Importancia

• Materia de vanguardia
Electrónica y • Constantes cambios y avances
Semiconductores • Miniaturización
• La electrónica es la responsable del
avance tecnológico humano de los últimos
tiempos

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Historia Historia

• Antes bulbos de vacío (1920) • 1960, 70% de las aplicaciones

• 1930, Transmisiones de radio implementadas en bulbos de vacío habían
• Descubrimiento (Invención) del transistor por sido reemplazadas por transistores
John Bardeen, Walter Brattain, Williams • El transistor permitió que los diseños
Shockley en 1948 fueran más pequeños, de menor consumo
• 1950, Televisor de potencia, robustos.
• Ganadores del Nobel (Bardeen, Brattain y • 1961 Tiristor GTO
Shockley) en 1956 • 1964 Triac
• 1970, Transistor BJT, 500V, 20A

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Historia Historia

• 1971, Intel libera el procesador 4004 con • 1982, Aparece la familia x86 de Intel,
2300 transistores , 10u, 108kHz 80286 con 134,000 transistores, 6 MHz,
tecnología 1.5u
• Surge el procesador Z80 (Zilog) como uno
de sus más cercanos competidores • 1985 IGT (Transistor de Compuerta
Aislada)
• Se consolida la electrónica como factor de • 1987 MCT (Tiristor Controlado por MOS)
avance tecnológico 1976 BJT, 400v, 400A
• 1990 Telefonía Celular
• Mosfet de Potencia • 1993, Pentium, 3,100,000 transistores,
0.8u, 60MHz

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1
 Historia Tendencias

• 1999, Primeros “Micromachines” (MSM), • Dispositivos óptico-electrónicos

dispositivos híbridos capaces de integrar • Mayor integración
mecanismos, óptica y electrónica. • Dispositivos de mayor potencia y mayor
ancho de banda
• 2001, Pentium IV, 2.0 GHz, >30x10^6 • Mayor Amplificación
transistores, 0.15u
• Televisores de Pantalla plana
• Pantallas de Plasma

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Historia
Simuladores Computacionales
• Generación de Energía Limpia • PSpice Desarrollado en Stanford
• El uso de simuladores permite observar el
• Vehículos Eléctricos comportamiento de los circuitos con variaciones teóricas
en sus parámetros
• Robots Domésticos • Son necesarios porque permiten confirmar la exactitud
• Superconductores de los cálculos sin necesidad de tener circuitos de
prueba
• Útiles en circunstancias peligrosas, análisis del peor
caso, análisis térmico.
• Un simulador permite observar características en
períodos de tiempo pequeños (análisis transitorio)

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Desventajas Materiales Conductores

• Cualquier material que soporte un flujo de carga, cuando

• Exactitud del modelo una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a
través de sus terminales.
• En un simulador no se queman los • Los conductores fácilmente conducen la corriente
circuitos eléctrica.
• Los mejores conductores son materiales de un solo
• Capacidad o incapacidad de interpretación elemento tales como, cobre, plata , oro, y aluminio.
de resultados por parte del que lleva a • Se caracterizan por tener átomos con solo un electrón
de valencia pobremente unido. Estos electrones
cabo la simulación fácilmente pierden esta unión y se vuelven electrones
libres
• Un material conductor tiene muchos electrones libres,
que cuando se mueven en una sola dirección hacen la
corriente eléctrica

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2
 Materiales Aislantes Materiales Semiconductores

• Un material que ofrece un nivel muy bajo • Un material que posee un nivel de conductividad sobre
algún punto entre los extremos de un aislante y un
de conductividad bajo la presión de una conductor, es decir permite el flujo de carga bajo ciertas
fuente de voltaje aplicada. condiciones de operación, y se comporta como un
aislante si no se aplica la cantidad de corriente o voltaje
• Los mejores materiales aislantes se necesaria para conducir
fabrican de materiales compuestos. • Los materiales semiconductores de un solo elemento
• En los aislantes, los electrones de más comunes son: silicio, germanio y carbón.
valencia están fuertemente unidos a los • Uno de los materiales semiconductores compuestos
más comunes es el arseniuro de galio
átomos; existen muy pocos electrones
libres en un material aislante

