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II. OBJETIVOS:
3.1. Características:
3.2. Desventaja:
3.3. Aplicaciones:
Se los utiliza con elementos TTL, por el mismo hecho de que con la inyección
de poco voltaje permiten obtener una corriente suficiente para mover ciertos
elementos como motores.
El MOSFET de tipo incremental se usan como dispositivos de conmutación en
la electrónica de potencia.
FIGURA 1
MOSFET de Potencia 1
3.4.2 MOSFET incrementales
FIGURA 2
MOSFET de Potencia 2
I D
gm
VGS VDS cons tan te
La Figura 4 indica que no hay corriente de drenador hasta que V GS es mayor que
VGS(th), a partir de entonces, la corriente de drenador se incrementa rápidamente
hasta que se polariza en la región óhmica. Por tanto, en esta región, I D no puede
crecer aunque VGS crezca. Para asegurar la saturación fuerte se usa una tensión de
puerta VGS(ton) lo bastante por encima de VGS(th) como se muestra en la figura. La
parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte casi horizontal
corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento puede actuar en
cualquiera de estas dos zonas es decir puede actuar como resistencia (en la zona
activa) o como fuente de corriente (en la zona óhmica).
MOSFET de Potencia 3
FIGURA 5
MOSFET de Potencia 4
FIGURA 6
Para que esto se cumpla, el voltaje VGS debe ser igual o mayor que VT y la corriente
de saturación ID(sat) tiene que ser menor que ID(on) esto equivale a decir que la
resistencia en la zona óhmica tiene que ser mucho menor que la resistencia pasiva
de drenador.
R DS ( on) R L
DATOS IMPUESTOS:
VGS=7V
VDD=12V
MOSFET de Potencia 5
CONDICIÓN:
Para la conmutación se cumple que: VDS≤VGS-VT
FIGURA 7
CÁLCULOS:
VDS VGS VT
VDS 7 4
VDS 3V
R DSon
V DS * V DD
R DSon R L
0 .9
* 12V 3V
0.9 R L
R L 2 .7
MOSFET de Potencia 6
Tiempo de retraso en la activación (tdon):
Es el tiempo de carga de la compuerta desde el nivel umbral hasta el 90% del voltaje
completo de la compuerta requerido para excitar el transistor a la región lineal. 18ns
– 27ns
MOSFET de Potencia 7
4.3. CURVA DE TRANSFERENCIA:
DATOS IMPUESTOS:
VGS=Variable por lo menos entre 4.1V asegurándonos que pase el V T y 8V.
VDD=12V
CONDICIÓN:
Para la curva de transferencia se cumple que: VDS=VGS-VT
CÁLCULOS:
V DS VGS VT
Para VGS 8V
V DS 8 4
V DS 4V
RDSon
VDS *VDD
RDSon RL
Para VGS 8V
0 .9
*12V 4V
0 .9 R L
RL 1.8
MOSFET de Potencia 8
Por lo ta nto RL debe estar entre 1.8 y 107.1
Basados en las resistenci as disponible s comercialm ente y tomando en cuenta
que debe ser un valor bajo para poder visualizar de una mejor manera la curva total
escogimos RL 4.7
DATOS IMPUESTOS:
Asegurándonos que pase el VT, tomamos:
1er caso VGS=4.45V
2do caso VGS=6V
VDD=5V
MOSFET de Potencia 9
CONDICIÓN:
Para la saturación se cumple que: VDS≥VGS-VT
CÁLCULOS:
V DS VGS VT
RDSon
VDS * VDD
RDSon RL
0.9
1er caso : * 5V 0.45V
0.9 RL
RL 9.1
0.9
2do caso : * 5V 2V
0.9 RL
RL 1.35
Para comprobar que esto se cumple var iaremos RL entre 15 y 0.25
MOSFET de Potencia 10
V. CIRCUITOS IMPLEMENTADOS:
XSC1
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
R1
10
XFG1
V1
12 V
Q1
IRFBC40
MOSFET de Potencia 11
GRAFICAS DEL OSCILOSCOPIO:
MOSFET de Potencia 12
Tiempo de retraso en la activación (tdoff): 55ns a 83ns
MOSFET de Potencia 13
COMPARACIONES DE LA TEORIA CON LA PRÁCTICA
Se implementa el mismo circuito que para las características de saturación pero con
la diferencia de que en este se varía el voltaje de compuerta VGS y se mantiene
constante RD.
