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Introducción
Entre estos dos grupos aparecen los semiconductores, cuya resistividad se es de (10-2
– 109 Ω cm), que le confiere propiedades de interés y permite un gran numero de
aplicaciones tecnológicas.
Los materiales semiconductores difieren de los metales ya que en estos hay una
brecha de energía aproximadamente de 1 eV, esta brecha se puede modificar
aplicando impurezas al material semiconductor, estas impurezas son mecanismos en
donde los electrones adicionales no se pueden acomodar en la banda de valencia de la
red original para ocupar niveles discretos de energía inmediatamente debajo de la
banda de conducción por lo cual son fácilmente excitados a la banda de conducción,
tales átomos de impurezas se denominan: DONADORES (Semiconductor tipo N),
también la impureza puede consistir en átomos que tienen menos electrones que el
semiconductor, entonces la impureza crea huecos muy cerca de la banda de valencia,
tales átomos de impureza se denominan: ACEPTORES (Semiconductor tipo P). Por lo
cual fácilmente se puede excitar algunos electrones de la banda de conducción a los
niveles de energía de las impurezas.
1
fenómenos físicos de interés se deben a transiciones electrónicas que se producen
entre las bandas de valencia y conducción.
A continuación se presenta una tabla con los valores de Ancho de Banda Prohibida de
algunos semiconductores:
Semiconductores en equilibrio.
o
a) Caso T = 0 K , el estado de las bandas de energía se muestra en el siguiente
esquema:
2
o
b) Caso T = 300 K, el estado de las bandas de energía se muestra en el siguiente
esquema:
1
f (ε ) =
⎛ ε − ε F ⎞
1 + exp ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ K T ⎠
En donde:
T: Temperatura.
f (ε ) = 1 (ε ∠ ε F )
f (ε ) = 0 (ε F ∠ ε )
La probabilidad de ocupación de un nivel que coincide con el nivel de Fermi esta dado
1
por: f (ε F ) = .
2
b) Cuando ε F ∠∠ ε entonces, se satisface que ε − ε F ∠∠ Κ T en donde se cumple:
3
1 ⎛ (ε − ε F ) ⎞
f (ε ) ≈ = exp ⎜⎜ − ⎟
⎛ ε − ε F ⎞ ⎝ K T ⎟⎠
exp ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ K T ⎠
Esta ultima expresión corresponde a la estadística de Stephan – Boltzmann.
Semiconductores extrínsecos.
d no = f o (ε ) g c (ε ) d ε
En donde:
8 2Π 3 ε − εc
d no = 3
mn 2 dε
h ⎛ ε − ε c ⎞
1 + exp ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ K T ⎠
∞ 8 2Π 3 ⎛ ε − ε c ⎞ ∞ 12
n = ∫ d no = (mn K T) 2 exp ⎜⎜ F ⎟⎟ ∫ Υ exp (− Υ ) d Υ
εF h3 ⎝ K T ⎠ 0
En donde:
ε − εc
Υ=
KT
⎛ E − Ec ⎞
n = nc exp ⎜⎜ F ⎟⎟
⎝ K T ⎠
4
Donde:
3
2
⎛ 2 Π mn K T ⎞
nc = 2 ⎜ ⎟
⎝ h2 ⎠
nc: es llamada densidad efectiva de estado para electrones.
En el caso de huecos:
⎛ E − E F ⎞
p = nv exp ⎜⎜ v ⎟⎟
⎝ K T ⎠
Donde:
3
2
⎛ 2 Π m p K T ⎞
nv = 2 ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ h2 ⎠
Semiconductores Extrínsecos.
Conductividad
J n = ρ n Vn = −e n Vn
En donde:
5
La densidad de corriente para huecos JP se expresa de la forma:
J p = ρ p Vp = e p Vp
En donde:
En donde:
τ ∗
n : Es el tiempo libre entre colisiones.
− eτn
Vn = ∗
E
mn
eτn Vn
µn = ∗
=−
mn E
pτn Vp
µp = ∗
=
mn E
J = J n + J p = e (n µ n + p µ p ) E
J =σ E
En donde:
σ: Es la conductividad.
σ = e (n µ n + p µ p )
6
En equilibrio se satisface:
σ o = e (no µ n + po µ p )
Bibliografía
Bazán J. C., Química de los Sólidos, Universidad Nacional del Sur Bahía Blanca,
Argentina; OEA, Washington, DC, USA.,1984.