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Valores típicos de resistividad Modelo de Bhor

Estructura Atómica del Silicio
• Conductor 10-6 Ω-cm (Cobre) Electrones de Valencia

Orbitas
• Semiconductor 50 Ω-cm (Germanio)
Núcleo
+
• Aislante 1012 Ω-cm (Mica)

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Niveles o Bandas de Energía -

Unión Covalente
-
Átomo
-
de Si
- Si - - Si - - Cuando elementos
Si -
extremadamente
• En la estructura atómica existen niveles - - -
puros, como el silicio o
de energía discretos asociados con cada Electrones el germanio, se enfrían
Compartidos
electrón en una órbita, cada material después de haber
estado en forma
tendrá su propio conjunto de niveles de - - -
líquida, sus átomos se
energía permisibles para los electrones en - Si - - Si - - Si - acomodan en patrones

su estructura atómica. - - - ordenados llamados

cristales. Los
• Entre mas lejos se encuentre un electrón Electrones
de Valencia electrones de valencia
del núcleo atómico mayor será la cantidad determinan la forma
- - - exacta de la estructura
de energía que posea
- Si - - Si - - Si - del cristal resultante
- - -

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3
 Modelo del átomo de Silicio Molécula de Silicio

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Molécula de Silicio Modelo del átomo del Germanio

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Molécula del Germanio

• Los átomos se unen en una estructura de manera que
cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia
formando enlaces covalentes (a la unión de átomos
reforzado por electrones compartidos se le llama enlace
covalente)
• Aunque los electrones de valencia están unidos
firmemente a la estructura, es posible que esos
electrones rompan sus enlaces y sean capaces de
moverse como electrones de conducción (también
llamados electrones libres), esto sucede si es aplicada
una cantidad suficiente de energía externa
• El término libre manifiesta que su movimiento será muy
sensible a la aplicación de campos eléctricos como los
que se generan por fuentes de voltaje

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4
 Niveles de Energía Niveles de Energía

• Como hemos visto, en la estructura atómica • Mientras más distante

se encuentre el
aislada existen niveles discretos de energía electrón del núcleo, Electrones de Valencia
asociados con cada electrón que orbita. Cada mayor es el estado de
material tiene su propio conjunto permitido de energía, y cualquier Orbitas

niveles de energía electrón que haya Núcleo

dejado a su átomo, +
• IONIZACIÓN: Es el mecanismo por medio del tiene un estado de
cual un electrón puede absorber energía energía mayor que
cualquier electrón en la
suficiente para escapar de la estructura atómica estructura atómica
Existe un rango o una banda de
posibles niveles de energía para los
e ingresar a la banda de conducción electrones de valencia, asimismo
existe un rango o banda de niveles
de energía para los electrones de
conducción
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Niveles de Energía Niveles de Energía

Aislante Conductor
Elec trones libres
Banda de c onducc ión para establecer la
c onducc ión

Banda de c onduc c ión La s banda s se

GAP Eg> 5eV traslapan

Banda de Valencia
Elec trones libres
unidos a la estruc tura
Banda de Valenc ia atóm ic a
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Niveles de Energía Electrones y Huecos

Semiconductor • Hueco es el espacio vacío que deja un
electrón cuando es excitado
Aumento de Tem peratura
Elec trones libres
Banda de conduc c ión pa ra establecer la
c ond ucc ión Elec trones libres

