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El sistema que nos ocupa usa corriente trifásica y las resistencias de calentamiento están
conectadas en delta como se muestra en la figura 1. El control en este caso se hizo por
línea por criterios de montaje aunque la corriente a controlar es mayor que si lo
hubiéramos hecho por fase.
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Para ello se desarrolló el esquema de la Fig. 2 que es similar al esquema de la aplicación
[1] pero con la mejora de que el control ahora se hace sincrónico gracias al uso del relay
de estado sólido ASPF240D3 de CRYDOM que realiza la conmutación cuando se
produce el cruce por cero.
La corriente que pasa por las fases del circuito delta es:
U fase 220
I fase 44 A
R 5
I linea I fase 3 44 3 76 A
2 1 1 1
i (t ) I pico ( cos t cos 2t cos 4t........)
2 4 3 15
donde
I pico I RMS 2 76 2 107 A
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I pico 107
I TAV 34 A
0.707 I pico
I TRMS I AV 38 A
0.637 2 2
Para el SKT100 (que fueron los tiristores que conseguimos), el voltaje máximo, en ON,
que se cae entre cátodo y ánodo es 1.75 V, por tanto, la potencia máxima que se disipa
en el es:
La temperatura máxima de la unión T j de este tiristor es 130 ºC. Para lograr un trabajo
confiable y duradero de los componentes en cuestión, tomamos una T j de 70 ºC para
el cálculo del radiador.
donde
T j temperatura de la unión
PD potencia disipada
RJC resistencia térmica del componente (unión – envoltura)
RCS resistencia térmica del interfase (envoltura – disipador)
RSA resistencia térmica del disipador (disipador – ambiente)
T A temperatura ambiente
Entonces
TJ T A 70 30
RSA RJC 0.31 0.29º C / W
PD 66.5
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Conclusión.
Los esquemas así como algunas simulaciones se hicieron con el programa ISIS de
Proteus v6.6.
Tanto los tiristores usados (SKT100) como los relay de estado sólido (ASPF240D3)
están sobredimensionados pero fueron los que encontramos.
[1] Alex Lara, Gabriel Gonzalez y Dalila Ramirez, “Series, Inverse – Parallel and Turn
– Off Connections for SCR Thyristor Devices”, AND8030/D.
[2] Bill Roehr, “Mounting Considerations for Power Semiconductors”, AN1040/D.
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