Comportamiento Del Diodo en CC y CA

1
Asignatura: Electrónica Analógica I

Ing. José Alcides Rumipamba López, M.Sc.
Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición

Capítulo 1 y 2.


Capítulo 1 y 2. 2
Se halla determinando los niveles correspondientes de 𝑉𝐷 y 𝐼𝐷 .
En general, por consiguiente, cuanto

mayor sea la corriente a través de un
diodo, menor será el nivel de
resistencia de cd.
Determinación de la resistencia de cd de un
diodo en un punto de operación particular
Capítulo 1 y 2. 3
Determine los niveles de resistencia de CD del diodo de la figura con:

Capítulo 1 y 2. 4
a)
b)
c)
• La resistencia de CD en la rodilla y debajo
de ella es mayor que la resistencia obtenida
para la sección de levantamiento vertical.
• La resistencia en la región de polarización en
Capítulo 1 y 2. inversa es por naturaleza bastante alta. 5


Capítulo 1 y 2. 6
Se llama recta de carga
porque la carga aplicada R
define la intersección en el
eje vertical.
Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición 2.3 Comportamiento del diodo
en corriente continua - 2.4 Comportamiento del diodo en corriente alterna 7
Mstr. José A. Rumipamba López
La polarización en directa
produce un voltaje a través del
diodo de aproximadamente 0.7
V y una corriente de 10 mA o
más.
Aplicando la ley de
voltajes de Kirchhoff en
el sentido de las
manecillas del reloj se
tiene:
Si establecemos que VD = 0
Si establecemos que ID = 0
Punto quiescente (abreviado “punto Q”)
La solución obtenida en la
intersección de las dos
curvas, matemáticamente
con las siguientes
ecuaciones:
Para la configuración del diodo en serie de la figura, determine:
a)
Modelo lineal por segmentos:
Modelo simplificado:
Dispositivo ideal:
Repita el ejemplo 1 utilizando el modelo equivalente aproximado del diodo
semiconductor de silicio.
a)
Repita el ejemplo 1 utilizando el modelo del diodo ideal.
a)


Capítulo 1 y 2. 21
Procedimiento:
Determinar cuáles diodos están “encendidos” y cuáles “apagados”.
“Encendido” si la dirección de corriente

concuerda con la de la flecha del símbolo del
diodo.
• VD ≥ 0.7 V para silicio

• VD ≥ 0.3 V para germanio
• VD ≥1.2 V para arseniuro de galio.
Para la configuración del diodo en serie de la figura, determine 𝑉𝐷 , 𝑉𝑅 e 𝐼𝐷 .
Repita el ejemplo anterior con el diodo en polarización invertida, determine 𝑉𝐷 , 𝑉𝑅 e 𝐼𝐷 .
Determine 𝑉𝑜 e 𝐼𝐷 para el circuito en serie de la figura.
Determine 𝑉𝐷2 , 𝑉𝑂 e 𝐼𝐷 para el circuito de la figura.
Procedimiento:
Determinar cuáles diodos están “encendidos” y cuáles “apagados” de acuerdo a la

corriente predominante.
“Encendido” si la dirección de corriente

concuerda con la de la flecha del símbolo del
diodo.
• VD ≥ 0.7 V para silicio

• VD ≥ 0.3 V para germanio
• VD ≥1.2 V para arseniuro de galio.
Para la configuración de la figura, determine 𝑉𝐷1 , 𝑉𝐷2 , 𝑉𝑜 , 𝐼𝐷1 , 𝐼𝐷2 e 𝐼𝑅 .
Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición 2.5 Compuertas AND/OR 2.6 - 2.7
Rectificación de media onda y onda completa. 2.8 Recortadores Mstr. José A. 36
Rumipamba López
Rumipamba López
Rumipamba López
Rumipamba López
Rumipamba López
41
Asignatura: Electrónica Analógica I

Capítulo 1 y 2.


Capítulo 1 y 2. 42
La entrada variable mueve el punto de
operación instantáneo (Q) hacia arriba y
hacia abajo, y por lo tanto define un cambio
específico de la corriente y voltaje como se
muestra en la figura.
Definición de la resistencia
dinámica o resistencia de ca.

Capítulo 1 y 2. 43
MÉTODO GRÁFICO
⧍ indica un cambio
finito de la cantidad
Cuanto más bajo esté el punto de

operación (menor corriente o menor
voltaje), más alta es la resistencia de ca.
Determinación de la resistencia
de CA en un punto Q.
Capítulo 1 y 2. 44
Para las características de la figura:

Capítulo 1 y 2. 45
a)

Capítulo 1 y 2. 46
b)

Capítulo 1 y 2. 47
c)
Excede por mucho la 𝑟𝑑 de 27.5 Ω
Excede por mucho la 𝑟𝑑 de 2 Ω

Capítulo 1 y 2. 48
MÉTODO NO GRÁFICO
La derivada de una función en

un punto es igual a la pendiente
de la línea tangente trazada en
dicho punto.
𝒓𝒅 se encuentra con la derivada de

la función en el punto Q.

