Transistores de potencia
BJT
tipos:
Transistores NPN
NPN es uno de los dos
tipos de transistores
bipolares, en los cuales las
letras "N" y "P" se refieren
a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del
transistor. La mayoría de
los transistores bipolares
usados hoy en día son
NPN, debido a que la
movilidad del electrón es
mayor que la movilidad de
los "huecos" en los
semiconductores,
permitiendo mayores
corrientes y velocidades
de operación.
Los transistores NPN
consisten en una capa de
material semiconductor
dopado P (la "base") entre
dos capas de material
dopado N. Una pequeña
corriente ingresando a la
base en configuración
emisor-común es
amplificada en la salida del
colector.
MOS
funcionamiento como llave
es un dispositivo de conmutaci´on de potencia que
base de los circuitos digitales
de señal, que ha sido modificado para
su utilización como llave apagable en
electrónica de potencia. Como el BJT,
el MOSFET tampoco es
intrínsecamente
biestable, y su utilización como llave
depende del manejo del electrodo de
comando (gate).
El BJT no es intr´ınsecamente biestable, pues fue
dise˜nado para uso como
amplificador para controlar la corriente de colector a
trav´es de una carga externa
haciendo circular una corriente adecuada entre base
y emisor
IGBT Caracteristicas y parametros
ESTRUCTURA
DEFINICION esta es igual a la de un MOSFET excepto
que el colector
combina las ventajas del dispositivo se compone de una capa
del BJT y del MOSFET. p+ en vez de la capa n+que conformar´ıa
la conexi´on del drain de un MOSFET.
Esta capa p+ junto con la n− del drain
del MOSFET y la p del cuerpo forma un
transistor p+n− p. La corriente de drain
del MOSFET es ahora la corriente de
base de este transistor, que al entrar en
la
capa p+ hace que ´esta inyecte
portadores minoritarios (huecos) en la
capa n−.
La capa p+ act´ua por lo tanto como
emisor. A pesar de esto, por analog´ıa
con
el transistor bipolar npn, se designa este
electrodo como ”colector”
IGBT caracteristicas de operacion:
bloqueo. El IGBT puede considerarse esencialmente
como un MOSFET del punto de
vista del comando, por lo que, al igual que en el
MOSFET, el encendido del
dispositivo est´a controlado por la tensi´on aplicada
entre los terminales del gate
y el emisor
Conduccion. Si se tiene una tensi´on positiva
aplicada entre el colector y el emisor del
IGBT, cuando la tensi´on aplicada entre el gate y el
emisor supera el valor UGEth
se formar´a un canal de conducci´on debajo de la
zona del gate que permitir´a que
circule una corriente de electrones desde el emisor
hacia el colector.
MOS carateristicas de operacion:
Acumulacion. En la etapa de acumulación las cargas
se almacenan en el óxido por el mismo principio de
operación de un condensador, en donde el
dieléctrico se polariza de forma proporcional al
campo eléctrico aplicado.
Agotamiento. Al incrementar el potencial de
compuerta, los electrones y los huecos se
comienzan a recombinar en el semiconductor para
formar la región de agotamiento.
Inversion. Si se continúa aumentando la tensión de
compuerta, se logra la inversión del tipo de dopado
del semiconductor.
BJT caracteristicas de operacion:
Parámetros Alfa y Beta del transistor de unión
bipolar.
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través
de la proporción de electrones capaces de cruzar la
base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
región del emisor y el bajo dopaje de la región de la
base pueden causar que muchos más electrones
sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia
de corriente emisor común está representada por β
F {\displaystyle \beta _{F}} o por hfe.