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Desarrollo de un amplificador de transimpedancia para sensores

piezoeléctricos de banda ancha


Fernando Santos - Julián Falla
Universidad de Buenos Aires, Facultad de Ingenierı́a
Primer cuatrimestre 2015

1. Introducción salida, la configuración presenta una realimentación


de forma paralela a la señal de entrada, y paralela a
Los sensores piezoeléctricos basan su funciona- la señal de salida, es por ello que esta topologı́a es
miento en el efecto de piezoelectricidad, el cual esta- llamada paralelo-paralelo.3
blece una interacción electromecánica lineal entre el
estado mecánico y eléctrico en cristales sin un centro
de simetrı́a. Consiste en la aparición de una polari-
zación eléctrica en un material al deformarse bajo la
acción de un esfuerzo proporcional a dicha polariza-
ción. Este efecto es reversible, es decir que al aplicar
una diferencia de potencial eléctrico entre dos caras
de un material piezoeléctrico, aparece una deforma-
ción en este.1
El uso de estos elementos es clave en varios sistemas
ultrasónicos para aplicaciones, entre estas se encuen-
tra la obtención de imágenes y la caracterización de
Figura 1: Esquema de un amplificador de trans-
materiales. Además en el rango de frecuencias entre
impedancia.
100 Hz y 30 MHz son relevantes para aplicaciones en
biologı́a y medicina.2 El problema en el uso de estos sensores piezo-
La señal generada por el sensor piezoeléctrico en al- eléctricos es su capacidad. Cualquier capacidad en
gunas aplicaciones puede ser muy chica y es impe- paralelo a la entrada del amplificador generará un
rativo amplificarla para tener una amplitud de señal filtro pasa-bajos, entonces existe una frecuencia de
detectable por la placa adquisidora, ya sea un osci- corte superior la cual limita la aplicación de dichos
loscopio u otro tipo de dispositivo, por lo cual es ne- sensores para mediciones a altas frecuencias.4
cesario acompañar al sensor con un amplificador de Por lo tanto se desea diseñar e implementar un
transimpedancia. Los amplificadores se clasifican en amplificador de transimpedancia con cuatro ca-
cuatro categorı́as las cuales dependen de la variable racterı́sticas particulares, una frecuencia de corte
a ser amplificada (tensión o corriente) y por la forma superior de 100MHz, una amplificación de 50kV/A,
de salida deseada (tensión o corriente). Estas topo- una dispersión debida a diferencia de fase baja
logı́as son: amplificadores de tensión, amplificadores para el rango de frecuencias en el que trabaja el
de corriente, amplificadores de transconductancia y amplificador, y principalmente una baja sensibilidad
amplificadores de transimpedancia. ante grandes variaciones en la impedancia capacitiva
Los amplificadores de transimpedancia tienen como de entrada. En este trabajo se persigue diseñar e
entrada una corriente y una tensión como señal de implementar un amplificador de transimpedancia
1 G. Gautschi, “Piezoelectric Sensorics” Springer-Verlag 3 Pallás Areny, “Sensores y acondicionadores de señal”, 4ta

Berlin Heidelberg (2002). edición (2005).


2 M.G. González, P.A. Sorichetti, and G.D. Santiago, “Mo- 4 D. Neamen, “Electronic Circuits Analysis and Design” -

deling thin-film piezoelectric polymer ultrasonic sensors”, Re- 2da edición, 7.3 Frequency Response: Transistor Amplifiers
view of Scientific Instruments 85, 115005 (2014). with Circuit Capacitors.

