Tema 3.

- Diodos de Unión
3.1. El diodo de unión.
3.1.1. Curvas características corriente-voltaje.
3.1.2. Ecuaciones de corriente.
3.1.3. Región de polarización directa.
3.1.4. Región de polarización inversa.
3.1.5. Región de ruptura.
3.2. El diodo ideal (Primera aproximación del diodo). Características corriente-voltaje
3.2.1. Circuito equivalente.
3.3. Comportamiento de un diodo no ideal (Segunda aproximación del diodo)
3.3.1. Circuito equivalente.
3.4. Comportamiento de un diodo no ideal (Tercera aproximación del diodo)
3.4.1. Circuito equivalente.
3.5. Análisis de circuitos con diodos
3.5. 1. Análisis gráfico
3.5. Modelo de pequeña señal y su aplicación.
3.6. Tipos de diodos: Zener, Túnel, Schottky, Led, Fotodiodo y Laser.
3.7. Aplicaciones del Diodo de Unión.
3.7.1. Circuitos rectificadores: Rectificadores de media onda y de onda completa.
3.7.2. Circuitos recortadores y fijadores
3.8. Operación física de los diodos.
3.8.1. Conceptos básicos de semiconductores.
3.8.2. Unión PN con polarización directa y con polarización inversa.
1
BIBLIOGRAFIA: Circuitos Microelectrónicos. A. S. Sedra ,C. Smith
 Diodos de Unión
‰ El diodo es la pieza básica en electrónica de estado sólido y está basado en
una sola unión p-n.
‰ Su composición es a partir de material semiconductor y su comportamiento
es no lineal

ELECTRONICA 2
 Diodos de Union

ELECTRONICA 3
 Curva característica del diodo real
i
‰ La curva característica del diodo representa
gráficamente la intensidad en un diodo como función
de la diferencia de potencial en sus bornes. Directa

‐VZ IS
i
ánodo cátodo
Vγ v
Ruptura Inversa
+ v -
KT
⎡ v
ηVT ⎤ VT =
i = IS ⎢ e − 1⎥ (A) q
⎣ ⎦
k: cte. de Boltzmann,
i: corriente del diodo k = 1.38 × 10–23 julios/kelvin
v: tensión aplicada al diodo q: carga elemental del electrón,
IS: corriente inversa de saturación. q = 1.60 × 10–19 culombios
VT: tensión térmica. A 27º C VT =26mV. T: temperatura absoluta en Kelvin
η: constante escala,(Ge: η = 1, Si: η = 2)
ELECTRONICA T=273+temp en ºC 4
VZ: voltaje de ruptura (voltaje zener)
 Curvas Características del Ge y del Si

Vγ=0,2 V (Ge)
Vγ=0,7 V (Si)
ELECTRONICA Vγ=0,2 V (GSchottky) 5
Vγ=1,2 V (LED de AsGa)
 Efectos térmicos sobre la unión
T − 25 KT
IS (T ) = IS (25°C )2 10 VT =
q

Polarización directa Polarización inversa

‰ La corriente aumenta con la temperatura

ELECTRONICA 6
 Comportamiento del diodo ideal
Primera aproximación del diodo
‰ Se considera el diodo como un interruptor:
‰ En polarización directa el diodo conduce, se
comporta como un cortocircuito Polarización Polarización
‰ En inversa no conduce, se comporta como un inversa directa
circuito abierto

Polarización inversa
Curva característica corriente-voltaje

iD
vD
Polarización directa

ELECTRONICA 7
 Comportamiento de un diodo no ideal
Segunda aproximación del diodo
‰ Se considera como un diodo ideal en serie con
una batería.

