Вы находитесь на странице: 1из 4

4.

1 Penggunaan BJT seabagi saklar

Pada prinsipnya transistor sebagai saklar ini bekerjanya dalam kondisi saturasi dan
kondisi cut-off. Saat transistor dalam kondisi saturasi, berarti transistor berfungsi sebagai saklar
tertutup. Saat transistor dalam keadaan cut-off, berarti transistor berfungsi sebagai saklar terbuka

Gambar (a) Rangkaian transistor sebagai saklar


Gambar (b) Penggambaran transistor yang lazim
Gambar (c) Garis beban DC

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor
(C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan
tegangan yang akan dikuatkan melalui kolektor. Selain digunakan untuk penguat, transistor bisa
juga digunakan sebagai saklar. Caranya dengan memberikan arus yang cukup besar pada basis
transistor hingga mencapai titik jenuh. Pada kondisi seperti ini kolektor dan emitor bagai kawat
yang terhubung atau saklar tertutup, dan sebaliknya jika arus basis teramat kecil maka kolektor
dan emitor bagai saklar terbuka. Dengan sifat pensaklaran seperti ini transistor bisa digunakan
sebagai gerbang atau yang sering kita dengar dengan sebutan TTL yaitu Transistor Transistor
Logic.

Prinsip Transistor sebagai penghubung (saklar) : transistor akan mengalami cut-off


apabila arus yang melalaui basis sangat kecil sekali sehinga kolektor dan emitor akan seperti
kawat yang terbuka, dan transistor akan mengalami jenuh apabila arus yang melalui basis terlalu
besar sehingga antara kolektor dan emitor bagaikan kawat terhubung dengan begitu tegangan
antara kolektor dan emitor Vce adalah 0 Volt dari cara kerja diataslah kenapa transistor dapat
difungsikan sebagai saklar (http://teksasmu.blogspot.co.id/2016/12/aplikasi-transistor-sebagai-
saklar.html)

4.1.1 Penggunaan Transistor saat saturasi (ON)

Daerah kerja transistor Saturasi adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada
hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar maksimum
(sambungan CE terhubung maksimum).

Saturasi terjadi saat tegangan VCE = 0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang terjadi di VCE,
atau dengan kata lain kita dapat mengatakan IC mendapatkan hasil maksimumnya.
Untuk rangkaian seperti diatas dapat menemukan IC yaitu IC=VCC/(RC+RE).

Besarnya tegangan kolektor emitor Vce suatu transistor pada konfigurasi diatas dapat
diketahui sebagai berikut.
Karena kondisi jenuh Vce = 0V (transistor ideal) maka besarnya arus kolektor (Ic)
adalah:

Besarnya arus yang mengalir agar transistor menjadi jenuh (saturasi) adalah:

Sehingga besar arus basis Ib jenuh adalah :

3.4 Daerah Cut Off

Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor
menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut off sering dinamakan sebagai
daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor
ke emitor. Pada daerah cut off transistor dapat di analogikan sebagai saklar terbuka pada
hubungan kolektor – emitor.

Titik cut-off transistor adalah titik dimana transistor tidak menghantarkan arus dari
kolektro ke emitor, atau titik dimana transistor dalam keadaan menyumbat. Pada titik ini
tidak ada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor. Titik Cutoff didefinisikan juga sebagai
keadaan dimana IE = 0 dan IC = ICO, dan diketahui bahwa bias mundur VBE.sat = 0,1 V (0
V) akan membuat transistor germanium (silikon) memasuki daerah cutoff. Titik cut-off
transistor ini dapat dianalogikan sebagai saklar dalam kondisi terbuka (Off).

Titik Cut-Off Transistor Adalah Transistor Dalam Kondisi Off (Saklar Terbuka).
Titik cut-off transistor terjadi pada saat transistor tidak mendapat bias pada basis, sehingga
transistor tidak konduk atau mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Titik cut-off transistor ini
memiliki VCE yang maksimum yaitu mendekati VCC seperti ditunjunkan pada grafik titik cut-off pada
garis beban transistor berikut.

Grafik Titik Cut-Off Pada Garis Beban Transistor :

Short-Circuited Base
Andaikan bahwa basis dihubungkan langsung ke emitor sehingga VE = VBE = 0. Maka, IC ≡
ICES tidak akan naik melebihi nilai arus cutoff ICO.
Open-Circuited Base
Jika basis dibiarkan “mengambang” (tidak dihubungkan ke manapun) sehingga IB = 0,
didapatkan bahwa IC ≡ ICEO. Pada arus rendah α ≈ 0,9 (0) untuk germanium (silikon), dan
dengan demikian IC ≈10 ICO(ICO) untuk Ge (Si). Nilai VBE untuk kondisi open-base ini (IC =
-IE) adalah sepersepuluhan milivolt berupa bias maju.
Cutin Voltage
Karakteristik volt-amper antara basis dan emitor pada tegangan kolektor-emitor konstan tidak
serupa dengan karakteristirk volt-amper junction dioda sederhana. Jika junction emitor mendapat
bias mundur, arus basis menjadi sangat kecil, dalam orde nanoamper atau mikroamper, masing-
masing untuk silikon dan germanium. Jika junction emitor diberi bias maju, seperti pada dioda
sederhana, tidak terdapat arus basis hingga junction emitor mendapat bias maju sebesar |VBE| >
|Vγ|, dengan Vγ adalah tegangan cutin (cutin voltage). Karena arus kolektor secara nominal
proportional terhadap arus basis, maka pada kolektorpun tidak terdapat arus, hingga terdapat arus
pada basis. Oleh karena itu, plot arus kolektor terhadap tegangan basis-emitor akan
memperlihatkan tegangan cutin, seperti halnya pada dioda.

Вам также может понравиться