Fevereiro de 2016

Guia 3
Transistorores Bipolares e Suas Fun ionalidades

Laboratório de Dispositivos Eletrni os

Departamento de Engenharia Elétri a
Centro de Engenharia Elétri a e Informáti a
Universidade Federal de Campina Grande

Prof. Gutemberg Gonçalves dos Santos Júnior

 2

1 Introdução Teóri a

O segundo dispositivo eletrni o a ser introduzido no presente urso é o transistor bipolar de junção (TBJ),
sendo este o primeiro dispositivo om mais de 2 terminais que estudaremos. Veremos, neste primeiro momento,
omo polarizar o transistor em suas 3 regiões de operação: ativa (ou linear), orte e saturação.

1.1 Transistor Bipolar de Junção - TBJ

O transistor bipolar onsiste em duas junções PN onstruídas de um modo espe ial e one tadas em série, fa e
a fa e. A ondução de orrente se dá por elétrons e la unas, daí o termo bipolar.
O transistor bipolar pode ser visto omo um dispositivo em que a tensão (também orrente) sobre dois terminais
ontrola a orrente em um ter eiro terminal. Este prin ípio pode ser utilizado para onstruir ampli adores.
Também é possível fazer variar a orrente entre zero [ orte℄ e um valor de saturação, levando o transistor a
trabalhar omo have, que é a base dos ir uitos digitais.
O transistor possui três terminais, denominados Base, Emissor e Coletor. O transistor onsiste em duas junções
PN, a Junção Emissor-Base (JEB ) e a Junção Base-Coletor (JBC ). Para operar na Região Ativa ( omo ampli ador)
a JEB deve está direta e a JBC reversa. Na Região de Saturação, ambas as junções estão diretas. Na Região
de Corte, ambas estão reversas. As apli ações de haveamento utilizam ambos os modos de orte e saturação.
A Figura 1 mostra a simbologia utilizada para Transistores Bipolares.

NPN PNP

Figura 1: Simbologia do transistor bipolar

1.2 Identi ação de Terminais em Transistores Bipolares

O transistor bipolar é sem dúvida, um dispositivo muito usado omo elemento ativo nos modernos ir uitos
eletrni os. Portanto, quem omeça a trabalhar om transistores, veri a imediatamente a grande variedade
de mar as e pro edên ias que impli a na existên ia de uma innidade de tipos de en apsulamentos, função de
diferentes te nologias empregadas na sua fabri ação. Surge daí, a ne essidade de um onhe imento geral dos
ódigos de identi ação de omponentes bem omo a denição de métodos rápidos e práti os para a determinação
dos três terminais en ontrados em um transistor bipolar.
A identi ação de terminais em um transistor é efetuada por três métodos des ritos a seguir.

1.2.1 Método 1 - Utilizando as Cara terísti as do En apsulamento

• Se os três terminais estiverem dispostos em linha, o do entro orresponde à base. Frequentemente a base se
lo aliza mais próxima do emissor que do oletor (ver Figura 2);
• Em transistores de baixa freqüên ia om terminais em disposição triangular, pode-se seguir a partir de um
pequeno ressalto do en apsulamento ou do maior dos lados do triângulo (hipotenusa), a seqüên ia Emissor,
Base, Coletor no sentido horário (ver Figura 3);
• Os transistores podem ainda vir om um en apsulamento hanfrado, onforme ilustrado na Figura 4. Neste
aso, o terminal 1 orresponde ao oletor, o terminal 2 à base e o terminal 3 ao emissor;
 3

• Em transistores de média e alta potên ia, o oletor deve estar one tado à ar aça (quando se trata de
en apsulamento metáli o ou om metalização) (ver Figura 5).

