1

TRANSISTOR
BIPOLAIRE
 2

Références:

• H. Mathieu, « Physique des semi-conducteurs et des composants

électroniques », 4° édition, Masson 1998.
• D.A. Neamen, « semiconductor physics and devices », McGraw-Hill, Inc 2003.
• P. Leturcq et G.Rey, « Physique des composants actifs à semi-conducteurs »,
Dunod Université, 1985.
• J. Singh, « semiconductors devices :an introduction », McGraw-Hill, Inc 1994.
• Y. Taur et T.H. Ning, « Fundamentals of Modern VLSI devices », Cambridge
University Press, 1998.
• K.K. Ng, « complete guide to semiconductor devices », McGraw-Hill, Inc 1995.
• D.J. Roulston, « Bipolar semiconductor devices », McGraw-Hill, Inc 1990.
 3

Plan
• Principe de fonctionnement
• Caractéristiques statiques
• Équations d’Ebers-Moll
• Paramètres statiques – gains
• Effets du second ordre
• Transistor en commutation
• Transistor en HF
• Transistor à Hétéro-jonction TBH ou HBT
 4

Géométrie conventionnelle

• Géométrie:
• Latérale
• Verticale

• Dans les circuits

numériques, structure vertical
verticale

C
B
E latéral
npn
 5

Géométrie conventionnelle sur IC

Muller et Kamins, « device electronics for IC »,2nd Ed., Wiley, 1986

 6

Géométrie avec oxyde d’isolation

Muller et Kamins, « device electronics for IC »,2nd Ed., Wiley, 1986

 7

Pourquoi le BJT fait de la résistance?

• Vitesse de fonctionnement
• Faible bruit
Amplificateur
• Fort gain analogue
• Faible résistance de sortie

• On le retrouve encore dans les téléphones portables (parie

analogique)
• Faible densité, souvent sur les étage de puissance
• BiCMOS
 8

Principe de fonctionnement

• 2 jonctions pn tête
bêche.
• La première (EB) sert à
injecter les porteurs
• La deuxième (BC) à les
collecter
 9

Principe de fonctionnement

• Jonction en inverse:
• Courant faible car
« réservoir » vide
• En modulant le remplissage
du réservoir, modulation du
courant inverse collecté
(collecteur)
• On remplit le réservoir (la
base) en polarisant en direct
la jonction EB
 10

Principe de fonctionnement

• La polarisation inverse CB
permet de créer un champ
électrique favorable à la
collecte.
• Conditions:
• Base fine:
• Éviter les recombinaisons
• Base peu dopée /émetteur
• Privilégie un seul type de
porteurs injectés (meilleure
efficacité d’injection)
 11

Caractéristiques statiques

Transistor NPN Transistor NPN

 12

Distribution des porteurs minoritaires dans

transistor npn

idéal

Avec recombinaisons
 13

Caractéristiques statiques +hyp simp

Pas de recombinaisons dans la

Base ! ( )
Approximation « 1D »

Dopage homogène de la
Base

Faible Injection

Transistor PNP
 14

Calcul des différentes composantes du courant.

Équations d’Ebers-Moll dans NPN

• Dans la base: • Soit encore:

• Équation de continuité
 eVkT
BE eV BC

Jp  ( e  1)  ( e kT
 1) 
Jn d ( p.n) 2  
p n  J n  eDnb ni
eDn eD p dx C '

 p( x)dx
E'
• Or J n  J pet n  p
• En régime normal, Jn
J d ( p.n) négatif ( e- vers x<0)
p n 
eDn dx

• Intégration de E-B à C-B:

 eVBE eVBC 
 exp( )  exp( )
2  kT kT 
J n  eDnb ni C'

 p( x)dx
E'
 15

Calcul des différentes composantes du courant

Équations d’Ebers-Moll dans NPN

 eVkTBE eVBC
  
 ( e  1)  ( e kT
 1)   eVBE eVBC

   
2 2
J n  eDnb ni2 
eD n eD n
C '
C '
nb i
( e kT
 1)  C '
nb i
( e kT
 1) 
 p ( x)dx 
' p( x)dx 
 E '  p ( x)dx

E E'

Or:
C'

 p( x)dx  N AB  WBeff
E'