Polarización inversa
iD
vD

Para sacar la tensión entre sus terminales voy desde anodo a

catodo sumando y restando tensiones

Polarización directa

ELECTRONICA 8
Cuando está polarizado directamente la tensión entre sus terminales es la tensión de la fuente
 Comportamiento de un diodo no ideal
Tercera aproximación del diodo
Polarización inversa
‰ En la modelización del diodo se
considera como un diodo ideal en
iD serie con una batería y una
vD resistencia interna rD

Polarización directa

1
pendiente = −
rD

ELECTRONICA
Vγ 9
 Comportamiento de un diodo no ideal
Cuarta aproximación del diodo
‰ En polarización directa como un interruptor en serie con una batería igual a
la tensión umbral del diodo Vγ y con una resistencia estática de directa rD
‰ En polarización inversa se comporta como una fuente de corriente IS en
paralelo a la resistencia estática de inversa rr

Polarización directa Polarización inversa

ID ID
Pendiente = 1/rD
VD
A ‐IS
Pendiente = 1/rr A
iD VD Diodo
Vγ ideal
vD
rD
IS rr
Vγ

ELECTRONICA 10
K K
 Ejemplos de circuitos con diodos ideales

ELECTRONICA 11
 Modelo exponencial

Característica ‰ Ecuación de la malla del circuito

del diodo
VDD − VD
ID =
R
(punto de operación)
‰ Con polarización directa
Línea de carga ⎡ VD ηVT ⎤
I D = IS ⎢ e ⎥
pendiente
⎣ ⎦

ELECTRONICA 12
 Recta de carga de un Diodo
R
‰ Ecuación de la malla del circuito
ID +
+ VDD - VD
VD - VDD + ID R + VD = 0 ⇒ I D =
VDD R
-
-
‰ El punto de operación o punto Q se obtiene
de la intersección de la recta de carga con la
curva característica del diodo
ID Recta de Característica
carga del diodo
VDD/R ‰Puntos de corte con los ejes

Q (punto de Si I D = 0 ⇒ VD = VDD
IDQ
funcionamiento) y
VD Si VD = 0 ⇒ I D = VDD /R
VDQ VDD
ELECTRONICA 13
Modelo de
pequeña señal Tangente en Q
pendiente

Punto de polarización

ELECTRONICA 14
 El diodo en régimen de pequeña señal
‰ Cuando aplicamos una pequeña señal al diodo debemos conocer el punto Q
de polarización estático y es conveniente conocer la resistencia dinámica en
esa región de funcionamiento.
‰ La resistencia dinámica es la que indica la pendiente del tramo lineal sobre
el que se mueve el punto Q
vD vd
iD (t ) = IS e ηVT
≈ ID e ηVT

⎡ vd ⎤ vd
iD (t ) ≈ ID ⎢ 1 + ⎥ = ID + id id = ID
⎣ ηVT ⎦ ηVT

La resistencia dinámica o resistencia de pequeña señal

1 ηVT
rd = =
⎡ di D ⎤ ID
ELECTRONICA ⎢⎣ dv D ⎥⎦ Q 15
 Modelo de pequeña señal

(a) circuito a analizar (contiene cantidades tanto de cd como de señal)

(b) diodo sustituido por su modelo equivalente de pequeña señal
(c) el análisis de cd
ELECTRONICA (d) análisis de señal 16
 Limitaciones del diodo
‰ Tensión umbral Vγ
‰ Corriente máxima (Imax )
‰ Corriente inversa de saturación (IS )
‰ Tensión de ruptura (VZ )

-VZ

-VZ

ELECTRONICA 17
 Ejemplo

ELECTRONICA 18
 Resumen - Modelos del diodo en directa

ELECTRONICA 19
 Resumen - Modelo del diodo en alterna

ELECTRONICA 20
 Tipos de diodos
Los diodos se pueden clasificar tomando diversas referencias tales
como las tecnologías, su geometría y tamaño, o sus aplicaciones.
Pero los diodos que aquí vamos a tratar se clasifican en función de
su característica o principio de funcionamiento especial, estos son:

• Diodo rectificadores
• Diodo Zener
• Diodo Túnel o Esaki
• Diodo de capacidad variable
• Diodo Schockley
• Diodo Schottky
• Diodo emisores de luz (LED)
• Fotodiodo
• Diodo Laser
ELECTRONICA 21
 Tipos de diodos

