1

Caracterización de Hornos de LPCVD

 
Abstracto—El presente reporte hace mención a la
caracterización que se realiza a Hornos para LPCVD en el
LIMEMES del Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y
Electrónica. Se presentan los avances obtenidos de los
experimentos. También las mediciones que se han realizado con el
Elipsómetro y el Microscopio Electrónica de Barrido. Las
proporciones de los gases también sea han anotado en tablas para
realizar proporciones estos con respecto al tiempo de proceso.
I. INTRODUCCIÓN
E L LPCVD (por sus siglas en inglés Low Pressure Chemical
Vapor Deposition), es un método utilizado ampliamente en
la industria de los semiconductores con el objetivo de eliminar
los contaminantes y obtener Obleas con una pureza alta. La
deposición crea una capa del material deseado (Por ejemplo,
SiH4, Silano). Este proceso es realizado en cuartos limpios
“cleanrooms” evitando de esta manera que agentes
contaminantes se depositen en las obleas o en los utensilios
usados para manipularlas, así como en los hornos de LPCVD.
El tiempo de proceso está en función de la máxima presión que
se pueda obtener, de las proporciones de los gases y de la
temperatura. Como hablamos de una técnica Low Pressure se
debe realizar un vació en los hornos, para esto se usan bombas
llamadas “Roots” junto con una bomba mecánica para crear
mayor vacío. Para obtener resultados homogéneos es necesario
en todo el proceso mantener la presión, la temperatura y las
proporciones de gases constantes.
En segundo lugar, las especies gaseosas deben
absorber en la superficie de la oblea.
 En tercer lugar, la heterogénea, La reacción superficial
produce productos de reacción.
 Finalmente, los reactivos gaseosos necesitan ser
eliminados desde la superficie.
El proceso LPCVD tiene un tubo de cuarzo colocado en un
calentador en espiral que comienza con la presión del tubo a
muy baja alrededor de 0,1 Pascales. El tubo se calienta entonces
a la temperatura deseada y el gas de trabajo se inserta en el tubo
a la presión predeterminada entre 10-1000 Pascales.
Este gas de trabajo consiste en gas de dilución y el gas reactivo
que reaccionará con el sustrato y crear un material en fase sólida
sobre el sustrato. Después de que el gas de trabajo entra en el
tubo se extiende alrededor de los sustratos calientes que ya están
en el tubo a la misma temperatura. La temperatura del sustrato
es extremadamente importante e influye en las reacciones que
tienen lugar. El gas de trabajo reacciona con los sustratos y
forma el material en fase sólida y el exceso de material se
bombea fuera del tubo
III. EXPERIMENTOS
Se llevaron a cabo varios experimentos en los cuales se puede
decir que fue a prueba y error ya que uno mejoraba al otro de
tal manera que en los siguientes apartados se mostraran los
resultados de dicho experimento.

II. MARCO TEÓRICO

Para este experimento se usó nitrógeno, silano y amoniaco de
manera que de silano se usó 200sccm, de amoniaco se usó
LPCVD es un proceso utilizado en la fabricación de la 50sccm, de forma que el horno internamente se encuentre
deposición de películas delgadas en semiconductores. Por lo trabajando a 820 grados celsius y con una presión de 420
general van desde unos pocos nanómetros a muchos militors para lo cual se le da una espera de 60 min para que
micrómetros. LPCVD se utiliza para depositar una gama de haiga algún resultado y asi obtener los resultados esperados.
posibles composiciones de película con buena cobertura de
pasos conformes. Estas películas incluyen variedad de
materiales incluyendo polisilicio para contactos de puerta,
óxidos gruesos utilizados para aislamiento, dopados óxidos
para planarización global, nitruros y otros dieléctricos.

LPCVD es similar a otros tipos de CVD en el sentido de que

es un proceso en el que una especie gaseosa reacciona sobre una
superficie sólida u oblea y la reacción que se produce un
material en fase sólida. Cada uno de los procesos CVD tiene los
mismos cuatro pasos que deben suceder.

 Primero, las especies gaseosas que reaccionan deben

ser transportadas a la superficie.

Imagen 1.1 Muestra el estado del horno, el cual se encuentra
trabajando a 820 grados celsius.
Imagen 1.2 Muestra las obleas que fueron introducidas en el
horno de manera que están sujetas a un porta-obleas.
Imagen 1.3 Para más claridad la posición de cada de oblea de
interés fue de la siguiente manera: de adelante hacia atrás la
1ra oblea es la numero 16 y detrás ella la numero 15.
2
Imagen 1.4 de igual manera de adelante hacia atrás las obleas
de interés son la 20 y 18 de manera que la 1ra es la numero 20
y detrás ella la numero 18.
De forma que para llegar a este tipo de resultados hay que
tener bien controlada la temperatura al igual que los gases que
van a ser introducidos en el tubo, asi como el tiempo de espera
para dicho proceso.
Igualmente se llevó a cabo con la ayuda de un SEM o
microscopio de barrido electrónico un barrido de electrones, la
finalidad de llevar a cabo esto es saber la concentración de cada
componente introducido en el proceso del LPCVD de forma
que se trazaron ciertos puntos los cuales nos ayudan a conocer
dónde es que se va a realizar la medición
Grafica 1.1 Muestra los niveles de concentración de cada
elemento (nitrógeno, oxigeno, silicio, carbón) de manera que en
esta grafica podemos apreciar que hay mayo nitrógeno que
silicio de forma que se puede decir que es algo adecuado.
IV. RESULTADOS
Se llevó a cabo un cotejo de los espesores, índices de refracción
asi como el porcentaje de error del espesor en base al espesor
deseado. De tal forma que se elaboró una tabla para cada oblea
en la cual se reflejan dichos datos asi como un mapa de los
puntos en donde se tomaron las mediciones.
 3