VGS(V) IDS(A)
3,51 0
3,56 0,01
3,74 0,02
3,92 0,06
4,11 0,19
4,46 1
4,9 1,68
5,48 1,68
7,24 1,68
8 1.68
MOSFET de Potencia 14
1,8
1,6
1,4
1,2
IDS(A)
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0
0,00 1,00 2,00 3,00 4,00 5,00 6,00 7,00 8,00
VGS(V)
A pesar de que nos habíamos impuesto variar V Gs entre 4.1V y 8V, en la práctica
nos dimos cuenta que el VT práctico es de 3.56, por lo tanto la tabla la realizamos
empezando con este valor; y también nos dimos cuenta que a partir de 4.9V la I DS
comienza a mantenerse constante por lo que no era necesario llegar hasta 8V sin
embargo se completo la tabla hasta este valor.
MOSFET de Potencia 15
5.3. CARACTERISTICAS DE SATURACION:
R1
U2
- +
0.000 A Key = A
50%
15
DC 1e-009
Q1
+ U1 V2
0.000 V DC 10M 5V
IRFBC40 -
V1
4.5 V
VGS=4.45V
VDS(V) IDS(A) R(Ω)
0 0
0,37 0,31 15
0,4 0,33 14
0,43 0,35 13
0,48 0,37 12
0,53 0,4 11
0,6 0,43 10
0,69 0,46 9
0,86 0,5 8
1,11 0,53 7
1,5 0,56 6
2 0,57 5
2,55 0,58 4
3,04 0,59 3
3,54 0,6 2
3,9 0,61 1
4,16 0,61 0,5
4,42 0,61 0,33
4,6 0,61 0,25
La siguiente prueba se hizo con el mismo circuito pero manteniendo V GS=6
MOSFET de Potencia 16
R1
U2
- +
0.000 A Key = A
50%
15
DC 1e-009
Q1
+ U1 V2
0.000 V DC 10M 5V
IRFBC40 -
V1
6V
VGS=6V
VDS(V) IDS(A) R(Ω)
0,00 0
0,287 0,31 15
0,305 0,33 14
0,327 0,35 13
0,353 0,38 12
0,38 0,41 11
0,414 0,44 10
0,451 0,48 9
0,503 0,53 8
0,568 0,59 7
0,652 0,67 6
0,763 0,77 5
0,91 0,9 4
1,168 1,1 3
1,58 1,38 2
2,38 2 1
2,8 2,3 0,5
3 2,47 0,33
3,34 2,6 0,25
3,48 2,7 0,2
MOSFET de Potencia 17
3
2,5
IDS 2
1,5
VGS=4.5V
1 VGS=6V
0,5
0
0 1 2 3 4 5
VDS
PRIMER CASO:
VDS VGS VT
RDSon
VDS * VDD
RDSon RL
0.9
* 5V 0.94V
0.9 RL
RL 3.88
SEGUNDO CASO:
MOSFET de Potencia 18
VDS VGS VT
VDS 6 3.51
VDS 2.49V
RDSon
VDS * VDD
RDSon RL
0.9
* 5V 2.49V
0.9 RL
RL 0.91
CONCLUSIONES
A medida que VGS tiende a VT la corriente ID para voltajes altos de VDS tiende
a estabilizarse.
MOSFET de Potencia 19
En la curva de transferencia ID(sat) depende del valor de la fuente de VD.
Al obtener en los cálculos rangos entre los cuales deben estar los valores de
las resistencias, debemos tomar en cuenta la disponibilidad de las
resistencias comerciales.
Utilizar un foco como carga no es lo más óptimo para realizar las medidas ya
que este tiene un comportamiento no lineal. La utilización de este es
aconsejable para ver de forma didáctica los resultados.
VII. BIBLIOGRAFÍA
MOSFET de Potencia 20