Donc:  eni2 Dnb eVBE

en 2
D
eVBC
  eVBE eVBC

J n   (e kT  1)  i nb
(e kT  1)   I Sn (e kT  1)  (e kT  1)
 N AB WBeff N AB WBeff   

eni2 Dnb Courant de saturation des électrons dans un PN

Avec : I Sn 
N AB WBeff « courte » ou sans recombinaison
 16

Calcul des différentes composantes du courant

Équations d’Ebers-Moll dans NPN

• Dans l’émetteur • Dans le collecteur

 eVBE   eVBC 
J pE   J spE  exp( )  1 J pC  J spC  exp( )  1
 kT   kT 

 Courant suivant convention de signes

I E  I pE  I n IB
I C   I pC  I n IE JpE Jn JpC IC
I B   I C  I E   I pE  I pC E B C
NPN
 17

Calcul des différentes composantes du courant

Équations d’Ebers-Moll dans NPN

• Soit enfin (!) :

Aeni2 Dnb eVBE Aeni2 Dnb eVBC

I E  I n  I pE  [ C '  I spE ](exp  1)  C ' (exp  1)
kT kT
 p ( x ) dx  p ( x ) dx
E' E'

Isn
Aen i2 Dnb eV BE Aen i2 Dnb eV
I C   I n  I pC   C' (exp  1)  [ C '  I spC ](exp BC  1)
kT kT
 p ( x ) dx  p ( x )dx
E' E'

 eV   eV 
I B   I E  I C   I pE  I pC   I spE  exp( BE )  1   I spC  exp( BC )  1 
 kT   kT 
 18

Calcul des différentes composantes du courant

Équations d’Ebers-Moll dans NPN

• L’expression finale est:

eVBE eVBC
I E   I S1 (exp  1)   I I S 2 (exp  1)
kT kT
eVBE eVBC
I C   N I S (exp  1)  I S (exp  1)
1
kT 2
kT
avec:
Ae 2 n i2 D nb Aen i2 D pe Ae2 ni2 Dnb Aeni2 Dpc
I S1    IS   C 
N  N D ( x)
C' '
( x) 2

 ep ( x ) dx  ep( x)dx
D
E C
' '
E E

charge dans la base : QB + QS

 19

Paramètres statiques du transistor bipolaire

• Régime normal de fonctionnement:

• E-B en direct et C-B en inverse

Ae 2 ni2 DnB eV
I E  (  I SpE ) exp BE
Q B  QS kT

Ae 2 ni2 DnB eVBE eVBE eDnB nieB 2

eV
I C  ( ) exp I C  AE J C 0 exp  AE C ' exp BE
QB  QS kT kT E ' p p ( x)dx kT

eVBE
I   I E  I C   I SpE exp
*
B
kT
 20

Paramètres statiques du transistor bipolaire

• Efficacité d’injection d’émetteur:

In
E 
I Ep
• Gain en courant en base commune:

IC 1
 
IE J Sp .(QB  QS )
1
e 2 ni2 DnB
• Gain en courant émetteur commun:

IC 
  Rem: si on néglige Recomb
IB 1 dans la base,  identique à  E
 21

Paramètres statiques du transistor bipolaire

• Facteur de transport dans la

base:
• Introduction des recombinaisons
dans la région neutre de la base

AeX Beff (n p (0)  n p ) / 2 Qs

I rB 
Qs
 IC 
n n t

IC  n 2 L2n
    2 1
I rB  t X Beff
 22

Paramètres statiques du transistor bipolaire

• Introduction des recombinaisons

dans la région déplétée de la base

Aeni  eVBE 
I rD  WT exp 
2  2kT 
avec WT, largeur de la ZCE E-B.

En tenant compte de cela, on doit

réécrire le courant de Base:

I B  I  I rB  I rD
*
B
 23

Paramètres statiques du transistor bipolaire

• Le gain global en courant s‘écrit alors:

1 I B I B*  I rB  I rD 1 1 I rD
    
• Avec:
 IC IC  E  IC
•
• I B* le courant de base intrinsèque (pas de recombinaisons)
•
I rBle courant de recombinaisons dans la région neutre de la Base
•
I rDle courant de recombinaisons dans la région déplétée E-B
 24

Les autres régimes de fonctionnement

• Régime saturé:
• Les 2 jonctions sont polarisées en direct.

n(x)
 Ae n DnB
2 2
 eVBE 2 2
Ae n DnB
eVBC
Base
I E   i
 I spE e kT
 i
e kT

 QS  Q B  QS  Q B

QS2
nex (0)

Ae 2 ni2 DnB
eVBE
 Ae 2 ni2 DnB  eVkTBC nex (WB )
IC  e kT
   I spC e
QS  Q B  QS  QB 