}
Banda de conduc c ión pa ra establecer la
Eg= 1.1eV (Si) c ond ucc ión
GAP Eg= 0.67eV (Ge)
Eg= 1.41eV (GaAs) GAP Eg> 0.7 eV (Si)
Elec trones libres
Elec trones libres
unidos a la estruc tura unid os a la estruc tura
Banda de Va lencia atóm ic a Banda de Va lenc ia
atóm ic a
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 Efecto de la Temperatura en Dinámica de la conducción
Semiconductores - - -
• A =0 K, todos los electrones están unidos a sus - Si - - Si - - Si -
enlaces covalentes, no existen electrones libres - - -

ni se puede establecer la conducción, el Banda de conduc c ión

material se comporta como un aislante - - -
• A temperatura ambiente, algunos enlaces - Si - - Si - - Si -
GAP
covalentes se rompen como resultado de la - - -

vibración térmica
Banda de Va lenc ia
• Algunos electrones se desprenden de los - - -

enlaces favoreciendo la conducción - Si - - Si - - Si -

- - -

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Conducción en Materiales Corrientes

Semiconductores
• Los electrones en los átomos de silicio y germanio están
unidos firmemente en la estructura cristalina formando
enlaces, estos enlaces no se pueden romper sin recibir
energía externa
• El enlace reticular es eléctricamente neutro
• Cuando un enlace se mueve, un electrón se mueve
libremente a través de la estructura, el enlace
permanece cargado positivamente, e intenta balancear
la carga capturando un electrón.
• Vemos entonces que hay dos grupos independientes de
portadores de carga, electrones de conducción y huecos
• Los huecos tiene propiedades similares a las de un
electrón libre
• La agitación térmica produce un movimiento aleatorio de electrones
en un semiconductor. Este fenómeno no produce ningún flujo neto
de carga.
• A temperatura diferente de cero, los átomos en la estructura
cristalina poseen energía cinética, y hay un intercambio continuo de
electrones y huecos
• Sin embargo, si algún mecanismo provoca una concentración más
alta en un extremo del semiconductor creando de este modo un
gradiente, los electrones se difunden hacia el otro extremo,
originando un flujo de carga neto conocido como corriente de
difusión.
• Cuando se aplica un campo eléctrico se produce otro movimiento y
los huecos y electrones libres son acelerados, este movimiento se
conoce como corriente de arrastre.

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Semiconductores Intrínsecos Materiales Semiconductores

• Son materiales en los cuales hay una banda en
la cual no hay electrones. Los electrones de III IV V
valencia no se pueden mover libremente a
B C
través del material, sino que participan en
enlaces covalentes manteniendo la estructura Al Si P
• En un material intrínseco el número de huecos
es igual al número de electrones, el proceso de Ga Ge As
generación crea al mismo tiempo un par
electrón-hueco
• Los semiconductores instrínsecos NO son
buenos conductores de electricidad.

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 Concentración de portadores Constantes en semiconductores
intrínsecos
 − Eg  Material Eg(eV) B(cm-3K-3/2)
 
3 / 2  2 kT 

ni = BT e Silicio (Si) 1.1 5.23x1015

Arseniuro de 1.41 2.10x1014

• B es una constante relacionada con el material Galio (GaAs)
• Eg es el nivel de energía del gap (eV)
Germanio (Ge) 0.67 1.66x1015
• T es la temperatura (K)
• k es la constante de Boltzmann (86x10-6 eV/K)

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Semiconductores Extrínsecos Dopado

• Las corriente inducidas en los • Cuando una impureza donante se agrega

semiconductores puros son relativamente a un semiconductor aportando huecos o
pequeñas electrones libres sin que el átomo
• La conductividad en un semiconductor aportado pueda moverse
puede ser incrementada, si se introducen • La impureza puede aportar o huecos
impurezas en el material (impureza donadora), o electrones
(impureza aceptadora)

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Material Tipo n -
Material
-
tipo n -

- 4 - - 4 - - 4 -
• Si la sustancia dopante tiene exceso de - - -

electrones libres, entonces se le llama

Electrón Libre
donador y el semiconductor dopado será
- - -
de tipo n -
- Si
4 - - Si
P - - 4
Si -
• Los portadores mayoritarios serán - - -
electrones y los portadores minoritarios
Fosforo!
serán huecos
- - -

- Si
4 - - Si
4 - - Si
4 -
- - -
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7
 Material Tipo n Material Tipo p

