Universidade Federal da Bahia - DEE

Dispositivos Eletrônicos – ENG C41

Professora: Ana Isabela Araújo Cunha

Segunda Avaliação – Semestre 2017.1

1) No circuito da Fig.1(a), o LED deve acender quando o nível da água no tanque atingir 1 m. O LED conduz
a uma tensão constante de 2,3 V (característica da Fig.1(b)) e no TBJ NPN:  = 100, VBE = 0,8 V
na saturação, VCESAT = 0,2 V e IC0 é desprezível. VCC = 5 V e RB1 = 1 k. Dimensione RC e RB2 para que
a corrente através do LED seja igual a 10 mA, quando o mesmo estiver aceso, e para que o TBJ esteja em
saturação, quando o LED estiver apagado. (Valor: 3,0)

VCC

ILED
RC
RB1
RB2 C

h LED
B
tanque condutor E
flexível
2,3 VLED (V)
bóia
(b)
h

água 1m
(a)

Fig.1

2) No circuito de polarização automática da Fig.2(a), RC = 600  e R = 17,5 k. Sabendo que VBE = 0,74 V
na região ativa, determine os valores de RE e de k para que o ponto de polarização seja o ilustrado na
Fig.2(b). (Valor: 4,0)

VCC
IC (mA)

k.R IC RC
IB IB = 60 A
+ 2,5
+ VCE
reta de carga
R VBE - -
IE RE
12
4,06 VCE (V)

(b)
(a)
Fig.2
3) No circuito da Fig.3, M1 e M2 fazem um divisor de tensão para fixar um potencial constante no terminal de
porta do sorvedor de corrente M3. Sabe-se que W1/L1 = 16,2, VDD = 2 V, VSS = -2 V, VT0N = 0,5 V,
VT0P = -0,7 V, nN = nP = 1, NC'ox = 200 A/V2, PC'ox = 125 A/V2 e todos os transistores são muito
longos. O potencial de saída vOUT pode variar entre 2 e -1 volt.
(a) Determine o máximo valor do potencial VG3 para que o sorvedor funcione adequadamente. (Valor: 1,0)
(b) Dimensione as razões de aspecto de M2, W2/L2, e de M3, W3/L3, para que o potencial de VG3 seja
o máximo valor calculado em (a) e para que a corrente de saída seja I OUT = 1 mA. (Valor: 2,5)

VDD

S2  B2

D3 vOUT
M2
IOUT
G1  D1  G2  D2  G3
M3

M1
S1  B1  S3  B3

VSS

Fig.3

Formulário

TBJ na região ativa: IC = IB + ( + 1)IC0

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MOSFET em inversão forte (|VSB| < |VP|), com

V  VT 0
VP  GB :
n
 V 
I D  Cox
Wn
VP  VSB 2 1  DS  na região de
L 2  VA 
saturação (|VDB| > |VP|)

VT0, VDB, VSB e VGB > 0 no MOSFET canal N

VT0, VDB, VSB e VGB < 0 no MOSFET canal P

canal N canal P