QS1 0 WB
 25

Régime saturé

• Régime de faible injection: (QS<<QB):

• Le courant est dû aux charges injectées dans la base, ie QST
= QS1 +QS2
• Si base « courte » (voir PN), cette charge est donnée par le
surface du ½ trapèze (variation linéaire)

eVBE eVBE
1 1 ni2
QS 1   WB en( x  0)   WB e kT
  t J sn e kT
2 2 NA
eVBC eVBC
1 1 ni2
QS 2   WB en( x  WB )   WB e kT
  t J sn e kT
2 2 NA
 26

Régime saturé

• Régime de faible injection: (QS<<QB):

• Autre « représentation » de la charge de saturation (Ablard):
• On considère le transistor en régime normal avec une charge
QSN correspondant au même courant Icsat + une charge QSAT
à calculer
n(x) QST = QSN+QSAT
Base
1
QSN   e(n(0)  n(WB ))WB
2
nex (0) eVBE eVBC
QSN   t J sn e kT
  t J sn e kT

nex (WB ) On obtient

nex (0)  nex (WB ) alors: eVBC
QSAT QSAT  2 t J sn e kT

QSN
Responsable de la dégradation des
0 WB performances dynamiques
 27

Régime saturé

• Régime de forte injection

• Dans ce cas, la densité d’électrons injectés est égale à la
densité de trous dans la base ( n  p )
• Une étude similaire à la précédente conduit au résultat
suivant:
eV eV
1 BE BC

QS   eni (e 2 kT  e 2 kT )WB
2

2eDnB eV2 kT 2eDnB eV2 kT

BE BC

Jn   ni e  ni e
WB WB

• En fait, ces résultats doivent être modifiés par des effets secondaires ou parasites
 28

Effets secondaires

• Visualisation sur un « Gummel plot »:

• Représentation de IC et IB en fonction de VBE

1 3

2
 29

Effets secondaires

• Effet Early , effet de perçage du collecteur

• Claquage de la jonction Base - Collecteur

• Résistances série d’Émetteur et de Base

• Diminution (« collapse ») de Ic à fort courants

• Défocalisation (« crowding effect ») du courant

 30

Effet Early - Perçage

• À « première vue », Ic indépendant de VCB

Ae 2 ni2 DnB eVBE

I C  ( ) exp
QB  QS kT

• En fait, modulation de la largeur de la région neutre

de la base, donc QB+QS , donc Ic !

Si VBC ZCE B-C WB QB+QS

Ic
 31

Effet Early - Perçage

• Cas limite: QpB eN BWB
VA  
• ZCE BC « déplète » CdBC  SC
totalement la base WZCEBC

• Le collecteur injecte alors du

courant directement dans E.
• Courant uniquement limité
par Rsérie E + C

eWB2 N A ( N A  N D )
V pt  B B C

2 SC N D C
 32

Claquage de la jonction B - C

• Avalanche de la jonction B-
C:
• Apparaît souvent avant le
perçage Ionisation
• Comment l’éviter? par impacts

• Diminuer le champ électrique: I B  I Bf  I Br

• Diminuer le gradient de dopage
dans le collecteur
• Couche peu dopée entre Base
et collecteur
 33

Résistance d’émetteur et de la base (effet 3)

• À bas courant, effets
négligeables
• Pour circuit rapides, B-C tjs en
inverse (rc2 et rc3 le plus petit
possible)
• Résistances rc peu d’effet
• Seules re et rb jouent un rôle.
• Chute de potentiel dans ces
résistances
VBE   re I E  I B rb  re I C  I B (re  rb )
'
VBE  VBE  VBE
IC  I E  I B  0
eVBE
I B'  I B exp( )
kT Courant mesuré :IB’
 34

Diminution (« collapse ») de Ic à fort courant (effet 1)

• Plusieurs facteurs peuvent

entraîner la diminution de IC0:
• Augmentation de la charge eVBE
dans le Base (neutralité) I C  AE J C 0 exp
• Augmentation de la largeur de
kT
2
la région neutre de la Base eDnB nieB eVBE
(déplacement de la ZCE vers I C  AE C ' exp
le collecteur): effet Kirk E ' p p ( x)dx kT

x) x)
Nc Nc-n
Wb0 Wb0
E’ C’ E’ C’
Nb Nb+n
 35

Et l’effet 2 ????????????????
 36

Défocalisation du courant (« crowding effect »)

• L’image d’un dispositif à une

dimension est une approximation
• Le bord du contact émetteur est
plus polarisé que le centre
• Favorise une forte densité de
courant
• Pas bon pour les composants de
puissance

• Solutions: technologie inter

digitée
 37

Transistor bipolaire = interrupteur ?