Capítulo 1 y 2. 49
MÉTODO NO GRÁFICO
VT a una temperatura común de 27°C
 La ecuación es precisa sólo con valores de ID en la

sección de levantamiento vertical de la curva.
 Con valores pequeños de ID por debajo de la rodilla de
la curva, la ecuación se vuelve inapropiada.
 Con valores menores de ID, el valor de 𝑟𝑑 obtenido
debe multiplicarse por un factor de 2.

Capítulo 1 y 2. 50
MÉTODO NO GRÁFICO
Resistencia 𝒓𝑩
 La resistencia del material semiconductor propiamente dicho

(llamada resistencia del cuerpo)
 La resistencia introducida por la conexión entre el material
semiconductor y el conductor metálico externo (llamada
resistencia de contacto).
 El factor 𝒓𝑩 puede variar desde 0.1 Ω para dispositivos de alta
potencia hasta 2 Ω para algunos diodos de uso general de baja
potencia.

Capítulo 1 y 2. 51
 En el ejemplo 2 la resistencia de CA a 25 mA resulto 2 Ω.
La diferencia de aproximadamente 1 Ω
puede ser considerada como la contribución
de 𝑟𝐵 .
Capítulo 1 y 2. 52
 En el ejemplo 2 la resistencia de CA a 2 mA resultó ser de 27.5
Multiplicando por 2
en la rodilla de la
curva
La diferencia de 1,5 Ω puede ser

considerada como la contribución de 𝑟𝐵 .

Capítulo 1 y 2. 53
 La determinación de 𝑟𝑑 con alto grado de precisión a partir del método gráfico es
un proceso difícil, en el mejor de los casos y los resultados tienen que ser tratados
con reservas.
 Con altos niveles de corriente, el nivel de 𝑟𝐵 puede aproximarse al de 𝑟𝑑 .
 Con bajos niveles de corriente en el diodo el factor 𝑟𝐵 normalmente es lo bastante
pequeño comparado con 𝑟𝑑 , por lo que se ignora su impacto en la resistencia de ca
del diodo.
 En el análisis el impacto de 𝑟𝐵 se omitirá a menos que se diga lo contrario.

Capítulo 1 y 2. 54
 Es la resistencia determinada por una línea recta trazada entre las dos intersecciones
establecidas por los valores máximo y mínimo del voltaje de entrada.

Capítulo 1 y 2. 55
 Es la resistencia determinada por una línea recta trazada entre las dos intersecciones
establecidas por los valores máximo y mínimo del voltaje de entrada.
Cuanto más bajo sea el nivel de las

corrientes utilizadas para determinar la
resistencia promedio, más alto será el nivel
de resistencia.
Capítulo 1 y 2. 56
Capítulo 1 y 2. 57


Capítulo 1 y 2. 58
Rumipamba López
Rumipamba López
Rumipamba López
Rumipamba López
a) Trace la salida Vo y determine el nivel de cd para la red de la siguiente figura.
b) Repita la parte (a) con el diodo ideal reemplazado por un diodo de silicio.
c) Repita las partes (a) y (b) si Vm se incrementa a 200 V, y compare las soluciones usando las
ecuaciones de Vcd.
Rumipamba López
a)
Rumipamba López
b)
Rumipamba López
c)
Rumipamba López
Rumipamba López
Rumipamba López
Rumipamba López
Rumipamba López
Transformador con derivación central
Rumipamba López
Transformador con derivación central
Rumipamba López
Determine la forma de onda de salida para la red de la figura y calcule el
nivel de cd de salida.
Rumipamba López
Rumipamba López

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Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición

Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición

En general, por consiguiente, cuanto

Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición

Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición

Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición

Determinar cuáles diodos están “encendidos” y cuáles “apagados”.

“Encendido” si la dirección de corriente

• VD ≥ 0.7 V para silicio

Determinar cuáles diodos están “encendidos” y cuáles “apagados” de acuerdo a la

“Encendido” si la dirección de corriente

• VD ≥ 0.7 V para silicio

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Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición

Cuanto más bajo esté el punto de

Teoría de circuitos, Robert L. Boylestad, Décima edición

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Excede por mucho la 𝑟𝑑 de 27.5 Ω

Excede por mucho la 𝑟𝑑 de 2 Ω

La derivada de una función en

𝒓𝒅 se encuentra con la derivada de

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VT a una temperatura común de 27°C

 La ecuación es precisa sólo con valores de ID en la

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 La resistencia del material semiconductor propiamente dicho

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La diferencia de 1,5 Ω puede ser

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Cuanto más bajo sea el nivel de las

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