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E.T.S.I. Telecomunicación.

Dpto. Tecnología Electrónica Junio - 2009


Examen Ordinario Electrónica Analógica
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PARTE 1.
B
a) En el circuito de la figura 1, Rd vale 1kΩ y R5 = 10Ω. Calcular el valor que
debe tener R3 para obtener el siguiente valor de ganancia

Av = vo/vi = -20

vo

T1 y T2 conforman un amplificador diferencial, de entrada


asimétrica y salida asimétrica, con una segunda etapa de
salida, conformada por el transistor T6, que está
configurado como SEGUIDOR DE EMISOR o colector
común (ganancia de tensión igual o muy próxima a 1), por
tanto se puede aproximar vc1 ≈ vo

T5 y T4 conforman una fuente de corriente del tipo Widlar.


Considerando que la impedancia de dicha fuente de
corriente es bastante elevada, se puede aproximar que la
ganancia en modo común tiende a cero, por tanto solo se
va a analizar el circuito para ganancia en modo
diferencial.

Para calcular la ganancia diferencial de la etapa diferencial se aplica el teorema de Barttlet.

La salida de la etapa diferencial “ve” la Base de T6.


Se supone que la impedancia de entrada, “vista”
desde T6, es muy alta (del orden de (β+1)Re. Así,
pues, se puede aproximar que:

Rd // [( rπ6+ ([β+1]Re)] ≈ Rd

Se está considerando que R1 y R2 contribuyen a una correcta polarización de los transistores, acorde con los
valores de las tensiones de polarización, de la misma forma que se supone que C1 es lo suficientemente grande o
bien que se está aplicando frecuencias medias.

La ganancia diferencial (Ad) del amplificador se determina a partir de las siguientes expresiones:

Vo’ = - Rd — β ib | - β Rd
|  vo’ = ---------- vi
ib = (vi/2) / rπ | 2 rπ

Se puede expresar la ganancia en función de Ic, que es el único dato no conocido.


-β— Rd |
Ad = ---------- = -20 |
2 rπ |  Ic = 1mA
|
rπ = 0,025β/Ic |

Obsérvese que Rb (combinada paralelo de R1 y R2) no interviene en las expresiones relativas al cálculo de
ganancia diferencial. Se está considerando v2 = 0 (señal de entrada en la base de T2). La corriente de colector en
los transistores T1 y T2 está determinada por Ix, por tanto tampoco es necesario conocer el valor de la tensión de
alimentación Vcc.

Con los datos obtenidos, Ix se aproxima al doble de Ic (dado que β es alta, se consideran corrientes de emisor
iguales a corrientes de colector).

Ix = 2mA. El siguiente paso, una vez que conocemos Ix, es


calcular el valor de Ia aconsejable para el espejo Widlar que conforman T5
y T4.

Ix e (VBE − R 5 Ix ) / VT
=  Ix—R5 = VT ln ( Ia/Ix)
Ia eVBE / VT

Teniendo en cuenta que Ix = 2mA, R5 = 10Ω y que VT = 25mv,


queda un valor de Ia = 4,45mA
Vz - VBE
Ia = ------------ = 4,45mA
R3
Según el enunciado, Vz vale 5,1v y VBE 0,6v. Por tanto:

R3 = 4,5v / 4,45mA  R3 ≈ 1kΩ


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PARTE 2.

a) El circuito de la figura 2 representa una puerta lógica. De los valores que se


muestran a continuación, razonar cuál se aproxima más al consumo de dicha
puerta cuando las dos entradas se conectan a cero voltios, y cuál se corresponde
con el consumo medido al dejar las dos entradas “al aire” o a nivel alto. (Vcc = 5v).

1.- 7mA; 2,- 30mA; 3.- 52mA; 4.- 2mA; 5.- 14mA

Salidas a nivel bajo  Entradas también a nivel bajo.

En el circuito circulan las corrientes que se reflejan en la


figura.

(5v-[VBE + VIL])/4k
(5v- [VCEsat+Vd+VBE])/0.130k
(5v - VCEsat) / 1k6

La suma de estas corrientes da un valor en torno a 30mA.

Solución 2 – 30 mA

Salidas a nivel alto  Entradas a nivel alto.

La corriente predominante es la que se marca en verde. (La


unión Base-Colector de Q1 se comporta como un diodo que polariza la
base de Q2)

(5v-VCEsat) / (1k6+1k) que es del orden de 2mA.

Solución 4 – 2mA

b) Siguiendo con el circuito de la figura 2, razonar cuáles de los siguientes


valores se pueden corresponder con los parámetros que se indican. (Se indican
valores absolutos; no se consideran los signos)

1.- 40 nA; 2.- 1 mA;

IIH = Corriente de entrada a nivel alto: Si una entrada está a nível alto, circulará la corriente inversa del emisor
correspondiente del transistor Q1. Normalmente es un valor muy bajo, del orden de nanoamperios.

IIH = 40 nA
IIL = Corriente de entrada a nivel bajo: Si la entrada está a nivel bajo, circula la corriente de emisor del transistor Q1.
Suponiendo que la entrada esté a 0,2 voltios, por ejemplo, la corriente de base de Q1 será: (recordar que la
corriente de emisor es IE = IB + IC y que en este caso, IB predomina sobre IC).