E
B
C

Figura 2: TBJ om terminais organizados em linha

Sentido
horário

E
B
C

Figura 3: TBJ om terminais organizados em triângulo

3
12

Figura 4: TBJ om en apsulamento hanfrado

1.2.2 Método 2 - Baseado em Propriedades Cara terísti as da Construção do Transistor

• Para a determinação da base, alibra-se o ohmímetro na es ala 100R, xa-se um abo do ohmímetro em
um dos terminais do transistor e o outro abo onse utivamente nos outros dois terminais e anota-se para
ada aso se a resistên ia medida foi alta ou baixa. Em seguida, inverte-se a polaridade e repete-se o mesmo
pro edimento. Fixando o abo nos outros terminais repete-se o pro edimento anterior. No aso em que for
obtidas duas leituras de baixas resistên ias aproximadamente iguais em uma polaridade e duas leituras de
resistên ias bastante elevadas em outra polaridade, o terminal xado é a base. Se o abo xado for o positivo
o transistor é PNP, aso ontrário, NPN. O ontrário a onte e para multímetros digitais;
• Sabe-se que a junção base-emissor possui menor área omparada à junção base oletor, logo a junção base-
oletor apresenta resistên ia menor do que base-emissor. Portanto, a identi ação dos terminais depende
apenas da determinação da junção que apresenta menor resistên ia, ou seja, a junção base- oletor.
 4

C
E

B
Vista Inferior

Figura 5: TBJ de média e alta potên ia

1.2.3 Método 3 - Baseado no Transistor Polarizado

1. Identi a-se a base ( alibre 100R) e o tipo de transistor (NPN ou PNP) pelo método des rito anteriormente;
2. Denominam-se os outros terminais de pontos 1 e 2;
3. Colo a-se um resistor de valor situado entre 5kΩ e 10kΩ entre a base e um dos terminais que se quer identi ar;
(a) Com o ohmímetro, polariza-se 1 positivamente e 2 negativamente, veri ando e anotando o valor da
resistên ia média;
(b) Inverte-se a polarização e novamente lê-se a resistên ia.
4. Colo a-se o mesmo resistor entre a base e o terminal que  ou des one tado e repetem-se os itens `a' e `b';
5. Para identi ar o oletor e o emissor, observa-se na posição onde se obteve a menor resistên ia. Se o transistor
é do tipo NPN o oletor se en ontra no ponto de polarização negativa, sendo o outro terminal o emissor, aso
seja PNP, o oletor se en ontra no ponto de polarização positiva. O ontrário a onte e para multímetros
digitais.

1.3 Espe i ações do Transistor

Os transistores de pequenos sinais podem dissipar meio watt ou menos; os transistores de potên ia são apazes
de dissipar mais de meio watt. Quando se observa uma folha de dados (data sheet) de qualquer tipo de transistor,
deve-SE omeçar om as espe i ações máximas porque elas indi am os limites das orrentes, das tensões, das
potên ias, das freqüên ias de operação e de outros parâmetros do transistor. Algumas das espe i ações máximas
en ontradas nos manuais são: VCEO , VCBO , VEBO , IC e PD .
Todas as espe i ações de tensão são tensões reversas de ruptura. A primeira espe i ação é VCEO , que
espe i a a tensão do oletor para o emissor om a base aberta. VCBO é a tensão entre o oletor e a base om o
emissor aberto. VEBO é a tensão do emissor para a base om o oletor aberto. IC é a orrente máxima do oletor.
A última espe i ação é PD , a espe i ação da potên ia máxima do omponente e é dada por PD = VCE × IC .

1.4 Código Pró-Eletron para a Designação de Tipos de Semi ondutores Dis retos
Segundo esse ódigo, o número do tipo bási o é omposto de duas letras, seguidas por um número de série.

1.4.1 Signi ado das Letras

1a Letra Espe i a o material utilizado na onfe ção da parte ativa do semi ondutor (transistor ou diodo).
A → Germânio (Ge);
B → Silí io (Si);
 5

C → Arsenieto de Gálio (GaAs);

D → Outros materiais ompostos.

2a Letra Espe i a a função mais importante à qual se destina o semi ondutor.

A → Diodo de baixo sinal;
B → Diodo de apa itân ia variável;
C → Transistor de baixo sinal, áudio-frequên ia;
D → Transistor de potên ia, áudio-freqüên ia;
E → Diodo Túnel;
F → Transistor de baixo sinal, rádio-frequên ia;
G → Dispositivos múltiplos ou dissimilares, mis elâneos;
H → Diodo sensível a ampos magnéti os;
I → Transistor de potên ia, para rádio-frequên ia;
J → Foto-a oplador;
K → Detetor de radiação (por exemplo, fototransistor);
L → Gerador de radiação (por exemplo, diodo emissor de luz);
M → Dispositivos de ontrole e omutação (por exemplo tiristor) de baixa potên ia;
N → Transistor de baixo sinal, omutação
O → Dispositivo de ontrole e omutação (por exemplo, tiristor) de potên ia;
P → Diodo multipli ador (por exemplo, vara tor);
Q → Diodo reti ador;
R → Diodo de referên ia ou regulador om ter eira letra W supressor de transientes;