ELECTRONICA 22
 El diodo Zener
‰ A estos diodos se les llama diodos de avalancha o de ruptura.
‰ Es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en la zona de
ruptura inversa (Las corrientes inversas pueden ser muy elevadas)
‰ Los diodos Zener se encuentran disponibles con potenciales Zener desde unos
pocos voltios (4V) hasta unos centenares de ellos.
‰ Se comporta como un dispositivo que sólo conduce la corriente a partir de cierta
tensión inversa aplicada, permaneciendo inactivo por debajo de estos valores.
Por encima del valor de ruptura, mantiene constante la tensión, por lo que se
utiliza como limitador de tensiones
Curva característica
iD

-VZ IS

Ruptura IZ minVγ vD

ELECTRONICA IZ max 23
IZ
 Modelo ideal del diodo Zener

VAk

ELECTRONICA 24
 Modelo no ideal del diodo Zener

VAK

ELECTRONICA 25
 Ejemplo del diodo Zener
‰ Los diodos zener se utilizan como reguladores de tensión (a partir de una
entrada de amplitud variable se obtiene una salida de tensión regulada.

Ejemplo-1

Ejemplo -2

ELECTRONICA 26
 El diodo Schottky
‰ El diodo Schottky se caracteriza por una unión metal -semiconductor
ligeramente dopado.
‰ El diodo Schottky presenta una caída de tensión directa en conducción mucho
menor que un diodo de silicio (sólo 0,2 V frente a los 0,7 V del diodo de Si).
‰ Este tipo de diodos puede pasar mucho más rápidamente de un estado de
polarización directa a polarización inversa que un diodo de unión pn
‰ Es utilizado en la fabricación de circuitos integrados.

ELECTRONICA 27
 Diodo Tunel
‰ Se obtiene fabricando un diodo zener con semiconductores muy dopados.
‰ Son dispositivos de baja potencia, que sólo pueden disipar unos cuantos miliwatios
‰ Cuando la tensión de polarización directa pasa de 0,1 a 0,5 V, la corriente empieza
a reducirse con el aumento de tensión, llevando a una característica v-i de forma en
S. Debido a su pendiente negativa, la región central de esta curva se llama región de
resistencia negativa. La tensión mínima a la derecha de la región de resistencia
negativa se llama tensión de valle VV, la corriente en este punto se llama corriente
de valle Iv. La corriente máxima que circula a baja tensión se llama corriente pico Ip.

iD vD

ELECTRONICA 28
 Diodo de capacidad variable - Varicap
‰Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la
anchura de la barrera de potencial en una unión PN varia en función de la tensión
inversa aplicada entre sus extremos.
iF

A                                         K VBR

VR vF
Zona de
utilización VF

‰Un varicap no se comporta como un condensador ideal pues aparecen

elementos parásitos, tales como LS (inductancia), RS (resistencia serie) y Rp
(resistencia paralelo o de fugas). Su comportamiento puede ser inductivo o
capacitivo.
LS RS
C
ELECTRONICA RP 29
 Diodo emisor de luz - LED
‰El diodo emisor de luz o LED convierte la corriente eléctrica en señales ópticas.
‰No están hechos de silicio, sino de otros materiales para que pueda radiar luz
roja, verde, amarilla, azul, naranja, infrarroja (invisible) y ultravioleta (invisible)
‰Su característica tensión-corriente es análoga a la de un diodo de estado sólido
clásico pero con una tensión umbral y resistencia dinámica más elevadas. La caida
de tensión típica es de 1,5 a 2,5 v para una corriente que fluctúa entre 10 y 50 mA.

