UNIVERSIDAD TECNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE INGENIERÍA INDUSTRIAL EN PROCESOS DE AUTOMATIZACIÓN
CICLO ACADÉMICO: MARZO/2017 – SEPTIEMBRE/2017

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL BÁSICA

Ing. Mg. Víctor Pérez R. CUARTO INDUSTRIAL

DEBER #: 04

TEMA: DIODOS

CUESTIONARIO

1. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones de
polarización en directa y en inversa en un diodo de unión PN y cómo se ve afectada
la corriente resultante.

2. Describa cómo recordará los estados de polarización en directa y en inversa del

diodo de unión PN. Es decir, ¿cómo recordará cual potencial (positivo o negativo)
se aplica a cual terminal?

3. Determine la corriente en el diodo a 20°C para un diodo de silicio con Is= 50 nA y

una polarización en directa aplicada de 0.6 V.

4. Repita el problema anterior con T = 100°C (punto de ebullición del agua). Suponga
que Is se ha incrementado a 50 mA. (a). Determine la corriente a 20°C en un diodo
de silicio con Is = 0.1 mA con un potencial de polarización en inversa de 10 V. (b).
¿Es el resultado esperado? ¿Por qué?

5. (a). Grafique la función y = ex con x de 0 a 10. ¿Por qué es difícil hacerlo? (b). ¿Cuál
es el valor de y = ex con x = 0? (c). Basado en los resultados de la parte (b), ¿por
qué es importante el factor de -1 en la ecuación ID = IS (eVD/VT n – 1)?

6. En la región de polarización en inversa la corriente de saturación de un diodo de

silicio es de alrededor de 0.1 mA (T = 20°C). Determine su valor aproximado si la
temperatura se incrementa 40°C.

7. Compare las características de un diodo de silicio y uno de germanio y determine

cuál preferiría utilizar en la mayoría de las aplicaciones prácticas. Dé algunos
detalles. Consulte la lista del fabricante y compare las características de un diodo
de silicio y de uno de germanio de características nominales máximas similares.

8. Determine la caída de voltaje en directa a través del diodo cuyas características

aparecen en la figura siguiente, a temperaturas de -75°C, 25°C, 125°C y una
corriente de 10 mA. Determine el nivel de corriente de saturación para cada
temperatura. Compare los valores extremos de cada una y comente sobre la
relación de las dos.
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9. La característica en directa del diodo en el circuito de la figura se rige por la ecuación

de Shockley (es decir se trata de un diodo ideal, con n=1). La corriente de saturación
-12
es I0=2×10 A a la temperatura ambiente de Ta= 290 °K (kTa= 0,025 eV) y se
duplica cada 4,83 °C de incremento de la temperatura. Los otros elementos del
circuito, R = 1 kΩ y VAA= 4,5 V, son independientes de la temperatura.
a) Suponiendo VD ∼ 0,5 V, en el circuito, obtener la corriente ID.
b) Obtener, ahora, un valor más preciso de VD para la temperatura Ta.
c) ¿Cuál es la potencia disipada en el diodo?
d) Si la temperatura de funcionamiento aumenta en 14,5 °C por encima de la
ambiente, deducir cuál será la variación ΔVD en magnitud y signo.