• État ON : interrupteur
fermé (Tr. Saturé)

• État OFF: interrupteur

ouvert (Tr. Bloqué)
 38

Transistor bipolaire = interrupteur ?

• Signal de commande
(d’entrée) le plus faible
possible
• Puissance de
commande la plus
petite possible

Emetteur Commun
 39

Transistor bipolaire = interrupteur ?

• À quelle vitesse,  La charge dans la base

l’interrupteur fonctionne-t-il s’écrit:
? t
Q B (t )  I B n [1  exp(  )]
• Facteurs limitatifs ? n

 Le courant collecteur est

 Temps de mise en donné par:
conduction:
QB (t )
 Équation de continuité I C (t )  temps de transit
t
de la charge:
dans la Base (courte)
dQB QB n
In   QB (t )
 Ic  I B
t
[1  exp(  )]
dt n t t n
 40

Transistor bipolaire = interrupteur ?

• Mise en conduction:
• IC augmente jusqu’à
atteindre :
V (on néglige VCEsat )
I Csat  DD
RC
• La charge limite QB(ton)
pour saturer le transistor est
donnée par :
2
I Csat d pB
QS  Q B (t )  I B n [1  exp( 
t
)]
2 DnB n

• Le temps de mise en
conduction est donné par:

 1   1 
tON   n ln   
 n  ln 
1  (QS I 
B n 
) 1  ( I c I B ) 
 41

Transistor bipolaire = interrupteur ?

• Remarque: la charge peut

augmenter pour sursaturer le Valeur finale:
transistor
nIB

• Temps de Blocage: entrée à « 0 »:

• Évacuation de la charge stockée

• C’est le temps de stockage ts

 I B n 
t   ln  
• AuS delà,
n même phénomène
 QS 
que jonction PN
 42

Transistor bipolaire = interrupteur ?

• Le temps de stockage (de

désaturation) limite la vitesse
de commutation
• 2 façons pour le réduire:
• Impuretés qui « tuent » la
durée de vie dans la Base
• Diode Schottky en // sur la
diode C-B: évite la
sursaturation du transistor
 43

Transistor en ac: schéma équivalent

IB Cµ
Ib Ic
 44

Transistor en ac: schéma équivalent

• Transconductance :relie la variation du courant collecteur à la tension
Base – Emetteur, soit
I C eI
gm   C
VBE kT
• Résistance d’entrée : elle relie la variation de la tension Base –
Emetteur au courant de base, soit
1
 I B  kT 
r       h11
 VBE  eI B g m
• Résistance de sortie

1
 I C  V 1
ro     A 
 VCE  I C h22
 45

Transistor en ac: schéma équivalent

• Capacité :
C C  C SE  CTEB

• capacité de stockage C SE   F g m
• temps de transit  F  t E  tt  tt  tt
B BE BC

• Capacité C : capacité de jonction de la jonction C –B polarisée en

inverse

C   CTCB
• Capacité de la couche de déplétion de la diode collecteur – substrat

C dCS
 46

Transistor en ac: schéma équivalent

• Fréquence de coupure (gain en courant =1)

• On « oublie » r0 Ib Ic

ic  g m vbe  jCµvbe
x
1 
ib    jC  jCµ vbe
 r 

• Le gain en courant est donc donné par:

ic g m  j C µ
 ( )    h21
ib (1 / r )  j (C  Cµ )
 47

Transistor en ac: schéma équivalent

• À basse fréquence:
• Dans les transistors modernes, en général,

ic g m r
Cµ  g m  ( )  
ib 1  jr (C  Cµ )

• À hautes fréquences, partie imaginaire domine

gm
 ( ) 
j (C  Cµ )
 48

Transistor en ac: schéma équivalent

• On obtient alors la fréquence de coupure (« cutoff

frequency ») en faisant iC/iB=1

gm
2fT 
• Soit encore C  Cµ

1 kT
F  (CSE  CTBC )  CTBC (re  rc )
2fT eI C

Temps de transit en direct

 49

Transistor en ac: schéma équivalent

• Fréquence max (« maximun oscillation frequency »)

gain en puissance=1
• tient compte de la résistance de Base

fT
f max 
8rbCdBC
 50

Transistor Bipolaire à Hétérojonction

• Expression du gain :