‰Se utilizan en visualizadores

alfanuméricos para calculadoras, aparatos
de medida, relojes de cuarzo. También en
comunicaciones
ELECTRONICA
ópticas, acopladores 30
ópticos, lectoras de código de barras...
 Diodos emisores de luz
Longitud de onda Color Material
‰ En la Tabla se muestra (nm)
diferentes materiales 940 Infrarrojo GaAs
semiconductores, y la longitud 890 Infrarrojo GaAlAs
de onda y color de la luz 700 Rojo profundo GaP
660 Rojo profundo GaAlAs
emitida.
640 Rojo AlInGaP
630 Rojo GaAsP/GaP
626 Rojo AlInGaP
615 Rojo – Naranja AlInGaP
610 Naranja GaAsP/GaP
590 Amarillo GaAsP/GaP
590 Amarillo AlInGaP
565 Verde GaP
555 Verde GaP
525 Verde InGaN
525 Verde GaN
505 Verde turquesa InGaN/Zafiro
498 Verde turquesa InGaN/Zafiro
480 Azul SiC
450 Azul InGaN/Zafiro
430 Azul GaN
425 Azul InGaN/Zafiro
ELECTRONICA 31
370 Ultravioleta GaN
 Led- Materiales Comercializados
Infrarrojo cercano
Amarillo
GaAs.14P.36
Verde Naranja In0,72Ga.17As.60P.40
Violeta
Ga P:N GaAs.35P.65 GaAs In.83Ga.17As.34P.66
GaN
Rojo
GaP:ZnO
GaAs.6P.4

0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 λ(μm)

ELECTRONICA 32
 Diodo Laser
El láser realiza una transformación de energía eléctrica en energía luminosa de
características especiales como son:
‰Ser monocromática, es decir, que se emite en una longitud de onda concreta.
‰Presentar coherencia, es una radiación electromagnética en la cual todos los
fotones tienen la misma frecuencia y están sincronizados a la misma fase.
‰Es direccional, se transmite en forma de un haz muy fino sin divergencia (luz
muy estrecha en su ancho espectral, de 1 a 5 nm)
‰Es altamente brillante, o de gran densidad fotónica.
‰Capacidad de enfoque
Potencia Ancho espectral
del diodo Laser
+

ELECTRONICA 33
 Fotodiodo
‰ Los Fotodiodos son diodos semiconductores que operan polarizados
inversamente.
‰ Durante la absorción de la luz, cuando un fotodiodo es iluminado, las
partículas de energía luminosa, también llamadas fotones, son absorbidas
produciendo una corriente eléctrica.

iext

Corriente de II I
oscuridad, IS
VD
RL
Φe iext V
III IV

Corriente
ELECTRONICA con luz, iP 34
 Aplicaciones del Diodo de Unión
Circuitos Rectificadores
‰ La rectificación es una de la aplicaciones mas importantes
‰ El circuito rectificador representa un bloque de construcción esencial de las
fuentes de alimentación de dc.

Cto. Filtro Regulador Carga

Rectificador Voltaje

Transformador de potencia
N1 vueltas del devanado primario
N2 vueltas del devanado secundario

ELECTRONICA 35
 Aplicaciones del Diodo de Unión
Rectificación de la corriente alterna en corriente continua.
‰ La rectificación de la corriente eléctrica puede hacerse de dos maneras:
Eliminando la parte negativa de la señal de entrada: rectificador de media onda
empleando un único diodo.

‰Convirtiendo la parte negativa de la señal en positiva: rectificador de onda

completa o puente de diodos, según se empleen dos o cuatro diodos
respectivamente.

ELECTRONICA 36
 Rectificador monofásico de media onda
vi Diodo ideal
Vp

0
D ON

vo
D ON D OFF D ON D OFF

Vp

D OFF
0 π 2π ωt

v0 = Vp sen ωt si 0 ≤ ωt ≤ π

v0 = 0 si π ≤ ωt ≤ 2π
 Parámetros del rectificador de media onda
‰ Tensión media en la carga
1 ⎡ π ⎤ Vp
∫ VP sen ω t dω t = = 0,318Vp
'
V =
⎢
2π ⎣
dc
0 ⎥
⎦ π
‰ Tensión eficaz en la carga

2π π Vp
1 1
Vrms= ∫ (v o ) dω t =
2
∫ Vp sen ω t dω t =
2 2

2π 0 2π 0 2

NOTA Con carga resistiva las formas

de onda de tensión y de corriente en la
salida del rectificador y en la carga son
las mismas

ELECTRONICA 38
Parámetros del rectificador de media onda
Ip
‰ Valor medio de la corriente en la carga I =
o dc π
Ip
‰ Valor eficaz de la corriente en la carga: I =
o rms 2

