Вы находитесь на странице: 1из 3

N-канальный МОП ПТ КП707В2.

Краткий информационный лист

Область применения полевых транзисторов определяется их основными


характеристиками:
{ Высокие динамические характеристики
{ Рабочая температура кристалла 150C
{ Низкое сопротивление во включенном состоянии
{ Низкая мощность управления
{ Высокое коммутируемое напряжение
Применяется для импульсных источников питания совместно с ИМС
КР1033ЕУ5А1

Максимально допустимые значения

Условные
Параметр Максимум Ед.изм.
обозначения
I @T =25C Постоянный ток стока 3.5 А
D C
I @T =70C Постоянный ток стока 2.5 А
D C
I Импульсный ток стока
(1) 6-9 А
DM
P @T =25C Рассеиваемая мощность 50 Вт
D C
Линейное снижение мощности
2 Вт/C
рассеивания от температуры
V Напряжение затвор-исток ¦20 В
GS
Энергия пробоя одиночным
E (2) - мДж
AS
импульсом
I Ток лавинного пробоя
(1) 4 А
AR
Энергия пробоя
E повторяющимися импульсами - мДж
AR
(1)

Скорость нарастания
dv/dt напряжения на закрытом 2.5 В/нс
(3)
диоде
Диапазон температур
T функционирования перехода и
J от -55 до
хранения прибора C
T +150
STG
Температура пайки при
300 C
времени менее 10 сек.

Электрические характеристики @T = 25C (если не указано другое)


J

Усл. Ед. Режим


Параметр Мин. Тип. Макс.
обозначение изм измерения
V = 0В,
Максимальное GS
V напряжение 650800 - - В I =
(BR)DSS D
сток-исток
250мкA
Температурный
V Т= 25C,
(BR) коэффициент
- 1.0 - В/C I = 1мA
/∆T максимального D
DSS J
напряжения
V = 10В,
GS

R Сопротивление
DS(on) - - 2.32.8 Ом
сток-исток I = 2.0A
D
(4)

V =
Пороговое DS
V напряжение на 2.0 3.5 4.5 В V ,
GS(th) GS
затворе I = 10мA
D
V = 20В,
DS

g Крутизна
fs 1.5 - - А/В
характеристики I = 3.0A
D
(4)

V =
DS
- - 100 (650800)В,
I Остаточный ток
DSS мкА V = 0В
стока GS
V =
DS
(650800)В,
V = 0В,
- - 1000 GS
T = 125C
J
Ток утечки
затвора - - 100 V = 20В
GS
I (прямой)
GSS нА
Ток утечки V =-
затвора - - -100 GS
(обратный) 20В

Характеристики исток-стока

Усл.обозн. Параметр Мин. Тип. Макс. Ед.изм. Режим изм.


Постоянный
ток истока
I (через - - 3.5 Условное
S
встроенный обозначение
диод) полевого
А транзистора
Импульсный
со
ток истока
I встроенным
(через - - (69)
SM диодом
встроенный
(1)
диод)
T = 25C,
J
Прямое
V напряжение - - 2.5 В I = 3.5A
SD S
на диоде V = 0В
(4)
GS

Примечания:
(1)
- частота следования; длительн. импульса ограничена максимальной
температурой кристалла
(2)
-будет определена при доработке конструкции
(3)
-I ÷ 3.5А, di /dt ÷ 90А/мкс, V ÷V , T ÷ 150C
SD DD (BR)DSS J
(4)
- длительн. импульса ÷ 300мкс, коэффициент заполнения ÷ 2%.