Oblea 16
Oblea 15 Medida Eje "x" Eje "y" 1T 1N F. Error
Medida Eje "x" Eje "y" 1T 1N F. Error A 10 0 1009.6 1.999 0.088
A 0 0 543.1 1.997 0.615 B 10 10 1025.7 " 0.115
B 0 -10 526.65 " 0.526 C 10 20 1090.1 1.998 0.085
C 0 -20 530.7 1.998 0.567 D 10 30 1354.4 1.974 0.091
D 0 -30 547.45 " 0.55 E 10 -10 1015.6 1.999 0.137
E 0 -40 571.46 2.001 0.603 F 10 -20 1035.6 " 0.126
F 10 -20 544.06 1.999 0.623 G 10 -30 1069.01 1.998 0.091
G 20 " 573.49 2.001 0.582 H 20 0 1026.5 2 0.115
I 30 0 1070.9 1.999 0.101
H 30 " 638.89 " 0.715
J 35 0 1110.01 1.997 0.076
I -10 " 531.53 1.998 0.512
K -10 0 1013.7 1.999 0.124
J -20 " 547.61 1.999 0.636 L -15 0 1045.6 2 0.111
K -30 " 596.34 " 0.616 M -20 0 1082.3 " 0.091
Tabla 1.1 Refleja los datos obtenidos de la oblea 15 haciendo
uso del elipsometro con el cual se están obteniendo 11 Tabla 1.2 Refleja los datos obtenidos de la oblea 16 haciendo
coordenadas. uso del elipsometro con el cual se están obteniendo 13
coordenadas.

Imagen 2.2 Se es mostrado un mapa el cual refleja los puntos

Imagen 2.1 Se es mostrado un mapa que refleja los puntos
cartesianos donde fueron tomados los datos de la tabla
cartesianos donde fueron tomadas las medidas de la tabla
anteriormente mostrada (Tabla 1.2).
anteriormente mostrada (Tabla 1.1).
 4

Oblea 18 Oblea 20
Medida Eje "x" Eje "y" 1T 1N F. Error Medida Eje "x" Eje "y" 1T 1N F. Error
A 0 0 574.16 2 0.513 A -30 0 1489 1.987 0.067
B 0 10 582.71 1.999 0.466
B -20 0 1377.1 1.991 0.055
C 0 20 598.63 2.001 0.513
D 0 30 622.35 2.002 0.48
C -10 0 1311.1 1.997 0.046
E 0 -10 575.24 1.999 0.503 D 0 0 1250.6 2.001 0.041
F 0 -20 593.56 1.996 0.523 E 10 0 1194.2 2.002 0.038
G 0 -30 672.11 1.998 0.483 F 20 -5 1228.1 2.004 0.043
H 10 0 579.8 " 0.424 G 30 -5 1148.8 2.003 0.06
I 20 0 597.66 2 0.486 H 40 -5 1046.5 2.001 0.084
J 30 0 633.61 1.999 0.464
K -10 0 580.01 " 0.451 Tabla 1.4 Refleja los datos obtenidos de la oblea 18 haciendo
uso del elipsometro con el cual se están obteniendo 8
L -20 0 602.58 " 0.457 coordenadas.
M -30 0 674.41 " 0.441
Tabla 1.3 Refleja los datos obtenidos de la oblea 18 haciendo
uso del elipsometro con el cual se están obteniendo 13
coordenadas.

Imagen 2.4 Se es mostrado un mapa el cual refleja los puntos

cartesianos donde fueron tomados los datos de la tabla
anteriormente mostrada (Tabla 1.4).
Imagen 2.3 Se es mostrado un mapa el cual refleja los puntos
cartesianos donde fueron tomados los datos de la tabla
anteriormente mostrada (Tabla 1.3).
 5

V. CONCLUSIONES

El LPCVD sólo puede realizarse a altas temperaturas, reduce la

velocidad de la reacción permitiendo un mayor control sobre el
espesor de la película y reduciendo las variaciones del espesor.
También mejora la pureza de la película y su estructura interna.
La sencillez del proceso permite el procesamiento de grandes
tamaños de lotes de obleas de manera que una vez teniendo en
cuenta el proceso adecuado para este tipo de películas los
resultados que se tendrán podrán ser los esperados.

VI. REFERENCIAS

 http://www.ece.umd.edu/class/enee416/GroupActiviti
es/LPCVD-PECVD.pdf
 http://www.cnf.cornell.edu/cnf_process_tf_cvd.html
 http://lnf-
wiki.eecs.umich.edu/wiki/Low_pressure_chemical_v
apor_deposition
 http://www.tandar.cnea.gov.ar/eventos/Nano2010/Fa
sciszewski.pdf