‰ Potencia media en la carga Po dc =

(V )
=
( 0,318 V )
dc
2
p
2

R R

‰ Potencia eficaz en la carga

Po rms =
( V0 rms )
2
=
( 0,5 V )
p
2

R R
‰ Rendimiento:
η=
Po dc
=
( 0,318 V ) p
2

= 0,404 → (40,4% )
ELECTRONICA
Po rms ( 0,5 V ) p
2

39
 Rectificador monofásico de media onda
Diodo no ideal

D ON

D OFF
R R
v0 = v S − VD 0 si vS ≥ VD0
R + rD R + rD

v0 = 0 si vS < VD0
ELECTRONICA 40
 Rectificador de onda completa
con transformador de toma media
‰ En este caso, para rectificar la onda completa, se utilizan 2 diodos, en una
configuración denominada rectificador con transformador en toma media.

‰ Forma de onda del rectificador

ELECTRONICA 41
 Parámetros del rectificador con
transformador de toma media
‰ Tensión media en la carga

‰ Tensión eficaz en la carga

‰ Valor medio de la corriente en la carga

‰ Valor eficaz de la corriente en la carga

ELECTRONICA 42
 Parámetros del rectificador con
transformador de toma media
‰ Potencia aparente en el secundario (S):

‰ Potencia media en la carga

‰ Potencia eficaz en la carga

‰ Rendimiento

ELECTRONICA 43
 Rectificador en puente
‰ En este caso, para rectificar la onda
completa, se utilizan 4 diodos, en una
configuración denominada puente
completo o puente de Graetz.

Circuito del puente rectificador de onda completa

ELECTRONICA 44
Forma de onda de entrada y salida
 Circuitos recortadores

ELECTRONICA 45
 Circuitos limitadores básicos

ELECTRONICA 46
 Circuitos recortadores
‰ CIRCUITOS RECTIFICADORES CON UN DIODO

ELECTRONICA 47
 Circuitos recortadores
‰ CIRCUITOS RECTIFICADORES CON UN DIODO

ELECTRONICA 48
 Circuito recortador a 2 niveles con
diodos ideales

ELECTRONICA 49
 Circuito recortador simétrico con
diodos ideales

ELECTRONICA 50
 Circuito recortador a 2 niveles con
zener

ELECTRONICA 51
 Condensador fijador o restaurador de dc

ELECTRONICA 52
 Circuito fijador – Condensador nivelado
con resistencia de carga
‰ Cambian el nivel de continua de la señal de entrada

‰ Durante el intervalo 0 —> T/2 Durante el intervalo T/2 —> T

ELECTRONICA 53
 Estructura del átomo
El átomo de Rutherford está compuesto de núcleo
que contiene subpartculas como el protón (con
carga positiva) y los neutrones sin carga. En su
periferia, orbitando alrededor del núcleo están los
electrones
Estos electrones pueden ser de dos tipos:
´

ƒElectrones ligados al núcleo: orbitan capas

interiores del átomo, cerca de este y muy
difícilmente pueden escapar de la atracción que
ejerce el núcleo sobre ellos .
ƒElectrones de valencia: orbitan en capas más
exteriores del átomo. en niveles superiores de
energía, y pueden escapar en determinadas
condiciones del átomo.
La capa más externa con electrones, es la capa de
valencia y es determinante para las propiedades
eléctricas y químicas de los elementos.
ELECTRONICA 54
 Bandas de energía
Los átomos tienen niveles de energía
discretos cuando están aislados unos
de otros.
Si se acercan un conjunto de N
átomos idénticos inicialmente aislados
para formar una red cristalina (solido)
la situación cambia debido a la
interacción entre ellos ocasionando
que cada nivel energético se divida en
niveles con energías ligeramente
diferentes llamados bandas

Desde el punto de vista de la

conducción sólo nos interesa las dos
últimas bandas:
ƒ Banda de valencia, (BV)
ƒ Banda de conducción (BC),
ELECTRONICA 55
 Diagrama de bandas
La banda de valencia (BV): está ocupada por los
electrones de valencia de los átomos, es decir,
aquellos electrones que se encuentran en la última
capa o nivel energético de los átomos. Los
electrones de valencia son los que forman los
enlaces entre los átomos, pero no intervienen en la
conducción eléctrica.
La banda de conducción (BC): está ocupada por
los electrones libres, es decir, aquellos que se han
desligado de sus átomos y pueden moverse
fácilmente. Estos electrones son los responsables
de conducir la corriente eléctrica
La banda prohibida (BP), tiene un nivel de energía
Eg, (Energy gap) normalmente expresado en eV
Eg = EC -EV

La BV es la banda de energía más alta que contiene electrones.