• El Silicio es dopado con Fósforo, Arsénico, • Si la sustancia tiene exceso de huecos

Bismuto o Antimonio entonces se le conoce como aceptador y
• Esos materiales fueron escogidos tomando en será un semiconductor tipo p
cuenta que sus átomos no causan problemas en
la estructura cristalina
• Los portadores mayoritarios serán huecos
y los portadores minoritarios serán
• Se crea un electrón libre a temperatura
ambiente electrones
• El silicio dopado con un material tipo n necesita
solo 0.05eV para perder un electrón de valencia

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-
Material
-
Tipo p - Material Tipo p
- 4 - - 4 - - 4 -
- - - • Las impurezas en un aceptor tienen tres
electrones de valencia
Enlace fa lta nte • Para formar un material tipo p se agregan
o hueco libre
- - -
átomos de Boro, Indio y Galio
- Si
4 - - Si
3 - - 4
Si - • Como le hace falta un electrón de valencia
- -
entonces deja un hueco vacante en la estructura
-
• El hueco se mueve libremente y crea una carga
Boro! positiva móvil
• La carga negativa esta fija en la estructura
- - -
imposibilitada para moverse
- Si
4 - - Si
4 - - Si
4 -
- - -
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Equilibrio térmico A temperatura ambiente (300K), cada átomo donador aporta un

electrón libre al semiconductor. Si la concentración Nd es más
2 grande que la concentración intrínseca, entonces podemos
no po = ni aproximar la expresión a:

no ≅ N d
• no concentración en equilibrio térmico de
Entonces la concentración de huecos:
electrones libres
• po concentración en equilibrio térmico de 2
ni
huecos libres po =
• ni concentración intrínseca de portadores Nd

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 Similarmente, a temperatura ambiente, cada átomo aceptador
Corriente de arrastre
adquiere un electrón de valencia, creando un hueco. Si la
concentración de aceptores Na es mucho más grande que la
concentración intrínseca entonces, podemos aproximar a: • La corriente de arrastre es causada por
campos eléctricos.
po ≅ N a
• Se asume que un campo eléctrico E,
Entonces la concentración de electrones: aplicado en una dirección produce una
2 fuerza en los electrones, en dirección
ni opuesta, los electrones adquirirán una
no =
Na velocidad de arrastre vdn (en cm/s)

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Corriente de Arrastre Corriente de Difusión

Material tipo n Material tipo p
E E • Las partículas fluyen de una región de mayor
concentración a una región de menor
vdn e h vdp concentración.
• Estadísticamente en cualquier instante en
Jn Jn particular, la mitad de las partículas de la región
de mayor concentración se moverán hacia el
lado de menor concentración
La densidad total de corriente de arrastre: • Las partículas concentradas en la región de

J = (enµ n + epµ p )E = σE
menor concentración, también se moverán a la
región de mayor concentración

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Corriente de Difusión Exceso de Portadores

• La concentración de portadores está en función • Los electrones de valencia pueden
de la distancia.
adquirir suficiente energía para romper el
n enlace covalente y convertirse en
electrones libres. Cuando esto ocurre, se
-- +- -- -
--+ - producen huecos y electrones generando
--+-- -- + +- - +- - - +
pares electrón-hueco.
x • Entonces se produces exceso de huecos
• El resultado es un flujo neto de partículas desde
la región de alta concentración hacia la región y exceso de electrones.
de baja concentración

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 Exceso de Portadores
Exceso de electrones

• La creación del exceso de electrones y n = no + δn

huecos no continua indefinidamente, esto
es debido a que el electrón en exceso Exceso de electrones
puede recombinarse con un hueco, en un
proceso llamado recombinación electrón p = po + δp
hueco.
• Tanto el hueco como el electrón • no y po son las concentraciones de huecos
desaparecen hasta alcanzar un estado y electrones en equilibrio térmico, δn y δp
estable representan las concentraciones en
exceso de electrones y huecos

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