1
para sensores piezoeléctricos con las caracterı́sticas Es entonces necesario para tener un mayor ancho
anteriormente descritas, para luego caracterizarlo y de banda contar con un etapa de entrada entre el sen-
compararlo con el amplificador de corriente de alta sor y el amplificador que funcione como un buffer de
velocidad HCA-100M50K-C de Laser Components corriente. Una forma de hacer esto es utilizar un tran-
(FEMTO).5 sistor NPN (el MPSH10 que luego será reemplazado
por el transistor NPN BFR90A) en la topologı́a ba-
se común, el cual evita que la capacidad del detector
afecte el comportamiento del amplificador, ya que el
2. Diseño polo inducido por esta nueva etapa se puede despla-
zar lo necesario, de tal manera que no sea dominante
El amplificador de transimpedancia que se desea
en el ancho de banda del circuito. Esto puede lograr-
diseñar e implementar debe tener un amplificación
se debido a la baja impedancia de entrada del base
de 50 kV/A, un ancho de banda de 100 MHz y una
común, debido a que en un transistor NPN en modo
dispersión debido a diferencia de fase que provoque
activo directo, la resistencia de entrada en la topo-
un retardo menor al diez por ciento del periodo de
logı́a discutida es del orden de 1/gm, lo cual dismi-
la frecuencia de corte. El diseño implementado par-
nuye la constante de tiempo asociada a la capacidad
te del uso del amplificador operacional OPA847 6 de
del sensor y por lo tanto aumentando la frecuencia de
Texas Instrument conectado en la topologı́a amplifi-
corte superior del circuito.7
cador inversor.
El diseño parte de un amplificador operacional co- gm
fh =
mo el mostrado en la figura 2 se estima el valor de 2π(CS + Cπ )
amplificación a lazo cerrado Zt, resultando:
Este diseño tiene como inconveniente principal la
Zf introducción de nuevos componentes que inducen
ZT = Zf
≈ Zf cierto ruido a la entrada del amplificador, lo cual pue-
1+ A de disminuir la relación señal ruido del circuito.
Donde Zf es la ganancia de realimentación y A
la ganancia a lazo abierto. Si A es suficientemente
grande, la ganancia del operacional se aproxima a Zf .

Figura 3: Diagrama circuital del diseño implementa-


do.

El diseño establecido de una etapa de entrada con


Figura 2: Diagrama circuital del principio de funcio- un base común y con el amplificador operacional en
namiento. configuración inversor, fue simulado con el programa
Por otro lado la frecuencia de corte superior es- LTspice IV. El modelo utilizado del OPA847 para
tará dada por el polo en la entrada, es decir: spice se encuentra en la página del fabricante, el re-
sultado de la respuesta en frecuencia puede verse en
1 la figura 4 .
fh =
2π(CS + Cπ ) De la anterior figura podemos ver que el diseño
5 Hoja de datos del amplificador HCA-
cumple con las caracterı́sticas deseadas, tanto de am-
100M50K-C esta disponible en la pagina web: plificación (50kV/A) como en respuesta en frecuencia
http://www.femto.de/en/products/current-amplifiers/fixed- (fh = 100M Hz).
gain-up-to-400-mhz-hca.html
6 http://www.ti.com/product/opa847 se encuentra la hoja 7 Fragmento tomado del libro “Broadband Circuits for Op-

de datos, los modelos para la simulación en LTspice y TINA- tical Fiber Communication” - E. Sackinger - 5.2.6 Common-
TI. Base/Gate Input Stage.

2
Figura 4: Respuesta en frecuencia obtenida mediante
la simulación del circuito en el programa LTspice IV.

Figura 6: Amplificador de transimpedancia imple-


Luego de obtener el resultado de la simulación se de-
mentado.
cide continuar con la implementación del diseño. El
programa utilizado para diseñar el PCB del amplifica-
dor es el Proteus 8 Professional, durante esta etapa caracterizado. Se utilizó un generador de funciones
se agregan capacitores de desacople en la alimenta- como entrada al sistema de emisión LED y se visua-
ción del OPA847, además de reguladores de tensión lizó la señal del generador con el osciloscopio Tektro-
para tener los valores de alimentación deseado. En la nix TDS 210, luego se ubicó al fotodiodo de manera
figura 5 se muestra el diseño utilizado para el PCB. que sea máxima la señal de salida del circuito, la cual
se observó en el mismo osciloscopio aunque con una
terminación de 50Ω. Con este banco de mediciones
(véase figura 7) se realizó una barrido en frecuencia
para obtener el módulo de la transferencia del detec-
tor y del circuito implementado, para luego comparar
y caracterizar al segundo.

Figura 5: Diseño del PCB en Proteus 8 Professional.

Finalmente utilizando elementos de montaje super-


ficial para las resistencias y capacitores, se soldaron
cuidadosamente cada uno de los componentes obte- Figura 7: Banco de medición utilizado.
niendo el amplificador ya implementado. En la figura
6 podemos observar el resultado final de la implemen- Las cualidades más importantes en esta medición
tación del amplificador de transimpedancia. del detector Thorlabs PDA155 es su ancho de banda
para pequeña señal 50 MHz y una ganancia de 5kV/A
3. Mediciones al utilizar una terminación de 50Ω.8 Conociendo la
ganancia de la referencia se pudo obtener la ganancia
Las primeras dos mediciones realizadas se utilizan del circuito implementado.
en un principio para caracterizar al circuito imple- Los resultados obtenidos son una ganancia de
mentado, y luego en la tercera se compara en funcio- 0,0091 para el detector y 0,10925 para el circuito im-
namiento con el FEMTO. plementado. Considerando que la amplificación máxi-
ma del detector es efectivamente los 5 kV/A, entonces
al ser ambos amplificadores estimulados por el mismo
3.1. Medición 1
8
Banco de medición y parámetros caracterı́sticos del detec-
La primera medición del circuito fue compararlo en tor Thorlabs PDA155 tomados de la tesis de grado “Optimi-
operación con el detector Thorlabs PDA155, el mismo zación de sistemas de detección de señales ópticas para alta
se utilizó como referencia siendo que ya se encuentra potencia y alta velocidad”.