1.5 Regiões de Operação de um Transistor Bipolar de Junção

1.5.1 Região de Corte
Considere o ir uito da Figura 6. A ondição de orte o orre quando a orrente no oletor passa a ser IC = 0
devido a junção BASE-EMISSOR (JBE ) e a junção BASE-COLETOR (JBC ) estarem polarizadas reversamente
(VBE ≤ 0 e VBC ≤ 0). Nesta ondição o dispositivo en ontra-se no modo de orte, ou seja, IB = 0, IE = 0, IC = 0
e VC = VCC .
 6

Vcc

RC

RB VC

+
Vin

Figura 6: Cir uito simples usado para ilustrar os modos diferentes de operação do TBJ

1.5.2 Região de Saturação

A ondição de saturação o orre quando a orrente no oletor passa a ser IC < βIB e as duas junções BASE-
EMISSOR (JBE ) e BASE-COLETOR (JBC ) estão polarizadas diretamente (VBE > 0 e VBC > 0). Conse-
quentemente, se Vin for su ientemente o transistor estará na região de saturação e IB = IBSAT , IE = IESAT ,
IC = ICSAT = VRCC
C
e VC = VCESAT ≈ 0.

1.5.3 Região Ativa

Na região ativa, a orrente de oletor vale IC = βIB , a BASE-EMISSOR (JBE ) en ontra-se polarizada direta-
mente e BASE-COLETOR (JBC ) en ontra-se polarizada reversamente (VBE > 0 e VBC ≤ 0).

1.6 Apli ações de Transistores

1.6.1 O Transistor Como Chave
A forma mais simples de se usar um transistor é omo have. Neste aso o transistor opera apenas em duas
regiões: saturação e orte. Quando um transistor está saturado, é omo se houvesse uma have fe hada do oletor
para o emissor. Quando o transistor está no orte, é omo se fosse uma have aberta.
Baseado nessas ara terísti as de operação pode-se onstruir ir uitos de ontrole, ir uitos digitais, et . A
Figura 7 ilustra uma apli ação simples do transistor omo have num ir uito de ontrole de nível de líquido.

1.6.2 O Transistor Como Ampli ador

Para operar omo ampli ador, um transistor deve ser polarizado na região ativa. Essa polarização deve ser
previsível e insensível às variações de temperatura, valores de β , et . Essa exigên ia provém do fato de que a
operação do transistor omo ampli ador é altamente inuen iada pelo valor quies ente da orrente.
A disponibilidade dos modelos de ir uitos do TBJ para pequenos sinais faz da análise dos ir uitos ampli ado-
res om transistores um pro esso sistemáti o. Primeiro, é determinado o ponto de operação DC, ou seja, orrentes
IC , IB , IE e tensões VC , VB e VE , e são al ulados os parâmetros do modelo. Depois, são eliminadas as fontes DC,
o TBJ é substituído por um modelo de ir uito equivalente (modelo π híbrido ou modelo T) e o ir uito resultante
é analisado para determinar os parâmetros desejados, por exemplo, ganho de tensão, resistên ia de entrada, et .
Os modelos de ir uitos equivalentes para o TBJ são ilustrados na Figura 8.
 7

Indicador
de tanque
cheio
12V 1k

NA
Relé
NF 12V

47k
12V 1k
Indicador
de tanque
vazio

Contatos
Metálicos

Figura 7: Exemplo de ir uito de ontrole om transistor

ic
C
ib ic
B C g m v be
+ g m v be ou
vbe rp ib a ie
ou B
- +
b ib
vbe re
ie -
ie
E
E
I b
gm = c rp =
VT gm Ic VT a
gm = re = =
VT Ie gm
(a) Modelo π híbrido
(b) Modelo T

Figura 8: Modelos do TBJ para pequenos sinais

 8

2 Preparação para o experimento

Atenção: Antes de realizar o experimento, o aluno deverá obrigatoriamente responder todas as questões
aqui listadas. Apenas om a omprovação da realização dessa etapa o aluno estará apto para prosseguir om o
experimento.

