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CAPÍTULO IV
100
CONCLUSIONES:
RECOMENDACIONES:
El puente inversor debe colocarse en una placa que pueda soportar el calor
generado por los IGBT’s; además debe de tener un buen aislamiento, esta placa
debe ir a un módulo, con la finalidad que éste sirva para el adiestramiento al
realizar prácticas en el laboratorio.
BIBLIOGRAFÍAS:
era
Júpiter, FIGUERA. “Circuitos Lógicos de Computación”. 1 Edición
Impreso en Venezuela 1990.
da
Muhammad, RASHID. “Electrónica de Potencia”. 2 Edición Publicado por
Prentice Hall Inc. Impreso en México 1993.
ra
Ramshaw, RAYMOND. “Electrónica de Potencia”. 1 Edición Publicada por
Chapman and Hall Ltd. Impreso en España 1973.
ANEXOS
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NTE3311
Insulated Gate Bipolar Transistor
N–Channel Enhancement Mode,
High Speed Switch
Features:
_ High Input Impedance
_ High Speed
_ Low Saturation Voltage
_ Enhancement Mode
Applications:
_ High Power Switching
_ Motor Control
Absolute Maximum Raings: (TA = +25C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCES .600V
Gate–Emitter Voltage, VGES 20V
Collector Current, IC
DC
25A
Pulse (1ms)
50A
Collector Power Dissipation (TC = +25C), PC 150W
Operating Junction Temperature, TJ +150C
Storage Temperature Range, Tstg –55to +150C