3
fuente, luego en paralelo un sensor de presión cuya
capacidad varı́a con la frecuencia y finalmente un co-
nector macho-macho.
Se realizaron tres mediciones diferentes, en primer lu-
gar con el circuito original y luego dos más con mo-
dificaciones diferentes tratando de alcanzar las carac-
terı́sticas deseadas.
Original: Primero se verificaron los valores de
reposo del transistor con el transistor MPSH10,
y luego se realizaron dos mediciones eléctricas.
Una medición con la carga capacitiva y el sen-
Figura 8: Resultados de la medición 1 de la respuesta sor de presión piezoeléctrico a la entrada, y una
en frecuencia con el diodo BPW24. segunda de referencia del banco de medición pa-
ra normalizar los valores obtenidos (sin la carga
capacitiva).
tipo de señal, la amplificación del circuito resulta de
60 kV/A. Modificación 1: Para mejorar el ancho de ban-
La amplificación cae 3 dB antes de llegar a los 10 MHz da del circuito se decidió cambiar el transis-
en el circuito implementado y se puede estimar que la tor utilizado por el BFR90A debido a su mayor
frecuencia de corte se encuentra en 4MHz, mientras fT = 6GHz, y reducir la amplificación de la pri-
que en el detector las variaciones no tienen la magni- mera etapa al reducir la resistencia de carga que
tud necesaria para considerar que se ha llegado a la ve esta, para lo cual a su vez se reduce la am-
frecuencia de corte. plificación del operacional siendo que el par de
El valor de la amplificación obtenida difiere en un resistencias utilizadas en la topologı́a amplifica-
20 % del esperado, esta diferencia se debe no solo a la dor inversor modifican la resistencia de carga. Se
dispersión en el amplificador diseñado sino también cambiaron entonces la resistencia R2 de 100kΩ a
a la dispersión en el valor de amplificación del ampli- 10kΩ de manera que el amplificador operacional
ficador tomado de referencia, el cual podrı́a resultar tuviera una amplificación de tensión con módulo
no ser exactamente 5 kV/A. 10
Luego se realizaron tres mediciones eléctricas,
una medición con la carga capacitiva, otra con la
3.2. Medición 2
misma carga y el sensor de presión piezoeléctrico,
El segundo tipo de medición realizada es una y finalmente una de referencia para normalizar
eléctrica, para lo cual se utilizó una fuente de tensión los valores obtenidos.
en serie con un capacitor de un valor pequeño, para
emular una fuente de corriente (impedancia de Nor- Modificación 2: Se calculó la resistencia de en-
ton elevada) a la entrada del circuito. Se utilizó el trada de la configuración de base común y se
programa FDR2 desarrollado en el entorno ProBE notó la fuerte dependencia con la corriente de
3.09 para automatizar el barrido de frecuencias y las polarización, concretamente se obtuvo:
mediciones de las muestras realizadas. El generador 
1 RB1 ||RB2

de funciones que se utilizó es el HP 8648-A, el oscilos- Ri = RE || +
gm β
copio Tektronix TDS 210 con el canal 1 se conectado
a la salida del generador mientras que el canal 2 a la Donde para los valores de polarización se pue-
salida del circuito. En la entrada de circuito se tenia de reducir a 1/gm . Para disminuir el efecto de la
al capacitor de prueba dentro de un barril metálico impedancia capacitiva en la entrada es necesario
con una capacidad total de 10 pF 10 en serie con la una resistencia de entrada lo menor posible, por
9 Es
lo cual se decidió aumentar la corriente en el co-
un animador para procesos CSP (commuica-
ting sequencial processes) permitiendo al usuario explo- lector. Se pasó de tener una corriente de 0, 1mA
rar el comportamiento de los modelos interactivamente. a 10mA con RE = 220Ω y RC = 500Ω, a par-
http://www.fsel.com/software.html tir de esto se esperaba que el polo en el nodo
10 El valor presentado es el equivalente del capacitor, el barril

y los conectores de este. La capacidad fue medida con LCR meter Tonghui TH2822C a una frecuencia de 10 kHz.