1. Explique omo um transistor NPN fun iona;

2. Explique omo polarizamos um transistor NPN para operar em ada uma das suas regiões de operação (ativa,
orte e saturação);

3. Explique detalhadamente o fun ionamento do ir uito da Figura 9. Leve em onsideração que o omponente
one tado ao oletor do transistor é hamado Relé. O Relé é um dispositivo eletrome âni o que fe ha um
determinado par de ontatos dependendo da tensão apli ada aos terminais da bobina. Quando não ui or-
rente pela bobina, o terminal entral é ligado ao terminal NF (normalmente fe hado), quando a bobina é
energizada, o terminal entral é ligado ao terminal NA (normalmente aberto).

4. Considere que no ir uito da Figura 9 está havendo o seguinte problema: o LED indi ador de tanque vazio
está a eso onstantemente. Foi testado o Relé, e o mesmo não tem problemas; foram testados os ontatos
metáli os e os resistores, e os mesmos estão fun ionando normalmente. Desta maneira, por eliminação, o
omponente om defeito é o transistor. Qual o seu defeito? E o que seria observado no ohmímetro no mo-
mento do teste do omponente?
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Indicador
de tanque
cheio
12V 1k

NA
Relé
NF 12V

47k
12V 1k
Indicador
de tanque
vazio

Contatos
Metálicos

Figura 9: Cir uito para dete ção do nível de água em um tanque

5. Conhe endo as regiões de operação de um tbj, ilustre 2 ir uitos que implementem as funções lógi as AND
e OR utilizando transistores do tipo NPN.
 10

3 Experimentos

3.1 Experimento 1 - TBJ Operando nas Regiões de Corte e Saturação

Conforme supra itado, o transistor é um dispositivo semi ondutor que possui três regiões de operação: região
ativa, região de orte e região de saturação. Neste primeiro experimento iremos veri ar o omportamento do TBJ
em alguns ir uitos enquanto operando nas regiões de orte e de saturação. Para tanto, siga os passos des ritos a
seguir.

a. Monte o ir uito da Figura 10 onsiderando RB = 470kΩ, RC = 10kΩ e VCC = 5V ;

b. Com Vin = 0V meça, om um voltímetro, as tensões na base, emissor e oletor do transistor. VB =
VC = VE =

. Em qual região o transistor está operando? Comente:

d. Com Vin = 5V meça, om um voltímetro, as tensões na base, emissor e oletor do transistor. VB =

VC = VE =

e. Em qual região o transistor está operando? Comente:

f. Meça os valores de IC e IB . IC = IB =

g. Os valores de IC e IB se rela ionam pela expressão IC = βIB ? Comente:

h. A que função lógi a podemos rela ionar o ir uito da Figura 10? Função Lógi a =
i. Monte o ir uito da Figura 11a;
j. Preen ha a Tabela 1 e identique que função lógi a este ir uito implementa; Função Lógi a
k. Monte o ir uito da Figura 11b;
l. Preen ha a Tabela 2 e identique que função lógi a este ir uito implementa; Função Lógi a
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Vcc

Rc

RB +
Vin Vo

Figura 10: Transistor operando nas regiões de orte e saturação

Vcc
Vcc

Rc
Rc

RB Vo
A Vo
RB RB
A B
RB
B

(b)
(a)

Figura 11: Transistor operando nas regiões de orte e saturação

3.2 Experimento 2 - Transistor Operando na Região Linear

Para este segundo experimento, faça o que se pede:

• Monte o ir uito ilustrado na Figura 12 onsiderando RB = 470kΩ e VCC = 5V ;;

• Varie o poten imetro e observe, a partir das leituras das tensões obtidas om um voltímetro em Vo , o
transistor indo da região de saturação (Vo próximo a VCESAT ) para a região linear (VCESAT < Vo < VCC ) e
vi e-versa.
• Ajuste o poten imetro para que o transistor passe a operar na região linear, ou seja, om uma tensão
Vo = 2, 5V . Es reva a equação da reta de arga para este ir uito e asso ie os valores medidos ao grá o IC
x VCE mostrado na Figura 13;
Equação de Carga:
• Observe as ondições de operação do transistor bipolar na região linear, ou seja, tensão base-emissor direta-
mente polarizada, tensão base- oletor reversamente polarizada e relação IC = βIB satisfeita; IB =
I= β=

