristores bidireccionales.
Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo
permite poco gasto de energa. Variadores de alta gama para que la corriente que
vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no
pierda sus facultades.
3. Diodo tnel

Construccin
El diodo tnel es un pequeo dispositivo de dos terminales que contiene una sola
unin PN constituida por un material semiconductor sometido a un dopado de
nivel varios miles de veces superior al de los diodos normales. Se obtiene as una
zona de empobrecimiento extremadamente delgada con sorprendentes
caractersticas tensin-corriente en alta frecuencia.
Caractersticas elctricas
Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si
aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminucin de la corriente. Puesto que la zona de empobrecimiento es muy
delgada, solo se precia una pequea tensin exterior para superar el pequeo
potencial de barrera y dar lugar a que circule una corriente a travs del diodo. La
caracterstica resistencia negativa ocurre cuando el potencial exterior es del orden
200 a 300 milivoltios.
Simbologa

Aplicaciones
Los diodos tnel son capaces de trabajar en la regin de las microondas del
espectro de frecuencia, siendo utilizados como amplificadores, osciladores y
conversores de frecuencia.

4. Diodo PIN

Construccin
Es una estructura de tres capas, siendo as la intermedia un semiconductor
intrnseco, y las extremas, una de tipo P fuertemente dopada y otra de tipo N igual
fuertemente dopada. En pocas palabras esto quiere decir que es un diodo que
presenta una regin P y N altamente conductoras junto a una zona intrnseca poco
conductiva de ah el nombre de sus siglas (PIN).

Caractersticas elctricas

A frecuencias ms altas el diodo se parece a una resistencia casi perfecta es decir


que hay una gran cantidad de carga almacenada en la regin intrnseca. A bajas
frecuencias, la carga se quita y el diodo se apaga. Pero tambin es utilizado para
conmutar corrientes muy intensas o tensiones muy grandes.
Si el diodo esta polarizado en sentido directo los huecos del material P se difunden
en la regin P-I creando una capa P de baja resistividad, como ya sabemos la
corriente es debido al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones
son aproximadamente iguales en la regin I, la condicin de polarizacin directa
la cada de tensin en la regin I es muy pequea debido a que la zona de
agotamiento es muy estrecha e igual que el diodo PN, si se aumenta la corriente
tambin disminuye la resistencia.
Pero si el diodo esta polarizado en sentido inverso debemos recordar que los
diodos PN al aplicarle una polarizacin inversa los portadores mayoritarios de
cada semiconductor se reducen por lo que la zona de agotamiento se encoje y la
diferencia de potencial necesaria para lograr la conectividad deber ser mayor,
esto mismo ocurre de manera anloga para el diodo PIN sin embargo la zona de
agotamiento es ms ancha y esto es debido al semiconductor intrnseco que se
interpone entre ellos dejando as un voltaje de ruptura cercano a 1100 volts.

Simbologa

Aplicaciones
Este diodo se puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud de
frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se puede presentar
como un corto circuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido
inverso.
Conmutador de RF, resistencia variable, protector de sobretensiones, fotodetector,
atenuadores, sensores de radiacin.

5. Diodo Laser

Construccin
El Diodo Laser (DL) es un dispositivo semiconductor similar a un led1 pero que bajo las
condiciones adecuadas emite luz lser. Cuando un diodo convencional o led se polariza en
directa, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia
la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo.
Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse cayendo el electrn
al hueco y emitiendo un fotn con la energa correspondiente a la banda prohibida. En
condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de
nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa
por casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada, es decir, al
producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que
el primer fotn. En los diodos lser, para favorecer la emisin estimulada y generacin de luz
lser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lmina delgada con un
lado totalmente reflectante y otro slo reflectante de forma parcial (aunque muy reflectante
tambin), logrndose as una unin PN de grandes dimensiones con las caras exteriores
perfectamente paralelas y reflectantes.

Caractersticas elctricas
Son muy confiables, eficientes y econmicos. Permiten la modulacin directa de
la radiacin emitida, pudindose modular a dcimas de Gigahercio. No necesitan
tanta corriente para funcionar, adems, su consumo de energa es bajo si se
compara con otros elementos emisores de luz. El ancho de banda de su espectro
de emisin es angosto (puede llegar a ser de slo algunos kHz)

Caractersticas pticas
Es importante aclarar que las dimensiones de la unin PN guardan una estrecha relacin con
la longitud de onda a emitir. En ella, los fotones emitidos en la direccin adecuada se
reflejarn repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra slo
parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisin de ms fotones estimulados dentro del
material semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el
bombeo derivado de la circulacin de corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldrn
del diodo lser a travs de la cara parcialmente transparente (la que es slo reflectante de
forma parcial). Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su
mayor parte (debido a la emisin estimulada), posee una gran pureza espectral.