La BC es aquella que posee estados libres de energía y por tanto
pueden ser ocupados por electrones.
ELECTRONICA 56
 Propiedades eléctricas de
Metales,semiconductores y aislantes
‰ Para que la conducción de la electricidad sea posible es necesario que
haya electrones en la capa de conducción, así podemos considerar tres
situaciones

¾ Conductores
¾ Aislantes
¾ Semiconductores

ELECTRONICA 57
 Tipos de estructuras

Cristalina Amorfa Policristalina

Los semiconductores tienen estructura cristalina

ELECTRONICA 58
 Semiconductores
‰ Son materiales que presentan unas características intermedias entre los
conductores y los aislantes.
‰ Un semiconductor es un elemento tetravalentes, es decir, tienen cuatro
electrones de valencia, y forman enlaces covalentes en los que comparten
estos electrones con los átomos vecinos . Estructura diamantina

‰ Los materiales semiconductores pueden ser

¾ Intrínsecos
¾ Extrínsecos
ELECTRONICA 59
 Semiconductores puros
‰ El Silicio Si Es el material semiconductor más utilizado. Un átomo aislado
de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. La primera órbita contiene 2
electrones, y la segunda contiene 8. Los 4 electrones restantes se hallan en la
órbita exterior.

‰ El Germanio Ge. En el centro se halla un núcleo con 32 protones. En este

caso los electrones se distribuyen como sigue: 2 electrones en la primera
órbita, 8 en la segunda y 18 en la tercera. Los últimos 4 electrones se localizan
en la órbita exterior o de valencia.

ELECTRONICA 60
 Semiconductores puros

Ge Si

Ge (Nº atómico= 32) Si (Nº atómico= 14)

Estructura atómica
Estructura atómica 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

Cuando los átomos de Si o de Ge se combinan para formar un sólido,

lo hacen según un patrón ordenado denominado cristal.
Cada átomo comparte sus electrones con 4 átomo vecino para
completar los 8 electrones en su orbital de valencia (enlace covalente)61
ELECTRONICA
 Cristales de Silicio

Al combinarse los átomos de Silicio para formar un sólido, lo hacen

formando una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los
"Enlaces Covalentes", que son las uniones entre átomos que se hacen
compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un
equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los átomos de Silicio.
ELECTRONICA 62
 Clasificación de los semiconductores
‰ Intrínsecos (sin impurezas)
‰ Extrínsecos (con impurezas)

Tipo P P de positivo

¾ Más huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)

¾ Impurezas del grupo III (aceptador).
¾ Todos los átomos de aceptador ionizados “-”.

Tipo N N de negativo

¾ Más electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)

¾ Impurezas del grupo V (donador)
¾ Todos los átomos de donador ionizados “+”.
ELECTRONICA 63
 Semiconductor intrínseco
Enlace
Electrones de
covalente
valencia
Banda de conducción (BC)
+4 +4 +4 +4 Ningún electrón a 0K
N

Ión de
silicio
BC
+4 +4 +4 +4 BP Eg=1,1 eV
P

BV
+4 +4 +4 +4 Banda de valencia (BV)
Lleno de electrones a 0K
a) b)
a) Vista simplificada en dos dimensiones de un cristal de Si
b) Diagrama de bandas de energía de electrones en el
cristal de Si a temperatura del cero absoluto
ELECTRONICA 64
 Semiconductor intrínseco Electrones
libres y huecos
Enlace covalente Electrones
Energía E del electrón
roto de valencia
E +c
+4 +4 +4 +4
c
BC
E
Hueco c
Eext>Eg e libre e–
Eg
+4 +4 +4 +4 Hueco h +
EV

