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ESCOLA TCNICA REZENDE-RAMMEL

CURSO TCNICO DE MECATRNICA

ELETRNICA APLICADA I

NOME _______________________ TURMA _______ ANO ___

DIODOS ESPECIAIS
DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)

O diodo, quando polarizado diretamente, uma grande quantidade de portadores atravessam a

juno. Neste processo alguns se recombinam com tomos ionizados, perdendo energia. Nos diodos de
silcio e de germnio esta transferncia de energia se d principalmente na forma de calor. Nos diodos
emissores de luz (LED) a juno formada por arseneto de glio (GaAs) que libera energia na forma
de luz.

SIMBOLOGIA

Anodo Catodo

LED DE LUZ VISVEL so normalmente feitos a partir do arseneto de glio acrescidos de

fsforo que, dependendo da quantidade, podem irradiar luzes vermelha, laranja, amarela, verde, azul.
E so usados normalmente como sinalizadores luminosos.

LED INFRAVERMELHO Podem ser construdos com antimoneto de ndio (InSb) e podem
ser utilizados em alarmes, transmisso de dados por fibra ptica, sistemas de controle, e outros sistemas
que exijam radiao invisvel.

LED LASER Feitos a partir de arseneto de glio (GaAs) acrescido de alumnio (Al) e so
utilizador em equipamentos leitura ou emissores laser.

LED ULTRAVIOLETA So construdos base de sulfato de zinco (ZnS) e utilizados em

diversos sistemas, principalmente de grande preciso.

CARACTERSTICAS DO LED
ELISIO 1
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Os LEDs apresentam as caractersticas dos diodos de juno. Conduzem quando polarizados

diretamente e com tenso maior que a tenso necessria para vencer a barreira de potencial (Vd).
Comercialmente podemos encontrar LEDs para correntes na faixa de 10 mA a 50 mA e tenses na
faixa de 1,5 V a 2,5 V.

CIRCUITO COM LED

ILED 10mA a 50mA
VLED 1,5V a 2,5V

V VLED Valores tpicos

Rs = ILED=20 mA
ILED VLED ILED
VLED=2,0 V

FOTODIODO

Um diodo de juno, polarizado inversamente, possui uma corrente de fuga formada por
portadores minoritrios criados pela vibrao trmica. Se houver incidncia de luz sobre a juno PN,
atravs de uma janela, esta energia pode gerar portadores aumentando a corrente reversa.

FOTODIODO diodo com uma janela sobre a juno que permite a entrada de luz. Desta forma
quanto maior a incidncia de luz, maior a corrente no fotodiodo polarizado inversamente.

D
SIMBOLOGIA

CARACTERSTICAS DO FOTODIODO

Um valor tpico da corrente escura nos fotodiodos de germnio de 6 A, e para corrente luz
com iluminao de 1600 lux um valor tpico de 150 A. Nos dispositivos de silcio, valores tpicos da
corrente escura permanecem entre 0.01 A e 0.1A e da corrente luz com iluminao de 2000 lux
entre 250A e 300 A.

CURVA CARACTERSTICA CORRENTE x ILUMINAO

corrente de luz
(escala log) Quanto maior a incidncia de luz, maior a corrente no fotodiodo
polarizado reversamente.

Quando o fotodiodo est trabalhando na regio linear de sua curva

caracterstica, a corrente reversa tem a mesma forma de onda da
amplitude luminosa incidente.

iluminao
(escala log.)

ELISIO 2
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CURVA CARACTERSTICA CORRENTE x COMPRIMENTO DE ONDA DA LUZ

IR
Esta caracterstica define a corrente
100 reversa (IR) do fotodiodo provocada
pelo comprimento de onda() da luz
75 incidente.