Simbologa

Aplicaciones
Fuente de alimentacin lumnica para sistemas de telecomunicaciones va fibra
ptica. El diodo lser es capaz de proporcionar potencia ptica entre 0.005-25mW,
suficiente para transmitir seales a varios kilmetros de distancia y cubren un
intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm.
Estos dispositivos son tan precisos y confiables que incluso han sido llevados al
mundo de la medicina, estos son montados en mquinas que sirven para realizar
operaciones oculares y dentales, algunos son utilizados como herramientas de
corte, sin embargo no se ha experimentado completamente con esto ltimo.
Los diodos LASER tienen una gran cantidad de aplicaciones, lectura y escritura
de discos pticos, donde slo un rayo de luz muy angosto puede ver una rea
microscpica en la superficie de un disco.

6. Fotodiodo

Construccin
El Foto-Diodo, es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto
se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de
corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los foto-diodos
se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, iluminados en ausencia una
fuente exterior de energa generan una corriente muy pequea con el positivo en
el nodo y el negativo en el ctodo. Un foto-diodo es una unin PN o estructura
P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energa incide en el diodo, excita un
electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin
ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l,
estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento,
produciendo una foto-corriente.
Caractersticas elctricas
Para su funcionamiento el foto-diodo es polarizado de manera inversa con una
corriente permitida que vara con los cambios de luz. En ausencia de luz la
corriente presente es muy pequea y recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Caractersticas pticas
Es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a
la cantidad de luz que lo ilumina. Responde a los cambios de oscuridad,
iluminacin y viceversa con mucha velocidad.
Simbologa

Aplicaciones
A diferencia del LDR, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a
iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos
con tiempo de respuesta ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del
Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos
para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.

7. Diodo emisor de luz

Construccin
Este dispositivo est constituido por un encapsulamiento que generalmente suele
ser en forma de habichuela, aunque tambin existen con forma rectangular. Dentro
del encapsulamiento encontramos un chip que es el encargado de gestionar dos
reas internas denominadas "P" y "N". De cada una de estas dos reas obtenemos
un "borne" o ms comnmente llamado "patilla". El borne ms largo es el positivo
y el ms corto el negativo. Si se pasa una corriente a travs del diodo
semiconductor, se inyectan electrones y huecos en las regiones P y N,
respectivamente. Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin
de los portadores de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones
que se llaman recombinaciones radiantes (aqu la emisin de luz).

Caractersticas elctricas
El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que
al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Elctricamente este
componente se comporta igual que un diodo de silicio o germanio
El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios
aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los
10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40
miliamperios (mA) para los otros LEDs. El LED tiene enormes ventajas sobre las
lmparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energa, su
mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas.
El diodo LED debe ser protegido. Una pequea cantidad de corriente en sentido
inverso no lo daar, pero si hay picos inesperados puede daarse. Una forma de
protegerlo es colocarle en paralelo y apuntando en sentido opuesto un diodo de
silicio comn.
La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones
depende del material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP).
Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud
de onda y por ende el color. Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el
LED para obtener una buena intensidad luminosa y evitar que este se pueda daar.

Caractersticas pticas

Simbologa
Aplicaciones
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta
situacin especfica de funcionamiento. Se utilizan para desplegar contadores,
para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua, para
indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna, en
dispositivos de alarma, etc.
Bibliografa
1. Seminario de Dispositivos Semiconductores. (2012). Diodo tnel. Facultad de
Ingeniera. Universidad de Buenos Aires.
2. Seminario de Dispositivos Semiconductores. (2012). Diodo Shockely. Facultad
de Ingeniera. Universidad de Buenos Aires
3. Stteven16. (2015). Diodos especiales. Extrado el 25 de noviembre del 2017
desde
http://diodiosingenieriadetelecomunicaciones.blogspot.com/2015/04/diodo-
pin.html
4. Onuba electrnica. (2014). El diodo laser. Extrado el 25 de noviembre del 2017
desde http://www.onubaelectronica.es/diodo%20laser.htm