IB=(5-Vbe-0,2) / 4k ≈ 1mA

IIL = 1 mA

c) En el circuito de la figura 3c, considerar los siguientes parámetros:


Vcc = 10v; R1 = 40kΩ; R2 = 10kΩ; R3 = 2kΩ; R4 = 1kΩ.
Calcular los valores mínimos de C1, C2 y C3, de forma que el circuito amplifique
correctamente señales de frecuencia superior a 1kHz.

Cálculo del punto de polarización (necesario para obtener la impedancia de base el modelo
en π.
VBB = Vcc — R2 / (R1+R2) = 2v
RBB= R1 // R2 = 8kΩ
IE = (VBB – VBE) / (R4 + [RBB/(1+β))]) ≈ 1,3 mA; Ic ≈ IE ; VCE ≈ Vcc – Ic (R3+R4) = 6,1v
rπ = β — 0,025 / Ic  rπ ≈ 3k85Ω

Impedancia de entrada: Zi = R1//R2// rπ = 2k6Ω


Impedancia de salida: Zo = R3 = 2kΩ
Impedancia de emisor: Ze = R4 // (rπ/[1+β]) = 1kΩ // 19,15Ω ≈ 19Ω

C1 > (2π— 103 Zi)-1  C1min = 0,06µF


C2 > (2π— 103 Zo)-1  C2min = 0,08µF
C3 > (2π— 103 Ze)-1  C3min = 8,38µF
PARTE 3.

Se pretende implementar un circuito que amplifique las señal proporcionada por


el generador de la figura 3a usando alguno de los amplificadores que se
muestran en las figuras 3b, 3c o 3d.

El generador proporciona una señal


senoidal Vg de amplitud variable y
presenta una impedancia Rg igual a
quinientos ohmios. La resistencia RL tiene
un valor de 2kΩ.

Para cada una de las opciones (3b, 3c y 3d), calcular la amplitud máxima de Vg
(expresada en milivoltios), tal que Vo conserve la misma forma de onda que Vi
(no se produzca distorsión).
Considerar los siguientes valores para los tres circuitos:
Vcc = 12v; R1 = 90kΩ; R2 = 10kΩ; R3 = 2kΩ; R4 = 500Ω.
Realizar los cálculos suponiendo que para las frecuencias usadas los condensadores no
presentan impedancias significativas.

CIRCUITO 3.b.
Punto de polarización:
VBB = Vcc — R1 / (R1+R2) = 1,2v
RBB = R1 // R2 = 9kΩ
IE = (VBB – VBE) / (R4 + (RBB/[1+β])) ≈ 1,1mA;
IC ≈ IE  IC = 1,1mA; rπ = β — 0,025v / Ic  rπ = 4k5 Ω
VCE ≈ Vcc – IC(R3+R4)  VCE = 9,25v
Vc = Vcc – ICR3 = 9,8v  Máxima amplitud de salida: 2,2v (= Vcc – Vc)
Impedancia de entrada:
Z’ = rπ + R4(1+β) = 105kΩ
Zin = RBB // Z’  Zin ≈ 9kΩ
Ganancia
vo = -β (R3//RL) ib R3//RL= 1k
ib = Vi / Z’ vo = - [200 — 1 / 105] vi  vo = - 1,9 vi
vi = Vg — Zi / (Zi + Rg) vi = 0’95 Vg  vo = -1,8 Vg

|Vo|MAX = 2,2v = 1,8 — |VgMAX|

La ganancia del amplificador determina un valor máximo de Vg de1,2v (1200 mv)


(las variaciones de vi son de 1,2 x 0,95 = 1,14v)
CIRCUITO 3.c
El punto de polarización coincide con el del ejercicio anterior.
Máxima amplitud de salida: 2,2v
Impedancia de entrada: Zin = RBB // rπ  Zin = 3kΩ
Ganancia:
vo = -β (R3//RL) ib |
ib = vi / rπ |  vo = -[(200 — 1) / 4,5] vi  vo = -44,4 vi
vi = Vg — Zi / (Zi + Rg) |
vi = 0’86 Vg  vo = -38,2 Vg

|Vo|MAX = 2,2v = 38,2— |VgMAX|

La ganancia del amplificador determina un valor máximo de Vg de 57,6 mv

CIRCUITO 3.d
Punto de polarización.
VG = 1,2v; RS = VG – IDR4;

 (1,2 − 0,5 I D ) 
2

I D = 41 −   ID = 2,96mA
 −2 
VDS = Vcc – ID(R3+R4) = 4,6v
VGS = 1,2 – (0,5k— 2,96) = -0,28v (se cumplen los requisitos de zona de saturación).

Amplitud máxima de salida, determinada por el punto de polarización: R3— ID = 5,92v


ID = 2,96mA  gm = 3,44 mA/v

Impedancia de entrada: Zi = R1//R2 ) = 9kΩ;

Ganancia:
vo = -gm (R3//RL) vi R3//RL = 1k  vo = -3.44 vi
vi = Vg — Zin / (Zin + Rg) ≈ 0,95Vg vo = - 3,27 Vg
5.92v > -3,27 Vg  |Vg| < 1,8v

Condición vDS > vGS – Vp  vDS = VDS + vO = 4,6v – 3,27 Vg ; vGS = VGS + vi = -0,28 + 0,95 Vg ; -Vp = 2v

4,6 – 3,27 Vg > -0,28 + 0,95 Vg +2  VgMAX = 682 mv (valor más restrictivo)

Condición |vGS| < |Vp|  0,28 + 0,95Vg = 2  Vg < 1.8V

Solución: Vg no debe superar los 682 mv para que el transistor permanezca en zona de amplificación.

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