50

25

10

0.4 0.6 0.8 1.0 1.1 (m)

DIODO VARICAP:

O diodo varicap ou varactor um diodo de capacitncia varivel que usa a capacitncia

produzida por uma funo PN polarizada inversamente A polarizao reversa produz uma regio na
juno virtualmente isenta de portadores de carga, a camada ou regio de depleo, que forma uma
camada isolante entre as duas regies de conduo P e N. Um capacitor de placas paralelas , portanto
formado e como a largura da camada de depleo depende da polarizao reversa, obtida uma
capacitncia varivel.
varicap
SIMBOLOGIA

CURVA CARACTERSTICAS

Cj
P N RR
++++
++++
++++
Cj V
CAMADA DE DEPLEO
(capacitncia da juno)

UTILIZAO

SINTONIA NOS CIRCUITOS RESSONANTE MUITO UTILIZADO EM

EQUIPAMENTOS DE TELECOMUNICAES:

Valores tpicos de capacitncia para esse tipo de diodo so 230 pF a 13 pF com uma faixa de
tenses de 1V a 30 F e 20 pF a 2 pF com uma faixa de tenses de 6,5V a 25V.
Os diodos destinados como elementos de sintonia so fabricados de silcio.
ELISIO 3
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SINTONIA NA FREQUNCIA DE MICROONDAS:

O valor de capacitncia pequeno, somente alguns picofarades, para dar uma alta frequncia de
corte em operao eficiente. A faixa de capacitncia 5 pF a 1pF com uma variao de tenso de 1 V a 12
V.
So normalmente fabricados de arseneto de glio.

MULTIPLICAO DE FREQUNCIAS:

A variao da capacitncia com a tenso aplicada, no-linear, e assim a aplicao de uma forma
de onda produz no diodo uma descontinuidade criando harmnicos.
Ao realizar a sintonia nos harmnicos temos as multiplicaes de frequncia.

CONVERSOR DE FREQUNCIA

A caracterstica no-linear pode ser usada como misturador para fornecer converso de frequncia.
Onde dois sinais de entrada so aplicados, e extrada a frequncia soma (conversor ascendente- UP-
converter) ou diferena (conversor descendente- Down-converter).
A faixa de capacitncia requerida nos diodos varicap para multiplicao de frequncia
geralmente menor do que a requerida para sintonia. Em particular, nas freqncias de microondas a
capacitncia deve ser baixa para dar alta freqncia. E so fabricados com encapsula mentos adequado
incluso nos guias de ondas.

DIODO DE RECUPERAO ESCALONADA

uma variante do diodo varicap que recebe um nvel de dopagem adequado para a juno PN de
modo que o diodo possa ser comutado (ou chaveado) desde um estado de alta capacitncia com
polarizao direta at um estado de baixa capacitncia com polarizao inversa. O diodo forma o
elemento capacitivo de um circuito LC sintonizado.
Este tipo de diodo pode produzir multiplicao de freqncia at 20 vezes.

TABELAS DE DIODOS VARICAP

DIODO DE CAPACITNCIA VARIVEL PARA SINTONIA (OPERAO EM UHF)

TIPO Vrmax (V) `Cj a Vr (pF) (V) Cj a Vr .(pF) (V)

BA163 14 10 10 260 0
BA182 35 1.0 20
BB105B 28 2.3 25
BB113 32 13 30 280 1.0
B122 30 2.8 25 13 3.0
BBY22 100 47 4.0
DC4227C 68 4.0
DC4244 350 4.0
ITT210 20 5.0 10 20 1.0
ZC700 30 6.8 4.0
ZC800 25 1.8 20 10 2.0
ELISIO 4
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DIODO DE CAPACITNCIA VARIVEL PARA SINTONIA (OPERAO EM

MICROONDAS)

TIPO Vrmax(V) Cj a Vr (pF) C Vr .(Cj) (V)

(V)
BXY53 60 1.0 4.0
BXY54 60 4.7 4.0
BXY55 60 15 4.0
DC4201B 30 2.2 0
DC4275B 30 4.7 0
MA45064 25 0.5 4.0
MA45109 45 15 4.0
MA45149 90 15 4.0
ZC751 30 3.9 4.0

DIODOS VARICAP MULTIPLICADORES

TIPO Vrmax Cj a Vr (pF) (V)

