El diodo semiconductor se forma mediante la unión de un material tipo P con un material tipo N

(ambos de la misma base (germanio o silicio).

En el momento en que se unen estos dos materiales, los

electrones y los huecos en la región de la unión se combinan,
dando por resultado una falta de portadores en la región cercana
a la unión.

A esta región de iones positivos y negativos descubiertos se le

Figura 2.1 llama región de agotamiento, debido al agotamiento de
portadores en esta región.

Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicación de una tensión a través de sus
terminales permite tres posibilidades:

 Sin polarización (VD = 0 V).

 Polarización directa (VD > 0 V).
 Polarización inversa (VD < 0 V).

Sin polarización adecuada.

Cuando un diodo no está polarizado, su cargas solo

están afectadas del movimiento de agitación térmica.
Este movimiento es de dirección aleatoria, por lo que no
da lugar a circulación alguna de corriente. El
comportamiento eléctrico del diodo, en estas
condiciones, es similar a cualquier material conductor no
polarizado.

En ausencia de una tensión de polarización, el flujo neto

de cargas en cualquier dirección es cero.

Figura 2.2

Con polarización inversa.

Un diodo está polarizado inversamente cuando tiene

aplicado un potencial de forma que el positivo esté
conectado con el material tipo N y el negativo al material
tipo P. En estas condiciones, las cargas positivas de la
región P son atraídas por el polo negativo y las cargas
negativas de la región N son atraídas por el polo positivo.
El resultado es que, en la zona de agotamiento, se forma
una barrera de potencial de considerable anchura que las
cargas no pueden atravesar. Solo se acercan a la zona
de agotamiento algunas cargas negativas de la región P
y alguna positivas de la región N que, al sentirse
repelidas por los polos positivo y negativo
respectivamente, dan lugar a una pequeña corriente de
fuga.
 Figura 2.3

Con polarización directa.

Se da la condición de polarización directa cuando el polo

positivo de la fuente de alimentación está conectado al
material tipo P y el negativo está conectado al material
tipo N. En estas condiciones, las cargas positivas de la
región P se sienten repelidas por la tensión positiva,
acercándose a la región de agotamiento. Algo similar
ocurre con las cargas negativas de la región N. De esta
forma, las cargas positivas y negativas están lo
suficientemente cercanas que, solo por su propia fuerza
de atracción, son capaces de atravesar la delgada
barrera de potencial y combinarse. Mientras la fuente de
alimentación continúe conectada habrá una circulación
de corriente.

Región Zener.

Aunque la escala de la figura 2.5 se encuentra en múltiplos de diez voltios en la región

negativa, existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo
dará como resultado un agudo cambio en las características como se muestra en la
figura 2.6.

La intensidad aumenta a una velocidad muy rápida en una

dirección opuesta a aquella de la región del voltaje positivo.
El potencial de polarización inversa que da como resultado
este cambio muy drástico de las características se llama
potencial Zener y tiene como símbolo VZ .

La región Zener del diodo descrito debe evitarse si la

respuesta de un sistema no debe ser alterada
completamente por el severo cambio de las características
de esta región del voltaje inverso.

El máximo potencial de polarización inversa que puede ser

aplicado antes de entrar en la región Zener se conoce como
tensión de pico inversa (PIV - Peak Inverse Voltage) o (PRV
- Peak Reverse Voltage).

Figura 2.6

Si una aplicación requiere un PIV mayor que el de una sola unidad, se deben conectar
en serie un cierto número de diodos de la misma característica. Los diodo tambien
pueden conectarse en paralelo para aumentar la capacidad de transporte de
intensidad.
Efectos de la temperatura.

La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las características de un diodo

de silicio:

La intensidad de saturación inversa IS será casi igual al doble en magnitud por cada 10
ºC de incremento de la temperatura.

Figura 2.7

Variación de las características de los diodos en función de la temperatura

El de Silicio puede trabajar a una temperatura máxima mucho más alta que el de
Germanio.

El de Silicio tiene una Corriente Inversa mucho más baja que el de Germanio. Nano
Amperios frente a Micro Amperios. Idealmente la Corriente Inversa debe ser nula.

La Capacidad del de Silicio es mucho más alta del de Germanio. Idealmente la

capacidad debe ser nula.

Conclusión: El diodo de Si es más robusto y más ideal en lo que a corrientes se

refiere. Es mejor para función de rectificación.
El diodo de Germanio al tener menos capacidad será de conmutación más rápida por
tener menos capacidad y funcionará mejor en frecuencias muy altas.
La estabilidad térmica del de Silicio es mejor que la del de Germanio. El Germanio
apenas se utiliza en la actualidad por esta causa, y por que tienen un competidor entre
los de Silicio, los llamados Diodos Schotfky .
 Características del diodo de
germanio y del diodo de silicio.
Escrito por David Sandoval

Los diodos rectificadores son dispositivos electrónicos que se utilizan para controlar la
dirección del flujo de corriente en un circuito eléctrico. Dos materiales comúnmente
utilizados para los diodos son el germanio y el silicio.Mientras que ambos diodos realizan
funciones similares, existen ciertas diferencias entre los dos que deben ser tomadas en
consideración antes de instalar uno u otro en un circuito electrónico.
Diodos de silicio
La construcción de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo
se implanta con impurezas (boro en el lado del ánodo y arsénico o fósforo en el lado del
cátodo), y la articulación donde las impurezas se unen se llama la "unión pn". Los diodos de
silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de
voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a conducir la
corriente eléctrica a través de su unión pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de
0,7 voltios, la unión pn detendrá la conducción de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de
funcionar como una vía eléctrica. Debido a que el silicio es relativamente fácil y barato de
obtener y procesar, los diodos de silicio son más frecuentes que los diodos de germanio.

Diodos de germanio
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos degermanio también utilizan una unión pn y se implantan con las mismas impurezas
que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensión de
polarización directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco común que se encuentra
generalmente junto con depósitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza,
el germanio es más caro, por lo que los diodos de germanio son más difíciles de encontrar
(y a veces más caros) que los diodos de silicio.