UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA I

FECHA: 17/10/2017

CARACTERÍSTICAS TRANSITORIAS DE LOS DIODOS

Informe Práctica 1
Grupo 1

Miércoles 7:00-9:00

Jiménez René
rjimenezm@est.ups.edu.ec
Ñacata Alex
añacata@est.ups.edu.ec
Rodriguez Jaime
jrodriguezf1@est.ups.edu.ec
Chile Andrés
achile@est.ups.edu.ec

RESUMEN: La práctica realizada consistió en Uno de los dispositivos más

el análisis de comportamiento de diodos. Al
momento de polarizarlos directamente se
importantes de los circuitos de
comportan como un switch ideal. Pero lo potencia son los diodos, aunque
interesante de su comportamiento es lo que tienen, entre otras, las siguientes
sucede cuando pasan de este estado al de no
conducción, ya que se va a producir un efecto
limitaciones: son dispositivos
conocido como recuperación inversa. unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido
PALABRAS CLAVE: Diodo, Schottky, Fred, contrario al de conducción. El único
polarización, recuperación inversa.
procedimiento de control es invertir
el voltaje entre ánodo y cátodo.
1. OBJETIVOS Los diodos de potencia se
1.1. Objetivo General caracterizan porque en estado de
 Analizar el comportamiento conducción, deben ser capaces de
transitorio de diferentes tipos soportar una alta intensidad con una
de diodos y compara su pequeña caída de tensión. En
comportamiento bajo las sentido inverso, deben ser capaces
mismas situaciones de de soportar una fuerte tensión
trabajo. negativa de ánodo con una pequeña
1.2. Objetivos Específicos intensidad de fugas.
 Conocer de forma práctica
como medir el tiempo de
recuperación, tiempo de
almacenamiento y tiempo de
caída de cada diodo usado.

 Saber cómo determinar e

interpretar de forma teórica
los resultados que arrojan
estos elementos, y la forma
en que afectan al circuito.
2. MARCO TEÓRICO
2.1. Diodo de potencia

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Fig1.Curva caracteristica del Diodo de

potencia 3. MATERIALES

Los diodos tienen la misma función, que

es rectificar una señal alterna. En lo que
varían es en la capacidad de corriente y
A continuación, vamos a ir viendo las el tiempo de switcheo, ya que algunos
características más importantes del realizarán esta acción más rápidamente
diodo, las cuales podemos agrupar de la que otros.
siguiente forma:
 Características estáticas: 3.1 Diodo 1N4007
o Parámetros en bloqueo Este diodo es de uso convencional, lo
(polarización inversa). que implica que su tiempo de
o Parámetros en recuperación inversa es muy bajo, por lo
conducción. tanto, su switcheo también lo es. Según
o Modelo estático. las hojas de datos de este elemento
 Características dinámicas: presenta las siguientes características.
o Tiempo de recuperación Frecuencia de trabajo: 60 Hz.
inverso (trr).
o Influencia del trr en la
conmutación.
o Tiempo de recuperación
directo.
 Potencias:
o Potencia máxima Fig2. Diodo 1n4007
disipable.
o Potencia media disipada. 3.2 Diodo 1N4148
o Potencia inversa de pico Su velocidad de switcheo es mucho más
repetitivo. rápida que el anterior, a continuación
o Potencia inversa de pico sus datos.
no repetitivo. Tiempo de recuperación: 4 ns.
 Características térmicas.
 Protección contra
sobreintensidades.
2.2 Recuperacion inversa del
diodo

El tiempo de recuperación inversa en un

diodo se la puede expresar como el
periodo desde que la corriente pasa por
cero, cuando se produce la transición
del estado de conducción al estado de
no conducción, hasta cuando la dicha
corriente en sentido inverso ha bajado
hasta el 25% de su valor pico Irr. Se
pueden determinar algunas fórmulas
importantes en este comportamiento del
diodo.
trr = ta + tb
Fig3. Diodo 1n4148
3.3 Diodo Schottky
Este diodo tiene un tiempo de
recuperación aún más rápida, lo que
implica que trabaja a frecuencias más
altas.
Frecuencia de trabajo: 300 Mhz.

2Qrr
Irr =
trr
Dónde: Qrr: Carga de recuperación
inversa.
Fig4. Diodo Schottky

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3.4 Diodo Fred 6. CONCLUSIONES

Su tiempo de recuperación es de 50 ns.

 El diodo 1N4148 fue diseñado

para señales, por ello es que
su tiempo de respuesta es de
538 ns. Se usa para rectificar
pequeñas señales, pero de
mayores frecuencias. De
Fig5. Diodo Fred manera que puede usarse
como rectificador o "detector"
4. DESARROLLO en aparatos de radio. El diodo
más lento fue el 1N4007 ya
Se va a analizar el comportamiento que es más utilizado para
de cada uno de los diodos, protección. Por ello es más
sometiéndolos a condiciones robusto que los anteriores.
similares de trabajo. Dependiendo (René Jiménez).
del elemento que se va a usar la  Según el tipo de diodo que se
velocidad de conmutación va a ir esté ultizando el tiempo de
variando, al igual que el tiempo de recuperación va a variar, por
recuperación inversa. la tanto, al momento de usar
uno de estos diodos en algún
Los resultados mostrados a circuito se debe tomar en
continuación son valores cuenta la frecuencia de
experimentales de cada diodo trabajo. (Jaime Rodriguez).
usado. Cabe mencionar que los
 Como en cualqier diodo, en
datos mostrados no son propios de
los de potencia va a existir
este grupo de trabajo sino que esta
una caida de potencial. Pero
información fue proporcionada por
debido a que es insignificante
otro grupo.
en comparación al voltaje que
se usa se la puede
Tbla1. Tiempos de recuperación
despreciar. (Alex Ñacata).
de cada diodo.
 Teniendo en consideración
𝑡𝑎 𝑡𝑏 𝑇𝑟𝑟 𝐼𝑟𝑟 que el diodo Schottky está
1N4007 6,3 us 2,1 us 9 us 1.5 A constituido por la unión de
1N4148 15 us 17 us 34 us 1.94 A metal-semiconductor, esto
Schottky 15 us 15 us 33 us 1.95 A permite una alta velocidad de
Fred 15 us 14 us 31 us 950 us
conmutación con lo cual
permite rectificar señales de
5. ANÁLISIS Y RESULTADOS
alta frecuencia. Esto lo
Como se puede apreciar en la observamos en la práctica al
tabla1, los tiempos de recuperación ir variando la frecuencia de la
va a ir variando dependiendo el señal de reloj hasta
diodo que se utilice. Por lo que para aproximadamente 4Khz y con
mayor capacidad de tiempo de los datos registrados en la
recuperación tambien se va a ir Tabla vemos mas claramente
aumentando la frecuencia de trabajo como el tiempo de
en el circuito utilizado. recuperación inversa (trr) del
diodo Schottky es mayor al

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diodo 1N4007 y al diodo Fred.

(Chile Andrés)

7. REFERENCIAS

[1] Muhammad. R, Electrónica de

Potencia, Diodos semiconductores
de potencia y circuitos, pag: 55-58,
Editorial Pearson.

[2] Data sheet de cada uno de los

elementos utilizados en la práctica.