(V)
BAY96 120 39 6.0
BXY56 60 2.5 6.0
BXY57 60 2.0 6.0
DC7309A 120 35 6.0
MA44100 150 30 6.0
MA44150 15 0.6 6.0
MA44210 100 16 6.0
ZC29 6 0.55 0
ZC41 20 0.5 20
ZC0112 35 3.0 0
UN5152 75 7.5 6.0

DIODO TNEL

O diodo tnel usa uma juno PN com ambas as regies P e N muito fortemente dopadas. O
desempenho de tal juno diferente do da juno geralmente usada em diodos. A camada de depleo
extremamente fina por causa do nmero muito grande de portadores de carga. Em conseqncia, a
corrente direta comea a fluir numa tenso mais baixa do que num diodo normal, muitas vezes em
polarizao zero, ou seja, a polarizao direta produz conduo imediata.
A corrente aumenta com o aumento da polarizao direta at atingir um valor mximo Ip (corrente
de pico) quando a tenso no diodo iguala-se a tenso Vp (tenso de pico). A seguir a corrente diminui at
um valor mnimo Iv (corrente de vale) a uma tenso Vv (tenso de vale). A partir deste ponto a
caracterstica do diodo tnel torna-se como a de um diodo de juno.
A regio entre os pontos do pico e do vale chamada regio de resistncia negativa, porque nesta
regio um aumento de tenso produz uma diminuio na corrente.
A resistncia negativa til em circuitos osciladores que so capazes de converter potncia CC
em potncia CA. Freqncias de at 100 GHz tm sido obtidas, porm, a potncia de sada baixa, sendo
os valores tpicos de 10 mW a 5 GHz e 0,2 mW a 50 GHz.
O diodo tnel apesar de apresentar baixa potncia, tem se mostrado vantajoso, no entanto, como
amplificador de resistncia negativa por causa de seu desempenho de baixo rudo.
ELISIO 5
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CURVA CARACTERSTICA

Ip

Iv
Vp Vv V

SIMBOLOGIA

A K
nodo ctodo

DIODO INVERSO

uma forma de diodo tnel muito usado em freqncia de microondas. Apresenta um nvel de
dopagem muito alto, e com isto o diodo rompe numa tenso inversa muito baixa. Ele , com efeito, um
diodo zener com ruptura prxima de zero volt (0V). A resistncia reversa , portanto muito baixa. Mais
baixa que a resistncia direta.
Os diodos inversos so usados como detetores muito sensveis, nas freqncias de microondas de
at 40 GHz.

TABELA:

TIPO FREQUNCIA(GHz)
AEY29 12 a 18
AEY31 1 a 18
AEY32 18 A 40
DC3010 9.3
DC3011 16
DC3021 9.3

] SIMBOLOGIA CURVA CARACTERSTICA

I

A K
0.1
nodo ctodo 0.7 V

ELISIO 6
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DIODO SCHOTTKY:

Em baixas freqncias um diodo comum pode se desligar facilmente quando a polarizao varia
de direta para reversa. Mas medida que a freqncia aumenta, o diodo chega num ponto onde no pode
se desligar suficientemente rpido para evitar uma corrente considervel durante parte do tempo reverso.
O diodo de barreira Schottky usa uma juno de metal semicondutor como elemento de
retificao. De fato, o diodo Schottky faz uso construtivo do que pode ser uma desvantagem em muitos
dispositivos de estado slido. A resistncia de contato entre a frao de pastilha do semicondutor e os
fios condutores metlicos.
O material semicondutor usado silcio fortemente dopado ou arseneto de glio, sobre o qual uma
fina camada de material N de alta resistividade crescida. Isto d ao diodo uma baixa capacitncia e uma
alta tenso de ruptura.
O fluxo de corrente num diodo Schottky inteiramente devido aos portadores majoritrios, No
sentido direto, eltron do material semicondutor so injetados no metal. Estes eltrons rapidamente
perdem suas energias, e, portanto no podem atravessar a juno quando a polaridade invertida. Os
diodos Schottky no podem, portanto experimentar os efeitos da recuperao reversa do armazenamento
de portadores majoritrios. Eles podem, portanto serem usados eficientemente nas freqncias de
microondas como diodos misturadores e como diodos detetores com baixo rudo e alta sensibilidade.