• Meça, om um voltímetro, as tensões na base, emissor e oletor do transistor. DetermineVBE e VCE no ponto
de polarização; VBE = VBC =

• Desligue o ir uito, des one te uidadosamente o poten imetro para não alterar o seu valor e meça-o om
um ohmímetro; RC =
 12

V1 (V) V2 (V) Vo (V) V1 (V) V2 (V) Vo (V)

0 0 0 0
0 5 0 5
5 0 5 0
5 5 5 5

Tabela 1: Medições - Figura 11a Tabela 2: Medições - Figura 11b

• Determine a potên ia de dissipação do transistor no ponto de operação quies ente, ou seja, PD = IC × VCE .
PD =

Vcc

RB Rc

Vo

Figura 12: Transistor operando na região linear

Ic Ponto de
Operação
Vcc
Rc
Ib6
Ib5
Ib4
Ic Ib3
Ib2
Ib1

VCE VCC
VCE
Figura 13: Curva Ic × VCE om a reta de arga do ir uito
 13

A Folha de dados para os transistores BC546-BC550

BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 — NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.

Symbol Parameter Value Unit

BC546 80
VCBO Collector-Base Voltage BC547 / BC550 50 V
BC548 / BC549 30
BC546 65
VCEO Collector-Emitter Voltage BC547 / BC550 45 V
BC548 / BC549 30
BC546 / BC547 6
VEBO Emitter-Base Voltage V
BC548 / BC549 / BC550 5
IC Collector Current (DC) 100 mA
PC Collector Power Dissipation 500 mW
TJ Junction Temperature 150 °C
TSTG Storage Temperature Range -65 to +150 °C

Electrical Characteristics
Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.

Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit

ICBO Collector Cut-Off Current VCB = 30 V, IE = 0 15 nA
hFE DC Current Gain VCE = 5 V, IC = 2 mA 110 800
Collector-Emitter Saturation IC = 10 mA, IB = 0.5 mA 90 250
VCE(sat) mV
Voltage IC = 100 mA, IB = 5 mA 250 600
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA 700
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage mV
IC = 100 mA, IB = 5 mA 900
VCE = 5 V, IC = 2 mA 580 660 700
VBE(on) Base-Emitter On Voltage mV
VCE = 5 V, IC = 10 mA 720
VCE = 5 V, IC = 10 mA,
fT Current Gain Bandwidth Product 300 MHz
f = 100 MHz
Cob Output Capacitance VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz 3.5 6.0 pF
Cib Input Capacitance VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1 MHz 9 pF
BC546 / BC547 / BC548 VCE = 5 V, IC = 200 µA, 2.0 10.0
Noise BC549 / BC550 f = 1 kHz, RG = 2 kΩ 1.2 4.0
NF dB
Figure BC549 VCE = 5 V, IC = 200 µA, 1.4 4.0
BC550 RG = 2 kΩ, f = 30 to 15000 MHz 1.4 3.0

hFE Classification
Classification A B C
hFE 110 ~ 220 200 ~ 450 420 ~ 800

© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com

BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 Rev. 1.1.1 2
 14

BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 — NPN Epitaxial Silicon Transistor

Typical Performance Characteristics

100 100

IB = 400µA VCE = 5V

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

80 IB = 350µA
IB = 300µA
10
IB = 250µA
60

IB = 200µA

40 IB = 150µA
1
IB = 100µA
20

IB = 50µA

0 0.1
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

Figure 1. Static Characteristic Figure 2. Transfer Characteristic

VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

10000

VCE = 5V
IC = 10 IB
1000
hFE, DC CURRENT GAIN

1000 VBE(sat)

100

100
10
VCE(sat)

1
1 10 100 1000 10
1 10 100 1000

IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 3. DC Current Gain Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage and

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 1000
fT, CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT

VCE = 5V
f=1MHz
IE = 0
Cob[pF], CAPACITANCE

10 100

1 10

0.1 1
1 10 100 1000 0.1 1 10 100

VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE IC[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 5. Output Capacitance Figure 6. Current Gain Bandwidth Product

© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com

BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 Rev. 1.1.1 3