4
de entrada del circuito dejara de ser el dominan- Amp.[dB] Amp.[V/A] fc [MHz]
te y por ende el responsable de la caı́da en la FEMTO 93, 9 49,9k −
transferencia. Original ≥ 87, 10 ≥ 22, 65k ≤ 3, 18
Mod. 1 66, 63 2, 62k 9, 74
Mod. 2 69, 76 4, 49k 7, 25

Cuadro 2: Resultado de la respuesta en frecuencia con


el sensor de presión.

entrada del amplificador operacional puede variar de


los valores deseados, y llevar la salida al ’rail’ (valor
máximo de salida del amplificador operacional) ha-
ciendo que el comportamiento no sea el ideal.
Al incluir el sensor en la entrada se observa que el
Figura 9: Respuesta en frecuencia sin el sensor de ancho de banda en ambas modificaciones se reduce.
presión. La amplificación en la primera disminuye en casi 3dB
mientras en la segunda aumenta. La variación en la
frecuencia de corte era de esperarse al tener una ma-
Amp.[dB] Amp.[V/A] fc [MHz] yor capacidad a la entrada, la cual afecta el ancho de
FEMTO 93, 9 49,9k − banda como ya se discutió anteriormente. La varia-
Mod. 1 69, 86 3114 26, 66 ción de amplificación en la modificación 2 continúa
Mod. 2 45, 83 196 17, 63 siendo una consecuencia de la tensión de reposo a la
entrada del OPA847.
Cuadro 1: Resultado de la respuesta en frecuencia sin En ninguno de los tres casos se alcanzan las carac-
el sensor de presión. terı́sticas del FEMTO, siendo la configuración de ma-
yor ancho de banda la de la modificación 1 y la de
mayor amplificación la original.

3.3. Medición 3
El propósito de esta medición era obtener la res-
puesta en frecuencia del amplificador después de su
segunda modificación. Para ello se utilizó un pulso
de forma conocida a la entrada del amplificador, se
midió la salida que el pulso generó y se realizó la
transformada de Fourier de la salida.
Se utilizó un sensor de presión que consiste en una
Figura 10: Respuesta en frecuencia con el sensor de capa de film delgada de un polı́mero piezoeléctrico
presión. encapsulado en un conector bnc estándar, el cual se
adjuntó a una cubeta de cuarzo. El banco de medi-
En los cuadros 1 y 2 podemos ver los resultados obte- ción completo se puede ver en la figura 11. Un láser
nidos luego de procesar los datos, y además las figuras de Nd:YAG (Continuum Minilite I, 532 nm, 5 ns) fue
9 y 10 muestran la respuesta del circuito antes y des- usado para generar una señal de presión en la capa
pués de las modificaciones realizadas. de pintura de plata que adhiere el film piezoeléctri-
Al observar dichos cuadros, se destaca que cuando co a la cubeta. Para amplificar la señal generada por
no se utiliza el sensor de presión piezoeléctrico, la el sensor se utilizó al amplificador, luego la salida del
primera modificación tiene mayor amplificación que amplificador fue digitalizada por el osciloscopio (Tek-
la segunda, y además tiene una mayor frecuencia de tronix TDS 2024, 2 GS/s, 200 MHz)y la señal de trig-
corte superior. Esto se debe a que en la práctica al ger del osciloscopio se obtuvo del pulso de Q-switch.
realizar la modificaciones, la tensión de reposo a la Además se utilizó una lente divergente (30 mm) para

5
iluminar uniformemente la superficie del sensor.11 y en el segundo de 180 ns. Al tener en cuenta la am-
plificación del FEMTO, podemos ver como este se
encuentra mejor blindado a campos electromagnéti-
cos externos que puedan modificar la señal a la salida
en comparación al TIA implementado.