Ión de
silicio
BV
Electrón
libre +4 +4 +4 +4 0

a) b)
a) Cada línea representa un enlace entre átomos de Si. Cuando se rompe
el enlace covalente entre Si-Si, se generan un electrón libre y un hueco
b) Un fotón con energía mayor que Eg puede excitar a un electrón
haciéndolo pasar de la BV a la BC
ELECTRONICA 65
 Semiconductor intrínseco
Concentraciones de Electrones y Huecos

Como los electrones y huecos de conducción provienen de la rotura

de los enlaces covalentes, cada rotura nos dará un hueco y un
electrón, por lo que la concentración de huecos y la de electrones va
a ser la misma, llamada Concentración Intrínseca (ni):

n = p = ni

n = concentración total de electrones libre

p = concentración total de huecos
ni = concentración intrínseca

Ley de acción de masa. n ⋅ p = n i2

ELECTRONICA 66
 Semiconductor intrínseco
‰ Variación de la concentración intrínseca ni con la temperatura.

Ge: ni = 2 1013 portadores/cm3

Si: ni =1,5 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2 106 portadores/cm3

‰ Donde

ELECTRONICA 67
 Semiconductor extrínseco tipo N
Energía E del electrón

+4 +4 +4 +4
e- libres Átomo donador CB
Ion pentavalente
Ec
~ 0.05 eV
+4 +4 +5 +4 E
d As+ As+ As+ As+

Distancia dentro
hueco
del cristal
+4 +4 +4 +4 Ev x
Un átomo de As cada 106 átomos de Si

a) b)

a) De los cinco electrones del fósforo, arsénico o antimonio, cuatro forman

enlaces con átomos de Si y uno queda como electrón libre en la BC
b) Diagrama de bandas de energía para un cristal de Si tipo N con 1 ppm de As.
ELECTRONICA
Se producen niveles de energía de donadores justo debajo de EC 68
68
 Semiconductor extrínseco tipo P
Energía E del electrón
+4 +4 +4 +4
Un átomo de B cada 106 átomos de Si
hueco Átomo aceptador
Ion trivalente Ec x
s Distancia dentro
del cristal
+4 +4 +3 +4
– – – –
B B B B
Ea
e- libres + ~0.05eV
h
+4 +4 +4 +4 Ev
BV

a) b)
a) Cristal de Si dopado con boro, galio o indio , con solo tres electrones de
valencia forman enlaces con átomos de Si quedando un enlace sin completar
(hueco en la BV)
b) Diagrama de bandas de energía para un cristal de Si tipo p con 1 ppm de B.
ELECTRONICA 69
Se producen niveles de energía de aceptadores en la BV
 Densidad de carga
ƒLey de la neutralidad n + NA = p + ND

ƒSemiconductor Tipo N
Impurezas solo donadoras, ND (NA ≈ 0)

pn<< nn nn = ND
n2
n n ⋅ pn = n 2 → ND ⋅ pn = n 2 → p = i
i i n
ND

ƒSemiconductor Tipo P
Impurezas solo aceptadoras, NA (ND ≈ 0)

np << pp pp = NA
n2
n p ⋅ pp = n 2 → N ⋅ n p = n 2 → n = i
i A i p
N
ELECTRONICA A 70
 Corrientes de arrastre o desplazamiento

- + I

Ip

In
Son debidas a un campo eléctrico aplicado E entre bornas, provocando el
movimiento de las partículas cargadas .
Las fuerzas que actúan sobre el e- y el h+ debido al campo eléctrico acelera las
partículas provocando choques con átomos del cristal, aunque el movimiento
ELECTRONICA
siempre es en la dirección del campo E. 71
 Corrientes de arrastre o desplazamiento
Densidad de corriente de arrastre debido al campo eléctrico E
J A =σ.E (σ: conductividad del material)

JA = σ ⋅ E = q ⋅ ( n ⋅ μn + p ⋅ μp ) E
ƒCorriente de arrastre en semiconductor tipo N
La conductividad de los electrones predomina σ n >> σ p
I = σn ⋅ A ⋅ E = q ⋅ n ⋅ μn ⋅ A ⋅ E
An

