PRÁCTICA I

Se nos pide analizar un circuito dónde los terminales del JFET estén: Puerta y
Fuente a tierra, es decir 𝑉𝐺𝑆 = 0; y el Drenaje conectado a una fuente variable.
Determinar la corriente Drenaje-Fuente de saturación 𝐼𝐷𝑆𝑆 mientras se varía la tensión.

Cuando tenemos 𝑉𝐺𝑆 = 0 la máxima corriente que pasa por 𝐼𝐷𝑆 va a ser entre
10 − 100 𝑛𝐴 (dependiendo del dispositivo). Haciendo 𝑉𝐺𝑆 = 0 el campo eléctrico del
semiconductor P se hace pequeño y permite el paso de corriente en 𝐼𝐷𝑆 , la barra de
potencial es pequeña o su región de agotamiento. Siendo nuestro dispositivo de Canal
N. Aun así, en la corriente de la Puerta 𝐼𝐺 circula una corriente mínima.

Variando la tensión de 𝑉𝐷𝑆 la corriente en 𝐼𝐷𝑆 va creciendo mediante se vaya

aumentando la tensión en la fuente. Va a llegar un momento dónde se va a limitar la
𝐼𝐷𝑆 se va a ser constante en ese instante la corriente se pasa a ser saturada 𝐼𝐷𝑆𝑆 .

*En la salida cuando representamos una gráfica 𝐼𝐷𝑆 -𝑉𝐷𝑆 , en la región donde la
tensión 𝑉𝐷𝑆 empieza a variar hasta llegar a una corriente constante 𝐼𝐷𝑆𝑆 esta función se
comporta como una resistencia, se cumpliría la Ley de Ohm.

ELECTRÓNICA II DANIEL ARISTIMUÑO

EXP. 2014200157
PRÁCTICA II

Se nos pide analizar un circuito dónde los terminales del JFET estén: Drenaje-
Fuente con una fuente fija 𝑉𝐷𝑆 y la Puerta-Fuente 𝑉𝐺𝑆 conectada a una fuente variable.
Determinar la corriente Drenaje-Fuente 𝐼𝐷 mientras se varía la tensión.

Teniendo un dispositivo de Canal N tenemos que invertir la fuente ¿Por qué la

invertimos? Para que haya paso de electrones y se genere el campo eléctrico, con los
semiconductores P y N del dispositivo. Así venza la barrera interna de potencial y
podamos regular la corriente 𝐼𝐷 mediante la variación de tensión en 𝑉𝐺𝑆 .

Mientras aumentemos la tensión 𝑉𝐺𝑆 negativamente la corriente 𝐼𝐷 va ir

disminuyendo ¿Qué implica esto? Esto hace que los semiconductores P se amplíen
hasta que no haya circulación de corriente, en el caso del dispositivo Canal N. Cuando
la corriente 𝐼𝐷 = 0 la tensión 𝑉𝐺𝑆 va a tener un valor de tensión de corte, en la salida
esto va a ser la tensión de estrangulamiento 𝑉𝑃 .

*En la región activa del transistor JFET la podemos usar como una
amplificación para unas señales. Otras aplicaciones con este tipo de transistores, la
construcción de osciladores para generación de formas de onda cuadradas a
determinadas frecuencias, y el análisis y diseño de las configuraciones fundamentales
de amplificadores. Conmutador analógico, Multiplexado, Troceadores, Amplificador
de aislamiento, Amplificador de bajo ruido, Resistencia controlada por voltaje, Control
de ganancia automático.

ELECTRÓNICA II DANIEL ARISTIMUÑO

EXP. 2014200157