 E  1  n 2
D p N A WBeff   WBeff2

  1  iE E B
 1  2 
1  E   N D DnE
ni
2
B
Lp B E   2 Ln B 
• Si la base est courte:

 E   1  ni Dp N A WBeff 
2

  1  E E

B

1  E   N D Dn ni Lp 
2
E B B E
 51

Transistor Bipolaire à Hétérojonction

 E  1  n 2
Dp N A WBeff 
  1  i E E B

1  E   N D
Dn
ni
2
E
LpB B E


• Pour un gain en courant le plus grand possible, on doit

avoir un  le plus proche de l’unité.
• Diminuer le dopage de la Base
• Diminuer la longueur de la Base (attention au perçage !)

Augmente la résistance de la Base, donc

diminue fmax
 52

Transistor Bipolaire à Hétérojonction

 E  1  n 2
Dp N A WBeff 
  1  i E E B

1  E   N D
Dn
ni
2
Lp E B B E


• Autre solution:
• Augmenter le dopage de l’émetteur
• Améliore l’efficacité d’injection
• Pb: « gap shrinking » 

E g  E g ( base )  E g ( émetteur )  0.

Eg
ni (émetteur )  ni ( Base) exp(
2 2
)
kT
 53

Transistor Bipolaire à Hétérojonction

 ni2 Dp N A WBeff Eg 

  1  e E
exp 
B

 N D Dn ni Lp kT 
2
E B B E

  N D Dn L p E g 
  E
exp(
B
)  1
E

1    N A D p WBeff
B E
kT 

On voit donc qu’il est difficile de concilier un fort dopage

d’émetteur, une base peu dopée et fine avec un gain important
 54

Transistor Bipolaire à Hétérojonction

• On « construit » une
structure à
différence de
« gap » négatif:

• Le TBH ou HBT

Eg  Egb  Eg e
 55

Besoins pour les dispos bipolaires

•Fort gain
•Efficacité d’émetteur forte
•Vitesse élevée

Demandes et Problèmes d’un BJT

Demandes Problèmes

Diminution du Gap:
émetteur fortement dopé
=> injection par la Base

Base peu dopée

Forte résistance Base
Base étroite

Solution:Transistors Bipolaire à hétéro-jonction

•Emetteur fortement dopé en utilisant un SC à gap plus grand que celui de la Base
•Base peut être fortement dopée et étroite sans augmenter la résistance de base
•Collecteur peut être choisi tel que la tension de claquage soit élevée
56
 57

Dispositifs Bipolaires
Si peut être combiné avec:
TBH avec Si: •Silicium amorphe (Eg=1.5 eV)
•Si/SiGe très prometteur •SiC (Eg=2.2 eV)
avec fréquence de coupure •Polysilicium (Eg=1.5 eV)
de l’ordre de 100 GHz

•Qualité de l’interface excellente

=> TBH de hautes performances
TBH GaAs/AlGaAs •Composants intégrés
• ft =150 GHz monolithiquement avec dispo
optoélectronique

•InGaAs/InAlAS et InGaAs/InP •Accord de maille avec InP

TBHs •Intégration avec composants
•Les valeurs de ft > 180 GHz optoélectroniques

•Haute fréquence
•Filière GaN/AlGaN •Évacuation thermique (puissance)
 58

Les applications des « Bipolaires »

Applications numériques Logique saturée (intégration élevée)

•Les « dispos » sont utilisés en •Integrated Injection Logic (I2L)
mode saturé et non saturé •Transistor-Transistor Logic (TTL)

Applications mémoires Bipolaire : mémoires statiques

MOS : mémoires dynamiques

Combinaisons des 2 technologies:

Applications Bi-CMOS On a l’avantage des 2:
=>fort développement

MMIC (Microwave Millimeter Propriétés HF, puissance

Integrated Circuit) => amplificateurs, convertisseurs A/N
 59

Transistor à base Silicium -

Germanium

Ae 2 ni2 DnB eVBE

I E  (  I SpE ) exp
Q B  QS kT

Ae 2 ni2 DnB eVBE

I C  ( ) exp
QB  QS kT
Concentration
Electrons
base

ni2 ( SiGe)
collecteur
emetteur

Améliore le beta
ni2 ( Si ) Améliore le temps de transit
Dégrade la tension d’Early