ƒCorriente de arrastre en semiconductor tipo P

La conductividad de los huecos predomina σ p >> σ n
I = σp ⋅ A ⋅ E = q ⋅ p ⋅ μp ⋅ A ⋅ E
ELECTRONICA Ap 72
 Corrientes de difusión
Son debidas a la variación de concentración
de portadores a lo largo del material,
provocando el movimiento de las partículas
cargadas de las regiones de alta concentración
hacia las regiones de baja concentración
ƒCorriente de difusión de huecos

ID P = - q DP A
dp
dx
[A m ] 2

ƒCorriente de difusión de electrones

ID n = q Dn A
dn
dx
[A m ]2

q ≡ carga del electrón ≡ 1.6·10-19 C. .

DP , Dn ≡ constante de difusión de huecos y electrones.
ELECTRONICA dp/dx, dn/dx ≡ gradiente de concentración de huecos y electrones
73
 Corriente total en un semiconductor
ƒCorriente total de electrones

I T n = I A n + I D n = q n μ n A E + q D n A dn
dx
ƒCorriente total de huecos

I T P = I A P + I D P = q P μ P A E - q D P A dP
dx
ƒCorriente total
IT = IT n + IT p

I T = q n μ n A E + q D n A dn + q p μ p A E - q D p A dp
dx dx
Relación de Einstein
VT ≡ Tensión equivalente de temperatura.
DP Dn KT K ≡ Cte de Boltzman ≡ 1.38·10-23 J/K
= = VT =
ELECTRONICA μP μn q T ≡ Temperatura en grados K. 74
 Unión PN en equilibrio
La unión de un semiconductor de tipo p con otro de tipo n , unión PN, presenta
la importante característica de facilitar el paso de la corriente eléctrica en un
sentido y no en el contrario
Región de deplexión ⎡ N ⋅N ⎤
(Zona de carga espacial) V0 = VT ln ⎢ A 2 D ⎥
Contacto
Zona tipo P Unión Zona tipo N
⎣ ni ⎦
óhmico

Huecos - - - - - + + + + + Electrones
I=0 A - - - - - + + + + +
K
- - - - - + + + + +
Iones Iones
- - - - - + + + + +
aceptadores donadores
E
V0
Corriente de huecos:
ID p ID n
Ip= 0 = ID p+ IA p → ID p= -I A p
Corriente de electrones:
ELECTRONICA IA p IA n In= 0 = ID n+ IA n → ID n= -IA n
 Unión PN en equilibrio

ELECTRONICA 76
 Unión PN con polarización directa
En polarización directa, la zona P se somete a un potencial positivo respecto de la
N reduciéndose la barrera de potencial en dicha cantidad. Se reduce además la
anchura de la zona de carga espacial. V D
+ -

Zona P V=V0- VD Zona N

- - - - - + + + + +
I
- - - - - + + + + +
- - - - - + + + + +
- - - - - + + + + +
E = E − ED
0
IDp >>IAp y IDn >>IAn ID p ID n

I =ELECTRONICA
cte=In +Ip =IDn+IAn+IDp+IAp ≈IDn+IDp IA p IA p 77
 Unión PN con polarización directa

ELECTRONICA 78
 Unión PN con polarización inversa
En polarización inversa la zona N tiene una tensión positiva aplicada con
respecto de la P. La barrera de potencial se ve aumentada en dicha cantidad y
por tanto la zona de carga espacial aumenta. El resultado es que únicamente una
pequeña corriente inversa atraviesa la unión.
VD
- +

V=V0+VD
Zona P Zona N

I=-IS - - - - - + + + + +
- - - - - + + + + +
- - - - - + + + + +
- - - - - + + + + +
E = E + ED
0

I Dp << I Ap y I Dn << I An ID p ID n

I =ELECTRONICA
−IS = I n + I p = I Dn + I An + I Dp + I Ap ≈ I An + I Ap IA p IA p 79
 Unión PN con polarización inversa

ELECTRONICA 80
 Fenómenos de avalancha
‰ Hay dos efectos que producen la ruptura de un diodo de unión p-n
¾ Efecto avalancha (diodos poco dopados)
¾ Efecto Zener (diodos muy dopados).

ELECTRONICA 81