4. Conclusiones/Mejoras
Se diseñó, simuló e implementó un amplificador de
Figura 11: Banco de medición utilizado para la res- transimpedancia que mejora los efectos producidos
puesta a un pulso. por la capacidad de entrada. Por medio de las imple-
mentaciones hechas se logró conseguir mejoras que
Una vez realizadas las mediciones estas se proce- acercaron su funcionamiento al deseado, la presencia
saron con MATLAB. En la figura 12 podemos ver la de una primera etapa en base común contribuyó a
FFT de las mediciones realizadas con el circuito am- contener la gran pérdida de ancho de banda que se
plificador después de su segunda modificación y con producirı́a al contar solo con el amplificador operacio-
el FEMTO. Se muestra en lı́nea punteada el conteni- nal. No obstante, estas mejoras no fueron suficientes
do armónico del pulso del láser (modelizado como un para lograr los requisitos preliminares. Si bien se de-
pulso gaussiano) para mostrar que el factor limitante cidió priorizar el obtener un mayor ancho de banda,
en la medición son los amplificadores y no la señal aun descuidando el valor de amplificación, hubo limi-
utilizada. Al ser ambas mediciones realizadas con la taciones en el diseño que no permitieron obtener el
misma señal de excitación y conociendo la amplifica- valor mı́nimo en el mejor de los casos. Estas limita-
ción de FEMTO, podemos decir que la amplificación ciones se debieron a distintas falencias al detectar po-
del circuito es de 126,63 V/A. sibles inconvenientes a futuro que en un principio no
fueron tenidos en cuenta, como la elección de transis-
tores que no eran los más convenientes para la tarea,
limitaciones en la polarización del circuito, la elección
de una tensión de alimentación que pudo resultar es-
casa para alcanzar los niveles requeridos. No obstante
todas estas falencias pueden ser altamente reducidas
a partir de diversas mejoras en el diseño, estas mejo-
ras permitirı́an conseguir un resultado más acorde al
esperado. Una de las principales serı́a el agregar una
nueva etapa con un operacional en configuración in-
versora y a su vez reduciendo la amplificación del res-
to de las etapas. Es decir tener más etapas con menor
Figura 12: FFT de la señal de salida del amplificador. amplificación, aumentando el ancho de banda. Otro
agregado podrı́a ser el de una fuente de corriente en el
Al repetir la experiencia pero con el sensor cu- colector del base común, esto puede llegar a mejorar
bierto, se pudo observar la presencia de una señal la respuesta de la primera etapa y del circuito en ge-
en la salida de ambos dispositivos amplificadores. La neral. El conexionado de un divisor resistivo variable
señal observada se debe al funcionamiento del láser en la entrada no inversora del operacional, permitirı́a
Continuum Minilite, el cual genera un campo elec- ajustar correctamente la polarización del circuito y
tromagnético que induce dicha señal. La señal in- asegurarı́a el correcto funcionamiento de esta etapa,
ducida mostró una forma periódica con amplitud de lo cual pudo haber sido un limitante en el ancho de
42, 4mV ±0, 2mV en el FEMTO y de 0, 4mV ±0, 2mV banda del circuito. A todas estas mejoras pueden su-
en el TIA, en el primer caso una duración de 140 ns marse ajustes más finos como contar exclusivamente
11 El fragmento, la configuración del banco de medición y la
con componentes de montaje superficial, disminuyen-
figura 11 fueron tomadas de “Modeling thin-film piezoelectric
do los efectos inductivos y/o capacitivos provocados
polymer ultrasonic sensors” de González, P.A. Sorichetti, and por el montaje de componentes adaptados, un diseño
G.D. Santiago, del circuito impreso más eficiente que logre un mayor

6
apartado entre entrada y salida, y un apropiado ga-
binete que aı́sle al circuito de efectos producidos por
el entorno.
En conclusión, se consiguió un amplificador de tran-
simpedancia que mejora los efectos producidos por
la entrada, que si bien no cumple con las especifi-
caciones esperadas, servirá como base para futuras
modificaciones que logren reducir aún más estos efec-
tos. Para lograrlo será menester recurrir a las mejoras
señaladas u otras producto de una investigación de
mayor profundidad, que complementen lo analizado
en el presente trabajo.

Referencias
1. G. Gautschi, “Piezoelectric Sensorics” Springer-
Verlag Berlin Heidelberg (2002).

2. Pallás Areny, “Sensores y acondicionadores de


señal”, 4ta edición (2005).
3. “Interfacing Piezo Film to Electronics”. Measu-
rement Specialties. March 2006. Retrieved De-
cember 2, 2007. (Aplication note)
4. E. Sackinger, “Broadband Circuits for Optical
Fiber Communication”, John Wiley & Sons,
(2005).
5. D. Neamen “Electronic Circuits Analysis and
Design”, 2da edición.
6. M.G. González, P.A. Sorichetti, and G.D. San-
tiago, “Modeling thin-film piezoelectric polymer
ultrasonic sensors”, Review of Scientific Instru-
ments 85, 115005 (2014).

7. H.G. Arrigo, “Optimización de sistemas de de-


tección de señales ópticas para alta potencia y
alta velocidad”, Universidad de Buenos Aires -
Facultad de Ingenierı́a, Tesis de grado - Inge-
nierı́a Electrónica (2011).

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