Uma aplicao importante dos diodos Schottky nos computadores digitais. A velocidade dos
computadores depende da rapidez com que seus diodos e transistores conseguem se ligar e desligar. a
que entra o diodo Schottky. Pelo fato dele no ter armazenamento de carga, o diodo Schottky tornou-se a
pea fundamental da TTL Schottky de baixa potncia, um grupo de dispositivos digital amplamente
usado.
DIODOS SCHOTTKY

DIODOS MISTURADORES
Tipo Faixa freq. Rudo (dB)
(GHz) DIODOS DETETORES
BAT10 1 a 12 7.5 Tipo Faixa freq. Rudo
(GHz) (dB)
BAV72 26 a 40 10.0
BAV46 8 a 12 10
BAV96D 1 a 12 6.0
BAV75 8 a 14 10
BAW95G 1 a 12 6.5
BAV97 8 a 12 10
DC1304 9.3 6.0
MA40025 3.0
DC1304A 16.0 6.5
MA40027 10.0
DC1501F 9.3 7.0
DC1504E 9.3 7.5
MA4861H 16.0 6.5
MA4882 1.0 5.5
SIMBOLOGIA ESTRUTURA

A K
METAL N
nodo ctodo

SCHOTTKY

ELISIO 7
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DIODO PIN:

No diodo PIN, uma camada de silcio intrnseco separa as regies P e N. Os portadores que saem
das regies dopadas tm que atravessar a regio intrnseca antes de alcanar o lado oposto da juno. O
tempo de trnsito atravs da regio intrnseca limita a freqncia de operao como um retificador a
aproximadamente 100 MHz. Nas freqncias de microondas, a estrutura PIN apareceria simplesmente
como uma resistncia linear. No entanto, se for aplicada uma polarizao direta, os portadores so
injetados na regio intrnseca e a resistncia cai abruptamente. A diferena entre a resistncia com a
polarizao direta e com polarizao reversa (quando no so injetados portadores) pode ser de fato de
muitos milhares. Esta propriedade do diodo Pin permite que ele seja usado como um modulador ou
como chave nos sistemas de microondas. O diodo Pin tambm usado como um atenuador controlando
a tenso.

DIODOS PIN

DIODOS DE COMUTAO

Tipo VR (V) Cd (pF) P total Tempo de vida dos Velocidade de

portadores (ns) comutao (ns)
DC2019 100 0.2 10
DC2419A 150 30Wcw 50
MA47051 100 0.35 250Wpk 75 5
MA47079 500 0.4 8KWpk 1500 100
MA4784 1000 3.8 30KWpk 15000 650
ZC3202 200 0.32 3.0W 100

USO GERAL

Tipo VR Cd P Tempo de vida dos Velocidade de comutao

(V) (pF) total portadores (ns) (ns)
DC1015 500 1.0 2000
DC2010 250 0.5 700
DC2132A 800 0.48 4000
MA47100 100 0.35 2000

ELISIO 8
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AUTO-AVALIAODIODOS ESPECIAIS

NOME _______________________ TURMA _______ ANO ___

1) Determine o valor de Rs para ligar o LED do circuito abaixo.

+5V

Rs

LED

2) Projete um circuito para alimentar um LED que servir de indicao luminosa de lanterna do carro
ligada. A bateria do carro de 12V.

3) Explique o funcionamento de um fotodiodo.

4) Explique o funcionamento de um varicap.

5) Explique o funcionamento de um diodo tnel.

6) Explique o funcionamento de um diodo inverso.

7) Explique o funcionamento de um diodo Schottky.

.8) Explique o funcionamento de um diodo PIN.

ELISIO 9